「breakdown effect」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To improve an ON breakdown voltage of a horizontal MOS field-effect transistor using an SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いた横型ＭＯＳ電界効果トランジスタのオン耐圧を向上する。 - 特許庁

Thus, the breakdown of a transistor 10 as a circuit element due to the antenna effect is prevented.例文帳に追加

これにより、アンテナ効果による回路素子としてのトランジスタ１０破壊を防止する。 - 特許庁

To prevent breakdown of an element due to antenna effect without lowering the mounting efficiency of transistor.例文帳に追加

トランジスタの実装効率を低下させないで、アンテナ効果による素子破壊を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which maintains an IE effect and improves a breakdown strength.例文帳に追加

ＩＥ効果を維持しながら、破壊耐量が改善された半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a field effect transistor with low on-resistance and high breakdown voltage as well as high reliability.例文帳に追加

オン抵抗が低く耐圧および信頼性が高い電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor having a high electrostatic breakdown voltage, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

静電耐圧の高い電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To form an MOS field-effect transistor with a high breakdown voltage and low resistance on a silicon carbide substrate.例文帳に追加

炭化珪素基板上に、高耐圧で低抵抗なＭＯＳ電界効果トランジスタを形成する。 - 特許庁

To provide a field effect transistor and its manufacturing method where its breakdown voltage is high and its power loss is low.例文帳に追加

耐圧が高く損失が低い電界効果トランジスタ、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a heterojunction field-effect transistor in which a leakage current is small and a breakdown strength is high.例文帳に追加

リーク電流が少なくて高耐圧のヘテロ接合型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor having low ON resistance and a high breakdown voltage and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

低オン抵抗の高耐圧電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Also by limiting excessive rush current, effect of preventing breakdown due to fusion cutting of wire bonding can be obtained.例文帳に追加

また、過大な突入電流を制限することで、ワイヤーボンディングの溶断による破壊を防ぐ効果がある。 - 特許庁

To increase an improvement effect of breakdown strength by a surf layer circulating around a semiconductor element formation region.例文帳に追加

半導体素子形成領域を一巡するリサーフ層による破壊耐量の向上効果を増大させる。 - 特許庁

To suppress or prevent a kink phenomenon of a semiconductor device having a high breakdown voltage field-effect transistor.例文帳に追加

高耐圧の電界効果トランジスタを有する半導体装置のキンク現象を抑制または防止する。 - 特許庁

To provide a high breakdown strength field effect transistor without side gate effects or frequency dispersion of drain conductance, etc.例文帳に追加

サイドゲート効果やドレインコンダクタンスの周波数分散などのない高耐圧の電界効果トランジスタを得る。 - 特許庁

To realize a high breakdown voltage in a Schottky junction type field effect transistor.例文帳に追加

ショットキー接合型電界効果型トランジスタにおいて、高耐圧特性を実現することを目的とする。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor having a high breakdown voltage and a method of forming the same.例文帳に追加

高いブレークダウン電圧を有する電界効果トランジスタ及びこれを形成する方法が開示されている。 - 特許庁

To provide a high breakdown-strength lateral bipolar transistor of high Early voltage by suppressing the base width modulation effect.例文帳に追加

ベース幅変調効果を抑制し、アーリー電圧の高い高耐圧ラテラルバイポーラトランジスタを提供すること。 - 特許庁

Table 2-3-3-5 Breakdown of "Ripple Effect," and Composition Ratio according to industrial section (Input-Output Table, %)例文帳に追加

第2-3-3-5表　我が国の「波及効果」の内訳と産業部門別構成比（産業連関表、％） - 経済産業省

To provide a high breakdown voltage insulated gate field effect type semiconductor device, which has high current driving ability, is easy to manufacture, is made compact, and is improved in electrostatic breakdown voltage.例文帳に追加

高耐圧絶縁ゲート電界効果型半導体装置において、高電流駆動能力を有し、製造しやすく小型にするとともに、静電耐圧の向上を図る。 - 特許庁

To prevent a transistor from being destroyed without extending the W length of a high breakdown voltage MOSFET by a high breakdown voltage insulated gate version field effect off-transistor.例文帳に追加

高耐圧絶縁ゲート型電界効果オフトランジスタにより高耐圧電界効果トランジスタのＷ長を長く確保することなく、トランジスタの破壊を防止することができる。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor with a low on-state resistance, a high breakdown and a high channel mobility, and to provide a method of manufacturing the field-effect transistor.例文帳に追加

オン抵抗が低く、耐圧性及びチャネル移動度が高い電界効果トランジスタ及び電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

By this means, a feedthrough current is made to flow-to Q11 and the breakdown of the field-effect transistor Q12 or noise of the field-effect transistor caused by the feedthrough current is prevented.例文帳に追加

電界効果トランジスタQ11 に貫通電流が流れ、電界効果トランジスタQ12 を破壊したり、貫通電流によりノイズが発生することを防止する。 - 特許庁

To provide: a field-effect transistor which has low on resistance and high breakdown voltage properties; a method of manufacturing the field-effect transistor; and a method of forming a groove.例文帳に追加

低いオン抵抗と高い耐圧性とを有する電界効果トランジスタ、電界効果トランジスタの製造方法、および溝の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a GaN-based field-effect transistor having a low resistance and a high breakdown voltage with reduced effect of current collapse phenomenon, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

低抵抗・高耐圧で電流コラプス現象の影響の小さいＧａＮ系電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce on-resistance and maintain a high off-breakdown voltage of a semiconductor device including a field-effect transistor.例文帳に追加

電界効果トランジスタを含む半導体装置のオン抵抗を低減できるとともに、オフ耐圧を高く保つ。 - 特許庁

HIGH-BREAKDOWN VOLTAGE FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND/OR MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME例文帳に追加

