「buffer type」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

On a substrate 101, an AIN buffer layer 102, an undoped GaN layer 103, an undoped AlGaN layer 104, a p-type GaN layer 105 and a high concentration p-type GaN layer 106 are formed sequentially, and a gate electrode 111 has an ohmic junction to the high concentration p-type GaN layer 106.例文帳に追加

基板１０１上にＡｌＮバッファ層１０２、アンドープＧａＮ層１０３、アンドープＡｌＧａＮ層１０４、ｐ型ＧａＮ層１０５、高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６が順に形成され、ゲート電極１１１が高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６とオーミック接合する。 - 特許庁

The semiconductor layer is formed of a gallium nitride based compound semiconductor as a group-III nitride semiconductor, and has a buffer layer 71; an n-type barrier layer 72, an active layer 73; a p-type barrier layer 74; and a p-type contact layer 75, which are sequentially stacked on the silicon nitride substrate.例文帳に追加

半導体層は、ＩＩＩ族窒化物半導体である窒化ガリウム系化合物半導体から形成され、バッファ層７１と、ｎ型障壁層７２と、活性層７３と、ｐ型障壁層７４と、ｐ型コンタクト層７５とを有し、これらの層は炭化珪素基板上に順に積層されている。 - 特許庁

A GaN buffer layer 14, an n-type GaN contact layer 16, an n-type AlGaN clad layer 18, and an n-type GaN optical waveguide layer 20, are successively grown on a (c) surface sapphire substrate 12 at 1,000°C by an MOCVD method, in the same way as conventional manner.例文帳に追加

本方法では、従来と同様にして、ＭＯＣＶＤ法により１０００℃で、ｃ面のサファイア基板上１２上に、ＧａＮバッファ層１４、ｎ型ＧａＮコンタクト層１６、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１８、及びｎ型ＧａＮ光導波層２０を順次成長させる。 - 特許庁

An AlN buffer layer 102, an undoped GaN layer 103, an undoped AlGaN layer 104, a p-type GaN layer 105, and a high concentration p-type GaN layer 106, are sequentially formed on a substrate 101; and a gate electrode 111 is ohmic-contacted to the high concentration p-type GaN layer 106.例文帳に追加

基板１０１上にＡｌＮバッファ層１０２、アンドープＧａＮ層１０３、アンドープＡｌＧａＮ層１０４、ｐ型ＧａＮ層１０５、高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６が順に形成され、ゲート電極１１１が高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６とオーミック接合する。 - 特許庁

On one principal surface of an n-type Si substrate 11, the nitride-based group III-V compound semiconductor layer 13, an n-type active layer 14, and a p-type nitride-based group III-V compound semiconductor layer 15 are grown with a buffer layer 12 interposed therebetween to form the light emitting diode structure.例文帳に追加

ｎ型Ｓｉ基板１１の一方の主面に、バッファ層１２を介してｎ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１３、活性層１４およびｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を成長させて発光ダイオード構造を形成する。 - 特許庁

The carrier concentration of a III-V compound semiconductor wafer on which an n-type buffer layer is formed is measured through C-V measurement and, in addition, the photoluminescence of the wafer is also measured.例文帳に追加

ｎ型バッファ層形成済みのIII−Ｖ族化合物半導体ウェーハで、Ｃ−Ｖ測定によりキャリア濃度を測定する一方、フォトルミネッセンス測定も行う。 - 特許庁

To provide a data communication system that can set a delay time absorption buffer in real time by taking a type of traffic into account and evaluate the quality of packets.例文帳に追加

トラヒックの種別を考慮して、リアルタイムに遅延時間吸収バッファを設定でき、パケット品質を評価できるデータ通信システムを提供することを課題とする。 - 特許庁

To enable processing a refresh-cycle and an external read/write access cycle in parallel in a dynamic type memory device to/from which data is inputted/outputted to the outside through a data buffer register.例文帳に追加

データ・バッファ・レジスタを介して外部とデータを入出力するダイナミック型メモリ装置において、リフレッシュ・サイクルと外部リード/ライト・アクセス・サイクルとを並行処理可能にする。 - 特許庁

To provide a method and system for carrying workpieces, which method and system can timely supply the workpieces in a mixed flow type assembly line without providing a buffer area.例文帳に追加

混流方式の組立ラインにおいて、バッファエリアを設けることなく、タイムリーにワークを供給することができるワーク搬送方法及びワーク搬送システムを提供することにある。 - 特許庁

To provide an input buffer type switching device that quickly gives a cell transmission right to many input ports to attain a high throughput even when a channel speed reaches a high-speed.例文帳に追加

