| 意味 | 例文 |
buffer typeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 708件
A centrifugal multi-stage type compressor 1 for compressing a butadiene gas B by rotating a plurality of impellers 5 mounted to a main shaft 7 in a casing 4 is provided with a sealing portion 10 fixed to the casing 4 in which the butadiene gas B extracted from any one of stages is fed as a buffer gas; and an inert fluid feeding device 34 for feeding an inert fluid into the sealing portion 10.例文帳に追加
ケーシング４内で主軸７に取り付けられた複数段の羽根車５を回転させてブタジエンガスＢを圧縮する遠心多段型圧縮機１は、ケーシング４に固定されており、何れかの段から抽気されたブタジエンガスＢがバッファガスとして供給される軸封部１０と、軸封部１０内に不活性流体を供給する不活性流体供給装置３４とを備える。 - 特許庁
Thus, there is provided an SOI substrate provided with the implanted insulation layer 5 on the bottom surface of the trench 30, the P+type implanted collector layer 6, the Ntype buffer layer 7, the Ntype drift layer 8a and the like which are exposed on the substantially same level plane.例文帳に追加
埋め込み絶縁膜５上をポリシリコン膜３で被覆し、該ポリシリコン膜３と絶縁膜２を介してＰ型半導体基板１を貼り合わせた後、ダミー半導体基板１６を除去し、略同一平面状に露出するトレンチ３０底面の埋め込み絶縁膜５、Ｐ＋型埋め込みコレクタ層６、Ｎ型バッファ層７、Ｎ型ドリフト層８ａ等を具備するＳＯＩ基板を形成する。 - 特許庁
The input protecting circuit includes an input protecting resistor 4 connected between an external input terminal 2 and buffer circuits 3 connected with the internal circuit, and a p-type MOS transistor 5 and an input protective resistor 6 to which one end is connected to a power supply and the other end is connected between the external input terminal 2 and the input protective resistor 4.例文帳に追加
上記課題を解決するために、本発明に係る入力保護回路は、外部入力端子２と内部回路に接続するバッファ回路３との間に接続される入力保護抵抗４と、一端が電源に接続され、他端が外部入力端子２と入力保護抵抗４との間に接続されたｐ型ＭＯＳトランジスタ５及び入力保護抵抗６と、を備える。 - 特許庁
The medical oxygen concentrating device which is a pressure swing adsorption type for concentrating the oxygen in air and has ≥2 adsorption beds includes a stop valve for passing the oxygen for regenerating purging to an oxygen replacement side of a whole volume buffer tank without passing the same to another adsorption bed side in starting the operation in a flow passage installed with a flow rate regulator.例文帳に追加
空気中の酸素を濃縮する圧力変動吸着型で２個以上の吸着床をもつ医療用酸素濃縮装置において、流量調整器を設置された流通路に運転スタート時は再生パージ用酸素を他吸着床側へ回さず、全量バッファータンクの酸素置換側へ回すための開閉弁を具備していることを特徴とする酸素濃縮装置である。 - 特許庁
The charge trap type 3-level nonvolatile semiconductor memory and its driving method are provided with a memory array including a plurality of memory elements capable of storing data in at least two charge trap areas in a current moving direction, and a page buffer driven to map a set of first to third bit data in the threshold voltage groups of the two charge trap areas constituting a set.例文帳に追加
本発明の電荷トラップ型の３−レベル不揮発性半導体メモリ装置及びその駆動方法は、それぞれが電流の移動方向に沿って少なくとも二つの電荷トラップ領域にデータを記憶することができる複数のメモリ素子を持つメモリアレイと、一組の第１〜第３ビットのデータを、一組をなす二つの前記電荷トラップ領域のスレショルド電圧グループにマッピングするように駆動されるページバッファーとを備える。 - 特許庁
The organic photoelectric converter includes at least a pair of electrodes 12, 16, a photoelectric conversion region (layer) 15 containing at least an electron donative organic substance and an electron receptive organic substance, and a buffer layer 14 interposed between the photoelectric conversion region and at least one of the pair of the electrodes and made of at least one type of inorganic substance.例文帳に追加
本発明の有機光電変換素子は、少なくとも１対の電極１２，１６と、前記電極間に、配置され、少なくとも電子供与性有機材料と電子受容性有機材料とを含む光電変換領域（層）１５と、前記光電変換領域と前記１対の電極の少なくとも一方との間に介在せしめられた少なくとも１種類の無機物からなるバッファ層１４とを有する。 - 特許庁
The semiconductor integrated circuit device comprises a network logic circuit block having a MOS transistor which performs a logic operation constituted of a pass transistor logic, a buffer circuit block which amplifies an output signal of the network logic circuit block, and MOS transistors 44 and 50 which are formed in a semiconductor layer of a fully-depleted type SOI substrate wherein the semiconductor layer is formed on a semiconductor substrate 51 via a buried insulation layer 52.例文帳に追加
パストランジスタロジックにて構成される論理演算を実現するＭＯＳトランジスタを有するネットワーク論理回路ブロックと、ネットワーク論理回路ブロックの出力信号を増幅するバッファ回路ブロックとを備え、半導体基板５１上に埋込み絶縁層５２を介して半導体層が形成された完全空乏型ＳＯＩ基板の半導体層に形成されたＭＯＳトランジスタ４４、５０を有する。 - 特許庁
The light-emitting element 100 includes a pair of electrodes 2 and 7, a light-emitting layer 5 provided between the pair of electrodes 2 and 7 and having a donor-acceptor pair light emitting function, a buffer layer 4 and a carrier injection layer 3 containing a p-type semiconductor in this order.例文帳に追加
一対の電極２，７と、一対の電極２，７間に配置された、ドナー・アクセプター対発光機能を有する発光層５と、バッファ層４と、ｐ型半導体を含むキャリア注入層３と、をこの順で備える発光素子１００であって、発光素子１００のエネルギーバンド図において、発光層５の価電子帯頂部のエネルギーレベルをＶＢＭ_ｉ（ｅＶ）及びキャリア注入層３の価電子帯頂部のエネルギーレベルをＶＢＭ_ｐ（ｅＶ）としたときに、バッファ層４の価電子帯が、下記式（１）の条件を満たすエネルギーレベルＶＢＭ_ｂ（ｅＶ）の価電子帯頂部を有することを特徴とする。 - 特許庁
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