「buffer type」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

A data repeater 4 provided among a plurality of multiplex communication lines 21 to 23 is provided a buffer 431 that temporarily holds received data before transmitting the received data in each type of data, and also, a plurality of buffers are allocated about a portion of data types.例文帳に追加

複数の多重通信線２１〜２３の間に介設されるデータ中継装置４に、受信したデータを送信前に一時保持するバッファ４３１を、データの種類ごとに設けるとともに、一部のデータ種類については複数を割り当てる。 - 特許庁

To solve the problem that a scale becomes large and cost increase before since cells outputted from a crossbar type switch are temporarily stored in a buffer arranged in an output line part if there is an output line which is slower than an input line speed rate.例文帳に追加

従来は、入力回線速度レートより遅い出力回線が存在したとき、出力回線部内に配備してあるバッファに、クロスバー型スイッチから出力されたセルが一旦蓄積されるため、規模の増加及びコストの増加をまねく - 特許庁

To provide a liquid crystal display device integrated type memory capable of tinning the main body of a computer and capable of reducing the manufacturing cost of a memory and, moreover, capable of being used suitably as buffer of various input/output data as well, and a computer which is mounted with the memory.例文帳に追加

コンピュータ本体の薄型化を図り、メモリの製造コストを低減することができ、さらに各種入出力データのバッファとしても好適に使用できる液晶表示装置一体型メモリおよびこれを搭載したコンピュータを提供する。 - 特許庁

A collecting type digital camera 2 is used, which is provided with a position detecting means 27 for detecting positional coordinates of a photographic spot, and a buffer memory 25 for storing photographing data 34 consisting of image data, photographing data and time and the positional coordinates so that the data are associated.例文帳に追加

撮影場所の位置座標を検出する位置検出手段２７と、画像データ、撮影日時および位置座標からなる撮影データ３４を関連付けして記憶するバッファメモリ２５とを備えた回収型のデジタルカメラ２を用いる。 - 特許庁

A semiconductor layer uses an oxide semiconductor film containing In, Ga, and Zn, and comprises an inverted stagger type (bottom gate structure) thin-film transistor, in which a buffer layer is formed among the semiconductor layer, a source electrode layer, and a drain electrode layer.例文帳に追加

半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。 - 特許庁

To promptly decrease data residual amount of a transmission data buffer and stably transmit data when communication channels are changed in a communication system where data is transmitted in a communication network which performs a band reservation type media access control.例文帳に追加

帯域予約型のメディアアクセス制御を行う通信ネットワークでデータを伝送する通信システムにおいて、通信チャンネルの変更時に、送信データバッファのデータ残量を速やかに減少させ、安定してデータ伝送を行うことができるようにする。 - 特許庁

The data tranceiver 30 arranged on a ring type network as a node is constituted by a forward direction data tranceiving means 19, a reverse direction data tranceiving means 20, a buffer control means 13, a control unit 14, connection terminals 11 and 12, or the like.例文帳に追加

リング型ネットワーク上にノードとして配置されるデータ送受信装置３０は、正方向データ送受信手段１９、逆方向データ送受信手段２０、バッファ制御手段１３、制御装置１４、接続端子１１と１２等から構成される。 - 特許庁

In a synchronous bank type multi-port memory, a register/buffer circuit performs input of a read/write signal and an address signal from the outside port, input or output of a data signal from the outside port, and output of an inputted port block signal to the outside.例文帳に追加

同期バンク型多ポートメモリにおいて、レジスタ／バッファ回路は、外部のポートからのリード／ライト信号とアドレス信号の入力、データ信号の外部のポートからの入力または出力、入力されるポートブロック信号の外部への出力を行う。 - 特許庁

To eliminate an S/S density step difference even when dimmer is insufficient by changing a threshold value of detecting a buffer full state depending on an amount of read data, a type of an interface, and a communication speed or the like so as to make a stop time by the S/S constant.例文帳に追加

読み込むデータ量、インターフェイス種類、通信速度等によりバッファフルを検出するしきい値を変え、Ｓ／Ｓで停止している時間を一定に保つことで調光が不十分であったとしてもＳ／Ｓ濃度段差を出さない。 - 特許庁