入力バッファ型スイッチング装置において、回線速度が高速になっても、多数の入力ポートに迅速にセル送出権を与えて、高いスループットを達成する。 - 特許庁

On a sapphire substrate 10, a low-temperature GaN buffer layer 11 and a p-type Al_xGa_(1-x)N (0≤x≤1) layer 12 as the III nitride semiconductor are stacked in this order.例文帳に追加

サファイア基板１０上には、低温ＧａＮバッファー層１１、III族窒化物半導体としてのｐ型Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ｎ（０≦ｘ≦１）層１２が順次に積層されている。 - 特許庁

A FIFO type buffer 101 inputs and stores the information of vertexes as the object of an arithmetic operation and an instruction sequence index 107 for identifying the content of the arithmetic operation.例文帳に追加

ＦＩＦＯ型バッファ１０１は、演算の対象である頂点の情報と、演算の内容を識別する命令シーケンスインデクス１０７とを入力して記憶する。 - 特許庁

To obtain a larger area to take out light without including an n-type Si substrate and a buffer layer, concerning a GaN-base LED to be formed by using a GaN-LED on Si substrate.例文帳に追加

GaN-LED on Si基板を利用して形成されるGaN系LEDにおいて、n型Si基板及びバッファ層を含まず、かつ光を取り出すための領域の面積を広く取ることが可能である。 - 特許庁

To expand an adjustment range, control damping force directly, absorb a sudden input properly and reduce a consumed electric power, in a damping force adjustment type hydraulic buffer.例文帳に追加

減衰力調整式油圧緩衝器において、調整範囲を広くし、減衰力を直接制御し、急激な入力を適宜吸収し、かつ、消費電力を低減する。 - 特許庁

The gallium nitride-based semiconductor layer includes strain while the first conductivity type buffer layer 15 performs lattice relaxation on the principal plane 13a of the semiconductor region 13.例文帳に追加

第１導電型バッファ層１５は半導体領域１３の主面１３ａ上において格子緩和する一方で、窒化ガリウム系半導体層は歪みを内包する。 - 特許庁

The absolute value of the threshold voltage of the Nch insulated gate type field effect transistor NT1 is higher than that of the threshold voltage of a transistor that constitutes the buffer BUFF1.例文帳に追加

Ｎｃｈ絶縁ゲート型電界効果トランジスタＮＴ１の閾値電圧の絶対値がバッファＢＵＦＦ１を構成するトランジスタの閾値電圧の絶対値よりも高い。 - 特許庁

To provide a synchronous semiconductor memory device provided with an NOEMI type output buffer circuit in which load capacity of output terminals is suppressed and enabling high speed data transfer.例文帳に追加

出力端子の負荷容量が抑制されたＮＯＥＭＩ型の出力バッファ回路を備え、高速なデータ転送を可能とする同期型半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

An N type buffer region 12 containing a relatively high concentration of arsenic via an anti-diffusion region 22 and having a relatively small thickness is formed on the collector region 11.例文帳に追加

コレクタ領域１１の上には、拡散防止領域２２を介して、ヒ素を比較的高濃度で含み、比較的厚みの薄いＮ型バッファ領域１２が形成されている。 - 特許庁

The vacuum type sewage system is characterized in that the active vacuum pressure buffer device 10 is in fluid connection with the control mechanism 5 and a sewer pipe 3.例文帳に追加

本発明による真空式下水システムは、制御機構（５）および下水パイプ（３）に活動的な真空圧バッファ装置（１０）を流体連結させることを特徴とする。 - 特許庁

Moreover, at the time of forming the first buffer layer, the doping layer is formed with an epitaxial method using a material attained by adding the N-type impurity to an organic metal compound.例文帳に追加

また、第１バッファ層を形成する際に、有機金属化合物にＮ型の不純物を添加した材料を用いてドープ層をエピタキシャル法により形成した。 - 特許庁

The concentration of the n-type impurity is not high in all the buffer layers, this preventing the on-voltage being excessively high with leaving the on-loss low.例文帳に追加

そして、バッファ層すべてにおいてＮ型不純物の濃度が濃くされた訳ではないため、オン電圧が高くなり過ぎず、オン損失を少ないままにすることが可能になる。 - 特許庁

A buffer control device 10 expands the plurality of car outer expansion type buffers 7 according to the load in the car 1 when the car 1 descends over the lowermost floor.例文帳に追加

緩衝制御装置１０は、かご１が最下階を超えて下降したときに、かご１内の負荷に応じて、複数個のかご外膨張式緩衝具７を膨張させる。 - 特許庁

The width of the middle 13c of a stripe pattern of the n-type buffer layer 13 is the same as the conventional one and a source layer 16 is disposed as to correspond to the middle 13c.例文帳に追加

