「buffer type」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

As the substance having the pH buffering action, for example, a carbonic acid type buffer solution or a phosphoric acid type buffer solution can be used.例文帳に追加

ｐＨ緩衝作用を有する物質としては、例えば炭酸系緩衝液またはリン酸系緩衝液を用いることができる。 - 特許庁

An n+-type buffer layer 8 and a p+-type collector layer 9 satisfying the relation d2/d1>1.5 are made.例文帳に追加

ｄ２／ｄ１＞１．５を満たすｎ^+ 型バッファ層８およびｐ^+ 型コレクタ層９を形成する。 - 特許庁

As a result, an N+-type buffer layer 20 and a P+-type anode layer 21 are formed on the rear face of the wafer.例文帳に追加

その結果、ウエハの裏面にｎ^+バッファ層２０及びＰ^+型のアノード層２１が形成される。 - 特許庁

After forming an n-type buffer layer 7, a surface of the n-type buffer layer 7 is covered with a protecting film 8, then flaws 6, which are generated in forming the n-type buffer layer 7, are removed by a mirror polishing, and a p-type base region and an n-type emitter region are formed on the surface.例文帳に追加

ｎ型バッファ層７を形成した後で、このｎ型バッファ層７の表面を保護膜８で被覆し、ｎ型バッファ層７を形成したたきに付いたキズ６を鏡面研磨で除去し、その面に、ｐ型ベース領域やｎ型エミッタ領域を形成する。 - 特許庁

The p-type well layer 4 and the n-type buffer layer 7 have overlapped diffusion regions and the end part of the n-type buffer layer 7 reaches a position under a gate electrode 10.例文帳に追加

ｐ型ウエル層４及びｎ型バッファ層７は互いの拡散領域が重なり、且つｎ型バッファ層７の端部はゲート電極１０の下方の位置に到達する。 - 特許庁

Thus, the n type buffer layer 3 is spatially separated from an SJ structure 4, and the concentration of the n type impurity at a connection part 14 between the n type buffer layer 3 and the n type pillar region 5 is made lower than the concentration of the n type impurity in the n type buffer layer 3 and the n type pillar region 5.例文帳に追加

これにより、ｎ型バッファー層３とＳＪ構造４とが空間的に分離され、ｎ型バッファー層３とｎ型ピラー領域５との間の接続部１４におけるｎ型不純物の濃度が、ｎ型バッファー層３及びｎ型ピラー領域５におけるｎ型不純物の濃度よりも低くなる。 - 特許庁

BUFFER TYPE GUARD FENCE, METHOD FOR CONSTRUCTION THE SAME, AND CUSHIONING MATERIAL FOR THE SAME例文帳に追加

緩衝式防護柵、その構築方法、それのためのクッション材 - 特許庁

A closed type buffer tank BT is connected to a raw water supply passage 11.例文帳に追加

原水供給路１１に密閉式のバッファタンクＢＴを接続する。 - 特許庁

METHOD FOR LAYING LOOP COIL, BUFFER MEMBER, LOOP COIL TYPE VEHICLE SENSING SYSTEM例文帳に追加

ループコイルの敷設方法、緩衝部材、ループコイル式車両感知システム - 特許庁

The method also comprises the steps of thereafter, lightly etching the surface of an N-type GaAs buffer layer 22.例文帳に追加

その後、ｎ型ＧaＡsバッファ層２２の表面を軽くエッチングする。 - 特許庁

Each transistor 6 has an n-type high-temperature buffer layer 8, and p-type clad layers 11a and 11b on both sides of the high-temperature buffer layer 8 in the direction of row.例文帳に追加

各トランジスタ６は、ｎ型の高温バッファ層８およびその列方向の両側にｐ型クラッド層１１ａ，１１ｂを有している。 - 特許庁

To obtain an input buffer type asynchronous transfer mode ATM switch where the buffer configuration is simplified and the throughput is enhanced.例文帳に追加

バッファ構成を簡略化し、しかもスループットが向上する入力バッファ型のＡＴＭスイッチを得ること。 - 特許庁

To prevent fixed-pattern noise from being generated owing to the offset of the buffer of a multistage buffer type readout amplifier.例文帳に追加

多段バッファ型読み出しアンプでのバッファのオフセットに起因して固定パタンノイズが発生することを防止する。 - 特許庁

To provide a common buffer type ATM switch whose buffer capacity is easily expandable.例文帳に追加

ＡＴＭスイッチのバッファ容量を容易に拡張することが可能な共通バッファ型ＡＴＭスイッチを提供すること。 - 特許庁

A GaN buffer layer 2, an n-type GaN layer 3, an n-type AlGaInN cladding layer 4, a GaN active layer 5, a p-type AlGaInN cladding layer 6, and a p-type GaN layer 7 are sequentially deposited on a sapphire substrate 1 in this order.例文帳に追加