To provide an energy absorption type falling stone prevention fense capable of effectively absorbing impulse energy resulted from a falling stone to buffer impulsive force to a support, preventing the damage to the support to the utmost to facilitate the restoration and, at the same time, facilitating the maintenance.例文帳に追加

落石による衝撃エネルギーを効果的に吸収して支柱への衝撃力を緩和し、支柱の損壊を極力防止して復元を容易になし得るとともに、メンテナンスが容易なエネルギー吸収型落石防止柵を提供する。 - 特許庁

A plate type buffer material 54 which deters an erasure light source 48 by absorbing a shock etc., during transportation is arranged between a socket 56 to which a terminal part 58 of the erasing light source 48 is connected and an internal wall 52 of the housing 50.例文帳に追加

消去光源４８の端子部５８が接続されるソケット５６と、筐体５０の内壁５２との間には、搬送中の衝撃等を吸収して前記消去光源４８の破損を阻止するための板状の緩衝材５４が配設される。 - 特許庁

In a transistor operating in a bipolar mode, a thickness of an N-type buffer layer 4 is set to 20 to 40 μm or preferably 40 μm, a peak concentration is set to 1×1015-1×1016 cm-3 or preferably 1×1016 cm-3.例文帳に追加

バイポーラモードで動作するトランジスタにおいて、Ｎバッファ層４の層厚を２０μｍ〜４０μｍ、好ましくは４０μｍとし、ピーク濃度を１×１０^１５ｃｍ^−３〜１×１０^１６ｃｍ^−３、好ましくは１×１０^１６ｃｍ^−３とする。 - 特許庁

The semiconductor transistor has a substrate 501, a buffer layer 502, a first nitride semiconductor layer 503, a second nitride semiconductor layer 504, a p-type nitride semiconductor layer 506, a source electrode 508, a drain electrode 509 and a gate electrode 510.例文帳に追加

半導体トランジスタは、基板５０１、バッファ層５０２、第１窒化物半導体層５０３、第２窒化物半導体層５０４、ｐ型窒化物半導体層５０６、ソース電極５０８、ドレイン電極５０９およびゲート電極５１０を備えている。 - 特許庁

A driver-containing active matrix type display device or the like comprises a metal layer 32 formed on a partial region on a transparent substrate, and a buffer layer 11 provided to cove any of the metal layer 32 forming region and a metal layer 32 non-forming region.例文帳に追加

ドライバ内蔵型アクティブマトリクス型表示装置など、透明基板上の一部の領域に金属層３２が形成され、金属層３２の形成領域上及び非形成領域上のいずれをも覆うようにバッファ層１１を備える。 - 特許庁

To obtain a buffer circuit of a source follower type capable of reducing the space factor of a boosting power source circuit by reducing places using boosting power voltage at the linear sensor part of a solid-state image pickup element to reduce a boosting power stabilizing capacity.例文帳に追加

固体撮像素子のリニアセンサ部分で、昇圧電源電圧が使用される箇所を減らし、昇圧電源安定化容量を小さくし、もって昇圧電源回路の占有面積が縮小できるソースフォロア型バッファ回路を提供する。 - 特許庁

In a cassette type detector 1, a part of the side of a base 22 to which an electric substrate 23 is attached and the inner wall of a housing 3 are jointed by second buffer members 27B, and thereby the impact applied to the base 22 at least is absorbed.例文帳に追加

カセッテ型検出器１において、第２の緩衝部材２７Ｂにより、基台２２の電気基板２３が取り付けられている面の一部と、ハウジング３の内壁とが接合させ、少なくとも基台２２に加わる衝撃を吸収される。 - 特許庁

To reduce damage to a base layer due to plasma by a method wherein at least one buffer layer out of buffer layers, which respectively have an optical gap lower than a specified value and exist between the P-type semiconductor layer and the intrinsic semiconductor layer and between the N-type semiconductor layer and the intrisic semiconductor layer in a semiconductor layer, is provided in the semiconductor layer.例文帳に追加

短波長光の有効利用が可能ないわゆるワイドギャップ半導体層を有する光起電力素子のように、ｎ型半導体層、及びｐ型半導体層が真性半導体層を挟んで積層されてなり、前記ｎ型半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_n）、及び前記ｐ型半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_p）の少なくとも一方が前記真性半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_i）よりも小さい半導体層を有する光起電力素子において、、その開放電圧や短絡電流等の特性を改良する。 - 特許庁

