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array cellの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2610件
Concerning the semiconductor integrated circuit having a memory cell array 1, plural word lines 2, plural bit lines 8, a selector circuit 3 and plural sense amplifiers 4, this circuit is provided with plural sense amplifier enable signal lines 5 respectively individually connected to the plural sense amplifiers and a sense amplifier activate signal generating circuit 6 for independently outputting a sense-amplifier-enable signal at arbitrary timing.例文帳に追加
メモリセルアレイ１と、複数のワード線２と、複数のビット線８と、セレクタ回路３と、複数のセンスアンプ４とを有する半導体集積回路において、複数のセンスアンプのそれぞれに個別に接続される複数のセンスアンプイネーブル信号線５と、複数のセンスアンプイネーブル信号線５に接続されて、独立的に任意のタイミングでセンスアンプイネーブル信号を出力するセンスアンプ活性化信号発生回路６とを備える。 - 特許庁
To provide a field programmable gate array (FPGA) capable of analyzing whether an instable state caused by a different timing in synthesis and mapping depends on a design error or mapping when evaluating an FPGA that does not comprise a spare cell for circuit correction.例文帳に追加
本発明はそれぞれ設定データにより内部機能が決まる複数のセル・ロジック・アレイ・ブロック（ＣＬＡＢ）が各ＣＬＡＢ間の信号の接続を切り替えるスイッチにより接続されたフィールド・プログラマブル・ゲート・アレイに関し，フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイについて評価を行う時に，合成及びマッピングの度にタイミングが異なることによる不安定な状態が設計ミスなのかマッピングによるものかを解析することができることを目的とする。 - 特許庁
The NAND flash memory device includes: a cell array including a plurality of pages; a page buffer storing program data of the plurality of pages; a data storage circuit providing program verification data to the page buffer; and a control unit programming the plurality of pages without program verification operation and performing a program verification operation on the plurality of pages by using the program verification data.例文帳に追加
本発明によるＮＡＮＤフラッシュメモリ装置は、複数のページを有するセルアレイと、前記複数のページのプログラムデータを格納するページバッファと、プログラム検証データを前記ページバッファに提供するためのデータ格納回路と、プログラム検証動作なしに前記複数のページをプログラムし、前記プログラム検証データを用いて前記複数のページに対するプログラム検証動作を行うための制御ユニッと、を含む。 - 特許庁
A semiconductor memory device comprises a memory cell array 1 in which block is constituted of one or a plurality of memory cells being a unit of erasing data and which has a plurality of normal blocks BLK and a plurality of redundancy blocks RBLK, and a replacing circuit 7 replacing a defective block by the normal block when the number of defective blocks in the normal block BLK exceed the number of redundancy blocks RBLK.例文帳に追加
半導体記憶装置は、データ消去の単位となる１或いは複数のメモリセルからブロックが構成され、且つ複数のノーマルブロックＢＬＫと、複数のリダンダンシーブロックＲＢＬＫとを有するメモリセルアレイ１と、前記ノーマルブロックＢＬＫ内の不良ブロックの数が前記リダンダンシーブロックＲＢＬＫの数を超えた場合に、前記不良ブロックを前記ノーマルブロックに置き換える置換回路７とを含む。 - 特許庁
To provide an addressing circuit of a semiconductor memory element, and to provide its data addressing method, wherein data can be quickly inputted without address comparison for data addressing or redundancy operation by: sequentially transferring input data, when the data are sequentially input, by utilizing shift registers successively arranged; and transferring the data to the next register by skipping data storage of the shift register corresponding to a memory cell array with a deficiency.例文帳に追加
入力データが順次入力される場合、順次配列されたシフトレジスターを利用して入力データを順次伝送し、欠陷のあるメモリセルアレイに対応するシフトレジスターはデータ格納をスキップして次のレジスター部にデータを伝送することで、データアドレシング動作またはリダンダンシー動作の時アドレス比較動作なしに速やかにデータを入力することができる半導体メモリ素子のアドレシング回路及びこれのデータアドレシング方法を提供する。 - 特許庁
