「buffer type」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The adsorption type digester gas storing device for adsorbing and storing digester gas generated when performing a biological process is constituted of a buffer tank for a compressor, the compressor and an adsorption type storing tank filled with an adsorbent.例文帳に追加

生物学的処理に際して発生する消化ガスを吸着貯蔵するための吸着式消化ガス貯蔵装置であって、コンプレッサー用のバッファータンク、コンプレッサーおよび吸着材が充填された吸着式貯蔵タンクからなる吸着式消化ガス貯蔵装置。 - 特許庁

A VBV buffer controller 40 finds a target code amount for each picture type and a transition of VBV buffer occupancy based upon the encoding rate, sets the target code amount to settle the VBV buffer occupancy at the time point of encoding data of I pictures or P pictures into a predetermined value and controls the code amount by controlling the quantization scale of a quantizer 4 to match the code amount and the set target code amount.例文帳に追加

ＶＢＶバッファ制御器４０は、符号化レートに基づいてピクチャタイプ毎の目標符号量とＶＢＶバッファ占有量の推移を求め、ＩピクチャやＰピクチャのデータの符号化時点でのＶＢＶバッファ占有量を所定の値に収束するように目標符号量を設定し、その設定した目標符号量に合うように量子化器４の量子化スケールを制御して符号量制御を行う。 - 特許庁

In an HCMOS, an n-type SiGe heavily-doped layer 4, an SiGe spacer layer 5, and an Si n-channel layer 6 are provided in this order on an SiGe buffer layer 3.例文帳に追加

ＨＣＭＯＳにおいて、ＳｉＧｅバッファ層３の上に、ＳｉＧｅからなるｎ型高濃度ドープ層４と、ＳｉＧｅからなるスペーサー層５と、Ｓｉからなるｎチャネル層６とが設けられている。 - 特許庁

A photoelectric element 10 includes a light absorption layer 16 that is a p-type semiconductor layer, a buffer layer 18, and a window layer 20, which are provided in this order.例文帳に追加

ｐ型半導体層である光吸収層１６と、バッファ層１８と、窓層２０と、を備え、光吸収層１６、バッファ層１８及び窓層２０がこの順に設けられている光電素子１０。 - 特許庁

Two phases of first and second clocks for driving a scanning circuit part 100 are formed by an open drain type inverter 80 and a three state form output buffer 90 in a clock driving circuit 70.例文帳に追加

クロック駆動回路７０内のオープンドレーン形インバータ８０とスリーステート形出力バッファ９０とにより、走査回路部１００を駆動するための２相の第１及び第２クロックを生成している。 - 特許庁

In this structure, the distance D from the interface of the n-type substrate 1 and the buffer layer 11 to the center 5a of the active layer 5 is set longer than the beam spot radius (a) of 1/e^2 of laser beam.例文帳に追加

この構造において、ｎ型基板１とバッファ層１１との界面から、活性層５の中心５ａまでの距離Ｄが、レーザ光の１／ｅ^２のビームスポット半径ａよりも長くなるようにする。 - 特許庁

To assure airtightness between a reaction tube and a manifold without inserting an additional buffer even when the thickness of a flange in a reaction tube is reduced by chemical cleaning in a vertical type wafer processing apparatus.例文帳に追加

縦型ウエハ処理装置において、反応管のフランジの厚みが薬液洗浄により減少した場合であっても、追加で緩衝材を挿入することなく、反応管とマニホールドの気密性を確保する。 - 特許庁

To provide an input and output circuit performing a small amplitude operation in which the power consumption of a second power source can be reduced, and the rising of a logical signal to be outputted by an open drain type try state buffer can be quickened.例文帳に追加

第２の電源の消費電力が少なく、オープンドレイン型トライステートバッファが出力する論理信号の立上りが早い、小振幅動作を行う入出力回路を提供する。 - 特許庁

Further, a p-type weak anode layer arranged adjacently to the surface of the bottom of the buffer layer 30, and a rear side metallic contact (laminated structure of 23-26) connected to the weak anode layer, are formed.例文帳に追加

