「buffer type」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A drive ability control circuit 12 varies the output voltage of output voltage variable type power source circuits 111 and 112 of an output buffer 11 for adjusting amplitude of a differential outputted from the output buffer.例文帳に追加

駆動能力制御回路１２は、出力バッファ１１の出力電圧可変型電源回路１１１，１１２の出力電圧を変化させることにより、出力バッファから出力される差動の振幅を調節する。 - 特許庁

A received data mobile section 202 detects interruption of connection with a server when the data stored in the reception buffer 204 are of a push type and moves the data to a retention buffer 205.例文帳に追加

受信データ移動部２０２は、受信バッファ２０４に格納されているデータがＰＵＳＨ型である場合、サーバとの間のコネクションが切断されることを検知して、そのデータを滞留バッファ２０５へと移動させる。 - 特許庁

In the p-type channel FET region 3, a buffer layer 15 being in contact with a bottom surface of a channel layer 16 has a single-layer structure which is constituted of only a second buffer layer 15B having a wider bandgap than the channel layer 16.例文帳に追加

ｐ型チャネルＦＥＴ領域３において、チャネル層１６の下面に接するバッファ層１５が、チャネル層１６よりも広いバンドギャップを有する第２バッファ層１５Ｂだけで構成された単層構造となっている。 - 特許庁

To prevent a control effect from being deteriorated due to insufficiency of damping force in the next stroke of a buffer by stored energizing force of a spring, in a suspension control device having a damping characteristic adjusting type hydraulic buffer.例文帳に追加

減衰特性調整式油圧緩衝器を有するサスペンション制御装置において、蓄積したばねの付勢力により緩衝器の次行程の減衰力が不足して制御効果が悪化することを防止する。 - 特許庁

In a display control means, a command receiving buffer of a ring buffer type is used as such for housing a display control command received from the main board where the game control means is placed.例文帳に追加

表示制御手段において、遊技制御手段が搭載された主基板から受信した表示制御コマンドを格納するためのコマンド受信バッファとして、リングバッファ形式のコマンド受信バッファが用いられる。 - 特許庁

A photoelectric element 10 comprises a light absorbing layer 16 being a p-type semiconductor layer, a buffer layer 18, and a window layer 20, and the light absorbing layer 16, the buffer layer 18, and the window layer 20 are provided in this order.例文帳に追加

ｐ型半導体層である光吸収層１６と、バッファ層１８と、窓層２０と、を備え、光吸収層１６、バッファ層１８及び窓層２０がこの順に設けられている光電素子１０。 - 特許庁

In the power semiconductor device as an IEGT, a p-type collector layer 13, an n-type buffer layer 14 and a n-type base layer 15 are formed on a collector electrode in this order, and a main cell 21 and a dummy cell 22 are alternately provided on an upper surface of the n-type base layer 15 along a direction parallel to the n-type base layer 15.例文帳に追加

ＩＥＧＴである電力用半導体装置において、コレクタ電極上にｐ型コレクタ層１３、ｎ型バッファー層１４、ｎ型ベース層１５をこの順に設け、ｎ型ベース層１５上に、ｎ型ベース層１５の上面に平行な方向に沿ってメインセル２１及びダミーセル２２を交互に設ける。 - 特許庁

In the high-voltage semiconductor device (horizontal IGBT), an N-type drift region 104 and a P-type body region 105 are formed in an SOI layer 103, an N-type emitter region 106 is formed in the body region 105, and an N-type buffer region 115 and a P-type collector region 116 are formed in the drift region 104.例文帳に追加

高耐圧半導体装置（横型ＩＧＢＴ）において、ＳＯＩ層１０３内にＮ型ドリフト領域１０４、Ｐ型ボディ領域１０５が形成され、ボディ領域内１０５内にＮ型エミッタ領域１０６、ドリフト領域１０４内にＮ型バッファ領域１１５とＰ型コレクタ領域１１６が形成される。 - 特許庁

In a semiconductor laser element 100, a buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an n-type crack preventive layer 5, an n-type AlGaN first clad layer 6, an MQW light emitting layer 7, a p-type AlGaN second clad layer 8, and a p-type contact layer 9 are formed sequentially on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は、サファイア基板１上に、バッファ層２、アンドープのＧａＮ層３、ｎ−ＧａＮ層４、ｎ−クラック防止層５、ｎ−ＡｌＧａＮからなる第１クラッド層６、ＭＱＷ発光層７、ｐ−ＡｌＧａＮからなる第２クラッド層８、ｐ−コンタクト層９が順に形成されてなる。 - 特許庁