In the card having an embossing processed surface, the invention aims to materialize a card so as its protection layer dose not split using a film type protection layer, on a substrate, which comprises crystalline resin films such as biaxial stretching polyethylene terephthalate film as a protection layer and using a buffer coat between a card substrate and a film type protection layer at an area where embossing process is performed.例文帳に追加

エンボス加工を施してなるカードにおいて、基材上に保護層として二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムなどの結晶性樹脂フィルムからなるフィルム状保護層を用い、エンボス加工を施してなる部分においてカード基材とフィルム状保護層の間に緩衝層を用いることにより保護層の割れなどのないカードとするものである。 - 特許庁

On a sapphire substrate 2, a buffer layer 3 is formed for film-forming an n-type gallium nitride compound semiconductor layer 4, the luminous layer 5, and a p-type gallium nitride compound semiconductor layer 6 at a film-forming temperature of 1,000°C.例文帳に追加

サファイア基板２上に、バッファ層３を形成し、１０００℃の成膜温度でｎ型窒化ガリウム化合物半導体層４、発光層５およびｐ型窒化ガリウム化合物半導体層６を成膜した後、８００℃に温度を下げて、四角錐状の凸部７を結晶核成長させ、その凸部７をマスクとして、ｐ層６をエッチングして凹凸８を形成する。 - 特許庁

An amorphous silicon-based photoelectric conversion device comprises a conductivity type layer formed of an amorphous silicon-based semiconductor, a buffer layer containing a microcrystalline silicon phase, a photoelectric conversion layer formed of a substantially intrinsic amorphous silicon-based semiconductor and a reverse conduction type layer formed of a non-single-crystal silicon-based semiconductor which are arranged from a light incident side in this order.例文帳に追加

光入射側から順に、非晶質シリコン系半導体からなる一導電型層と、微結晶シリコン相を含むバッファ層と、実質的に真性の非晶質シリコン系半導体からなる光電変換層と、非単結晶シリコン系半導体からなる逆導電型層とが、配置されてなる非晶質シリコン系光電変換装置によって、解決する。 - 特許庁

In this optical waveguide element constituted by forming a branch interference type optical waveguide and a modulating electrode positioned near the branch interference type optical waveguide on a crystal substrate having electro-optic effect, a buffer layer formed between the crystal substrate and the modulating electrode is an optical waveguide element comprising a highly dielectric material layer.例文帳に追加

電気光学効果を有する結晶基板上に、分岐干渉型光導波路およびこの分岐干渉型光導波路の近傍に位置する変調電極を形成して構成される光導波路素子において、前記結晶基板と変調電極との間に形成されるバッファ層は高誘電体層からなる光導波路素子とする。 - 特許庁

When restarting the printing operation, the printer 1 performs paper discriminating operation to discriminate recording paper 12a loaded in a roll paper storing part 11, and decides whether paper type of the recording paper 12a loaded at present agrees with paper type designated as an object to be printed in unfinished printing data stored and held in a receiving buffer.例文帳に追加

印刷動作の再開時には、ロール紙収納部１１内に装填されている記録紙１２ａの用紙判別動作を行い、現在装填中の記録紙１２ａの用紙種類が、受信バッファに記憶保持されている未完了印刷データにおいて印刷対象として指定されている用紙種類と一致するか否かを判定する。 - 特許庁

When a controller 2 receives the read command of a page from a host system 8, a control unit 4 reads the first parts P1a to Pna on pages P1 to Pn from the buffer memory 6 while the NAND type flash memory 3 is on standby due to relatively large latency of the NAND type flash memory 3, and transfers data to the host system 8.例文帳に追加

コントローラ２がホストシステム８からページの読み出し命令を受けると、制御部４は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ３の比較的大きいレイテンシに起因してＮＡＮＤ型フラッシュメモリ３が待機状態となっている間に、バッファメモリ６からページＰ１〜Ｐｎの第１部分Ｐ１ａ〜Ｐｎａを読み出して、ホストシステム８へデータ転送する。 - 特許庁