また、バッファー層３０底部表面に隣接するように配置されたＰタイプの弱アノード層と前記弱アノード層に接続する裏面側金属接点（２３，２４，２５，２６の積層構造）を備える。 - 特許庁

Further, the periphery of the main body part 1 is covered with a buffer material 55, thus the mount part is prevented from being flamed, a slip is also prevented, and the lid body part 3 of a laptop type is also prevented from being flawed.例文帳に追加

また、電池収納部５の周囲を緩衝材５５で覆ったので、載置面に対する傷付きを防止でき、スベリも防止でき、また、ラップトップ型の場合の蓋体部３に対する傷付きも防止できる。 - 特許庁

In an element formation region 9 surrounded by the deep trench 6, a P type drain buffer region 10, a drain contact region 11 and a drift region 12 are formed in the top layer of the epitaxial layer 5.例文帳に追加

ディープトレンチ６に取り囲まれる素子形成領域９には、エピタキシャル層５の表層部に、Ｐ型のドレインバッファ領域１０、ドレインコンタクト領域１１およびドリフト領域１２が形成されている。 - 特許庁

To restrain accumulation of carrier in an interface between an InAlAs buffer layer and an InP substrate in an epitaxial wafer of an n-type InAlAs/InGaAs system HEMT structure using InP in a substrate.例文帳に追加

基板にＩｎＰを用いたｎ型ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ系ＨＥＭＴ構造のエピタキシャルウェハにおいて、ＩｎＡｌＡｓバッファ層とＩｎＰ基板との界面におけるキャリアの蓄積を抑制することを可能とする。 - 特許庁

To provide a load adaptive type low noise output buffer in which an outside load condition, that is, the load of an output terminal can be sensed, and current driving abilities can be adjusted by itself, and a semiconductor device having this device.例文帳に追加

外部負荷条件、即ち出力端の負荷を感知して自ら電流駆動能力が調節される負荷適応型の低雑音出力バッファ及びそれを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

In case that the number of the distributed constant RC circuits connected in parallel is n pieces, the number of the distributed constant type capacitors connected to the output end of the buffer circuit is one among one pieces to (n-1) pieces.例文帳に追加

並列接続される分布定数型ＲＣ回路の数がｎ個の場合、バッファ回路の出力端に接続される分布定数型容量の数は、１個から（ｎ−１）個の間のいずれかである。 - 特許庁

There is used an active filter containing a buffer amplifier that branches the common-mode current from the earthing conductor by linear- driving two junction-type transistors or a MOSFET transistor through the transistor.例文帳に追加

２つの接合型トランジスタ又はＭＯＳＦＥＴトランジスタを線形に駆動して接地線からのコモンモード電流をトランジスタを介して分流する緩衝増幅器を含む能動フィルタを用いる。 - 特許庁

An attenuation adjustment type oil hydraulic buffer 1 attached on a left and right wheel is connected mutually by a tube route 2 and by a different pressure between these cylinders under room 3b, a spool 25 is moved to adjust the attenuation.例文帳に追加

左右の車輪に装着される減衰力調整式油圧緩衝器1を管路2によって互いに接続し、これらのシリンダ下室3b間の差圧によって、スプール25を移動させて減衰力を調整する。 - 特許庁

The SiC semiconductor is characterized in that 3C-SiC is formed by an epitaxial growth method on the surface of a Si wafer interposing a buffer layer of BP being a sphalerite-type single crystal between the 3C-SiC and the Si wafer.例文帳に追加

Ｓｉウェーハの表面に、ＢＰのバッファー層を介して、３Ｃ−ＳｉＣがエピタキシャル成長により形成されているＳｉＣ半導体であって、そのＢＰが閃亜鉛鉱型の単結晶である。 - 特許庁

The epitaxial growth method comprises interposing BP being the sphalerite-type single crystal as the buffer layer when the 3C-SiC is epitaxially grown on the surface of the Si wafer being the substrate.例文帳に追加

