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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > adjusted p valueに関連した英語例文

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adjusted p valueの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 11



例文

The ECU calibrates the conversion characteristic based on the variation between the value of the fuel pressure calculated according to the conversion characteristic and the value of the predetermined adjusted pressure Kpr adjusted by the pressure regulator, based on the detected value P of the fuel pressure sensor detected after the operation of a low-pressure fuel pump and prior to the operation of the high-pressure fuel pump.例文帳に追加

ECUは、低圧燃料ポンプの作動後でかつ高圧燃料ポンプの作動前に検出された燃圧センサの検出値Pに基づいて、上記変換特性にしたがって算出される燃料圧力値と、上記調圧弁で調圧される所定調圧値Kprとの偏差に基づいて上記変換特性を較正する。 - 特許庁

Moreover, relationship between the current value of the reference current Iref which is to be received by the bias voltage generating part 102 and the voltage value of the bias voltage Vbias which is to be generated by the bias voltage generating part 102 is adjusted by control signals CTa-1 to CTa-P, CTb-1 to CTb-P.例文帳に追加

また、バイアス電圧生成部102が受ける基準電流Irefの電流値とバイアス電圧生成部102が生成するバイアス電圧の電圧値Vbiasの電圧値との関係は、制御信号CTa−1〜CTa−P,CTb−1〜CTb−Pによって調整される。 - 特許庁

The fluctuations in production variations of the resistance value of the polysilicon resistive element 1 is cancelled by the variable adjustment of the resistance value of the P-type MOS transistor 2, and the combined resistance of the polysilicon resistive element 1 and the P-type MOS transistor 2 is adjusted to the characteristic impedance of the transmission line with high accuracy.例文帳に追加

ポリシリコン抵抗素子1の抵抗値の製造ばらつきの変動は、前記P型MOSトランジスタ2の抵抗値の可変調整によって吸収され、ポリシリコン抵抗素子1とP型MOSトランジスタ2との合成抵抗は前記伝送路の特性インピーダンスに高精度に調整される。 - 特許庁

The gray value of an object (i+1) is adjusted (S4-S8) so that a difference of the gray scale between the objects |G(i)-G(i+1)| is a constant P with respect to the overlapped objects in a color image.例文帳に追加

カラー画像中の重なるオブジェクトに対して、各オブジェクト間のグレー値の差|G(i)—G(i+1)|が、定数Pになるようにオブジェクト(i+1)のグレー値を調整する(S4〜S8)。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor device in which a common gate electrode material is used for an n-type MOS transistor and a p-type MOS transistor, and each threshold voltage is adjusted to an appropriate value.例文帳に追加

n型MOSトランジスタ及びp型MOSトランジスタのそれぞれに共通のゲート電極材料を用い、且つそれぞれの閾値電圧が適切な値に調整された半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁


例文

For coefficient type data w_i0-w_i3 generated using the plurality of student signals, a resolution of an image obtained by an image signal Vb can be adjusted step by step in accordance with the value of the parameter (p).例文帳に追加

これらの複数の生徒信号を用いて生成される係数種データw_i0〜w_i3は、上述の画像信号Vbによって得られる画像の解像度をパラメータpの値に応じて段階的に調整可能なものとなる。 - 特許庁

Then, the width of a depletion layer 6 is adjusted, by controlling reverse bias applied between the p-type region 2 and the n-type region 3 and a positive voltage applied to the gate electrode 5, thus making the capacitance value of the semiconductor variable capacitance capacitor changed.例文帳に追加

そして、P型領域2およびN型領域3間に加える逆バイアスと、ゲート電極5に加える正の電圧とを制御して空乏層6の幅を調節することで、半導体可変容量コンデンサの容量値を変化させる。 - 特許庁

Then, high frequency reflection from the superconducting accelerator 6 is adjusted substantially to zero, and energy E of the charged particle 4 after accelerated at the superconductive accelerator 6 is controlled based on the relation of E=P/i using output P of high frequency power output from a high frequency oscillator 16 and current value i of the charge particles 4 after being accelerated at the superconductive accelerator 6.例文帳に追加

そして、この超伝導加速器6からの高周波の反射を実質的に零に調整し、高周波発振器16から出力する高周波電力の出力Pおよび超伝導加速器6で加速する荷電粒子4の電流値iを用いて、超伝導加速器6で加速された後の荷電粒子4のエネルギーEをE=P/iなる関係に基づいて制御する。 - 特許庁

An interlayer (104: adhesive layer or photo-polymer with evenly adjusted thickness ) where thickness variation is controlled to be a predetermined value or below (the thickness variation in the interlayer is 2 μmp-p or ±1 μm, or below during one rotation in any radius position) between a first recording part (L0) and a second recording part (L1).例文帳に追加

第1記録部(L0)と第2記録部(L1)との間に、厚み変動が所定値以下(任意の半径位置においてディスクを1周する間の中間層厚み変動が2μmp−pあるいは±1μm以下)に管理された中間層(104:厚みを均一に調整した接着層あるいはフォトポリマ)を設ける。 - 特許庁

例文

Then, when the defect P is detected by the signal processing device 20, the shutter speed of the image pickup means 12 is adjusted by the drive means 13 so that a value exceeding a specific threshold can be detected at a specific number of same points of horizontal scanning that continue out of a plurality of horizontal scanning of a video signal.例文帳に追加

そして、信号処理装置20により欠陥Pを検出したとき、ビデオ信号の複数の水平走査のうち、所定数連続する水平走査の同一箇所にて所定のしきい値を超える値が検出されされるように、駆動手段13により、撮像手段12のシャッタ速度を調整する。 - 特許庁

例文

An intermediate layer (104: an adhesive layer or photopolymer uniformly adjusted in thickness) managed in thickness fluctuation to a prescribed value or below (the intermediate thickness fluctuation while going round the disk in an arbitrary radius position is 2 μmp-p or ≤±1 μm) is provided between a first recording section (L0) and a second recording section (L1).例文帳に追加

第1記録部(L0)と第2記録部(L1)との間に、厚み変動が所定値以下(任意の半径位置においてディスクを1周する間の中間層厚み変動が2μmp−pあるいは±1μm以下)に管理された中間層(104:厚みを均一に調整した接着層あるいはフォトポリマ)を設ける。 - 特許庁




  
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