「buffer type」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The p-type well layer 4 and the n-type diffusion layer 20 have nonoverlapping diffusion regions and the n-type buffer layer 7 has a region touching the n-type active layer 3 directly between the p-type well layer 4 and the n-type diffusion layer 20.例文帳に追加

ｐ型ウエル層４とｎ型拡散層２０とは互いの拡散領域が重ならず、ｐ型ウエル層４とｎ型拡散層２０との間で、ｎ型バッファ層７がｎ^- 型活性層３に直接接触する領域を有する。 - 特許庁

If no effect of a delay error improvement is attained, a relay buffer altering section 14 alters the number or the type of the relay buffer.例文帳に追加

それでも、遅延エラーの改善効果が得られない場合、中継バッファ変更処理部１４は、中継バッファの個数または、種類を変更する。 - 特許庁

An n-type GaN buffer layer 1 is used as a common semiconductor layer, and a plurality of the mesa regions M are formed on the GaN buffer layer 1.例文帳に追加

ｎ型のＧａＮバッファ層１を共通の半導体層として、このＧａＮバッファ層１上に、メサ領域Ｍが複数形成される。 - 特許庁

The film thickness of the n-type buffer layer 16 is obtained based on the strength of a fluorescent X-ray of S from the n-type buffer layer 16 (sulfide), which is obtained by the XRF analysis, and a previously generated analytical curve between the film thickness of the n-type buffer layer 16 and the strength of the fluorescent X-ray of S.例文帳に追加

このＸＲＦ分析で得られたｎ型バッファ層１６（硫化物）からのＳの蛍光Ｘ線の強度と、予め作成しておいたｎ型バッファ層１６の膜厚−Ｓの蛍光Ｘ線強度の検量線とに基づいて、ｎ型バッファ層１６の膜厚を求める。 - 特許庁

In the case of the spool distortion, buffer control of type 4, type 2, type 1, and type 3 is respectively performed in the first, second, third, and fourth quadrants.例文帳に追加

また糸巻き歪みの場合は、第１象限ではＴｙｐｅ４、第２象限ではＴｙｐｅ２、第３象限ではＴｙｐｅ１、及び第４象限ではＴｙｐｅ３のバッファ制御を行う。 - 特許庁

In the case of the barrel distortion, buffer control of type 3, type 1, type 2, and type 4 is respectively performed in the first, second, third, and fourth quadrants.例文帳に追加

たる歪みの場合は、第１象限ではＴｙｐｅ３、第２象限ではＴｙｐｅ１、第３象限ではＴｙｐｅ２、及び第４象限ではＴｙｐｅ４のバッファ制御を行う。 - 特許庁

The present invention relates to a state control of an output signal line of the open drain type or open collector type output buffer.例文帳に追加

本発明は、オープンドレイン形式又はオープンコレクタ形式の出力バッファの出力信号線の状態制御に関する。 - 特許庁

On the reverse side of the semiconductor substrate 11, an (n) type buffer layer 19, a (p) type anode layer 20, and an anode electrode 21 are provided.例文帳に追加

半導体基板１１の裏面側にｎ型バッファ層１９、ｐ型アノード層２０およびアノード電極２１を設ける。 - 特許庁

The junction interface between the n+ type buffer region 13 and the n- type base region 14 is formed to have unevenness.例文帳に追加

ｎ＋型バッファ領域１３とｎ−型ベース領域１４との接合界面は凹凸を有するように形成されている。 - 特許庁

To provide efficient data transfer by using an output signal line of an open drain type or open collector type output buffer.例文帳に追加

オープンドレイン形式又はオープンコレクタ形式の出力バッファの出力信号線を用いて、効率的なデータ転送を実現する。 - 特許庁

The input and output sides of the buffer circuit 11 are connected to the n-type diffusion layer 2 and the p-type diffusion layer 3, respectively.例文帳に追加