基板となるＳｉウェーハの上に３Ｃ−ＳｉＣをエピタキシャル成長させる際に、ＢＰをバッファー層として介在させるＳｉＣエピタキシャル成長方法であって、そのＢＰが閃亜鉛鉱型の単結晶である。 - 特許庁

The weight member 15 fixed to the one fixed end 10a of the bi-tuning fork type piezoelectric vibrating element 10 is supported on the bottom surface of the recessed section 5a of the fixing member 5 via the buffer member 22.例文帳に追加

そして、双音叉型圧電振動素子１０の一方の固定端部１０ａに固定された重り部材１５を、緩衝部材２２を介して固定部材５の凹陥部５ａの底面に支持するようにした。 - 特許庁

More specifically, by mounting a ring-shaped buffer body 2 having a band-shaped bulged center part to the sublingual type clinical thermometer 1, it is possible to prevent it from falling when held in the mouth.例文帳に追加

すなわち舌下式体温計１に中央部を帯状に膨出させたリング状の緩衝体２を装着するようにして体温計を口中に咥えたときにその外れ防止を図ったものである。 - 特許庁

When the device is in a turn-on state, if a voltage is applied between the source and the drain, the concentration of an electric field in the edge of the n-type buffer layer 13 can be reduced than in the conventional method.例文帳に追加

したがって、素子がターンオフしている状態において、ソース・ドレイン間に電圧を印加した場合に、バッファ層１３のエッジ部での電界集中を従来に比べて一層防止することができる。 - 特許庁

To perform dust correction without requiring a line buffer, even when an image sensor of a configuration arranging in series a plurality of sensors such as a close range type image sensor or the like is used for a read optical system.例文帳に追加

読み取り光学系に密着型イメージセンサのような複数のセンサを直列に配置した構成のイメージセンサを用いた場合でもラインバッファを必要とせずにゴミ補正をすることを可能とする。 - 特許庁

A single-crystalline or epitaxial buffer layer 12 comprising Pb1-xLax(ZryTi1-y)1-x/4O3 is disposed on the surface of a single crystal substrate 10 and a single-crystalline or epitaxial electrically conductive or semiconductive thin film 14 having an ABO3 type perovskite phase structure is formed on the surface of the buffer layer 12.例文帳に追加

単結晶基板１０の表面に、単結晶状またはエピタキシャル状のＰｂ_1-xＬａ_x（Ｚｒ_yＴｉ_1-y）_1-x/4Ｏ_3からなるバッファ層１２を設けた後に、該バッファ層１２の表面に、単結晶状またはエピタキシャル状でありＡＢＯ_3型ペロブスカイト相構造を有する導電性または半導電性の薄膜１４を形成する。 - 特許庁

The scanning type display device control circuit includes a pin-pon-buffer, a data storage controller, a line scanning controller, a display buffer, and a scrambled-pulse width modulation (PWM) signal generator, wherein the display device control circuit can prevent a large amount of data from being transmitted repeatedly by using frame data cyclically and repeatedly.例文帳に追加

この走査型表示装置制御回路は、ピン・ポンバッファと、データ記憶制御器と、ライン走査制御器と、表示バッファと、スクランブルド・パルス幅変調（ＰＷＭ）信号生成器とを備え、フレームデータを循環的にかつ繰り返し使用することで、多量のデータを繰り返し送信することを避けることが出来る。 - 特許庁

A connection layer 105 for electrically connecting the first buffer layer 107 to the p-type semiconductor crystal layer 103 is prepared in the opening 104A, to extract holes accumulated in the first buffer layer 107 through the connection layer 105.例文帳に追加

第１の緩衝層１０７をｐ伝導型半導体結晶層１０３に電気的に接続するための接続層１０５が開口部１０４Ａに配されており、第１の緩衝層１０７に滞留する正孔を接続層１０５を介してｐ伝導型半導体結晶層１０３に引き抜くことができる。 - 特許庁