A p^+-type base region 108, n^+-type emitter region 109, a gate insulating film 110, a gate electrode film 111, an interlayer insulating film 112, p^+-type collector layer 113, and an emitter electrode film 114, are formed on an implanted substrate 102 on which n^--type drift layer 106 and n^+-type buffer layer 107 are formed.例文帳に追加

Ｎ^−型ドリフト層１０６及びＮ^＋型バッファ層１０７を形成した注入基板１０２に、Ｐ^＋型ベース領域１０８及びＮ^＋型エミッタ領域１０９、ゲート絶縁膜１１０、ゲート電極膜１１１、層間絶縁膜１１２、Ｐ^＋型コレクタ層１１３、エミッタ電極膜１１４を形成する。 - 特許庁

To provide a common buffer type ATM switch in which a cell discard rate or a cell delay time can be easily guaranteed and a call loss rate can be suppressed smaller than an output buffer type switch by preventing another output port from being affected by a congestion that occurs in a certain output port.例文帳に追加

ある出力ポートで発生した輻輳が他の出力ポートに影響しないようにして、セル廃棄率やセル遅延時間の保証を容易に実行可能にするとともに、出力バッファ型スイッチより呼損率を小さく抑えることができる共通バッファ型ＡＴＭスイッチを提供すること。 - 特許庁

Even if the power switch of a main body is in a off-state, when the exchange of a disk type recording medium is detected, management data of the disk are read out and stored in a buffer memory, when the power switch is turned on for the next time, the management data are read out from the buffer memory without accessing the disk type recording medium.例文帳に追加

本体の電源スイッチがオフの状態であっても、ディスク状記録媒体の交換が検出された場合はディスクの管理データを読み出してバッファメモリに記憶し、次回電源オン時はディスク状記録媒体にアクセスせずにバッファメモリから管理データを読み出す。 - 特許庁

Although, a parasitic diode is formed in the IGBT by PN junction of a p^+ collector region 1 and the n^+ type buffer layer 2, the n^+ type buffer layers 2 floating in an actual device are connected through the resistor 13.例文帳に追加

すなわち、ＩＧＢＴにはｐ^+型コレクタ領域１とｎ^+型バッファ層２とによるＰＮ接合によって寄生ダイオードが形成されることになるが、この寄生ダイオードのうち実際のデバイスではフローティング状態となる各ｎ^+型バッファ層２が抵抗１３を介して接続された構成とする。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element comprises a laminated structure having a GaN crystal layer formed via a buffer layer or directly on the Si substrate and having a p-type layer, an n-type layer and a light emitting layer disposed between the p-type layer and the n-type layer so as to emit light by current injection.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に、バッファ層を介してまたは直接的に、ＧａＮ系結晶層からなる積層構造を形成し、該積層構造は、電流注入によって発光可能なように、ｐ型層と、ｎ型層と、これらの間に位置する発光層とを有する。 - 特許庁

In a semiconductor laser element 100, a buffer layer 2, an undopped GaN layer 3, an n-type GaN first contact layer 4, an n-type AlGaN first clad layer 5, a light emitting layer 6, a p-type AlGaN second clad layer 7, and a p-type GaN second contact layer 8 are sequentially formed on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は、サファイア基板１上にバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ−ＧａＮ第１コンタクト層４、ｎ−ＡｌＧａＮ第１クラッド層５、発光層６、ｐ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層７、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト層８が順に形成されてなる。 - 特許庁

While heating the metal film 3 and thereby heating the infrared transmission substrate 2 through heat conduction, an n-type buffer layer 21, an n-type clad layer 22, an active layer 23, a p-type clad layer 24 and a p-type contact layer 25 are formed by epitaxial growth, on the other side of the infrared transmission substrate 2.例文帳に追加

金属膜３を加熱し、それによって、熱伝導で赤外線透過基板２を加熱しながら、赤外線透過基板２の他方の面に、エピタキシャル成長により、ｎ型バッファ層２１、ｎ型クラッド層２２、活性層２３、ｐ型クラッド層２４およびｐ型コンタクト層２５を形成する。 - 特許庁

