「buffer-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

When the nitride compound semiconductor is epitaxially formed on a dissimilar substrate without using a low temperature buffer layer, the growth velocity of the nitride compound semiconductor is made 2.5 nm/sec or more, preferably, 3.0 nm/sec or more in a range at least within 100 nm from the surface of the substrate 1, and the growth velocity in the remaining part exceeding the range is made lower.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体を異種基板上に低温バッファ層を用いずにエピタキシャル成長する際、基板１表面から少なくとも１００nm以内の範囲において、窒化物系化合物半導体の成長速度を２．５nm／ｓｅｃ以上、好ましくは３．０nm／ｓｅｃ以上とし、この範囲を過ぎた以降の残り部分における成長速度をより低速にする。 - 特許庁

The semiconductor is provided with the polysilicon fuse 101 having a blowout section 101a, an interlayer insulating film 106 having a recess 106a on the blowout section 101a, a surface protective film 107 having an opening section 107a on the recess 106a, a buffer film 108 with which the recess 106a and the opening 107a are filled, and a sealing resin layer 109 are sequentially laminated.例文帳に追加

半導体装置は、溶断部１０１ａを有するポリシリコンヒューズ１０１を備え、溶断部１０１ａ上に凹部１０６ａを有する層間絶縁膜１０６と、凹部１０６ａ上に開口部１０７ａを有する表面保護膜１０７と、凹部１０６ａ及び開口部１０７ａを充填する緩衝膜１０８と、封止樹脂層１０９とが順次積層されている。 - 特許庁

In the thin-film transistor, the buffer layer has film thickness thicker than the film thickness of the amorphous semiconductor layer.例文帳に追加

ゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するアクセプターとなる不純物元素を添加した半導体層と、アクセプターとなる不純物元素を添加した半導体層上に重ねて設けられたバッファ層と、バッファ層の上面と、バッファ層及びアクセプターとなる不純物元素を添加した半導体層の側面を被覆する非晶質半導体層と、一端部がバッファ層と重なり、非晶質半導体層上に設けられ、ソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型を付与する不純物元素を添加した一対の不純物半導体層とを有し、バッファ層の膜厚が、非晶質半導体層の膜厚よりも厚い薄膜トランジスタである。 - 特許庁

In the thin-film transistor, the buffer layer has a film thickness thicker than the film thickness of the amorphous semiconductor layer.例文帳に追加

ゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するドナーとなる不純物元素を添加した半導体層と、ドナーとなる不純物元素を添加した半導体層上に重ねて設けられたバッファ層と、バッファ層の上面と、バッファ層及びドナーとなる不純物元素を添加した半導体層の側面を被覆する非晶質半導体層と、一端部がバッファ層と重なり、非晶質半導体層上に設けられ、ソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型を付与する不純物元素を添加した一対の不純物半導体層とを有し、バッファ層の膜厚が、非晶質半導体層の膜厚よりも厚い薄膜トランジスタである。 - 特許庁

In a biofuel cell having a structure in which a positive electrode 2 and a negative electrode 1 are opposed through an electrolyte layer 3, at least one of the positive electrode 1 or the negative electrode 2 is composed of an enzyme immobilized electrode, in which a contact angle to a buffer solution is equal to or more than 80 degrees and equal to or less than 120 degrees, or an enzyme immobilized electrode which is made of a material having regular fabric structure.例文帳に追加

正極２と負極１とが電解質層３を介して対向した構造を有するバイオ燃料電池において、正極２および負極１のうちの少なくとも一方を、酵素が固定化され、緩衝液に対する接触角が８０°以上１２０°以下の電極、あるいは、酵素が固定化され、規則的な繊維構造を有する材料からなる電極により構成する。 - 特許庁

The method of removing the Sn oxide coating film formed on the surface of the Sn-based plated material on which a plating layer containing Sn is provided is carried out by immersing the Sn-based plated material having Sn oxide coating film formed on the surface into a prescribed ammonia buffer solution and after that applying a prescribed voltage onto the immersed Sn-based plated material to electrolytically reduce the Sn oxide coating film.例文帳に追加

Ｓｎを含むめっき層が設けられたＳｎ系めっき材表面に形成されたＳｎ酸化皮膜の除去方法であって、表面にＳｎ酸化皮膜が形成されたＳｎ系めっき材を、所定のアンモニア緩衝液に浸漬した後、浸漬されているＳｎ系めっき材に所定の電圧を印加することにより、Ｓｎ酸化皮膜を電解還元して除去するＳｎ酸化皮膜の除去方法。 - 特許庁

An epitaxial wafer comprising a layered nitride semiconductor crystal formed on the dissimilar substrate through a buffer layer wherein the nitride semiconductor crystal is formed by vapor phase epitaxy, a principal surface of the dissimilar substrate on which the nitride semiconductor is formed is made uneven by processing, and void spaces are formed between the concave part of the uneven surface and the nitride semiconductor crystal is prepared.例文帳に追加

異種基板上にバッファ層を介して層状の窒化物半導体結晶が形成されてなるエピタキシャルウェハであって、該窒化物半導体結晶が気相成長により形成されたものであり、該異種基板の該窒化物半導体結晶が形成された側の主面が加工により凹凸面とされており、該凹凸面の凹部と該窒化物半導体結晶との間に空隙が形成されているエピタキシャルウェハを準備する。 - 特許庁

The oxide superconductive thin film composed of a copper oxide super conductor, in which the atomic ratio of Y:Ba:Cu is 1:2:3, and having crystallinity c-axis-oriented in a direction vertical to the substrate is formed through the platinum(Pt) buffer layer having ≥40 Å, particularly ≥140 Åto <420 Å, particularly ≤400 Å thickness on the SiO2 substrate.例文帳に追加

ＳｉＯ_２基板上に、４０オングストローム以上、特に１４０オングストローム以上であって、４２０オングストローム未満、特に４００オングストローム以下の厚みの白金（Ｐｔ）バッファー層を介して、Ｙ：Ｂａ：Ｃｕの原子比が実質上１：２：３である銅酸化物超電導体から成り、且つ基板と垂直方向にｃ軸配向した結晶性を有する酸化物超電導薄膜が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a further improved ultraviolet sensing element whose manufacturing process is simple, capable of front surface irradiation without being provided with a buffer layer and capable of reliable ultraviolet sensing and measurement for obtaining the ultraviolet sensing element by using a gallium nitride (GaN) semiconductor element having various merits, and to provide its manufacturing method and an ultraviolet sensing system including the ultraviolet sensing element.例文帳に追加

多様な長所を有するガリウムナイトライド（ＧａＮ）半導体素子を用いて紫外線感知素子を具現するにおいて、緩衝層を含まなくて前面照射が可能であって、さらに信頼性のある紫外線感知及び測定が可能であり、その製作工程が単純で、さらに改善された紫外線感知素子及びこれの製造方法と紫外線感知素子を含む紫外線感知システムを提供する。 - 特許庁