「buffer type」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent the generation of vibration and noise during release of pumping and to improve car height maintaining performance during a stop, in a self leveling type hydraulic buffer.例文帳に追加

セルフレベリング式の油圧緩衝器において、ポンピング解除時の振動、騒音の発生を防止し、また、停車中の車高維持性能を向上させる。 - 特許庁

An air type shock buffer means 10 is interposed between an amount adjustment rack 6 of a fuel injection pump 5 and an output rod 22 of a stop actuator 21.例文帳に追加

燃料噴射ポンプ５の調量ラック６と停止アクチュエータ２１の出力ロッド２２との間にエアー式衝撃緩衝手段１０を介在させる。 - 特許庁

The clock generating device detects the number of slave devices connected in a slave device mounting detection part, and notifies a buffer type selection part of the detected number.例文帳に追加

クロック生成装置は、スレーブ装置実装検出部において接続されたスレーブ装置の数を検出し、その検出数をバッファタイプ選択部に通知する。 - 特許庁

Thus, the damping force control type hydraulic buffer can be controlled based on the actual damping force characteristics so that the precision of control can be improved.例文帳に追加

実際の減衰力特性に基づいて、減衰力調整式油圧緩衝器を制御することができるので、制御の精度を高めることができる。 - 特許庁

To provide a gate type gear shift lever device that can suppress a bumping noise at a time of a gear shift operation and automatically remove an adhesion of wax on a buffer member.例文帳に追加

シフト操作時の打音を低減し、かつ緩衝部材のワックスの付着を自動的に除去することができるゲート式シフトレバー装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ion-trap type reference frequency generator that is resistive to pressure of buffer gas, and also to provide a method of stabilizing output frequency.例文帳に追加

バッファガスの圧力に影響され難いイオントラップ型周波数標準器及び出力周波数安定化方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a punched through type IGBT (conductivity modulated MOSFET) having a buffer layer which enables cost reduction and high performance simultaneously.例文帳に追加

低コスト化と高性能を両立可能なバッファ層を有するパンチスルー型ＩＧＢＴ（伝導度変調型ＭＯＳＦＥＴ）の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor which has improved characteristics by reducing an influence of depletion from a buffer layer doped with a p-type impurity.例文帳に追加

ｐ型不純物がドーピングされたバッファ層からの空乏化による影響を低減することで、特性が改善された電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

A preprocessor 641 outputs packet data to a cut-type FIFO buffer 642 when the preprocessor determines that a reception packet is the IPsec packet.例文帳に追加

前置処理部６４１は、受信パケットがＩＰｓｅｃパケットであると判断した場合に、カット型のＦＩＦＯバッファであるバッファ６４２にパケットデータを出力する。 - 特許庁

After subjecting an Si single-crystal substrate to a temperature rise to 270-320°C, an In buffer layer is formed by an electron-beam heating type vacuum deposition method (A region).例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板を２７０〜３２０℃まで昇温させた後、電子ビーム加熱式真空蒸着法によりＩｎ緩衝層を形成する（Ａ領域）。 - 特許庁

If a message is too long to fit in the supplied buffer, excess bytes may be discarded depending on the type of socket the message is received from. 例文帳に追加

メッセージが長過ぎて指定されたバッファに入り切らなかった場合には、メッセージを受信したソケットの種類によっては余分のバイトが捨てられるかもしれない。 - JM

Further, the short cell separating device is provided with a bridged-over cell storage buffer 6 that has areas managing bridged-over information by each ATM cell type.例文帳に追加

また、装置内で運用しているＡＴＭセル種別毎に、またがり情報を管理する領域を有するまたがりセル格納バッファ６を設ける。 - 特許庁

A control signal is outputted to the damping force control type hydraulic buffer 5 based on the damping force characteristic data read from the recording medium 10 by the controller.例文帳に追加

コントローラにより、記録媒体10から読込んだ減衰力特性データに基づいて、減衰力調整式油圧緩衝器5へ制御信号を出力する。 - 特許庁

A segment control part 302 acquires the MBR stored in the sector buffer 307 and identifies a file system by referring to a partition type field.例文帳に追加