高耐圧電界効果トランジスタ及びその製造方法、並びにそれを含む半導体装置の製造方法 - 特許庁

To enhance super junction effect of a semiconductor device having a super junction structure while preventing deterioration in breakdown voltage.例文帳に追加

スーパージャンクション構造を有する半導体装置のスーパージャンクション効果を高めるとともに、耐圧劣化を防ぐ。 - 特許庁

To obtain a dielectric separation type semiconductor device for improving a breakdown voltage without losing RESURF (Reduced SURface Field) effect.例文帳に追加

ＲＥＳＵＲＦ効果を損なうことなく耐圧を向上させた誘電体分離型半導体装置を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, in which an REP(resistive field plate) effect can be validly used in a junction terminal structure, and a sufficient margin can be obtained for both static breakdown voltage characteristics and dynamic breakdown voltage characteristics.例文帳に追加

接合終端構造において有効にＲＦＰ効果を利用でき、静耐圧特性、動耐圧特性両者に充分なマージンを得る高耐圧型半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a LOCOS offset type MOS field effect transistor having a high breakdown voltage and a large current drive capacity.例文帳に追加

高耐圧で大きな電流駆動能力をもつＬＯＣＯＳオフセット型ＭＯＳ型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

A field effect transistor having an MOSFET gate 'corner part' of decreased dopant concentration improves the breakdown strength at the edge.例文帳に追加

ドーパント濃度が低下したＭＯＳＦＥＴゲート"角部"を有する電界効果トランジスタは、縁部電圧耐性を改善する。 - 特許庁

To provide a method by which a field effect transistor that has high breakdown voltage and is low in leakage current can be manufactured easily and inexpensively.例文帳に追加

高耐圧でリーク電流の少ない電界効果トランジスタを簡易に、且つ安価に製造し得る製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a portrait type field-effect transistor made of a group III nitride semiconductor, wherein a high breakdown strength is accomplished and a normally off mode is set.例文帳に追加

III族窒化物半導体からなる縦型電界効果トランジスタについて、高耐圧を達成し、ノーマリオフモードとすること。 - 特許庁

To provide an insulated gate field-effect transistor which can obtain desired breakdown resistance without reducing the mutual conductance.例文帳に追加

相互コンダクタンスを低下させることなく、所望の破壊耐量を得ることができる絶縁ゲート型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

When such a semiconductor wafer is used, leakage of gate voltage is eliminated and a field effect transistor having high gate breakdown strength is obtained.例文帳に追加

このような半導体ウェハを用いることによりゲート電圧のリークが無く、ゲート耐圧が高い電界効果トランジスタが得られる。 - 特許庁

To provide a minute power semiconductor device, such as a low breakdown voltage power MOSFET (metal-oxide semiconductor field effect transistor) or the like which enables low on-resistance while maintaining a breakdown voltage between drain and source as it is, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ドレイン−ソース間耐圧を維持したまま低オン抵抗化が可能となる低耐圧パワーＭＯＳＦＥＴのような微細なパワー半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the influence of the deviation of a mask at the time of forming an offset drain region in a MOS field effect transistor having a high breakdown voltage and, in addition, to optimize the trade-off between the breakdown voltage and on-resistance of the transistor.例文帳に追加

高耐圧ＭＯＳ型電界効果トランジスタにおいて、オフセットドレイン領域を形成する際のマスクずれの影響を小さくし、かつ耐圧とオン抵抗のトレードオフを最適にすること。 - 特許庁

To provide a protective circuit capable of significantly improving surge breakdown voltage and surge current tolerance rate, with no effect on normal operation.例文帳に追加

通常動作に影響を与えることなく、サージ耐圧及びサージ電流耐量を飛躍的に向上可能な保護回路を提供する。 - 特許庁

To suppress a reduction in a breakdown voltage of a field effect compound semiconductor device by controlling an electric field around a gate electrode.例文帳に追加

電界効果型化合物半導体装置に関し、ゲート電極周辺の電界を制御し、それによって、耐圧低下を抑制する。 - 特許庁

To reduce on-voltage by suppressing a lowering of a breakdown voltage of a cell of an IGBT having a thinning-out part to obtain an IE effect.例文帳に追加

ＩＥ効果を得るためにまびき部を持つＩＧＢＴのセル部の耐圧低下を抑えることにより、オン電圧を低減すること。 - 特許庁

To make on-voltage to be low and to make element breakdown voltage and latch-up resistance quantity to be high in a lateral IGBT (Insulated Gatebipolar Transistor) and MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).例文帳に追加

横型のＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴにおいて、オン電圧を低くし、かつ、素子耐圧およびラッチアップ耐量を高くすること。 - 特許庁

To provide a high-performance field effect transistor having resistance to high breakdown voltage, high electron mobility, and low gate-leakage current at a time.例文帳に追加

高い破壊耐圧、高い電子移動度及び低いゲート漏れ電流を併せ持つ高性能の電界効果トランジスタを提供すること。 - 特許庁

To provide a field effect transistor having less leak current and high breakdown voltage in a reverse direction, and capable of switching at a high speed and low loss.例文帳に追加

リーク電流が少なく、逆方向の耐圧が大きく、高速で低損失のスイッチングが可能な電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor which is capable of suppressing a kirk effect that hampers a high current amplification factor, while keeping a high breakdown voltage.例文帳に追加

高い耐電圧を維持するとともに、高電流増幅率を阻害するkirk効果を抑えることができるバイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a vacuum cabinet having a support member superior in breakdown voltage property and has a high anti-static effect, and its manufacturing method.例文帳に追加

耐圧特性に優れ、かつ帯電防止効果の高い支持部材を有する真空筐体、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