「buffer-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

Film stress with respect to the polysilicon fuse 101, caused by the sealing resin layer 109, is relaxed by the buffer film 108, and film stress which affects trimming is avoided.例文帳に追加

緩衝膜１０８によって封止樹脂層１０９によるポリシリコンヒューズ１０１に対する膜ストレスが緩和され、該膜ストレスがトリミングに及ぼす影響が回避されている。 - 特許庁

To provide sputtering deposition equipment capable of forming a semiconductor light-emitting element having a buffer layer having high crystallinity, and a method for manufacturing the semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

結晶性の高いバッファ層を有する半導体発光素子を形成することができるスパッタ成膜装置、並びに半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A buffer layer 5 formed between these laminated bodies 2 is composed of piezoelectric materials whose components are identical to those of the piezoelectric substance 3, and has density lower than that of the piezoelectric substance 3.例文帳に追加

これらの積層体２の間には、圧電体３と同一組成系の圧電材料で形成され、圧電体３よりも密度の低い緩衝層５が介在されている。 - 特許庁

After formation of an amorphous buffer layer, it is inverted to crystal gradually and a light- emitting element is constituted by keeping lattice matching to a gallium nitride phosphide light emission part.例文帳に追加

非晶質緩衝層を形成した後、これを徐々に結晶質に転化して、窒化リン化ガリウム系の発光部と格子整合を保って発光素子を構成する。 - 特許庁

A buffer layer 2 is formed in various kinds and concentrations of a dopant by using a semiconductor material identical to the semiconductor substrate 1 on one surface of the same semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の一方の面上に、この半導体基板１と同じ半導体材料を使用しドーパントの種類又は濃度を変えて緩衝層２を形成する。 - 特許庁

The wafer level package comprises a stress buffer layer 105 containing a polymer binder and a spinel crystal filler in both a non-activated and a laser activated form.例文帳に追加

ウェハレベルパッケージは、ポリマーバインダおよびスピネル結晶充填材を非活性化およびレーザで活性化された形態の両方で含有する応力緩衝層１０５を含む。 - 特許庁

When forming the electron injection electrode 24 by a sputtering method or an ion plating method, damages can be prevented from spreading to the organic luminescent element 16 or the like by the buffer layer 22.例文帳に追加

バッファ層２２により、スパッタ法あるいはイオンプレイティング法による電子注入電極２４の形成時に有機発光層１６等へダメージが及ぶことを防止できる。 - 特許庁

The first buffer layer is formed by growing the GaN-based nitride semiconductor film while doping silicon at a lower temperature than the single-crystal growth temperature.例文帳に追加

前記第１のバッファ層は、単結晶成長温度よりも低い温度でシリコンをドープしつつＧａＮ系窒化物半導体膜を成長させることにより形成される。 - 特許庁

Then, a buffer layer 3 made of a gallium nitride and a piezoelectric film 4 made of an aluminum nitride are deposited by an epitaxial growing method on a substrate 2 for formation made of a silicon carbide.例文帳に追加

次に、炭化シリコンからなる形成用基板２の上に窒化ガリウムからなるバッファ層３、窒化アルミニウムからなる圧電膜４をエピタキシャル成長法により堆積する。 - 特許庁

A channel protective film is selectively formed in a region corresponding a channel region on the crystalline silicon film 13P by the patterning of the buffer layer 14 and an insulating film 16.例文帳に追加

バッファ層１４および絶縁膜１６のパターニングによって、結晶質シリコン膜１３Ｐ上のチャネル領域に対応する領域にチャネル保護膜を選択的に形成する。 - 特許庁

A fine TiO_2 buffer layer making a raw material of an organic titanium compound is interposed between a transparent electrode film constituting the electrode and TiO_2 thin film.例文帳に追加

また電極を構成する透明電極膜とＴｉ０_２薄膜との間に、有機チタン化合物を原料とした緻密なＴｉ０_２バッファー層を介在させたこと。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit includes an I/O buffer 102 formed in a semiconductor chip 100, a single layer pad 103, and a multilayer pad 104.例文帳に追加

本発明の一態様に係る半導体集積回路は、半導体チップ１００に形成されたＩ／Ｏバッファ１０２と、単層パッド１０３と、多層パッド１０４とを備える。 - 特許庁

Semiconductor lasers LD1 and LD2 of different wavelength are integrally formed on a substrate 1 where an n-type GaN buffer layer 12 is formed on an n-type GaN substrate 11.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１１上にｎ型ＧａＮバッファ層１２が形成された基板１に、波長の異なる半導体レーザＬＤ１，ＬＤ２が一体に形成される。 - 特許庁

The zinc oxide crystalline film is grown by using the both of the gas of the organic metallic compound containing zinc and oxygen and the gaseous oxygen on the zinc oxide buffer layer.例文帳に追加