The memory card 300 is a detachable memory card, and has: a first-in first-out type buffer area 313 temporarily storing all or a part of the encryption content 211 recorded in the hard disk 200 when reproducing the encryption content; and an area 312 managing the content temporarily stored in the buffer area 313 as a file.例文帳に追加

また、メモリカード３００は、着脱可能なものであり、暗号化コンテンツ再生時にハードディスク２００に記録されている暗号化コンテンツ２１１の全部または一部を一時記憶する、先入れ先出し型のバッファ領域３１３と、バッファ領域３１３に一時記憶されるコンテンツをファイルとして管理する領域３１２とを備える。 - 特許庁

To enable a USB host controller, which programmably sets the capacity of a communication data storage buffer, to automatically change a buffer allocated to pipes without changing a program and to exhibit the maximum communication performance even when a type and usage of a USB device to be connected are not known beforehand.例文帳に追加

通信データ格納バッファの容量をプログラマブルに設定するＵＳＢホストコントローラにおいて、接続されるＵＳＢ機器の種類や使い方があらかじめわかっていない場合でも、プログラムを変更せずにパイプに割り付けるバッファを自動的に変更し、なおかつ最大の通信性能が発揮されるようにする。 - 特許庁

To obtain a wrist device such as a watch for improving the degree of freedom in cosmetic design, for example, by arranging a buffer projection part at a specific position even when a screw-type rear lid is provided, and at the same time reducing the dimensions of a buffer member and reducing the outer dimensions of the wrist device itself.例文帳に追加

ねじ込み式裏蓋を有するものでも緩衝突部を所定位置に配置することができるとともに、緩衝部材の寸法を小さく設定してリスト装置自体の外形寸法を小さく設定する等、デザイン性における自由度を高めることを可能とする腕時計等のリスト装置を提供する。 - 特許庁

To perform redundant switching without instantaneous outage of data communication in an ATM exchanging device to perform scheduling control of cell outputs which mutually differ from each output queue regarding switching of a redundant system switch without instantaneous outage and switching of redundant cell buffer without instantaneous outage in the ATM exchanging device of output buffer type.例文帳に追加

出力バッファ型のＡＴＭ交換装置における無瞬断冗長系スイッチ切替え及び無瞬断冗長セルバッファ切替えに関し、各出力キューで各々異なるセル出力のスケジューリング制御を行うＡＴＭ交換装置において、データ通信の瞬断無しに冗長切替えを行う。 - 特許庁

The distributed feedback semiconductor laser device is provided with an active layer 23 to join carriers again, clad layers 24 and 26 as a p-type semiconductor layer for supplying a hole to the active layer 23, a buffer layer 22 as an n-type semiconductor layer for supplying an electron to the active layer 23, a diffraction lattice layer 25 formed in the p-type semiconductor layer, and so on.例文帳に追加

分布帰還型半導体レーザ素子は、キャリア再結合を行う活性層２３と、活性層２３へホールを供給するｐ型半導体層であるクラッド層２４，２６層と、活性層２３へ電子を供給するｎ型半導体層であるバッファ層２２と、ｐ型半導体層の中に形成された回折格子層２５などで構成される。 - 特許庁

On a buffer layer 23, an n-type InGaAs channel layer 24 having a large electron affinity and high impurity concentration, an InGaAs channel layer 25 having a large electron affinity and low impurity concentration, an n-type AlGaAs barrier layer (electron feeding layer) 26 having a small electron affinity and high impurity concentration, and an n+-type GaAs contact layer 27, are stacked.例文帳に追加

バッファ層２３の上に、電子親和力が大きくて高不純物濃度のｎ型ＩｎＧａＡｓチャネル層２４、電子親和力が大きくて低不純物濃度のＩｎＧａＡｓチャネル層２５、電子親和力が小さくて高不純物濃度のｎ型ＡｌＧａＡｓ障壁層（電子供給層）２６、ｎ^＋型ＧａＡｓコンタクト層２７を積層する。 - 特許庁