The network chip receives a data packet containing a type that indicates a realtime packet that needs consideration of delay time or a not-realtime packet that does not need consideration of delay time, analyzes the received packet, obtains a type in which the received packet is included in the data packet, stores the received packet into a realtime reception packet buffer when the obtained type indicates a realtime packet, and issues an interrupt to the CPU immediately.例文帳に追加

ネットワークチップは、遅延時間を考慮するリアルタイムパケット、及び遅延時間を考慮しない非リアルタイムパケットの何れかを示す種別を含むデータパケットを受信し、受信したデータパケットを解析して、受信したパケットがデータパケットに含まれる種別を取得し、取得した種別がリアルタイムパケットであることを示す場合に、受信したデータパケットをリアルタイム受信パケットバッファに格納し、即時にＣＰＵに対して割込発行を行う。 - 特許庁

On a buffer layer 12 of the infrared semiconductor laser device 2A, a height-adjusting buffer layer 20 of n-type GaAs is provided which is sequentially formed with an interval from the infrared semiconductor laser device 1A and is adjusted in film thickness for improved crystallinity of semiconductor layers on the substrate 11 as well as for conformity between heights from the substrate surface of a first active layer 14 and a second active layer.例文帳に追加

赤色半導体レーザ素子２Ａには、バッファ層１２上に、赤外半導体レーザ素子１Ａと間隔をおいて順次形成され、基板１１上の各半導体層の結晶性を向上させると共に第１活性層１４と第２活性層との基板面からの高さが一致するように膜厚が調整されたｎ型のＧａＡｓからなる高さ調整用バッファ層２０を有している。 - 特許庁

An adaptive buffer control system for sequential data transmission predicts the response of a disk unit in advance on the basis of arrangement information on data in a disk type recording medium on which image/sound data are recorded, and controls the increase or decrease of buffering capacity.例文帳に追加

映像音声データを記録したディスク式の記録媒体へのデータの配置情報に基づいてディスク装置の応答を予め予測し、バッファリング容量を増減させる制御を行うことを特徴とするシーケンシャルデータ伝送用適応バッファ制御方式。 - 特許庁

To provide a tone generation apparatus in which waveform data are stored in a NAND-type flash memory, and read out from the flash memory to a waveform memory through a buffer and simultaneously reproduced, lightening load to a CPU, and achieving well-balanced design.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに波形データを格納しておき、そこから波形データをバッファ経由で波形メモリに読出しつつ再生を行う楽音生成装置において、ＣＰＵにかかる負荷を軽減し、バランスの良い設計が実現できるようにすることを目的とする。 - 特許庁

To attain a low cost by the reduction of the number of elements, to secure the stability of an output action even when the fluctuation exists in manufacture process and, besides, to facilitate through rate adjustment in a through-rate control type output buffer circuit.例文帳に追加

スルーレート制御型の出力バッファ回路に関し、素子数の低減化による低価格化を図ることができ、しかも、製造プロセスにばらつきがあっても、出力動作の安定性を確保することができ、更に、スルーレートの調整の容易化を図ることができるようにする。 - 特許庁

To easily and freely design a material of a light absorption layer having a band gap suitable to an absorption wavelength band to be detected, and to provide a high-sensitivity quantum type infrared sensor adapted to respective uses without using a buffer layer other than InSb.例文帳に追加

検知すべき吸収波長帯に適したバンドギャップを有する光吸収層の材料を容易に、かつ、自由に設計することができ、ＩｎＳｂ以外のバッファ層を用いることなく、各用途に応じた高感度な量子型赤外線センサを実現すること。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor 120 has a GaN buffer layer 102 and an n-type GaN layer 103 as group III nitride semiconductor layers formed on a first main surface 101a, and an MQW active layer 104 formed thereon.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体１２０は、第１の主表面１０１ａに形成されたＩＩＩ族窒化物半導体層としてのＧａＮバッファ層１０２およびｎ型ＧａＮ層１０３と、その上に形成されたＭＱＷ活性層１０４とを有する。 - 特許庁

When a test-enable signal TE is disabled, the Nch insulated gate type field effect transistor NT1 is turned off; the output of the buffer BUFF1 reaches high impedance; and the scan output signal shut-off means 3 statically shuts off a scan output signal SO.例文帳に追加