バッファ回路１１の入力側がｎ型拡散層２に接続され、出力側がｐ型拡散層３に接続されている。 - 特許庁

A p-type buffer layer 12, a p-type semiconductor layer 14, an n-type semiconductor layer 16, a p-type semiconductor layer 18, an n-type semiconductor layer 20, and an n-type semiconductor layer 30 serving as a light absorbing layer are successively laminated on a p-type substrate 10 to form a pnpn structure.例文帳に追加

ｐ形基板１０上に、ｐ形バッファ層１２，ｐ形半導体層１４，ｎ形半導体層１６，ｐ形半導体層１８，ｎ形半導体層２０、光吸収層であるｎ形半導体層を順次積層し、ｐｎｐｎ構造を作る。 - 特許庁

To provide a linked list type buffer which changes a queue size even during a frame conduction.例文帳に追加

フレーム導通中であっても、キューサイズの変更が可能なリンクドリスト方式のバッファを提供する。 - 特許庁

The output buffer is equipped with a control part and a detection part and configured as an open drain type.例文帳に追加

出力バッファは、制御部及び検出部を備え、オープンドレイン方式として構成される。 - 特許庁

A material of the first conductivity type buffer layer 15 is different from that of the semiconductor region 13.例文帳に追加

第１導電型バッファ層１５の材料は半導体領域１３の材料と異なる。 - 特許庁

A buffer layer having a P-type conductivity is epitaxially grown on a conductive substrate.例文帳に追加

導電性の基板の上に、Ｐ型導電性を有するバッファ層がエピタキシャル成長されている。 - 特許庁

In this suspension device, a pilot chamber 42 is disposed in back of a disk valve 17 of a hydraulic buffer of damping force adjustable type 1.例文帳に追加

減衰力調整式油圧緩衝器１のディスクバルブ17の背部にパイロット室42を設ける。 - 特許庁

An n-type substrate 1, n-type buffer layer 2, GRIN-SCH-MQW active layer 3, p-type spacer layer 4, p-type clad layer 6, p-type contact layer 7, and p-side electrode 10 are successively laminated upon an n-side electrode 11 in this order.例文帳に追加

ｎ側電極１１の上にｎ−基板１、ｎ−バッファ層２、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−スペーサ層４、ｐ−クラッド層６、ｐ−コンタクト層７、ｐ側電極１０の順に積層する。 - 特許庁

A semiconductor crystal comprising an n-type InP buffer layer 2, an undoped GaInAs light-absorbing layer 3, an undoped InP diffusion buffer layer 4 and a p-type InP window layer 5 is successively grown on an n-type InP substrate 1.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ｎ型ＩｎＰバッファ層２、アンドープＧａＩｎＡｓ光吸収層３、アンドープＩｎＰ拡散バッファ層４、およびｐ型ＩｎＰ窓層５からなる半導体結晶を順に成長させた。 - 特許庁

This semiconductor laser 10 has a double-heterojunction multiplayer structure of a 1st buffer layer 14, a 2nd buffer layer 16, an n-type clad layer 18, an active layer/guide layer 20, a p-type clad layer 22, and a p-type cap layer 24 on a substrate 12.例文帳に追加

本半導体レーザ素子１０は、基板１２上に、第１バッファ層１４、第２バッファ層１６、ｎ型クラッド層１８、活性層／ガイド層２０、ｐ型クラッド層２２、及びｐ型キャップ層２４のダブルヘテロ接合積層構造を備える。 - 特許庁

To improve reliability of a buffer by suppressing deterioration and malfunction of a transistor in the buffer comprising transistors of the same conductivity type and using bootstrap effect.例文帳に追加

同一導電型のトランジスタで構成されブートストラップ効果を利用したバッファに備わるトランジスタの劣化や誤動作を抑え、バッファの信頼性を向上する。 - 特許庁

After the carrier concentration of the n-type buffer layer is evaluated in the steps i and ii, a new epitaxial layer is grown by melting back the buffer layer.例文帳に追加

以上の工程によりｎ型バッファ層のキャリア濃度を評価したのち、該ｎ型バッファ層をメルトバックして新たなエピタキシャル層を成長させる。 - 特許庁

A receiving data buffer 50 is a first-in and first-out type (FIFO) buffer and the operation key state data received from the respective game machines are stored in order.例文帳に追加

