「buffer type」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor light emitting element which has a buffer layer formed on a semiconductor substrate when necessary and also has a semiconductor layer formed by stacking an n-type or p-type lower semiconductor layer, a light emitting layer and a p-type or n-type upper semiconductor layer, the semiconductor light emitting element having high light emission efficiency for a specified wavelength.例文帳に追加

半導体基板上に、必要に応じて緩衝層を形成し、ｎ型又はｐ型の下側半導体層と、発光層と、ｐ型又はｎ型の上側半導体層とを積層してなる半導体層を持つ半導体発光素子において、特定の波長に対して高い発光効率を有する半導体発光素子を提供することにある。 - 特許庁

The ZnO buffer layer 3 having small specific resistance is grown on a conductive Si substrate 2, and n-type GaN, n-type AlGaN, InGaN (light emitting), p-type AlGaN, and p-type GaN layers 4, 5, 6, 7, and 8 are successively grown, thus forming the semiconductor light emitting device 1 having double hetero junction structure.例文帳に追加

導電性Ｓｉ基板２の上に比抵抗の小さなＺｎＯバッファ層３を成長させ、ＺｎＯバッファ層３の上に順次ｎ型ＧａＮ層４、ｎ型ＡｌＧａＮ層５、ＩｎＧａＮ層（発光層）６、ｐ型ＡｌＧａＮ層７、ｐ型ＧａＮ層８を成長させることにより、ダブルへテロ接合構造の半導体発光素子１を形成する。 - 特許庁

The personal computer computes the ratio of a storing time of measurement data into a block buffer which is disposed in the module-type measuring devices 9a, 9b, to a storing time of the measurement data from the block buffer into the memory means attached to the personal computer, and has a display means for displaying the presence or the absence of missing storing the measurement data.例文帳に追加

パーソナルコンピュータは、モジュール型計測器９ａ，９ｂに設けたブロックバッファへの計測データの格納時間と、ブロックバッファからパーソナルコンピュータに付設した記憶手段への計測データの格納時間との比を演算して計測データの格納漏れの有無を表示する表示手段を有する。 - 特許庁

The short arc type discharge lamp is characterized in that a buffer material including a material of which yield stress is lower than that of an electrode material is made to exist between the tip center of an anode tip and the periphery annular section, and thermal stress of the tip center is reduced by the buffer material.例文帳に追加

陽極先端の先端中央部と周辺環状部の間に、電極材料よりも降伏応力の小さな材料からなる緩衝材を介在させて、先端中央部の熱応力を該緩衝材により緩和させたことを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a frame buffer management circuit for accelerating and improving efficiency in managing a memory shared individual FIFO type buffer which realizes fair reading of a variable length frame in the quantity of bands to be used and a delay time, rather than managing components in a link structure.例文帳に追加

可変長フレームに対して、帯域使用量および遅延時間の点で公平な読出しを実現するメモリ共用の個別ＦＩＦＯ型バッファについて、構成要素をリンク構造によって管理するよりも高速化かつ効率化するフレームバッファ管理回路を提供する。 - 特許庁

A packet communication device includes a frame buffer 2,000 of a linked list type, and holds chain information for configuring linked list buffers to each user flow and buffer size information in two regions of the regions 2.402 and 2.304 during an operation and the regions 2.403 and 2,305 for an update.例文帳に追加

パケット通信装置は、リンクドリスト方式によるフレームバッファ２０００を有し、各ユーザフローに対してリンクドリストバッファを構成するためのチェーン情報とバッファサイズ情報を運用時の領域２４０２、２３０４と更新用の領域２４０３、２３０５の２つの領域に保持している。 - 特許庁

The materials which are ≤70° in JIS A hardness (the hardness by the A-shaped spring type hardness tester stipulated in JIS K 6301) and is ≤50 μm in the variation of thicknesses (the difference between the maximum value and minimum value in one sheet of the buffer material) are used as the buffer materials 31 and 32.例文帳に追加

特には、緩衝材３１，３２として、ＪＩＳ Ａ硬さ（ＪＩＳ Ｋ ６３０１に規定するＡ形スプリング式硬さ試験機による硬さ）が７０度以下であって、厚みのバラツキ（一枚の緩衝材中での最大値と最小値との差）が５０μｍ以下であるものを用いる。 - 特許庁