To provide a CBD bath for forming an InS layer as a buffer layer between a p type semiconductor layer and an n type semiconductor layer constituting a compound solar cell by a CBD method by forming an InS layer with predetermined thickness without repeating the same operation several number of times.例文帳に追加

化合物太陽電池を構成するｐ型半導体層とｎ型半導体層との間にバッファー層としてのＩｎＳ層をＣＢＤ法で形成する際に、同一操作を複数回繰り返すことなく所定厚さのＩｎＳ層を形成できるＣＢＤ浴を提供する。 - 特許庁

An n-type light-transmitting buffer layer 140 pn-joined to the optical absorption layer 130 is stacked and formed on a p-type conductive optical absorption layer 130 by a compound in a chalcopyrite structure stacked over a pair of back electrode layers 120 on one surface of a glass substrate 110.例文帳に追加

ガラス基板１１０の一面に設けた対をなす裏面電極層１２０に亘ってカルコパイライト構造の化合物にて導電性を有するｐ型の光吸収層１３０に、光吸収層１３０とｐｎ接合する透光性でｎ型のバッファ層１４０を積層形成する。 - 特許庁

A buffer layer 102, a high carrier concentration n+ type layer 103 and a multiple quantum well structure light emitting layer 104 are formed on a sapphire substrate 101, P type layers 105, 106 and a first thin film metal layer 111 of metal vapor deposition are formed thereon, and a negative electrode 140 is formed on the layer 103.例文帳に追加

フリップチップ型の III族窒化物系化合物半導体発光素子において、ｐ型半導体層に接続され、光をサファイア基板側へ反射する厚膜正電極を銀（Ａｇ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、または、これらの合金より形成する。 - 特許庁

A semiconductor substrate (1, 2, 3, 4, 5) is formed laminating a non-doped GaAs buffer layer 2, a non-doped InGaAs channel layer 3, an n-type AlGaAs electron supply layer 4, and an n-type GaAs contact layer 5 on a semi- insulating GaAs substrate 1 in order by epitaxial growth.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に、ノンドープＧａＡｓバッファ層２，ノンドープＩｎＧａＡｓチャネル層３，ｎ型ＡｌＧａＡｓ電子供給層４，ｎ型ＧａＡｓコンタクト層５がエピタキシャル成長により順次に積層されて、半導体基板（１，２，３，４，５）が形成されている。 - 特許庁

A group III nitride semiconductor light-emitting element comprises: a sapphire substrate 10 on which an uneven shape is formed; and an n-type layer, a light-emitting layer, and a p-type layer that are sequentially stacked on a surface of the sapphire substrate 10 at the uneven shape side via a buffer layer and are composed of a group III nitride semiconductor.例文帳に追加

実施例１のIII 族窒化物半導体発光素子は、凹凸形状が形成されたサファイア基板１０と、サファイア基板１０の凹凸形状側表面上に、バッファ層を介して順に積層された、III 族窒化物半導体からなるｎ型層、発光層、ｐ型層と、を有している。 - 特許庁

In the nitride semiconductor light emitting diode, at least an n-type foundation layer (4), a strain relaxing layer (11), an InGaN buffer layer (12), a light emitting layer (6) which contains an InGaN quantum well and has a peak wavelength of 440 nm or more and p-type layers (6, 7) are laminated on a substrate (1).例文帳に追加

基板(１)上に少なくとも、ｎ型下地層(４)と、歪緩和層(１１)と、ＩｎＧａＮバッファ層(１２)と、ＩｎＧａＮ量子井戸を含む発光のピーク波長が４４０ｎｍ以上である発光層(６)と、ｐ型層(６，７)とが積層されている窒化物半導体発光ダイオーである。 - 特許庁

A different type character converting part 27 and a replacing part 34 convert a prescribed character string in a document inside a document buffer 26 to a character string resulting from replacing the KANJI in any designated one of first and second KANJI groups in that prescribed character string with the other KANJI in the different type character relation shown in the dictionary 28.例文帳に追加

