「al-R」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A chelating transition-metal compound is produced by reacting Mg[AlR'(OR)3]2 (wherein R and R' are each an alkyl or an aryl) with an amide ligand to prepare a chelate ligand-containing Mg-Al-amide complex compound, and then reacting the complex compound with a transition-metal halide compound, MX4 (wherein M is Ti or Zr; X is a halogen).例文帳に追加

前記キレート化遷移金属触媒成分[A] はMg[AlR′(OR)_3]_2 をアミド化合物と反応させて、アミドリガンドを含むMg-Al-アミド錯化合物を形成させた後、これを金属ハライド化合物と反応させて、無極性溶媒に非常に可溶性であるキレート化遷移金属化合物を製造する独特な合成方法により製造される。 - 特許庁

In the formulas, R1 and R2 are each 1-6C alkyl or aryl; R3 is 1-10C alkylene, 6-10C arylene or 6-10C alkarylene; M is an ion of Ca, Mg, Al or Zn; m is 2 or 3; n is 1 or 3; and x is 1 or 2.例文帳に追加

［R^1及びR^2は同一かまたは異なり、線状もしくは分枝状のC_1-C_6-アルキル及び／またはアリール、R^3は線状もしくは分枝状のC_1-C_10- アルキレン、C_6-C_10- アリーレン、C_6-C_10- アルキルアリーレンまたはC_6-C_10- アリールアルキレン、ＭはＣａ、Ｍｇ、Ａｌ及び／またはＺ、ｍは２または３、ｎは１または３、ｘは１または２である］ - 特許庁

The silicon nitride sintered compact comprises silicon nitride within the range of 75-97 mass % titanium nitride particles within the range of 0.2-5 mass % and a grain boundary phase consisting essentially of an Si-R-Al- O-N compound (R is a rare earth element) within the range of 2-20 mass %.例文帳に追加

窒化ケイ素焼結体は、窒化ケイ素を75〜97質量％、窒化チタン粒子を0.2〜5質量％、およびＳｉ−Ｒ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ化合物（Ｒ：希土類元素）を主として含む粒界相を2〜20質量％の範囲で含有する。 - 特許庁

An electrolytic Al plating layer is formed on the surface of an R-T-B rare earth magnet (R is at least a kind of rare earth elements containing Y, and T is Fe or Fe and Co) and an oxidation-resistant layer is formed on the outer layer.例文帳に追加

Ｒ−Ｔ−Ｂ系希土類磁石（ＲはＹを含む希土類元素の少なくとも１種であり、ＴはＦｅまたはＦｅ及びＣｏである。）の表面に電解Ａｌめっき層とその外層に耐酸化層を有することを特徴とする。 - 特許庁

After depositing and forming a film comprising Al or its alloy whose hydrogen content is ≥50 ppm on a surface of the R-Fe-B based sintered magnet, peening treatment is executed to the deposited and formed film comprising Al or its alloy.例文帳に追加

Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系焼結磁石の表面に、水素含有量が５０ｐｐｍ以上のＡｌまたはその合金からなる被膜を蒸着形成した後、蒸着形成されたＡｌまたはその合金からなる被膜に対してピーニング処理を行うことを特徴とする。 - 特許庁

The NCC layer 51 contains a nano-conductive channel 51a consisting of RM particles formed in an SiO matrix 51b, wherein R is Co, Fe or Ni, and M is Si, Al or the like.例文帳に追加

ＮＣＣ層５１は、ＳｉＯマトリクス５１ｂ中に形成されたＲＭ粒子（ＲはＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、ＭはＳｉ、Ａｌ等の金属）からなるナノ導電チャネル５１ａを含む。 - 特許庁

R=one or two kinds of Lu and Yb, M=one or two kinds of Ga and Al, 0.25≤w≤0.7, 0≤x≤0.05, and 0≤y≤0.24.例文帳に追加