The refreshing control circuit 30 divides the memory area of a memory cell array 11 into a plurality of submemory areas beforehand, and executes a control to refresh information for a submemory area only in which the information to be refreshed is held in a use state when the information is refreshed among the submemory areas, and not to refresh the information for the submemory area in which information refreshing is unnecessary in a nonuse state.例文帳に追加
リフレッシュ制御回路３０は、メモリセルアレイ１１のメモリ領域を複数のサブメモリ領域にあらかじめ区分しておき、それらのサブメモリ領域のうち情報のリフレッシュを行う際に使用状態にあって当該リフレッシュを必要とする情報が保持されているサブメモリ領域のみに対して情報のリフレッシュを行い、不使用状態にあってリフレッシュを必要としないサブメモリ領域についてはリフレッシュを行わない、という制御を実行する。 - 特許庁
To provide a method for writing data into a nonvolatile semiconductor memory that is constructed by arranging in an array a plurality of memory cells each of which has a plurality of charge storing sections, the method securing a current window by regulating current degradation for reading data written in other charge storing section caused by writing data into one of the charge storing sections within the same memory cell and enabling shortening of writing time.例文帳に追加
各々が複数の電荷蓄積部を有する複数のメモリセルがアレイ状に配置されて構成される不揮発性半導体メモリにおいて、同一メモリセル内の一方の電荷蓄積部へのデータ書込みに起因して生じる他方の電荷蓄積部に書き込まれたデータの読出し電流の低下を抑えて電流ウィンドウを確保するとともに、書込み時間の短縮をも実現することができる不揮発性半導体メモリのデータ書込み方法を提供する。 - 特許庁
By providing a redundant information recording region 108 being writable in a user mode and storing redundant information of a redundant cell array region106, when rewriting in a user mode is made defective, reading of redundant information indication whether redundant replacement can be performed after redundant replacement at the time of a test is performed, when redundant replacement can be performed, new redundant information can be written in the redundant information storing region 108.例文帳に追加
ユーザモードにおいて書き込みが可能であり冗長セルアレイ領域１０６の冗長情報を記憶する冗長情報記憶領域１０８を設けたことにより、ユーザモードでの書き換えが不良となったとき、検査時の冗長置換後にさらに冗長置換が可能かどうかの冗長情報の読み出しを行い、冗長置換可能であれば、冗長情報記憶領域１０８に新たな冗長情報の書き込みを行うことができる。 - 特許庁
The nonvolatile semiconductor memory device includes: a plurality of first wiring and second wiring intersecting each other; a memory cell array including the plurality of memory cells connected to each intersection part of the plurality of first wiring and second wiring; and a first wiring control circuit and second wiring control circuit for respectively selecting the first wiring and second wiring to supply voltage and current required for a reset operation or set operation of the memory cells.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置は、互いに交差する複数の第１配線及び第２配線、これら複数の第１配線及び第２配線の各交差部に接続された複数のメモリセルからなるメモリセルアレイと、前記第１配線及び第２配線をそれぞれ選択し、前記メモリセルのリセット動作又はセット動作に必要な電圧又は電流を供給する第１配線制御回路及び第２配線制御回路とを備える。 - 特許庁
The nonvolatile semiconductor memory device of this invention has a memory cell array consisting of a plurality of memory blocks in which electrically rewritable memory cells are arranged and performs a pre-program in which thresholds of all the memory cells in a selected memory block are considered as positive before erasing pieces of data about all the memory cells in the selected memory block among the plurality of memory blocks.例文帳に追加
本発明の不揮発性半導体記憶装置は、電気的に書き換え可能なメモリセルが配列された複数のメモリブロックでなるメモリセルアレイを有する不揮発性半導体記憶装置であって、前記複数のメモリブロックのうちの選択したメモリブロックにおける全ての前記メモリセルのデータを消去する前に、前記選択したメモリブロックにおける全ての前記メモリセルのしきい値を正とするプリプログラムを行うことを特徴としている。 - 特許庁
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