そして、酸化亜鉛バッファ層上には、亜鉛と酸素を含む有機金属化合物のガスと酸素ガスとの両方を用いて酸化亜鉛結晶膜が育成される。 - 特許庁

To provide a decorative sheet having a buffer layer which absorbs acoustic pressure, vibration and the like formed in the laminar structure of a decorative sheet and capable of converting a vibratory energy to a thermal energy.例文帳に追加

化粧板の積層構造中に音圧、振動などを吸収できる緩衝層を設け、振動エネルギーを熱エネルギーに変換することができる化粧板を得る。 - 特許庁

Furthermore, between the insulated film 104 and a wiring substrate 107, a silicon wafer used as a buffer layer 108 and a substrate 109 is inserted and integrated, and the die is removed.例文帳に追加

更に、該絶縁フィルム１０４と配線基板１０７との間に、緩衝層１０８および基板１０９となるシリコンウエハを挾みこんで一体とし、型を除去する。 - 特許庁

The buffer layer 6 can be formed at a deep position from a back contact surface, thus suppressing the occurrence of a punch through phenomenon caused by the flaw, or the like during the manufacturing process.例文帳に追加

裏面接触面から深い位置にバッファ層６を形成することができるため、製造工程中についた傷などによるパンチスルー現象の発生が抑制される。 - 特許庁

The photodetector using a semiconductor crystal material comprising a light absorbing layer having lattice mismatch with a substrate material further comprises a substrate, a light absorbing layer comprising a plurality of layers having different lattice constant, and a buffer layer formed between the substrate and the light absorbing layer and having a lattice constant varying gradually from that of the substrate to that of the absorbing layer.例文帳に追加

基板材料と格子不整合のある光吸収層を有する半導体結晶材料を用いた受光素子において、基板と、格子定数の異なる複数の層で構成された光吸収層と、基板と光吸収層との間に形成されその格子定数が基板の格子定数から吸収層の格子定数まで徐々に変化するバッファ層とを設ける。 - 特許庁

A buffer layer 15 exists between the dielectric layer and an external conductor layer 16, thereby suppressing the crush of pores of the dielectric layer when formed of a porous body, preventing the disentanglement of the internal conductor when formed of a strand, due to the close attachment layer, and suppressing the phase change of the high-frequency signal when transferred, with the application and removal of bending stress.例文帳に追加

また、誘電体層と外部導体層１６との間は緩衝体層１５が介在しているため、誘電体層が多孔質体でなるときの孔の潰れを抑制することができ、更に密着体層により内部導体が撚り線でなるときのバラケを防止でき、曲げ応力の加除に対して高周波数の信号を伝送する際の位相変化を抑制することができる。 - 特許庁

The laminate structure for thermoelectric conversion has a structure in which a substrate 10, a buffer layer 30 consisting of a Ti metal layer or a Ti alloy layer, an insulative coating layer 40 and a thermoelectric material layer 50 containing as effective components one or two elements selected from a first group of Bi and Sb and one or two elements selected from a second group of Te and Se are laminated in this order.例文帳に追加

基板１０と、Ｔｉ金属層若しくはＴｉ合金層からなる緩衝層３０と、絶縁性皮膜層４０と、Ｂｉ、Ｓｂの第１群から選ばれる１又は２の元素とＴｅ、Ｓｅの第２群から選ばれる１又は２の元素とを有効成分として含む熱電材料層５０とが、この順で積層されている熱電変換用積層構造である。 - 特許庁

A buffer layer a made of a material having a smaller thermal expansion coefficient than that of the substrate 1 is formed between the substrate 1 and insulating layer 4 in at least the mounted area of the chips 7 except the mounted area of the heat generating components 6.例文帳に追加

基板１よりも小さな熱膨張係数を有する材料からなる緩衝層３を、発熱部品６の実装領域を除く、少なくともチップ部品７の実装領域で、基板１と絶縁層４の間に形成する。 - 特許庁

A breakdown voltage at OFF is increased in the p-type layer buffer, a breakdown voltage at ON is increased by discharging the hole, the reduction in a drain current is eliminated since there is no leakage from the p-type layer, and high output can be achieved in the points of both current and voltage.例文帳に追加

ｐ型層バッファでＯＦＦ時の耐圧を上げ、ホールの排出でＯＮ時の耐圧を上げ、ｐ型層からのリークがないのでドレイン電流の低下が無く、電流面、電圧面の両者で高出力化が実現できる。 - 特許庁

Then, the substrate is put into the MOCVD growing device, and a GaN contact layer 20 whose film thickness of 3 μm is grown by a lateral growth method via the mask 16 on the GaN second buffer layer 15.例文帳に追加

次いで、再度、基板をＭＯＣＶＤ成長装置に入れて、１０００℃程度の成長温度で、マスク１６を介してＧａＮ第２バッファ層１５上に膜厚３μｍのＧａＮコンタクト層２０を横方向成長法により成長させる。 - 特許庁

In a process for manufacturing a stamper, as a conductive layer, the composition ratio of a buffer agent to a conductive material is reduced from an original disk side to the thickness direction and the conductive layer having an irregular pattern is formed by a chemical vapor deposition method.例文帳に追加