化学式：（Ｂｉ_wＲ_1-wーxＰｂ_x）_3（Ｍ_yＦｅ_1-y）_5Ｏ_12 ただし、 Ｒ＝Ｌｕ、Ｙｂから選ばれる１種または２種 Ｍ＝Ｇａ、Ａｌから選ばれる１種または２種 ０．２５≦ｗ≦０．７、 ０≦ｘ≦０．０５、 ０≦ｙ≦０．２４ - 特許庁

The wear-resistant member comprising the silicon nitride sintered compact contains, by mass, 75-97% silicon nitride, 0.2-5% titanium nitride particles and 2-20% grain boundary phase mainly containing Si-R-Al-O-N compound (wherein, R is a rare earth element).例文帳に追加

耐摩耗性部材は窒化けい素焼結体から成り、この窒化けい素焼結体は、窒化けい素を７５〜９７質量％、窒化チタン粒子を０．２〜５質量％、およびＳｉ−Ｒ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ化合物（Ｒ：希土類元素）を主として含む粒界相を２〜２０質量％の範囲で含有する。 - 特許庁

The surface acoustic wave device 10 is constituted by forming a ZnO piezoelectric thin film 2 on an R-surface sapphire substrate 1 by sputtering, etc., and further forming a chirp type inter-digital electrode 3 of an Al film on the ZnO piezoelectric thin film 2.例文帳に追加

Ｒ面サファイア基板１上に、ＺｎＯ圧電薄膜２をスパッタリング法等によって形成し、さらにＺｎＯ圧電薄膜２上に、Ａｌ膜からなるチャープ型のインターデジタル電極３を形成してなるものである。 - 特許庁

The layer A15 consists of oxide containing Zn, Mg and O, and the second electrode layer 16 comprises at least one element R selected from the group consisting of Al, Ga and In, Zn, Mg and O.例文帳に追加

そして、層Ａ１５がＺｎとＭｇとＯとを含む酸化物からなり、第２の電極層１６が、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素ＲとＺｎとＭｇとＯとを含む。 - 特許庁

A ZnO piezoelectric thin film 2 is formed on a R plane sapphire substrate 1 by a sputtering method and the like, further, an inter-digital transducer 3 of a tilt charp type consisting of Al films is formed on the ZnO piezoelectric film 2.例文帳に追加

Ｒ面サファイア基板１上にＺｎＯ圧電薄膜２をスパッタリング法等によって形成し、さらにＺｎＯ圧電薄膜２上にＡｌ膜からなるチルトチャープ型のインターデジタルトランスデューサ３を形成する。 - 特許庁

To provide a method which can surely and stably obtain an Al alloy sheet for molding superior in deep drawability by an industrial scale manufacture, as a process of enhancing deep drawability, and enhancing the average r value of the Al-Mg-Si-based alloy, by controlling a texture by applying a differential speed rolling in a rolling process.例文帳に追加

異周速圧延を適用して集合組織制御を行なって、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金の平均ｒ値を向上させ、深絞り性を向上させるプロセスとして、工業的な量産規模での製造により確実かつ安定して深絞り性が優れた成形加工用Ａｌ合金板を得ることができる方法を提供する。 - 特許庁

Class D amplifiers 121L, 121R of a headphone drive circuit 12 amplify a left channel signal L+ and a right channel signal R+ of a stereo signal into signals AL+ and AR+ with a bias voltage VDD/2 as an amplitude center.例文帳に追加

ヘッドホン駆動回路１２のＤ級アンプ１２１Ｌと１２１Ｒとは、ステレオ信号の左チャネル信号Ｌ＋と右チャネル信号Ｒ＋を、バイアス電圧ＶＤＤ／２を振幅の中心とする信号ＡＬ＋とＡＲ＋とに増幅する。 - 特許庁

(R represents a rare earth element, T represents at least one element selected from among Fe, Co and Cu, B represents boron, R_L represents a light rare earth element, and M_1 represents at least one element selected from among Al, Zn and Ga.)例文帳に追加

