「avalanche resistance」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device excellent in avalanche resistance.例文帳に追加

アバランシェ耐量の良好な半導体装置を低起用する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving the avalanche resistance.例文帳に追加

アバランシェ耐量を向上させることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can be improved in avalanche resistance.例文帳に追加

アバランシェ耐量を向上させることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device low in ON resistance and high in avalanche resistance.例文帳に追加

オン抵抗が低くアバランシェ耐量が高い電力用半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of having a high breakdown voltage and high avalanche resistance, and achieving low on-state resistance.例文帳に追加

高耐圧、高アバランシェ耐量、および低オン抵抗を実現できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for attaining high voltage resistance and high avalanche resistance.例文帳に追加

高耐圧かつ高アバランシェ耐量が得られる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that improves resistance such as avalanche resistance, ESD resistance or the like without increasing on-resistance.例文帳に追加

オン抵抗を増大させることなくアバランシェ耐量やＥＳＤ耐量などの耐量の向上が可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To actualize a high avalanche resistance compared with that of a Schottky junction diode or the like.例文帳に追加

ショットキー接合ダイオード等に比べて高いアバランシェ耐量を実現することを課題とする。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element having high avalanche withstand capability and low on-resistance properties.例文帳に追加

高アバランシェ耐量と低オン抵抗性とを有する窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a PIN diode improved in avalanche resistance at a low cost.例文帳に追加

アバランシェ耐量を向上させたＰＩＮダイオードを安価に提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving avalanche resistance by suppressing an increase in steps.例文帳に追加

工程の増加を抑制してアバランシェ耐量の向上が可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that improves the avalanche resistance of VDMOS.例文帳に追加

ＶＤＭＯＳのアバランシェ耐量の向上を図ることができる、半導体装置を提供する。 - 特許庁

Furthermore, avalanche resistance is enhanced because the n+ type source region 5 is formed smaller.例文帳に追加

また、ｎ＋型ソース領域５が小さく形成されのでアバランシェ耐量が大きくなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of large avalanche resistance while constant withstand pressure is secured.例文帳に追加

一定の耐圧を確保しながらアバランシェ耐量の大きな半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a power semiconductor element that is low in on-state resistance and high in avalanche resistance and recovery resistance.例文帳に追加

オン抵抗が低く、アバランシェ耐量及びリカバリー耐量が高い電力用半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which avalanche resistance and ESD resistance can be enhanced without increasing the ON resistance.例文帳に追加

オン抵抗を増大させることなくアバランシェ耐量やＥＳＤ耐量などの耐量の向上が可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of lowering the ON-resistance and of elevating the avalanche resistance of transistor.例文帳に追加

トランジスタのオン抵抗を下げることができ、かつアバランシェ耐量を高くすることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To achieve both high speed switching and a low noise level while maintaining low on-state resistance and high avalanche resistance.例文帳に追加

低オン抵抗と高アバランシェ耐量を維持しながら、高速なスイッチングと低いノイズレベルを両立する。 - 特許庁

To simplify structure, to reduce on resistance, and to increase avalanche breakdown resistance, when using a super-junction semiconductor substrate.例文帳に追加

超接合型の半導体基板を用いた場合に、簡単な構造で、オン抵抗を低く、かつアバランシェ破壊耐量を大きくすること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, capable of maintaining a high avalanche resistance, even if its gate structure is miniaturized and its on-resistance is reduced.例文帳に追加

ゲート構造を微細化してＯＮ抵抗を低減しても、アバランシェ耐量を高く維持できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To improve the avalanche resistance of a semiconductor device while so suppressing its on-resistance as to be made small, in the semiconductor device having its vertically flowing main current.例文帳に追加

主電流が縦方向に流れる半導体装置において、オン抵抗を小さく抑えながらアバランシシェ耐量を向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can make the avalanche resistance increased and suppress the increase in the on-state resistance, at the same time.例文帳に追加

アバランシェ耐量を増大させかつオン抵抗の増加を抑制することが可能な半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a PIN diode in which breakage by the application of reverse direction bias equal to or higher than an avalanche breakdown voltage is prevented and loss is reduced by improving avalanche resistance.例文帳に追加

アバランシェ耐量を向上させることにより、アバランシェ降伏電圧以上の逆方向バイアスの印加による破損を抑制し、低損失化を実現させたＰＩＮダイオードを提供する。 - 特許庁

For example, an angular projecting part of the channel region is eliminated by interlinking the short sides of rectangular channel regions and avalanche resistance is enhanced because concentration of avalanche current to a corner part is eliminated.例文帳に追加

例えば長方形のチャネル領域の短辺同士を連結することにより、チャネル領域の角のように突出した部分がなくなり、角部へのアバランシェ電流の集中がなくなるのでアバランシェ耐量が向上する。 - 特許庁

With such a configuration, since the avalanche resistance can be remarkably improved, it is made possible to lower the loss without lowering the avalanche breakdown voltage.例文帳に追加

このような構成により、アバランシェ耐量を著しく向上させることができるので、アバランシェ降伏電圧を低下させ、低損失化を実現することが可能となる。 - 特許庁

Avalanche breakdown arises under the bottom faces of the base diffusion regions 17a, however, avalanche current does not flow in a high-resistance portion immediately below source diffusion regions 21 of the base diffusion regions 17a, resulting in a high breakdown voltage.例文帳に追加