しかも、ｎ型バッファ層１３のストライプ・パターンの中間部１３ｃの幅は、従来と同様であり、ソース層１６は、中間部１３ｃに対応して配置されている。 - 特許庁

The cross section of the liquid flow channel 90A constituted in the tank body 90 is set according to the type and concentration of the buffer liquid to be used and the material of the tank body 90.例文帳に追加

タンク本体９０に構成される液体流路９０Ａの断面は、使用するバッファー液の種類や濃度と、タンク本体９０の材質に応じて設定する。 - 特許庁

A video recording apparatus is configured to transfer input video data to an HDD 13 via a CF memory 17, wherein the CF memory 17 is managed/controlled as a FIFO type ring buffer.例文帳に追加

入力映像データがＣＦメモリ１７を経由してＨＤＤ１３へ転送される構成とし、ＣＦメモリ１７はＦＩＦＯ方式のリングバッファとして管理・制御される。 - 特許庁

Thereafter, a buffer layer 105 consisting of a p-type GaN (crystal) to which zinc is doped (2×10^18 cm^-3) is formed on the AlN layer 104.例文帳に追加

この後、ＡｌＮ層１０４の上に、亜鉛がドープ（２×１０^18ｃｍ^-3）されたｐ形のＧａＮ（結晶）からなるバッファ層１０５が形成された状態とする。 - 特許庁

To provide a VOQ(virtual output queue) controller capable of offering CBR service simultaneously as the lowest band assurance service in an input buffer type switch in a VOQ system.例文帳に追加

ＶＯＱ方式の入力バッファ型スイッチにおいて、最低帯域保証サービスと同時にＣＢＲサービスを提供することができるＶＯＱ制御装置を提供する。 - 特許庁

To reduce the branch penalty of a data processor for pipe line-processing of a given instruction without providing any exclusive buffer for saving an instruction string of a branch instruction type.例文帳に追加

与えられた命令をパイプライン処理するデータ処理装置について、分岐命令流の命令列退避用の専用バッファなどを設けることなく、分岐ペナルティを軽減する。 - 特許庁

To convey a semiconductor wafer in a high vacuum level between processing chambers and respective processors in a multi-chamber type processor, and hold the interior of a conveying chamber under the high vacuum level to convey a wafer, and directly connect with various kinds of vacuous processor without a buffer chamber.例文帳に追加

マルチチャンバ型処理装置における処理室間および各処理装置間における半導体ウエハの高い真空度中における搬送を可能とする。 - 特許庁

The source-follower type analogue buffer can also minimize the variation from both the charging time and the device characteristics and maximize the range of the input voltage.例文帳に追加

該ソースフォロワー型アナログバッファはまた、充電時間およびデバイス特性両方に基づくバラツキを最小限にとどめ、入力電圧の範囲を最大限に大きくすることができる。 - 特許庁

The distributed type multimedia server system 10 has a buffer server 14 and a disk server 15 connected by a connection network 17 between clusters having a remote direct memory access function.例文帳に追加

分散型マルチメディアサーバシステム１０は、遠隔ダイレクトメモリアクセス機能を有するクラスタ間接続ネットワーク１７によって接続されたバッファサーバ１４とディスクサーバ１５を有する。 - 特許庁

Without any interrupt to the CPU, waveform data stored in the NAND-type flash memory are read out in units of page to supply a buffer of a waveform memory with waveform sample data.例文帳に追加

ＣＰＵへの割り込み無しで、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに格納した波形データのページ単位での読出しを行い、波形メモリのバッファにサンプル補充ができるようにする。 - 特許庁

Without any interrupt to the CPU, waveform data stored in the NAND-type flash memory are read out in units of page to supply a buffer of a waveform memory with waveform sample data.例文帳に追加

ＣＰＵへの割込み無しで、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに格納した波形データのページ単位での読出しを行い、波形メモリのバッファにサンプル補充ができるようにする。 - 特許庁

To compose an effective buffer system for a second agent composition for two-bath type permanent wave by using an acidic amino acid that is expected to manifest a protecting effect on the hair and a basic amino acid.例文帳に追加

毛髪保護効果を期待できる酸性アミノ酸と塩基性アミノ酸を用いて、二浴式パーマネントウェーブ用第２剤組成物の強い緩衝系を構成する。 - 特許庁

To provide a passive optical network type data frame transmission system wherein a transmission buffer with a comparatively small memory capacity is applied to a station side apparatus so as to prevent data overflow.例文帳に追加

局側装置に比較的メモリ容量の少ない送信バッファを適用して、データ溢れを解消可能にした受動光網型データフレーム伝送システムを提供する。 - 特許庁

As the plate cylinder structure of a printing unit in a revolution type stencil printing machine, not a stencil sheet is directly wound around a metallic plate cylinder, but a buffer layer is formed at the middle between the plate cylinder and the stencil sheet, and ink infiltrated into the buffer layer is fed to the stencil sheet.例文帳に追加