受信データバッファ５０は先入れ先出し型（ＦＩＦＯ）バッファであり、受信した各ゲーム機からの操作キー状態データを順序づけて記憶する。 - 特許庁

An n-type GaN buffer layer 1 is used as a common semiconductor layer, and a plurality of mesa regions M are formed in an array shape on the GaN buffer layer.例文帳に追加

ｎ型のＧａＮバッファ層１を共通の半導体層として、このＧａＮバッファ層１上に、メサ領域Ｍが複数、アレイ状に形成される。 - 特許庁

Then, the buffer members are pinched between the retention member and the installation surface for fixation, and the card-type electronic equipment is mounted to the installation section via the buffer members.例文帳に追加

そして、保持部材と設置面との間に緩衝部材を挟持して固定し、緩衝部材を介してカード状電子機器を設置部に取付ける。 - 特許庁

To provide a swing arm type suspension in which a hydraulic buffer is miniaturized when an upper end of the hydraulic buffer is pivotably supported by brackets on an upper portion of a swing arm.例文帳に追加

スイングアーム式懸架装置において、油圧緩衝器の上端部をスイングアームの上部のブラケットに枢支するに際し、油圧緩衝器の小型化を図ること。 - 特許庁

The photonic crystal layer 7 is stacked on the n-type buffer layer 3 and the n-type guide layer 5, and is independent of the quantum cascade active layer 4.例文帳に追加

フォトニック結晶層７は、ｎ型バッファ層３およびｎ型ガイド層５と積層され、量子カスケード活性層４と独立している。 - 特許庁

A buffer layer 11, a p-type semiconductor layer 12 and a p-type contact layer 13 are laminated on one side of a substrate 10 in this order.例文帳に追加

基板１０の一面側に、バッファ層１１、ｐ型半導体層１２およびｐ型コンタクト層１３がこの順に積層されている。 - 特許庁

In particular, the operational amplifier 82-4 is composed of a push-pull type operational amplifier having a PMOS (p-type MOS transistor) buffer and is provided with a hysteresis comparator 90.例文帳に追加

特に、オペアンプ８２−４を、PMOSバッファを有するプッシュプル型のオペアンプで構成すると共に、ヒステリシス・コンパレータ９０を設けている。 - 特許庁

A first buffer layer 12, a second buffer layer 14, an SLS layer 16, an MQW light emitting layer 18, an SLS layer 20, an electrode forming layer 22, a p-type electrode 24, and an n-type electrode 26 are formed on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０上に第１バッファ層１２、第２バッファ層１４、ＳＬＳ層１６、ＭＱＷ発光層１８、ＳＬＳ層２０、電極形成層２２、ｐ電極２４、ｎ電極２６を形成する。 - 特許庁

Subsequently, a buffer layer 11 composed of AlN is formed on the sapphire substrate 10, and then a buried layer 12, an n-type layer 13, a light-emitting layer 14, and a p-type layer 15 are sequentially stacked on the buffer layer 11.例文帳に追加

次に、サファイア基板１０上に、ＡｌＮからなるバッファ層１１を形成し、バッファ層１１上に、埋め込み層１２、ｎ型層１３、発光層１４、ｐ型層１５を順に積層する。 - 特許庁

A second conduction type of second base layer (7) and a first conduction type emitter layer (8) are placed in the main cell, and a second conduction type buffer layer (9) is placed in each dummy cell.例文帳に追加

メインセル内に第２導電型の第２ベース層（７）と第１導電型のエミッタ層（８）とが配設され、ダミーセル内に第２導電型のバッファ層（９）が配設される。 - 特許庁

By examining a compressed block during a decompression procedure, it is determined whether a block data type of the buffer frame is a compressed data type or a decoded raw data type.例文帳に追加

圧縮解除手順における圧縮ブロックの検討により、バッファフレームのブロックデータタイプが圧縮データタイプであるか復号生データタイプであるかが判断される。 - 特許庁