ベース拡散領域１７ａ底面下でアバランシェ降伏が生じ、ベース拡散領域１７ａのソース拡散領域２１直下の高抵抗部分をアバランシェ電流が流れないので、破壊耐量が高い。 - 特許庁

For this reason, an avalanche current can be easily flowed from the buried second-conductivity-type region 53 to the contact second-conductivity-type region 52, thereby improving the avalanche resistance.例文帳に追加

このため、アバランシェ電流を埋込第２導電型領域５３からコンタクト第２導電型領域５２に流しやすくすることができ、アバランシェ耐量を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a SiC semiconductor device capable of relaxing current concentration during avalanche breakdown and capable of improving breakdown voltage and avalanche resistance.例文帳に追加

アバランシェ降伏時の電流集中を緩和することができ、耐圧およびアバランシェ耐量をともに向上させることができる、ＳｉＣ半導体装置を提供すること。 - 特許庁

Inclination width L of the concentration inclination region 13 is decided to satisfy avalanche resistance and withstand pressure, which the semiconductor device 1 requires.例文帳に追加

濃度傾斜領域１３の傾斜幅Ｌは、半導体装置１が必要とするアバランシェ耐量および耐圧の双方を満たすように決定される。 - 特許庁

To increase avalanche resistance in a lateral MOS thyristor triggered by a charging current to a MOS capacitance.例文帳に追加

ＭＯＳキャパシタンスへの充電電流でトリガーをかける横型ＭＯＳサイリスタにおいて、アバランシェ耐量の増大を図る。 - 特許庁

To realize a semiconductor device for improving resistance to short-circuiting and also inhibiting occurrence of an avalanche phenomenon.例文帳に追加

短絡耐量を向上しながらも、アバランシェ現象の発生も抑制する半導体装置を実現すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus which has a narrow distance between trench gate electrodes and a high avalanche resistance, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

トレンチゲート電極間の間隔が狭く、アバランシェ耐量が高い半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride-contained power semiconductor device with high dielectric strength and very low ON resistance which has high avalanche capacity.例文帳に追加

高アバランシェ耐量を有する、高耐圧且つ超低オン抵抗の窒化物含有電力用半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing generation of noise in off-operation, and providing high avalanche resistance.例文帳に追加

オフ動作時にノイズの発生を防ぐと共に、高いアバランシェ耐量を得ることのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To achieve further broadband characteristics by reducing the resistance of a p-type contact layer in a reverse-type avalanche photodiode.例文帳に追加

反転型のアバランシェフォトダイオードにおいて、ｐ型コンタクト層の抵抗を低減し、より広帯域な特性が実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a trench-gate type semiconductor device that can improve avalanche resistance and main breakdown voltage.例文帳に追加

本発明は、アバランシェ耐量と主耐圧を向上させることができるトレンチゲート型半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Consequently, an ESD protection element 20 having an avalanche voltage lower than that of the MOSFET 21 and a small operating resistance can be formed.例文帳に追加

このようにして、ＭＯＳＦＥＴ２１のアバランシェ電圧より低く、且つ、動作抵抗が小さなＥＳＤ保護素子２０を形成することができる。 - 特許庁

To provide a power semiconductor element of a superjunction structure having high avalanche resistance.例文帳に追加

本発明は、高アバランシェ耐量を有するスーパージャンクション構造の電力用半導体素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has high avalanche resistance at an end part liable to cause an electric field concentration, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

電界集中の生じ易い終端部においてアバランシェ耐量の高い半導体装置、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage ESD protection diode which can be formed using the same manufacturing process as for the high breakdown voltage transistor to be protected with the high avalanche resistance.例文帳に追加

アバランシェ耐量が高く、保護する高耐圧トランジスタと同製造工程を用いて形成できる高耐圧ESD保護ダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a MISFET type semiconductor device ensuring higher avalanche resistance voltage, and also to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

アバランシェ耐圧が高いＭＩＳＦＥＴ型の半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

As a result, an ON-resistance is reduced, and an avalanche strength and a latch-up strength can be enhanced.例文帳に追加

この結果、オン抵抗を小さくすると共にアバランシェ耐量やラッチアップ耐量を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a trench gate type power MOSFET having a small element characteristic index Ron/Qgd and high avalanche resistance.例文帳に追加

素子特性指標Ｒｏｎ・Ｑｇｄの値が小さく、且つ、アバランシェ耐量が大きいトレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a high avalanche resistance in which an increase in the area of a termination region is suppressed.例文帳に追加

終端領域の面積増加が抑制されたアバランシェ耐量の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

The resistance of the resistor 23 is adjusted so that a voltage being a product of the resistance of the resistor 23 and a current supplied through the avalanche diode 21 when the collector- emitter voltage exceeds the breakdown voltage of the avalanche diode 21 exceeds a threshold voltage of the IGBT 2 or more.例文帳に追加

抵抗２３の値は、コレクタ・エミッタ間電圧がアバランシェダイオード２１の耐圧を越える時に流れる電流と抵抗２３との積で与えられる電圧がＩＧＢＴ２のしきい値電圧以上となる様に、調整される。 - 特許庁