The apparatus for transmitting data in a communication system includes a buffer descriptor (BD) generator for generating a BD referencing constituent elements constituting second type data, if there is first type data to be transmitted, and a direct memory access (DMA) controller for controlling the apparatus so as to generate the second type data from the first type data according to the BD and to transmit the generated second type data.例文帳に追加

本発明は、通信システムにおけるデータ送信装置であって、送信する第１のタイプのデータが発生すると、第２のタイプのデータを構成する構成エレメントを参照してバッファディスクリプタ(ＢＤ)を生成するＢＤ生成器と、第１のタイプのデータをＢＤに対応して第２のタイプのデータとして生成して送信するように制御する直接メモリ接続(ＤＭＡ)制御器と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A buffer layer 6 which has a width W wider than the width w of this progressive wave type electrode 3 and is at least partly embedded in the surface layer part of the substrate 1 is formed only in the lower part of the progressive wave type electrode 3.例文帳に追加

そして、進行波型信号電極３の下部のみに、この進行波型信号電極３の幅ωよりも広い幅Ｗを有するとともに、少なくとも一部が基板１の表層部分に埋設したバッファ層６を形成する。 - 特許庁

A light-transmitting transparent electrode layer 160 is stacked onto the n-type semiconductor layer 150, and is provided from one side of the optical absorption layer 130, the buffer layer 140, and the n-type semiconductor layer 150 to one of the back electrode layers 120.例文帳に追加

ｎ型半導体層１５０に積層するとともに光吸収層１３０、バッファ層１４０およびｎ型半導体層１５０の一側から裏面電極層１２０の一方に亘って透光性の透明電極層１６０を設ける。 - 特許庁

An n-type GaN layer 2 is grown as the buffer layer for extracting an n-type electrode on a sapphire substrate 1 which is an insulating substrate, and SiO_2 thin films 4 which are insulating films are vapor-deposited to form opening portions 5 as shown in (a).例文帳に追加

（ａ）で示すように、絶縁性基板であるサファイア基板１上に、ｎ型電極引出しのためのバッファ層となるｎ型ＧａＮ層２を成長させ、さらに絶縁膜であるＳｉＯ_２薄膜４を蒸着して開口部５を形成する。 - 特許庁

An n-type electron feeding layer 14 made of AlGa and an n-type electron transit layer 15 made of GaN are formed sequentially with an un-doped AlGaN buffer layer 12 and an un-doped AlGaN base layer 13 in between on a sapphire substrate 11.例文帳に追加

サファイアよりなる基板１１の上にundope−ＡｌＧａＮよりそれぞれなるバッファ層１２および下地層１３を介してｎ型ＡｌＧａＮよりなる電子供給層１４およびｎ型ＧａＮよりなる電子走行層１５が順次積層されている。 - 特許庁

The air type shock buffer means 10 has a relay rod 11 interposed between the output rod 22 of the stop actuator 21 and the amount adjustment rack 6, a cylinder 12 formed in the relay rod 11, a piston 13 provided inside the cylinder 12, forming an air buffer chamber 12a, and an orifice 12b communicating the air buffer chamber 12a with the air.例文帳に追加

このエアー式衝撃緩衝手段１０は、停止アクチュエー２１の出力ロッド２２と上記調量ラック６との間に介在された中継ロッド１１と、この中継ロッド１１に形成されたシリンダー１２と、このシリンダー１２内に設けられてエアー緩衝室１２ａを形成するピストン１３と、上記エアー緩衝室１２ａを大気に連通するオリフィス１２ｂとを備える。 - 特許庁

To provide a system capable of fast deciding the number of retires and the number of result data written back to a register file in the reorder buffer of a superscalar type processor.例文帳に追加

この発明は、スーパースカラ型プロセッサのリオーダバッファにおいて、リタイア数とレジスタファイルへの結果データ書き戻し数を高速に決定できる方式を提供することを目的としている - 特許庁

The anti-diffusion region 22 is provided to have a thickness not smaller than a diffusion distance of the P type impurity from the collector region 11 toward the buffer region 12 in an element formation process.例文帳に追加

拡散防止領域２２は、素子形成プロセスにおいてコレクタ領域１１からバッファ領域１２側へＰ型不純物が拡散する距離以上の厚みで設けられている。 - 特許庁

An edge of an n-type buffer layer 13 is semi-circular in shape in a plan view and the radius of curvature is set longer than 1/2 the transverse length of the layer 13.例文帳に追加