（但し、Ｒは希土類元素、ＴはＦｅ、Ｃｏ及びＣｕから選ばれる少なくとも一種の元素、Ｂはホウ素、Ｒ_Ｌは軽希土類元素、並びにＭ_１はＡｌ，Ｚｎ及びＧａから選ばれる少なくとも一種の元素をそれぞれ示す。） - 特許庁

The spectacle frame materials, such as Ti alloys not containing Ni, V and Al, for example, temples 4 R and 4 L containing 20 to 60wt% Ta and 0.01 to 10wt% Zr and consisting of the balance inevitable impurities and having superelasticity.例文帳に追加

Ｎｉ、Ｖ、およびＡｌを含まないＴｉ合金、例えば、２０〜６０wt％のＴａと０．０１〜１０wt％のＺｒとを含み、残部がＴｉと不可避的不純物とからなり、且つ超弾性を有するテンプル４Ｒ，４Ｌなどの眼鏡フレーム材。 - 特許庁

This raw material alloy is desirable to have the compositions composed of 25-35 wt.% R, 0.5-4 wt.% B, 0.02-0.6 wt.% one or two kinds of Al and Cu, 0.5-4 wt.% Co and the balance Fe with inevitable impurities.例文帳に追加

この原料合金は、Ｒ：２５〜３５ｗｔ％、Ｂ：０．５〜４ｗｔ％、Ａｌ及びＣｕの１種又は２種を０．０２〜０．６ｗｔ％、Ｃｏ：０．５〜４ｗｔ％以下、残部Ｆｅ及び不可避的不純物からなる組成を有することが好ましい。 - 特許庁

To provide a tunnel type magnetic detection element which can acquire low RA and further high resistance change rate (ΔR/R), and to provide its manufacturing method, related to especially a tunnel type magnetic detection element wherein an insulating barrier layer is made of Al-O.例文帳に追加

特に、絶縁障壁層をＡｌ−Ｏで形成したトンネル型磁気検出素子に係り、低いＲＡで且つ高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることが可能なトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

M is one or more of elements from the group consisting of Al and Si, T is one or more of elements from the group consisting of Co, Ni, Mn, Cr, Cu, Ti and V, and R is one or more of elements from the group consisting of Ce, Nd, Y and Pr.例文帳に追加

ＭはＡｌとＳｉからなる群からの一種又は二種以上の元素であり，ＴはＣｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｃｕ，ＴｉとＶからなる群からの一種又は二種以上の元素であり，そして，ＲはＣｅ，Ｎｄ，ＹとＰｒからなる群からの一種又は二種以上の元素である。 - 特許庁

The initiator is represented by the formula: Ma(RMe)b, wherein M is selected from Sn, Ti, Al, Si and/or B; R is a hydrocarbon group containing 8-100 carbon atoms, a is 1-3, b is 2.5-6.5, and Me is an alkali metal selected from Na and Li.例文帳に追加

式Ｍａ（ＲＭｅ）ｂ（式中、ＭはＳｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉおよび／またはＢから選択され、Ｒは８〜１００個の炭素原子を含んでいる炭化水素基であり、ａは１〜３であり、ｂは２．５〜６．５であり、ＭｅはＮａおよびＬｉから選択されるアルカリ金属である）により表される開始剤。 - 特許庁

The active silica is an alkali silanol base material expressed by formula (1) [ in formula (1), M is hydrogen, Na or K], and the sulfate is a sulfate-containing compound containing an oxyacid salt compound expressed by formula (2) [in formula (2), M is an alkali metal, Z is an alkaline earth metal and R is Al or 3-valent iron].例文帳に追加

上記アクティブシリカが式１［式中、Ｍは水素、Ｎａ、Ｋ］で表されるアルカリシラノール素材、また上記サルフェイトが下記式２［式中、Ｍはアルカリ金属、Ｚはアルカリ土類金属、ＲはＡｌ又は３価の鉄］で表されるオキシ酸塩化合物を含む硫酸根含有化合物。 - 特許庁