セグメント制御部３０２は、セクタ・バッファ３０７に記憶されているＭＢＲを取得し、パーティション・タイプのフィールドを参照してファイル・システムを特定する。 - 特許庁

To enable the selection of combination of damping force characteristics on the expansion side and on the contraction side out of two combinations, in a damping force regulation type hydraulic buffer.例文帳に追加

減衰力調整式油圧緩衝器において、伸び側、縮み側の減衰力特性の組合わせを２つの組合わせの中から選択できるようにする。 - 特許庁

To provide an ATM switch device of an output buffer type that can reduce the probability of aborted input data and effectively utilize a memory resource.例文帳に追加

入力データが廃棄される確率を減らすことができ、かつメモリ資源を有効活用できる出力バッファ型のＡＴＭスイッチ装置を提供する。 - 特許庁

Consequently, about ≥97.7% of laser light generated from the active layer 5 is distributed on the upper layer of the interface between the n-type substrate 1 and the buffer layer 11.例文帳に追加

これにより、活性層５で発生するレーザ光の約９７．７％以上は、ｎ型基板１とバッファ層１１との界面よりも上層に分布する。 - 特許庁

When the trace data 101 is the trace data 101 of the selected type, the trace data selection part 110 stores the trace data 101 in a trace data buffer 120.例文帳に追加

トレースデータ１０１が選択種類のトレースデータ１０１である場合、トレースデータ取捨選択部１１０はトレースデータ１０１をトレースデータバッファ１２０に記憶する。 - 特許庁

An Aureobasidium pullulans ATCC (American Type Culture Collection) 20524 strain is cultured in a liquid culture medium maintaining the pH during culture at 6 with a buffer solution containing xylan as a carbon source.例文帳に追加

Ａ．ｐｕｌｌｕｌａｎｓ ＡＴＣＣ ２０５２４株を、キシランを炭素源として含む緩衝液により培養中のｐＨを６に維持した液体培地にて培養した。 - 特許庁

An n-type SiC layer 4 having a relatively high dopant concentration as a buffer film is formed so as to coat the entire face of the Schottky barrier metal 3.例文帳に追加

ショットキーバリア金属３の全面を覆うように緩衝膜としてのドーパント濃度の比較的高いｎ型のＳｉＣ膜４が形成されている。 - 特許庁

An optical waveguide 37 of the semiconductor laser element 1a is provided in a mesa shape on an n-type buffer layer 13 with a specific axial direction as a longitudinal direction.例文帳に追加

半導体レーザ素子部１ａの光導波路３７は、ｎ型バッファ層１３上に所定の軸方向を長手方向とするメサ状に設けられる。 - 特許庁

A buffer circuit 11, comprising an operational amplifier having a one-time amplification degree to the parasitic capacitor Cj between the n-type diffusion layer 2 and the P well 4, is provided.例文帳に追加

ｎ型拡散層２とＰウェル４との間の寄生容量Ｃｊに対して、１倍の増幅度をもつオペアンプからなるバッファ回路１１が設けられている。 - 特許庁

To detect elongation of a rope 17 and to prevent the occurrence of a butt-down accident caused by collision of a balancing weight 12 with a buffer 16 in a rope type elevator.例文帳に追加

ロープ式のエレベータにおいて、ロープ１７の伸びを検出するとともに、つり合いおもり１２が緩衝器１６に衝突する突き下げ事故発生を防ぐ。 - 特許庁

In this manufacturing method of the photovoltaic device in pin junction structure with amorphous silicon as a main material, a p-type layer 3 is formed and then hydrogen plasma treatment is made to the p-type layer 3, then CO2 plasma treatment is made for oxidizing a p-type layer surface, and a buffer layer 4a is formed between the p-type layer and an i-type layer.例文帳に追加

非晶質シリコンを主材料としたｐｉｎ接合構造を有する光起電力装置の製造方法において、ｐ型層３を形成後にこのｐ型層３に水素プラズマ処理を施し、その後ＣＯ_2プラズマ処理を行いｐ型層表面を酸化させて、ｐ型層とｉ型層との間のバッファ層４ａを形成する。 - 特許庁