輪転式孔版印刷機における印刷ユニットの版胴構造として、金属製版胴に孔版シートを直接巻くのではなく、版胴と孔版シートの中間に緩衝層を設け、この緩衝層に浸透されたインキを孔版シートに供給する。 - 特許庁

In image processing for rendering a three-dimensional virtual space using perspective projection transformation and depth comparison by a Z buffer, firstly, polygons to be rendered in a rendering process are classified into a first-type polygon and a second-type polygon.例文帳に追加

透視投影変換およびＺバッファによる深度比較を用いて３次元仮想空間の描画を行う画像処理において、まず、一度の描画処理における描画対象のポリゴンを第１種ポリゴンと第２種ポリゴンに分類する。 - 特許庁

A low temperature growth buffer layer 104 and a first n-type GaN layer 105 are then sequentially grown epitaxially on the AIN layer 103, and a mask layer 106 having an opening is formed on the first n-type GaN layer 105.例文帳に追加

次に、ＡｌＮ層１０３上に低温成長バッファ層１０４および第一のｎ型ＧａＮ層１０５を順次エピタキシャル成長させた後、第一のｎ型ＧａＮ層１０５上に開口部を有するマスク層１０６を形成する。 - 特許庁

The p^--type leakage stopper region 112 is formed so as to be in contact with both of an insulating film 102 and the collector electrode film 201, and is further Schottky-joined to the collector electrode film 101 together with the n^+-type buffer layer 103.例文帳に追加

Ｐ^−型リークストッパ領域１１２は、絶縁膜１０２とコレクタ電極膜２０１との双方に接するように形成され、さらに、Ｎ^＋型バッファ層１０３と共にコレクタ電極膜１０１に対してショットキー接合されている。 - 特許庁

In an entrance node 103, a sensor type discrimination unit 201 executes data buffering according to a sensor type, using a buffer management table 205, when receiving sensor information from a plurality of sensors 101 managed by a sensor management unit 203.例文帳に追加

エントランスノード１０３は、センサ管理部２０３で管理する、複数のセンサ１０１からセンサ情報が入力されると、センサ種別判別部２０１が、バッファ管理テーブル２０２を用いて、センサ種別に応じたデータバッファリングを行う。 - 特許庁

A breakdown voltage at OFF is increased in the p-type layer buffer, a breakdown voltage at ON is increased by discharging the hole, the reduction in a drain current is eliminated since there is no leakage from the p-type layer, and high output can be achieved in the points of both current and voltage.例文帳に追加

ｐ型層バッファでＯＦＦ時の耐圧を上げ、ホールの排出でＯＮ時の耐圧を上げ、ｐ型層からのリークがないのでドレイン電流の低下が無く、電流面、電圧面の両者で高出力化が実現できる。 - 特許庁

Masks 11 for selective growth and an AlN buffer layer 2 are formed on a substrate 1 for growth, and further a non-doped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an MQW active layer 5, and a p-type GaN layer 6 are laminated in order.例文帳に追加

成長用基板１上に選択成長用マスク１１及びＡｌＮバッファ層２が形成され、さらにノンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層されている。 - 特許庁

A buffer layer 12 of aluminum nitride (AlN), a first nitride semiconductor layer 13 of i-type GaN, and a second nitride semiconductor layer 14 of i-type AlGaN are sequentially formed on a substrate 11 of sapphire.例文帳に追加

サファイアからなる基板１１の上に、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなるバッファ層１２と、ｉ型ＧａＮからなる第１の窒化物半導体層１３と、ｉ型ＡｌＧａＮからなる第２の窒化物半導体層１４が順次形成されている。 - 特許庁

In the device, a sucking type pulverous body pump 3 to suck in the toner stored to the toner storing container 20 and transport it and a buffer 10 to pool the sucked and transported toner immediately before the suction type powder, pump 3 are provided.例文帳に追加

トナー収納容器２０に収納されたトナーを吸引して移送するための吸引型の粉体ポンプ３と、吸引して移送されたトナーをその吸引型の粉体ポンプ３の直前で貯留するバッファ１０とを有している。 - 特許庁

N-type buffer regions 48, which are formed under the lower parts of the regions 36 and 46 in contact with the regions 36 and 46, contain As and phosphous P as N-type impurities, and have a P concentration lower than an As concentration and the As concentration, are formed.例文帳に追加

エクステンション領域３６及びソース／ドレイン領域４６に接してその下方に、ｎ型不純物としてＡｓ及びリン（Ｐ）を含み、かつＰ濃度がＡｓ濃度より低いｎ−バッファ領域４８が形成されている。 - 特許庁