The command control circuit includes: a read-clock generation circuit 161 that generates a read clock ICLK-R in reading; a write-clock generation circuit 162 that generates a write clock ICLK-W in writing; and a burst chop AL counter 123 that counts an additive latency of a burst chop command.例文帳に追加

リード時においてリードクロックＩＣＬＫ−Ｒを生成するリードクロック生成回路１６１と、ライト時においてライトクロックＩＣＬＫ−Ｗを生成するライトクロック生成回路１６２と、バーストチョップコマンドのアディティブレイテンシをカウントするバーストチョップ用ＡＬカウンタ１２３とを備える。 - 特許庁

In the formula, R is one kind or more of element selected from lathanoid series of Pr-Lu, Y or Sc, X is one kind or more of group VIII element of Ni, Pd and Pt, Z is one kind or more of group IIIB element of B, Al or Ga.例文帳に追加

ただし、式中、ＲはＰｒ〜Ｌｕまでのランタノイド系列及び、Ｙ或いはＳｃより選ばれる１種又は２種以上の元素、ＸはＮｉ、Ｐｄ、Ｐｔよりなる１種又は２種以上のＶＩＩＩ族元素、ＺはＢ、Ａｌ或いはＧａよりなる１種又は２種以上のＩＩＩＢ族元素を示している。 - 特許庁

To provide a high corrosion resistance R-T-B rare earth magnet prevented from the weakness of the magnet and the elution of elements due to generation of hydrogen differently from electrolytic/electroless plating, having film thickness thicker than that of a vapor phase deposition method, capable of eliminating the use of poisonous solutions as compared with chemical conversion treatment after Al deposition, and having easy operability.例文帳に追加

電解・無電解めっきのように水素の発生による磁石の脆性や元素の溶出などがなく、気相蒸着法よりも膜厚で優れ、さらにはＡｌ蒸着後に化成処理を行なうものと比較して有毒な処理液を使用せずかつ作業性が容易である高耐食性Ｒ−Ｔ−Ｂ系希土類磁石を提供する - 特許庁

The magnetostrictive material is represented by formula RT_w (wherein, R is one or more rare-earth metals; T is at least one metal selected from the group consisting of Fe, Ni and Co; and w satisfies 1.50≤w≤2.30 by atomic ratio) and manufactured by a powder metallurgy method and has ≤800 ppm Al content or 600 ppm C content.例文帳に追加

粉末冶金法で製造される式（１）：ＲＴ_ｗ（ここで、Ｒは１種類以上の希土類金属、ＴはＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群から選択される少なくとも１種類の金属であり、ｗは原子比で表し、１．５０≦ｗ≦２．３０である）で表される磁歪材料であって、Ａｌ含有量が８００ｐｐｍ以下又はＣ含有量が６００ｐｐｍである磁歪材料とする。 - 特許庁

There are provided the billet for the seamless steel tube which contains ≤0.05% C, 0.10 to 1.00% Si, 0.1 to 1.5% Mo, 20.0 to 30.0%例文帳に追加

C≦0.05%、Si：0.10〜1.00%、Mn：0.1〜1.5%、Cr：20.0〜30.0%、Ni：5.0〜11.0%、Mo：2.5〜4.0%、Al：0.001〜0.100%およびN：0.05〜0.50%を含有し、残部がＦｅおよび不純物からなり、不純物中のS≦0.010%、P≦0.040%であって、ビレット半径をR_0、ビレットの穴繰り半径をX、ビレット横断面の中心から任意の偏析部位置までの距離をR、該位置でのMoの偏析度をSとしたとき、ビレットに穴繰り加工を施さない場合は(1)式の関係を満足し、また、穴繰り加工を施す場合は、(2)式の関係を満足する継目無鋼管用ビレット、および該ビレットを用いて製造された継目無鋼管である。 - 特許庁