テストイネーブル信号ＴＥがディセーブル状態のとき、Ｎｃｈ絶縁ゲート型電界効果トランジスタＮＴ１がオフしてバッファＢＵＦＦ１の出力がハイインピーダンス状態となり、スキャン出力信号遮断手段３がスキャン出力信号ＳＯをスタティックに遮断する。 - 特許庁

In this programmable controller for performing the transmission of a synchronous type between plural LSIs, when an LSI 200 of a clock supply origin uses a clock, a clock supplied to an other LSI 3 is fetched from a clock connection line 6 through an input buffer 21 to the LSI 200.例文帳に追加

複数のＬＳＩ間で同期式の伝送をしているプログラマブルコントローラにおいて、クロック供給元のＬＳＩ２００がクロックを使用する際、他のＬＳＩ３に供給したクロックをクロック接続ライン６から入力バッファ２１を介してＬＳＩ２００に取り込む。 - 特許庁

In a single cylinder type hydraulic buffer 10, the rebound stopper 14, a packing 15 and a rod guide 16 are fitted to an opening end portion of a cylinder 11, and they are axially positioned and retained by beads 20, 21, 27 projecting from an inner face of the cylinder 11.例文帳に追加

単筒式の油圧緩衝器１０において、シリンダ１１の開口端部に、リバウンドストッパ１４、パッキン１５、ロッドガイド１６を嵌合して、シリンダ１１の内面から突出させたビード２０、２１及び２７によってこれらを軸方向に位置決めして保持する。 - 特許庁

A thin film transistor having a floating island region and a base region between the source and drain regions of an active layer is disposed in a buffer circuit for requesting a high withstand voltage and a rapid operating speed of various type circuits for constituting peripheral drive circuits 101, 102.例文帳に追加

また、周辺駆動回路１０１、１０２を構成する各種回路の内、高い耐圧と速い動作速度を要求するバッファ回路には、活性層のソース／ドレイン領域間に浮島領域およびベース領域を有する構成でなる薄膜トランジスタを配置する。 - 特許庁

On a sapphire substrate 2, a buffer layer 3 is formed for film of an n-type gallium nitride compound semiconductor layer 4, the luminous layer 5, and a p-type gallium nitride compound semiconductor layer 6 at a film-forming temperature of 1,000°C.例文帳に追加

サファイア基板２上に、バッファ層３を形成し、１０００℃の成膜温度でｎ型窒化ガリウム化合物半導体層４、発光層５およびｐ型窒化ガリウム化合物半導体層６を成膜した後、開口を有するマスクを形成して、温度を８００℃に低下して再びｐ型窒化ガリウム化合物半導体層を成長させることで、先端が四角錐状で四角柱状の凸部７を形成することができる。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 12 is constituted by laminating a first semiconductor layer 12A having oxide semiconductor as its principal constituent and a second semiconductor layer 12B consisting of non-oxide semiconductor and showing p-type electric conductivity alternately on the buffer layer 11 repeatedly, and the first semiconductor layer 12A and the second semiconductor layer 12B are provided with super lattice structure.例文帳に追加

ｐ型半導体層１２は、バッファ層１１上に、酸化物半導体を主成分とする第１の半導体層１２Ａと、非酸化物半導体からなり、ｐ型の電気伝導性を示す第２の半導体層１２Ｂとを交互に繰り返し積層して構成されており、第１の半導体層１２Ａおよび第２の半導体層１２Ｂは超格子構造をなしている。 - 特許庁

When the obtained type indicates a not-realtime packet, the network chip stores the received packet into a not-realtime reception packet buffer, and issues an interrupt to the CPU after a predetermined time period passes, or after the number of stored packets reaches a predetermined number.例文帳に追加

また、取得した種別が非リアルタイムパケットであることを示す場合には、ネットワークチップは、受信したポケットを非リアルタイム受信パケットバッファに蓄積し、一定期間の経過後、若しくは蓄積されたパケットの数が一定数以上となった場合に、ＣＰＵに対して割込発行を行う。 - 特許庁

This transmission type photodetector is composed of a transparent semiconductor electrode part 11 and a counter electrode part 12 coated with sensitizing dyestuffs and a buffer layer 13 held there between them and the counter electrode part or the transparent semiconductor electrode part is divided into a plurality of electrode cells.例文帳に追加