The element main body unit 60 comprises an n-type GaAs single crystal substrate 1 (shown simply as a substrate hereinafter) as a substrate for growth, an n-type GaAs buffer layer 2 formed on a first main surface, a light emitting layer unit 24 formed on the buffer layer 2, and a current diffusion layer 20 formed on the light emitting layer unit.例文帳に追加

この素子本体部６０は、成長用基板としてのｎ型ＧａＡｓ単結晶基板（以下、単に基板という）１と、その第一主表面上に形成されるｎ型ＧａＡｓバッファ層２と、このバッファ層２上に形成される発光層部２４と、この発光層部上に形成される電流拡散層２０とを含む。 - 特許庁

An emission element 1 includes: a quantum cascade active layer 4 being an active layer using the intersubband transition; an n-type buffer layer 3 and an n-type guide layer 5 as first conduction-type semiconductor layers; and a photonic crystal layer 7 as a two-dimensional diffraction grating.例文帳に追加

発光素子１では、サブバンド間遷移を用いた活性層である量子カスケード活性層４と、第１導電型の半導体層としてのｎ型バッファ層３およびｎ型ガイド層５と、２次元回折格子としてのフォトニック結晶層７とを備える。 - 特許庁

The present invention relates to a nitride-based light emitting device having a buffer layer, an n-type nitride semiconductor layer, an active layer and a p-type nitride semiconductor layer formed on a substrate, wherein an Al_1-xSi_xN interlayer is formed inside of the n-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

基板上に、バッファ層、ｎ型窒化物半導体層、活性層、及びｐ型窒化物半導体層からなる窒化物系発光素子において、前記ｎ型窒化物半導体層内に、Ａｌ_１−ｘＳｉ_ｘＮからなる中間層を有することを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor device has an IGBT cell including a base region 14 and an emitter region 15 that are formed in an n-type drift layer 11, and a p-type collector layer 12 disposed below the drift layer 11 via an n-type buffer layer 13.例文帳に追加

半導体装置は、ｎ−型のドリフト層１１に形成されたベース領域１４およびエミッタ領域１５と、ドリフト層１１の下にｎ型のバッファ層１３を介して配設されたｐ型のコレクタ層１２とにより構成されるＩＧＢＴセルを有している。 - 特許庁

Buffer members 50a and 50b, that are thicker than card-type electronic equipment 10 and are formed by an elastic material are fitted to the peripheral edge section of the card-type electronic equipment, so that it can be desorbed freely for covering at least four corners of the card-type electronic equipment.例文帳に追加

カード状電子機器１０の厚さよりも大きな厚さを有し弾性材料により形成された緩衝部材５０ａ、５０ｂを、カード状電子機器の周縁部に脱着自在に装着してカード状電子機器の少なくとも４つの角部を覆う。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a GaN buffer layer 102, a non-doped GaN layer 103, an n-type GaN contact layer 104, an n-type AlGaN lower cladding layer 105, a multiple quantum well light emitting layer 106, a p-type AlGaN upper cladding layer 107 and a p-type GaN current diffusion layer 108 sequentially laminated on a sapphire substrate 101.例文帳に追加

サファイア基板１０１上に、ＧａＮバッファ層１０２、ノンドープＧａＮ層１０３、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０４、ｎ型ＡｌＧａＮ下クラッド層１０５、多重量子井戸発光層１０６、ｐ型ＡｌＧａＮ上クラッド層１０７およびｐ型ＧａＮ電流拡散層１０８が順次積層されている。 - 特許庁

A GaN buffer layer 12, an n-type GaN contact layer 13, an n-type InGaN quantum well active layer 14, a p-type AlGaN sublimation preventing layer 15, and a p-type GaN contact layer 16 are laminated successively on a sapphire substrate 11, where the quantum well active layer 14 is equipped with a well layer sandwiched inbetween a pair of barrier layers.例文帳に追加

サファイア基板１１上に、ＧａＮバッファ層１２、ｎ型ＧａＮコンタク層１３、ｎ型ＩｎＧａＮ量子井戸活性層１４、ｐ型ＡｌＧａＮ昇華防止層１５、ｐ型ＧａＮコンタクト層１６が順次積層されており、量子井戸活性層１４は、一対の障壁層にて挟まれた井戸層を有している。 - 特許庁