In the main cell, a second base layer 7 of the second conduction type and emitter layer 8 of the first conductive type are installed, and in the dummy cell, a buffer layer 9 of the second conductive type is installed.例文帳に追加

メインセル内に第２導電型の第２ベース層７と第１導電型のエミッタ層８とが配設され、ダミーセル内に第２導電型のバッファ層９が配設される。 - 特許庁

Moreover, the active layer 3 includes a P-type base region 6 which is formed away from the N-type buffer region 4 and an N-type emitter region 7 formed on the surface of the P-type base region 6.例文帳に追加

また、活性層３は、Ｎ型バッファ領域４から離間して形成されたＰ型ベース領域６と、Ｐ型ベース領域６の表面部に形成されたＮ型エミッタ領域７を備える。 - 特許庁

A p-type well layer 4, an n-type buffer layer 7 and an n-type diffusion layer 20 are formed by impurity diffusion on the surface of the n-type active layer 3 between a source electrode 9 and a drain electrode 11.例文帳に追加

ソース電極９及びドレイン電極１１間で、ｎ^- 型活性層３の表面には、ｐ型ウエル層４、ｎ型バッファ層７、及びｎ型拡散層２０が不純物拡散により形成される。 - 特許庁

An n-type GaAlAs buffer layer 14, an n-type GaAs substrate 16, an n-type GaAlAs clad layer 18, and a GaAs active layer 20 (emission region) are formed on an n-type electrode 12.例文帳に追加

ｎ形電極１２上にｎ型ＧａＡｌＡｓバッファ層１４、ｎ形ＧａＡｓ基板１６、ｎ形ＧａＡｌＡｓクラッド層１８、ＧａＡｓ活性層２０（発光領域）が形成されている。 - 特許庁

The GaP light emitting device 1 has a structure of laminating an n-type GaP buffer layer 11, an n-type GaP layer 12, an N dope n-type GaP layer 13, and a p-type GaP layer 14 on an n-type GaP mono-crystal substrate 10.例文帳に追加

ＧａＰ発光素子１は、ｎ型ＧａＰ単結晶基板１０上に、ｎ型ＧａＰバッファ層１１、ｎ型ＧａＰ層１２、Ｎドープｎ型ＧａＰ層１３、ｐ型ＧａＰ層１４が積層された構造を有する。 - 特許庁

Moreover, since selection of GaAs is possible, the etching automatically stops at the n-type GaAs buffer layer 22.例文帳に追加

また、ＧaＡsに対して選択性があるため、ｎ型ＧaＡsバッファ層２２でエッチングが自動的に停止する。 - 特許庁

To provide a double type shock absorber having such a shock absorbing capacity as to buffer great impact energy.例文帳に追加

大きな衝撃エネルギも緩衝可能な緩衝容量を有するダブル形緩衝器を提供する。 - 特許庁

A round n-type surface buffer region 5 is formed on the bottom surface of the second trench 4.例文帳に追加

この第２トレンチ４の底面には、角のない形状のｎ型表面バッファ領域５が設けられている。 - 特許庁

To provide a linear actuator having a small-sized rational design structure equipped with an air cushion type buffer mechanism.例文帳に追加

エアクッション式の緩衝機構を備えた小形で合理的な設計構造を有するリニアアクチュエーターを得る。 - 特許庁

The screw type shock absorber includes: a slide plate, a positioning plate, at least one spring, a buffer and a screw.例文帳に追加

スクリュー式緩衝装置は、スライド板、位置決め板、少なくとも１つのバネ、緩衝器、スクリューを備える。 - 特許庁

To provide a NAND type flash memory apparatus having a page buffer which can verify prior erasing.例文帳に追加

事前消去を検証することが可能なページバッファを有するＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置の提供。 - 特許庁

To automatically change the attenuation force of the attenuation force adjustment type hydraulic buffer in accordance with a piston speed.例文帳に追加

減衰力調整式油圧緩衝器の減衰力をピストン速度に応じ自動的に可変させる。 - 特許庁