The buffer 32 has an ink storing chamber partly blocked by a film and has a non spring-bias type structure in which the film is not spring-biased.例文帳に追加

バッファ３２は、フィルムで一部が塞がれたインク貯留室を有し、フィルムがバネ付勢されていない非バネ付勢タイプの構造を有する。 - 特許庁

To enable a monitoring frame to be exchanged even when data frame transfer is stopped by the lack of free capacity in a receiving buffer in a ring type switch.例文帳に追加

リング型スイッチで受信バッファの空き容量の不足によりデータフレーム転送が停止した場合でも、監視フレームをやり取りできるようにする。 - 特許庁

To improve the precision of control by correcting the fluctuation of the damping force characteristics of a damping force control type hydraulic buffer in a suspension control system.例文帳に追加

サスペンション制御システムにおいて、減衰力調整式油圧緩衝器の減衰力特性のばらつきを補正して制御の精度を高める。 - 特許庁

To provide a link type front suspension structure hardly applying bending moment to a push rod transmitting the expanding/shrinking motion of a front fork to a buffer.例文帳に追加

緩衝器にフロントフォークの伸縮動を伝達するプッシュロッドに曲げモーメントが作用しにくいリンク式フロントサスペンション構造を提供する。 - 特許庁

The buffer B is provided across the longitudinal principal axis of the toggle-type hinge H without reference to the solution, and joined to a hinge pot.例文帳に追加

解決法に関わらず、緩衝装置Ｂはトグル型ヒンジＨの長手方向主軸線を横切って設けられ、そしてヒンジポットに接合される。 - 特許庁

Data demodulated by the demodulation means is continuously written into the buffer memory by waiting for the arrival of succeeding data of the same type.例文帳に追加

復調手段で復調されたデータのバッファメモリへの書き込みを、後続の同じ種別のデータの到着を待ってから連続して行なう。 - 特許庁

In a transverse JFET 10, a buffer layer 11 is disposed on a main surface of an SiC substrate 1 and includes p-type impurities.例文帳に追加

この発明に従った横型ＪＦＥＴ１０では、バッファ層１１は、ＳｉＣ基板１の主表面上に位置し、ｐ型不純物を含む。 - 特許庁

In this elevator buffer, a plurality of springs 5 and a plurality of expandable and contractile car outer expansion type buffers 7 are fitted to the lower part of the car 1.例文帳に追加

かご１の下部には、複数のばね５、及び膨張・収縮可能な複数のかご外膨張式緩衝具７が取り付けられている。 - 特許庁

When a processing section 20 receives a re-transmission request signal from a reception section, checks the coded type of the picture data stored in a buffer circuit 22 and gives the picture data to the coder 14 when the coded type is the in- frame coding system.例文帳に追加

処理部20は受信部から再送要求信号があると、回路22に記憶される画像データの符号化タイプを調査し、フレーム内符号化方式であれば画像データを符号化器14に送る。 - 特許庁

The light emitting diode comprises a p-type nitride semiconductor layer (3), an active layer (4), an n-type nitride semiconductor layer (5) and a current diffusion layer (6) which are arranged on a silicon support substrate (1) through a buffer layer (2).例文帳に追加

発光ダイオードはシリコン支持基板（１）の上にバッファ層（２）を介して配置されたｐ型窒化物半導体層（３）、活性層（４）、ｎ型窒化物半導体層（５）及び電流拡散層（６）を有する。 - 特許庁

Here, since the insulator 12 is embedded in the groove 11 which separates the buffer layers 5, the N-type clad layer 6, the MQW active layer 7 and the P-type clad layer 8 do not grow on the groove 11.例文帳に追加

このとき、バッファ層５を分離する溝１１に絶縁体１２が埋設されているので、溝１１上には、Ｎ型クラッド層６、ＭＱＷ活性層７およびＰ型クラッド層８が成長しない。 - 特許庁

The operational amplifier 82-4 acts as a PMOS buffer type amplifier when a comparison signal of the comparator 90 inputted to a control terminal SI is "L", and acts as a push-pull type amplifier when the comparison signal is "H".例文帳に追加

オペアンプ８２−４は、制御端子ＳＩに入力されるコンパレータ９０の比較信号が“Ｌ”の時に、PMOSバッファ型アンプとして動作し、比較信号が“Ｈ”の時に、プッシュプル型アンプとして動作する。 - 特許庁