On a sapphire substrate 1, a GaN buffer layer 2, an n-type GaN contact layer 3, an MWQ active layer 4, and a p-type GaN contact layer 5 are stacked in order, and a partial region is mesa-etched from the p-type GaN contact layer 5 halfway to the n-type GaN contact layer 3 to form an (n) electrode 7.例文帳に追加

サファイア基板１上に、ＧａＮバッファ層２、ｎ型ＧａＮコンタクト層３、ＭＱＷ活性層４、ｐ型ＧａＮコンタクト層５が順次積層されており、ｐ型ＧａＮコンタクト層５からｎ型ＧａＮコンタクト層３の途中まで一部領域がメサエッチングされて、ｎ電極７が形成されている。 - 特許庁

There are sequentially formed a buffer layer of BP material, a cubic-system p-type single crystal layer of BP material, a p-type group III nitride semiconductor crystal layer of hexagonal system, and an n-type group III nitride semiconductor crystal layer on a substrate comprising Si single crystal of p-type conductivity.例文帳に追加

ｐ形導電性のＳｉ単結晶からなる基板上に、ＢＰ系材料からなる緩衝層と、ＢＰ系材料からなる立方晶のｐ形単結晶層と、立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層と、六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層とを順次形成する。 - 特許庁

On a sapphire substrate 11, a GaN buffer layer 12, an n-type GaN contact layer 13, an n-type InGaN quantum well active layer 14, a p-type AlGaN sublimation preventing layer 15, and a p-type GaN contact layer 16 are laminated sequentially and the quantum well active layer 14 has a well layer sandwiched by a pair of partition wall layers.例文帳に追加

サファイア基板１１上に、ＧａＮバッファ層１２、ｎ型ＧａＮコンタク層１３、ｎ型ＩｎＧａＮ量子井戸活性層１４、ｐ型ＡｌＧａＮ昇華防止層１５、ｐ型ＧａＮコンタクト層１６が順次積層されており、量子井戸活性層１４は、一対の障壁層にて挟まれた井戸層を有している。 - 特許庁

A p^+-type collector region 8, an n^+-type buffer region 9, an n-type base region 10 formed of first and second regions 10a and 10b, a p-type base region 11 formed of first and second parts 11a and 11b and an emitter region 12 are formed in a semiconductor substrate 1 having a trench 5.例文帳に追加

トレンチ５を有する半導体基板１には、Ｐ^+型コレクタ領域８とＮ^+型バッファ領域９と第１及び第２の領域１０ａ、１０ｂから成るＮ型ベース領域１０と第１及び第２の部分１１ａ、１１ｂから成るＰ型ベース領域１１とエミッタ領域１２とが形成されている。 - 特許庁

On the substrate 601, an AlN buffer layer 602, an undope GaN layer 603, an undope AlGaN layer 604, a first p-type AlGaN layer 605, a second p-type AlGaN layer 607, and a high density p-type GaN layer 608 are formed sequentially; and a gate electrode 611 carries out ohmic contact with the high density p-type GaN layer 608.例文帳に追加

基板６０１上にＡｌＮバッファ層６０２、アンドープＧａＮ層６０３、アンドープＡｌＧａＮ層６０４、第１のｐ型ＡｌＧａＮ層６０５、第２のｐ型ＡｌＧａＮ層６０７、高濃度ｐ型ＧａＮ層６０８が順に形成され、ゲート電極６１１が高濃度ｐ型ＧａＮ層６０８とオーミック接合する。 - 特許庁

The semiconductor element includes an undoped GaN layer 3, an Si film 31, an n-type GaN layer 4, an MQW active layer 5, and a p-type GaN layer 6 laminated in this order on an AlN buffer layer 2 formed on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１上に形成されたＡｌＮバッファ層２上にアンドープＧａＮ層３、Ｓｉ膜３１、ｎ型ＧａＮ層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層されている。 - 特許庁