ｎ型バッファ層１３のエッジ部は、平面から見た形状が半円状で、その曲率半径が、ｎ型バッファ層１３の短手方向の長さの１／２より長く設定されている。 - 特許庁

A buffer layer 102 for raising the quality of the crystal of its upper layer and an N-type first semiconductor layer 103 with carriers flowing in its interior are formed in order on a high-resistance substrate 101.例文帳に追加

高抵抗基板１０１上に上層の結晶の品質を上げるためのバッファ層１０２と、キャリアが流れるｎ型の第１の半導体層１０３とを順次形成する。 - 特許庁

A buffer layer 2 and a one-conductivity type semiconductor layer 3 (an ohmic contact layer 3a, a single layer stressed layer or a stressed superlattice layer 3a and a clad layer (electron injected layer) 3c) are sequentially laminated on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上にバッファ層２と一導電型半導体層３（オーミックコンタクト層３ａ、単層歪み層または歪み超格子層３ｂ、クラッド層（電子の注入層）３ｃ）する。 - 特許庁

A control part 132 of the SSD 130 uses a part of the main memory 120 having a DRAM (Dynamic Random Access Memory) as a buffer area 121 in the data storage into a NAND type flash memory 131.例文帳に追加

そして、ＳＳＤ１３０の制御部１３２が、ＤＲＡＭを有するメインメモリ１２０の一部を、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１３１へのデータ格納におけるバッファ領域１２１として利用する。 - 特許庁

To strike a balance between the heavily doped diffusion of an n-type dopant into a photoelectric conversion layer and the formation of a buffer layer with an optimal thickness, and also to simplify the manufacturing process and reduce the equipment cost.例文帳に追加

光電変換層へのｎ型ドーパントの高濃度拡散と最適な膜厚のバッファ層の形成とを両立させ、かつ製造工程および設備コストの簡素化を図る。 - 特許庁

A first conductivity type buffer layer 15 is formed on the principal plane 13a of the semiconductor region 13, and the principal plane 13a forms an angle of 10° or more relative to the reference plane RC.例文帳に追加

第１導電型バッファ層１５は半導体領域１３の主面１３ａ上に設けられ、この主面１３ａは基準面ＲＣに対して１０度以上の角度を成す。 - 特許庁

The scan output signal cut-off means 3 is provided between the scan cell 1a and the scan cell 1b, and a buffer BUFF1 and an Nch insulated gate type field effect transistor NT1 are provided.例文帳に追加

スキャン出力信号遮断手段３は、スキャンセル１ａとスキャンセル１ｂの間に設けられ、バッファＢＵＦＦ１とＮｃｈ絶縁ゲート型電界効果トランジスタＮＴ１が設けられる。 - 特許庁

To provide a technology capable of shortening a required write time by reducing overhead for transfer of write data in a card type storage including a nonvolatile memory and a buffer memory.例文帳に追加

不揮発性メモリとバッファメモリを内蔵したカード型記憶装置における書込みデータの転送のオーバーヘッドを少なくして書込み所要時間を短縮可能にする技術を提供する。 - 特許庁

Even before super frame synchronization (time t6), when a synchronization word is detected for a frame (time t2), the sound data of a received frame are stored in a FIFO type buffer thereafter.例文帳に追加

スーパーフレーム同期（時刻ｔ６）前であっても、フレームについて同期ワードを検出できたならば（時刻ｔ２）、それ以降、受信フレームの音声データをＦＩＦＯ形式のバッファにストアする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is a highly reliable case type by using an electrode terminal improved in stress strength between a stress buffer part and an electrode part (conductive part).例文帳に追加

応力緩衝部と電極部（および導電部）との間の応力強度が改善された電極端子を用いて、信頼性の高いケースタイプの半導体装置を提供する。 - 特許庁

Thus, the loudspeaker apparatus can be designed so that the connection member and the pot-type yoke are collided with each other via a buffer member at e.g., a region E1 at the movement of the voice coil or the like to the lower side with a large amplitude.例文帳に追加

このため、ボイスコイル等の下側への大振幅移動時に、例えば、領域Ｅ１にて連結部材とツボ型ヨークとが緩衝部材を介して衝突するように設計する。 - 特許庁

Strain of the light emitting layer (6) is reduced and piezoelectirc field is reduced by providing the strain relaxing layer (11) and the InGaN buffer layer (12) between the n-type foundation layer (4) and the light emitting layer (6).例文帳に追加