The output buffer 300 corresponding to each row of a pixel circuit 600 arranged in matrix is a CMOS inverter in which a p-type transistor 303 and an n-type transistor 304 are connected in series.例文帳に追加

マトリック状に配列された画素回路６００の各行に対応する出力バッファ３００は、ｐ型トランジスタ３０３およびｎ型トランジスタ３０４が直列に接続されたＣＭＯＳインバータである。 - 特許庁

An AlN buffer layer 102, an undoped GaN layer 103, an undoped AlGaN layer 104, a p-type control layer 105, and a p-type contact layer 106 are sequentially formed on a sapphire substrate 101 in this order.例文帳に追加

サファイア基板１０１上にＡｌＮバッファ層１０２、アンドープＧａＮ層１０３、アンドープＡｌＧａＮ層１０４、ｐ型コントロール層１０５、ｐ型コンタクト層１０６がこの順に形成されている。 - 特許庁

On one surface of a first conductivity type first base layer having a first impurity concentration, a first conductivity type buffer layer having a second impurity concentration higher than the first impurity concentration is formed.例文帳に追加

第１の不純物濃度を有する第１導電型の第１ベース層の一方の面に、第１の不純物濃度よりも高い第２の不純物濃度を有する第１導電型のバッファ層が形成される。 - 特許庁

A compound semiconductor thin film includes a rear surface electrode 22, a p-type compound semiconductor thin film 23, an n-type compound semiconductor thin film 24, a buffer layer 25, a window layer 26 and a transparent conductive film 27.例文帳に追加

基板２１上に形成された裏面電極２２、ｐ型化合物半導体薄膜２３、ｎ型化合物半導体薄膜２４、バッファ層２５、窓層２６および透明導電膜２７を含む。 - 特許庁

A semiconductor mesa of the laminate structure 33 includes a low-temperature GaN buffer layer 35, an n-type GaN layer 37, and an active layer 39 and a p-type gallium nitride-based semiconductor layer 37 of a quantum well structure.例文帳に追加

積層構造３３の半導体メサは、低温ＧａＮバッファ層３５、ｎ型ＧａＮ層３７、量子井戸構造の活性層３９及びｐ型窒化ガリウム系半導体層３７を含む。 - 特許庁

The semiconductor device 100 is provided with: an n+ type buffer region 17; an n type drift region 16; a p type base region; a gate electrode 8; a source electrode 4; guard rings 12a and 12b; a channel stopper region 14; and a drain electrode 18.例文帳に追加

半導体装置１００は、ｎ^+型のバッファ領域１７と、ｎ型のドリフト領域１６と、ｐ型のベース領域２と、ゲート電極８と、ソース電極４と、ガードリング１２ａ、１２ｂと、チャネルストッパ領域１４と、ドレイン電極１８を備えている。 - 特許庁

At the time of removing the secondn-type clad layer 23 located in the side of the n-type GaAs buffer layer 22, since an Al crystal mixing ratio of the secondn-type clad layer 23 is set to 0.500 (x = 0.500), whitening does not occur and mirror surface etching can be realized.例文帳に追加

こうして、ｎ型ＧaＡsバッファ層２２側に位置する第２ｎ型クラッド層２３をＨＦでエッチング除去する際に、第２ｎ型クラッド層２３のＡl混晶比はｘ＝０.５００であるため白濁が起こらず、鏡面エッチングが可能である。 - 特許庁

In a picture information encoding device 10, a screen relocating buffer 12 supplies information 'Picture_-Type' about the picture type of a frame, and a picture type judger 22 transmits a command to a motion predicting/ compensating unit 21 on the basis of the information.例文帳に追加

画像情報符号化装置１０において、画面並び替えバッファ１２は、フレームのピクチャタイプの情報Picture_Typeをピクチャタイプ判別部２２に供給し、ピクチャタイプ判別部２２は、その情報に基づいて動き予測・補償部２１にコマンドを伝送する。 - 特許庁

The optical isolator comprising one or more flat plate type Faraday rotators and one or more flat plate type polarizers is characterized in that the Faraday rotators and flat plate type polarizers are made to abut against each other and clamped and fixed with a metal holder across buffer materials.例文帳に追加