An andoped GaAs layer 3, an n+-type GaAs layer 4, and an n-type GaAs layer 5 undergo epitaxial growth in this order via a GaAs buffer layer 2 on a semi-insulating GaAs substrate 1 to form a channel layer.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にＧａＡｓバッファー層２を介してアンドープＧａＡｓ層３、ｎ^+ 型ＧａＡｓ層４およびｎ型ＧａＡｓ層５を順次エピタキシャル成長させてチャネル層を形成する。 - 特許庁

A buffer constituting a peripheral driving circuit includes a plurality of stages of CMOS inverters, and an n type TFT of an odd-numbered inverter is of a double-gate structure, and an n type TFT of an even-numbered inverter is of a single gate structure.例文帳に追加

周辺駆動回路を構成するバッファは、複数段のＣＭＯＳ型インバータを含み、奇数番目のインバータのｎ型ＴＦＴはダブルゲート構造、偶数段目のインバータのｎ型ＴＦＴはシングルゲート構造とする。 - 特許庁

To provide a projection type video display device, along with an image adjusting method, capable of reducing a buffer capacity required for specifying a positional relationship between the projection type video display device and a projection surface.例文帳に追加

投写型映像表示装置と投写面との位置関係を特定するために必要なバッファ容量を削減することを可能とする投写型映像表示装置及び画像調整方法を提供する。 - 特許庁

In this semiconductor laser device, an n-type AlGaAs buffer layer 5 as an intermediate layer is formed between a stripe-like convex portion 3 and an n-type AlGaAs lower cladding layer 6 as a first clad layer.例文帳に追加

この半導体レーザ装置では、中間層としてのＮ型ＡｌＧａＡｓバッファ層５がストライプ状の凸部３と第１クラッド層としてのＮ型ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層６との間に形成されている。 - 特許庁

Then, the type of the tag is checked, and if a condition is set in the parameter change table for the tag type, a change value thereof is obtained, and the read character string and the parameter after changing are set in the buffer (S40).例文帳に追加

さらに、タグの種類をチェックし、そのタグ種類についてパラメータ変更テーブルに条件が指定されていれば、その変更値を取得し、変更後のパラメータとともに読み上げ文字列をバッファにセットする（Ｓ４０）。 - 特許庁

To provide a device and a method for image processing which can perform faster processing than a sequential type image processor by deciding whether pixel data are before or after background image data when the pixel data are stored in an image buffer and completing platting through single processing and can make the memory capacity much less than the buffer memory capacity of a Z buffer type image processor.例文帳に追加

画素データを画像バッファに格納する際に、その画素データが背景画像データの前にあるのか、背景画像データの後にあるのかを判定し、描画を１回の処理で行うようにし、逐次型画像処理装置よりも高速の処理が可能であり、かつＺバッファ型の画像処理装置のバッファメモリ容量よりも大幅にメモリ容量を低減することができる画像処理装置及び画像処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a two-output type TCXO having an excellent frequency characteristic and starting characteristic capable of electric-power saving, by solving a problem of power consumption of a buffer circuit of TCXO, providing the TCXO with a CMOS inverter buffer circuit, and optimizing the frequency characteristic and the starting characteristic of the buffer circuit in the two-output type TCXO.例文帳に追加

本発明は２出力型のＴＣＸＯにおいて前記ＴＣＸＯのバッファ回路が電力を消費する問題点を解決し、前記ＴＣＸＯがＣＭＯＳインバータバッファ回路を備えると共に、該バッファ回路の周波数特性及び起動特性を最適化したので、周波数特性及び起動特性に優れ省電力できる２出力型ＴＣＸＯを提供することを目的とする。 - 特許庁

If in the check of command type, the command saved in the bus transmission command generation buffer 114 is a command other than the readout command, the command stored in the bus transmission command generation buffer 114 is then immediately transmitted to the communication driver 115.例文帳に追加

コマンドタイプのチェックで、バス送信コマンド生成バッファ１１４に保存されたコマンドが読み出し以外のコマンドであるときには、その時点で直ちに、バス送信コマンド生成バッファ１１４に蓄えられているコマンドを通信ドライバ１１５に送信する。 - 特許庁