サファイア基板１上にGaNバッファ層２、n-GaN層３、n-AlGaInNクラッド層４、GaN活性層５、p-AlGaInNクラッド層６、p-GaN層７を順次堆積する。 - 特許庁

An n-type buffer layer 2, an n^--type drift layer 3, and a p-type base layer 5 are laminated on an n^+-type 4H-SiC substrate 1 in this order.例文帳に追加

ｎ^+型４Ｈ−ＳｉＣ基板１の上に、ｎ型バッファー層２と、ｎ^-型ドリフト層３と、ｐ型ベース層５とが、この順に積層されている。 - 特許庁

BEARING STRUCTURE FOR BRIDGE OF FUNCTION SEPARATION TYPE, AND RUBBER BUFFER FOR BRIDGE例文帳に追加

機能分離型の橋梁用支承構造および橋梁用ゴムバッファ - 特許庁

BUFFER TYPE GUARD FENCE, METHOD FOR CONSTRUCTING THE SAME, AND CUSHIONING MATERIAL FOR THE SAME例文帳に追加

緩衝式防護柵、その構築方法及びそれのためのクッション材 - 特許庁

A furniture hinge with an implement comprises a toggle-type hinge H and a buffer B.例文帳に追加

器具付き家具ヒンジはトグル型ヒンジＨと緩衝装置Ｂとを有する。 - 特許庁

METHOD FOR EFFICIENTLY STORING MASK INTO SCREEN TYPE BUFFER BY USING LOOKUP TABLE例文帳に追加

ルックアップ・テーブルを使用したスクリーン式バッファへのマスクの効率的な収納 - 特許庁

A channel layer 12 is disposed on the buffer layer 11 and includes n-type impurities at a concentration higher than the concentration of p-type impurities in the buffer layer 11.例文帳に追加

チャネル層１２は、バッファ層１１上に位置し、バッファ層１１におけるｐ型不純物の濃度より高い濃度のｎ型不純物を含む。 - 特許庁

The IGBT 10 has an n-type buffer region 12 between a p-type collector region 11 and a p-type base region 14.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１０は、Ｐ型のコレクタ領域１１とＰ型ベース領域１４との間にＮ型のバッファ領域１２を備える。 - 特許庁

In the buffer amplifier, an n-type comparator and a p-type comparator compare the input signal and the output signal.例文帳に追加

バッファ増幅器内で、Ｎ型コンパレータとＰ型コンパレータが入力信号と出力信号を比較する。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type first clad layer, an active layer, a p-type first second clad layer, a p-type etch stop layer, a p-type second second clad layer, and a p-type contact layer are laminated on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体基板上にｎ型バッファ層，ｎ型第１クラッド層，活性層，ｐ型の第１の第２クラッド層，ｐ型エッチストップ層，ｐ型の第２の第２クラッド層，ｐ型コンタクト層が積層されている。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type first clad layer, an active layer, a p-type first second-clad layer, a p-type etch stop layer, a p-type second second-clad layer, and a p-type contact layer, are laminated on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体基板上にｎ型バッファ層，ｎ型第１クラッド層，活性層，ｐ型の第１の第２クラッド層，ｐ型エッチストップ層，ｐ型の第２の第２クラッド層，ｐ型コンタクト層が積層されている。 - 特許庁

A high-concentration (n) type buffer layer 12, an (n) type intermediate layer 13, a low-concentration (n) type base layer 14, a (p) type well layer 15, and a high-concentration (n) type emitter layer 16, are sequentially formed on a (p) type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１１上に、高濃度ｎ型バッファ層１２、ｎ型中間層１３、低濃度ｎ型ベース層１４、ｐ型ウェル層１５、高濃度ｎ型エミッタ層１６を順次形成する。 - 特許庁

To provide a source-follower type analogue buffer, a compensating operation method thereof, and a display using the same.例文帳に追加

ソースフォロワー型アナログバッファ、補償動作方法およびディスプレイを提供する。 - 特許庁

When the second type buffer becomes empty, a third class product is processed.例文帳に追加