１以上の平板状のファラデー回転子と、１以上の平板状の偏光子からなる光アイソレータにおいて、前記ファラデー回転子と平板状の偏光子を当接させ、かつ緩衝材を介して金属ホルダで挟持固定する。 - 特許庁

The buffer layer 5 has an energy band gap Eg 1 that serves as an intermediate between the energy band gap Eg2 of an n-type GaAs buffer layer 4 of the convex portion 3 and the energy band gap Eg3 of the clad layer 6.例文帳に追加

Ｎ型ＡｌＧａＡｓバッファ層５は、ストライプ状の凸部３のＮ型ＧａＡｓバッファ層４のエネルギーバンドギャップＥｇ２とＮ型ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層６のエネルギーバンドギャップＥｇ３との中間のエネルギーバンドギャップＥｇ１を有する。 - 特許庁

The buffer layer formation step forms a buffer layer of a first conductivity type whose impurity density is higher than the high resistance layer on the rear face of the high resistance layer by repeating the first amorphous silicon film formation and the monocrystallization several times.例文帳に追加

バッファ層形成工程では、第１のアモルファスシリコン膜の形成及び単結晶化を複数回繰り返して、高抵抗層の裏面に高抵抗層よりも不純物濃度の高い第１導電型のバッファ層を形成する。 - 特許庁

The n-type nitride semiconductor laminate has a substrate, a buffer layer made of Al_aGa_1-aN(0.05≤a≤0.8), and an n-side nitride semiconductor layer formed on the buffer layer.例文帳に追加

本発明のｎ型窒化物半導体積層体は、基板と、前記基板の表面に形成された、Ａｌ_ａＧａ_１−ａＮ（０．０５≦ａ≦０．８）からなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成されたｎ側窒化物半導体層とを有する。 - 特許庁

RECORDING METHOD FOR HIERARCHICAL BUFFER MEMORY AND HIERARCHICAL BUFFER MEMORY STRUCTURE AND DATA REPRODUCTION METHOD AND DEVICE THEREFOR AND VIDEO DATA EDITION SYSTEM AND COMPUTER READABLE RECORDING MEDIUM AND SYSTEM ON CHIP TYPE INTEGRATED DEVICE例文帳に追加

階層型バッファメモリの記録方法および階層型バッファメモリ構造およびデータ再生方法およびデータ再生装置およびビデオデータ編集システムおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体およびシステム・オン・チップ型集積装置 - 特許庁

According to the contents of a note buffer for chord detection where the note number of the note event is added or deleted, the root and type of a chord are detected (for example, a chord having the same constitution as the constitution of a note number in the note buffer for chord detection is found) and written to different buffers.例文帳に追加

こうすると、従来では検出することができなかった和音であっても検出できるので、ユーザはより多くの種類の和音をいろいろな入力形態で指定することができるようになる。 - 特許庁

Since the buffer layer 18 is allowed to grow epitaxially on the silicon substrate 14, a lower electrode layer 22 and a perovskite structure type dielectric layer 24 can be easily allowed to grow epitaxially on the surface of the buffer layer 18.例文帳に追加

酸化物緩衝層１８は、シリコン基板１４に対してエピタキシャル的に成長しているため、この表面には、下部電極層２２及びペロブスカイト構造型の誘電体層２４を容易にエピタキシャル成長させることができる。 - 特許庁

When a digital tuner 1 receives a noise wave Sn, a pulse determination section 21 checks whether a buffer signal Sbf output from a buffer 20 temporally turns on/off to determine the type of the noise signal Sn.例文帳に追加

デジタルチューナ１がノイズ電波Ｓｎを受信したとき、パルス判定部２１は、バッファ２０から出力されるバッファ信号Ｓbfに基づき、信号が時間的にオン／オフするかどうかを確認することにより、ノイズ電波Ｓｎの種別を判定する。 - 特許庁

To attain the high speed of a synchronous DRAM(dynamic type random access memory) or the like by suppressing the generation of hot carriers in a data input buffer and a data output buffer or the like without incurring an access delay especially at the munimum side of an external power source voltage VDD.例文帳に追加

特に外部電源電圧ＶＤＤのミニマム側でのアクセス遅延を招くことなく、データ入力バッファ及びデータ出力バッファ等におけるホットキャリアの発生を抑制し、シンクロナスＤＲＡＭ等の高速化を図る。 - 特許庁