ｎ型下地層(４)と発光層(６)との間に、歪緩和層(１１)及びＩｎＧａＮバッファ層(１２)を設けることにより、発光層(６)の歪みが減少しピエゾ電界が低減する。 - 特許庁

To provide a folding process for the preparation of biologically active, dimeric, TGF-β(transforming growth factor type β)-like protein in a detergent-free folding buffer.例文帳に追加

界面活性剤非含有フォルディングバッファーの中での生物学的に活性な二量体型の TGF−β（β型トランスフォーミング増殖因子）様タンパク質の製造のためのフォルディングプロセスの提供。 - 特許庁

Consequently, the timing intervals of the transmission of cells from the input line to the crossbar type switch 110 are made wider than normal timing intervals to eliminate the need for the buffer in the output line part.例文帳に追加

これにより、入力回線からクロスバー型スイッチ１１０へセルを送出するタイミング間隔を、通常のタイミング間隔よりも広げることで、出力回線部内のバッファを不要とする。 - 特許庁

This reproducing device having a clock synchronization type arithmetic part 12, a clock generating part 11 for generating the clock, and an output buffer 13 is provided with a clock generation control part 10.例文帳に追加

クロック同期式の演算部１２と、そのクロックを発生するクロック生成部１１と、出力バッファ１３とを有する再生装置に対して、クロック生成制御部１０を設ける。 - 特許庁

An image stored in a frame buffer is divided into N pieces of rectangular areas (step S3) and it is determined whether or not a clear-type image portion is present in each rectangular area (steps S5, S6).例文帳に追加

フレームバッファに格納された画像をＮ個の矩形エリアに分割し（ステップＳ３）、各矩形エリア中にクリアタイプの画像部分が存在するか否かを判断する（ステップＳ５、Ｓ６）。 - 特許庁

When a current flows by connecting the circuit 22, a transistor determining means determines that the buffer circuit 14 comprises the NPN type transistor and determines to connect the circuit 22.例文帳に追加

第１の定電流回路２２を接続して電流が流れた場合、バッファ回路１４がＮＰＮ型トランジスタであると判断し、第１の定電流回路２２の接続を決定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit that copes with a requirement of high-speed communication lines connected as a load by suppressing a delay in starting an ON operation of an output MOSFET in a differential output type output buffer circuit.例文帳に追加

差動出力型の出力バッファ回路における出力用のMOSFETのオン動作の開始遅延を抑制し、負荷として接続される通信線路の高速化の要求に対応する。 - 特許庁

A hydraulic chamber 58, provided on the other end of the spool 53 of the hydraulic buffer of damping force adjustable type 1 that is disposed in front and back or left and right of the suspension device, is communicated with a duct 60.例文帳に追加

サスペンション装置の前後または左右に設けた減衰力調整式油圧緩衝器１のスプール53の他端側の油室58を管路60によって互いに連通させる。 - 特許庁

To increase the data processing speed of a superscalar type processor which transfers an execution result to a reorder buffer through write-back buses less than execution units.例文帳に追加

この発明は、実行ユニットの数より少ない数のライトバックバスを介して実行結果をリオーダバッファに転送するスーパースカラ型プロセッサにおいて、データ処理速度の高速化を図ることを目的とする。 - 特許庁

A region from the p-type InP window layer 5 to the middle of the undoped InP diffusion buffer layer 4 is removed precisely by dry etching, to form a second mesa with a diameter smaller than that of the first mesa.例文帳に追加

そして、ｐ型ＩｎＰ窓層５からアンドープＩｎＰ拡散バッファ層４の途中までドライエッチングにより精密に除去し、第一のメサより径が小さい第二のメサを形成した。 - 特許庁

By interspersing special characters that allow the display device to distinguish each bit of pixel data included in the data packets, only the small FIFO type buffer unit is needed.例文帳に追加

データパケットに含まれるピクセルデータの各ビットをディスプレイデバイスによって区別することを可能にする特殊文字を散在させることにより、小型のＦＩＦＯタイプのバッファユニットのみが必要になる。 - 特許庁

The size of the template matching a requested clock skew value and the delay time value of the clock tree, the type of the clock buffer inserted therein, and the position of a tapping point are determined.例文帳に追加