増感色素が塗布された透明半導体電極部１１と対向電極部１２と、両者に挟まれたバッファ層１３とからなる透過型光検出器で、対向電極部または透明半導体電極部が複数の電極セルに分割されて構成される。 - 特許庁

This optical modulator 40 is the embedded ridge waveguide type semiconductor optical modulator and has an n-InP buffer layer 14, GaInAsP-base multiple quantum well structure 16, p-InP upper clad layer 18 and p-GaInAs contact layer 20 on an n-InP substrate 12.例文帳に追加

本光変調器４０は、埋め込みリッジ導波路型半導体光変調器であって、ｎ−ＩｎＰ基板１２上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層１４、ＧａＩｎＡｓＰ系多重量子井戸構造１６、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１８、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２０を備えている。 - 特許庁

This impact resistant disk device is constituted, by using a polyurethane sheet of a closed cell type commercially marketed as a buffer material as an impact absorption sheet 13, adhering this polyurethane sheet to a thin resin sheet 10 having folds and enclosing the disk device 9 with the resin sheet 10.例文帳に追加

本発明の耐衝撃ディスク装置は、緩衝材料として市販されている独立気泡型のポリウレタンシートを衝撃吸収シート１３として使用し、折り目を入れた薄い樹脂シート１０にポリウレタンシート１３を接着し、樹脂シート１０でディスク装置９を包む構成としている。 - 特許庁

To provide a piston-cylinder-type shock absorbing device using a viscous fluid, which has a structure of forming to enlarge a cross section of a bottom in a resin-made cylinder thereby reducing buffer load at a stroke end of a piston and permitting the piston to slide surely to the stroke end.例文帳に追加

粘性流体を利用したピストン・シリンダ型の緩衝装置に関し、樹脂製のシリンダ内部の底部の断面積を拡大して形成する構造とすることで、ピストンのストロークエンドでの緩衝荷重を減少させ、ピストンがストロークエンドまで確実にスライドするようにしたものである。 - 特許庁

To provide a non-feedback type class-D amplifier capable of making a circuit compact, in which effects of noise or switching noise caused by an oscillator can be reduced, output waveform distortion is eliminated and output buffer latch-up is prevented, thereby suppressing power consumption.例文帳に追加

回路の小型化が可能な無帰還型のＤ級増幅器において、発振器に由来するノイズやスイッチングノイズの影響の低減化を可能にして、出力波形の歪みをなくし、出力バッファのラッチアップを防止し、消費電力を抑制したＤ級増幅器を提供する。 - 特許庁

An attachment cylinder part 12 is integrally formed by extending a cylinder 10, in a single or multiple cylinder type hydraulic buffer connected to a wheel side knuckle member through a bracket holding the attachment cylinder part 12 with the attachment cylinder part 12 arranged in the lower part of the cylinder 10.例文帳に追加

シリンダ１０の下部に取付筒部１２を設け、当該取付筒部１２を抱持するブラケットを介して車輪側ナックル部材に結合させている単筒式又は複筒式の油圧緩衝器において、取付筒部１２をシリンダ１０を延長して一体に成形する。 - 特許庁

The trigger type liquid sprayer 10 provided with the nozzle 20 in the front of a trigger body 14 is constituted by covering at least an upper side of the nozzle 20 by a shroud 30 supported at the trigger body 14 and interposing a buffer means 40 between the shroud 30 and the trigger body 14.例文帳に追加

トリガーボディ１４の前部にノズル２０を設けてなるトリガー式液体噴出器１０であって、トリガーボディ１４に支持したシュラウド３０によりノズル２０の少なくとも上側を覆い、シュラウド３０とトリガーボディ１４との間に緩衝手段４０を介装したもの。 - 特許庁

The hair treatment preparation, being of two-part type, comprises a 1st liquid consisting of an aqueous solution containing a sericin hydrolyzate with a mass-average molecular weight of 30,000-70,000 and a compound having two amino groups and a 2nd liquid consisting of an aqueous buffer solution containing transglutaminase.例文帳に追加

質量平均分子量３０，０００〜７０，０００のセリシン加水分解生成物と２個のアミノ基をもつ化合物とを含む水性溶液を第一液とし、トランスグルタミナーゼを含む水性緩衝溶液を第二液としてなる二液性パーマネントセット用毛髪処理剤とする。 - 特許庁