第二の品種のバッファが空になると、第三の品種を処理することになる。 - 特許庁

SOURCE-FOLLOWER TYPE ANALOGUE BUFFER, COMPENSATING OPERATION METHOD THEREOF, AND DISPLAY USING THE SAME例文帳に追加

ソースフォロワー型アナログバッファ、その補償動作方法およびそれを用いたディスプレイ - 特許庁

MULTIPLE ADDRESS CELL CONTROL SYSTEM AND METHOD FOR INPUT OUTPUT BUFFER TYPE ATM SWITCH例文帳に追加

入出力バッファ型ＡＴＭスイッチの同報セル制御方式および方法 - 特許庁

LOAD ADAPTIVE TYPE LOW NOISE OUTPUT BUFFER AND SEMICONDUCTOR HAVING THE SAME例文帳に追加

負荷適応型の低雑音出力バッファ及びそれを有する半導体装置 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type clad layer, an active layer 38, a p-type clad layer and a p-type cap layer are sequentially laminated on an n-type substrate, and an (n) electrodes 44 is provided on a lower surface of the substrate.例文帳に追加

ｎ型基板上に、ｎ型バッファ層、ｎ型クラッド層、活性層３８、ｐ型クラッド層、及びｐ型キャップ層を順次積層し、基板の下面にｎ電極４４を設ける。 - 特許庁

The n-type buffer layer 3 and the n-type guide layer 5 are arranged so as to interpose the quantum cascade active layer 4.例文帳に追加

ｎ型バッファ層３およびｎ型ガイド層５は、量子カスケード活性層４を挟むように配置される。 - 特許庁

On one side of a semiconductor substrate 11, an N-type buffer layer 12 and a P-type collector layer 10 are formed.例文帳に追加

半導体基板１１の一面側には、Ｎ型バッファ層１２及びＰ型コレクタ層１０が形成される。 - 特許庁

One distributed constant-type capacitor C_2 is connected to the output end of the buffer circuit.例文帳に追加

一方の分布定数型容量Ｃ２をバッファ回路の出力端に接続する。 - 特許庁

An insulating film is not formed on the wall surface of the trench 120 touching an n^+-type buffer layer 30 and the conductive material 10 is conducting with the n^+-type buffer layer 30.例文帳に追加

トレンチ１２０のｎ^+型のバッファ層３０と接する壁面には絶縁膜が形成されておらず、導電性材料１０はｎ^+型のバッファ層３０と導通している。 - 特許庁

In the collector forming part 11, there are formed an N-type buffer region 4 reaching the embedded oxide film 2 from the surface and a P-type collector region 5 formed on the surface of the N-type buffer region 4.例文帳に追加

当該コレクタ形成部１１に、表面から埋め込み酸化膜２に達するＮ型バッファ領域４と、Ｎ型バッファ領域４の表面部に形成されたＰ型コレクタ領域５とが形成される。 - 特許庁

A second constitution clock wiring is designed by a predetermined buffer being replaced by a buffer as an inverter type at the wiring information part 12.例文帳に追加

配線情報部１２は、所定数のバッファをインバータタイプのバッファに置換することにより、第２構成のクロック配線を設計する。 - 特許庁

The circular buffer 106 stores the encoded bit system to be input from an interlace part 103 in the memory of a cyclic readout type buffer.例文帳に追加

サーキュラバッファ１０６は、インタレース部１０３から入力される符号化ビット系列を巡回読出し型バッファのメモリに格納する。 - 特許庁

A self-timing type memory core generates a reset signal for resetting a clock input buffer.例文帳に追加

セルフタイム式メモリコアは、クロック入力バッファをリセットするためのリセット信号を生成する。 - 特許庁

The main memory 310 can ensure a buffer region having a size corresponding to a packet type.例文帳に追加

メインメモリ310には、パケット種別に応じた大きさのバッファ領域を確保することができる。 - 特許庁

To make damping force on a soft side nearly zero in a damping force control type hydraulic buffer.例文帳に追加

減衰力調整式油圧緩衝器において、ソフト側の減衰力をほぼゼロにする。 - 特許庁

OUTPUT BUFFER CIRCUIT, AND MASTER SLICE TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE USING THE CIRCUIT例文帳に追加

出力バッファ回路並びにそれを用いたマスタースライス型半導体装置及び電子機器 - 特許庁

The buffer 130 appropriately outputs a clock signal corresponding to the type of a DIMM.例文帳に追加

クロックバッファ１３０は，ＤＩＭＭの型に対応するクロック信号を適宜出力する。 - 特許庁

Each cell is formed of an n-type GaN layer 21 having uneven surface of mound type inclination having an inclination angle corresponding to each band gap, an n-type InAlGaN layer 22 and a p-type InAlGaN layer 23 formed on an n-type GaN buffer layer 21.例文帳に追加

各セルは、各バンドギャップに対応する傾斜角の山型傾斜の凹凸面を有するｎ型GaN層２１、ｎ型GaNバッファ層２１上に形成されたｎ型InAlGaN層２２及びｐ型InAlGaN層２３よりなる。 - 特許庁