要求されるクロックスキュー値とクロック木の遅延時間値に合ったテンプレートの大きさと、その中に挿入されるクロックバッファの種類及びタッピングポイントの位置が決定される。 - 特許庁

Hardness of the buffer materials 21 and 22 made of the photo-curing type polyuretane acrylate material is set at JIS A10 to 98, and their shape is set at a film shape or projection shape.例文帳に追加

光硬化型ポリウレタンアクリレート系材料よりなる当該緩衝材２１，２２の硬度はＪＩＳ Ａ１０〜９８とし、その形状は例えば皮膜形状または突起形状とする。 - 特許庁

To form a functional semiconductor layer which performs a stable functionality by controlling so as to suppress the diffusion amount of a p-type dopant to the functional semiconductor layer having predetermined functionalities, such as an activity layer, through a first dopant layer as a buffer layer from a p-type semiconductor layer doped with the p-type dopant.例文帳に追加

ｐ型ドーパントをドープしたｐ型半導体層から、バッファ層としての第１ドーパント層を介して活性層などの所定の機能を有する機能半導体層へのｐ型ドーパントの拡散量が抑制できるように制御し、安定した機能を実現する機能半導体層を形成すること。 - 特許庁

The nitride compound semiconductor epitaxial wafer is constituted by successively laminating a buffer layer 2, an n-type GaN clad layer 3, an active layer 4 of multiple quantum well structure consisting of an undoped InGaN well layer, and an undoped GaN barrier layer, p-type clad layers 5, 6, and a p-type InGaN contact layer 7 on a substrate 1.例文帳に追加

本発明の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハは、基板１上にバッファ層２、ｎ型ＧａＮクラッド層３、アンドープＩｎＧａＮ井戸層とアンドープＧａＮ障壁層とからなる多重量子井戸構造の活性層４、ｐ型クラッド層５，６、及びｐ型ＩｎＧａＮコンタクト層７が順次積層されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a power semiconductor device that makes an impurity concentration of an n-type buffer layer low to prevent a resistivity profile of an epitaxial layer from deteriorating, and enables minority carriers supplied from an p-type semiconductor substrate to an n^--type drift layer to be controlled.例文帳に追加

ｎ型バッファ層の不純物濃度の低濃度化を可能にしてエピタキシャル層の抵抗率プロファイルの劣化を防止し、かつｐ型半導体基板からｎ^−型ドリフト層に供給される少数キャリアの制御をも可能にした電力用半導体装置の製造方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁

A mask 11 for selective growth is formed on a sapphire substrate 1 as a substrate for growth, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an active layer 5, and a p-type GaN layer 6 are laminated in order on an AlN buffer layer 2, and a mixed doped GaN layer 6a is formed on the p-type GaN layer 6.例文帳に追加

成長用基板であるサファイア基板１上に選択成長用マスク１１が形成され、ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層されており、ｐ型ＧａＮ層６上には混合ドープＧａＮ層６ａが形成される。 - 特許庁

A p-type hydrogenated microscopic crystal silicon layer 103 whereon a microscopic crystal silicon thin film solar battery si formed on a substrate 101, a microscopic crystal buffer layer 104, an i-type hydrogenated structure, containing at least an n-type hydrogenated microscopic crystal silicon layer 106, and a reflection electrode, formed on the laminated structure, are provided.例文帳に追加

微結晶シリコン薄膜太陽電池が、基板と、該基板の上に形成された、ｐ型水素化微結晶シリコン層、微結晶バッファ層、ｉ型水素化微結晶シリコン層、及びｎ型水素化微結晶シリコン層を少なくとも含む積層構造と、該積層構造の上に形成された反射電極と、を備える。 - 特許庁

The nitride semiconductor element comprises a nitride semiconductor layer (a buffer layer 2, an n-type clad layer 3, a light emitting layer 4, a p-type clad layer 5 and a p-type contact layer 6) formed on the front surface of a ZrB_2 substrate 1, and a protective film 9 made of a tungsten formed on the rear surface of the substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体素子は、ＺｒＢ_2基板１の表面上に形成された窒化物系半導体層（バッファ層２、ｎ型クラッド層３、発光層４、ｐ型クラッド層５およびｐ型コンタクト層６）と、ＺｒＢ_2基板１の裏面上に形成されたタングステンからなる保護膜９とを備えている。 - 特許庁