異体字変換部２７および置換部３４は文書バッファ２６の文書中の所定文字列を、該所定文字列中の第１および第２漢字群のいずれか指定される一方の漢字が辞書２８に示される異体字関係にある他方の漢字に置換された文字列に変換する。 - 特許庁

A p-type transistor 600P and an n-type transistor 600N constituting a buffer transistor 600 of an output circuit which outputs driving pulses to determine a start timing and an end timing of mobility correction operation, are formed by ELA radiation scanning in a vertical direction.例文帳に追加

移動度補正動作の開始や終了の各タイミングを決定する駆動パルスを出力する出力回路のバッファトランジスタ６００を構成するｐ型トランジスタ６００Ｐおよびｎ型トランジスタ６００Ｎを垂直方向に走査されるＥＬＡ照射によって形成する。 - 特許庁

The structure of the semiconductor switch comprises Al electrode/p-type single crystal silicon carbide layer, gradient composition layer/n-type single crystal silicon substrate/Al electrode (Al/p-SiC/GCL/n-Si/Al) while the gradient composition layer is a buffer layer between p-SiC and n-Si.例文帳に追加

前記半導体スイッチの構造は、Ａｌ電極／ｐ型単結晶炭化シリコン層／勾配組成物層／ｎ型単結晶シリコン基板／Ａｌ電極（Ａｌ/ｐ−ＳｉＣ／ＧＣＬ／ｎ−Ｓｉ／Ａｌ）を含み、前記勾配組成物層はｐ−ＳｉＣとｎ−Ｓｉの間の緩衝層である。 - 特許庁

An n-type light-transmitting buffer layer 140 pn-joined to the optical absorption layer 130 is stacked and formed on a p-type conductive optical absorption layer 130 by the compound in a chalcopyrite structure stacked over a pair of back electrode layers 120 on the surface of a glass substrate 110.例文帳に追加

ガラス基板１１０面上の対をなす裏面電極層１２０に亘って積層したカルコパイライト構造化合物にて導電性を有するｐ型の光吸収層１３０に、光吸収層１３０とｐｎ接合する透光性でｎ型のバッファ層１４０を積層形成する。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element 20 includes a plurality of layers including an n-type GaAs buffer layer 2 that are formed on an n-type GaAs substrate 1, and an InGaAs multiple quantum well active layer 5 including two InGaAs quantum well layers 5A and 5B having different light-emitting peak wavelengths that is formed on the plurality of layers.例文帳に追加

半導体発光素子２０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓバッファ層２等の複数の層が形成され、さらに発光ピーク波長が異なる二つのＩｎＧａＡｓ量子井戸層５Ａ、５Ｂを含むＩｎＧａＡｓ多重量子井戸活性層５が形成されている。 - 特許庁

To provide a data receiver that can quickly receive succeeding data after interruption of connection and can utilize PUSH type data left in a reception buffer without losing them at the interruption of connection.例文帳に追加

コネクション切断後、速やかに次のデータを受信することができ、しかも、コネクション切断時に受信バッファに残されていたＰＵＳＨ型データを失うことなく利用することができるデータ受信装置を提供する。 - 特許庁

All electric potential is impressed on column wires of a surface conduction type emission element substrate 101 by a buffer amplifier 107, and the electric potential is impressed on one row of row wire selected by a line selection circuit 102.例文帳に追加

バッファアンプ１０７によって電位が印加されて表面伝導型放出素子基板１０１の列配線に電位が印加され、ライン選択回路１０２により選択された１行の行配線に電位が印加される。 - 特許庁

An electric potential is impressed on column wires of a surface conduction type emission element substrate 101 by a buffer amplifier 107, and the electric potential is impressed on one row of row wire selected by a line selection circuit 102.例文帳に追加

バッファアンプ１０７によって電位が印加されて表面伝導型放出素子基板１０１の列配線に電位が印加され、ライン選択回路１０２により選択されたの１行の行配線に電位が印加される。 - 特許庁