スタンパの製造工程において、導電層として、導電物質に対する緩衝剤の組成比が原盤側から厚さ方向に減少し、かつ凹凸パターンを有する導電層を、化学気相成長法を用いて形成する。 - 特許庁

The SiGe etch-stop material system comprises a relaxed buffer layer graded up to Si_1-xGe_x and a relaxed uniform etch-stop layer of the Si_1-yGe_y, and it is preferable that x is equal to or smaller than 0.17 and y is equal to or greater than 0.3.例文帳に追加

ＳｉＧｅエッチング停止構造物が、Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘまでの段階が設けられた弛緩されたバッファ層と、Ｓｉ_１−ｙＧｅ_ｙの弛緩された均質なエッチング停止層とを有しており、ｘ≦０．１７、ｙ≧０．３が好ましい。 - 特許庁

On the GaAs substrate 1 of a semi-insulating property, a buffer layer 2 composed of i-GaAs having a implanted impurity, and an n^+ GaAs layer 3 having an implanted high concentration n-type impurity, are sequentially formed.例文帳に追加

半絶縁性のＧａＡｓ基板１上には、不純物を注入されていないｉ−ＧａＡｓからなるバッファ層２および高濃度のｎ型不純物が注入されたｎ＋ＧａＡｓ層３が順に形成されている。 - 特許庁

This solar battery includes a substrate 11, and a lower electrode film 12, a compound semiconductor thin film 13, a compound semiconductor thin film 14, a compound thin film (buffer layer) 15, a window layer 16 and an upper electrode film 17 which are laminated sequentially on the substrate 11.例文帳に追加

基板１１と、基板１１上に順次積層された、下部電極膜１２、化合物半導体薄膜１３、化合物半導体薄膜１４、化合物薄膜（バッファ層）１５、窓層１６および上部電極膜１７とを含む。 - 特許庁

Such control is provided by making a buffer gas (B) to flow between the interior surface and at least a portion of the process gas to form a gas barrier layer such that the gas barrier layer inhibits contact between the interior surface and components of the process gas.例文帳に追加

ガスバリア層が内部表面とプロセスガスの成分との間の接触を阻止するように、内部表面とプロセスガスの少なくとも一部との間にバッファガス（Ｂ）を流すことによってガスバリア層を形成して、そのような制御を与える。 - 特許庁

An end portion 17-2 of the gate electrode 17 is formed on an underlying metal 18 formed by a metal containing Ti via an insulating film 14 on a GaN buffer layer 12 surrounding the undoped AlGaN layer 13.例文帳に追加

このゲート電極１７は、その端部１７−２がアンドープＡｌＧａＮ層１３の周囲のＧａＮバッファ層１２上に絶縁膜１４を介してＴｉを含む金属で形成された下地金属１８上に形成されている。 - 特許庁

A buffer layer 2 of a compound semiconductor containing Al in GaN is intervened in a substrate 1, in order to form a semiconductor light absorbing layer 3 of GaN compound semiconductor in a good quality crystal state.例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体からなる良質な結晶状態の半導体光吸収層３を形成するために、基板１との間にＧａＮにＡｌを含有してなる化合物半導体からなるバッファ層２が介在している。 - 特許庁

The photoelectric conversion structure, containing the H-I-C absorption layer, employs a transformation buffer layer, by forming a lattice constant gradient between the photoelectric conversion structure and a substrate, so that the desired kind of substrate can be formed.例文帳に追加

このＨ−Ｉ−Ｃ吸収層を含む光変換構成体は、光変換構成体と基板との間で格子定数勾配を形成するように変成バッファ層を用いることにより、任意の種類の基板に形成できる。 - 特許庁

Afterwards, after forming a through hole 102 to penetrate through the interlayer insulating layer 5, etching is applied on the buffer layer 4 so that a residual material 103 containing at least one kind of material out of two kinds or more of materials will remain.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜５を貫通する貫通孔１０２を形成した後、２種類以上の物質のうちの少なくとも１種の物質を含む残留物１０３が残存するように、緩衝層４をエッチングする。 - 特許庁

The ultrasonic probe includes: an ultrasonic oscillator for transmitting/receiving the ultrasonic wave; an intermediate layer having acoustic impedance greater than the ultrasonic oscillator; the backplane member for supporting the ultrasonic oscillator; and a buffer layer.例文帳に追加

この実施形態に係る超音波プローブは、超音波を送信し受信する超音波振動子と、超音波振動子よりも音響インピーダンスが大きい中間層と、超音波振動子を支持する背面材と、緩衝層と、を有する。 - 特許庁

To form a III nitride semiconductor layer excellent in crystallinity with few crystal defects on an SiC buffer layer formed on a single crystal substrate, and to enhance light emission characteristics and high frequency characteristics.例文帳に追加

単結晶基板上のＳｉＣ緩衝層を用いてその上に結晶欠陥の少ない結晶性に優れるIII族窒化物半導体層を形成することができ、発光特性や高周波特性を向上させることができるようにする。 - 特許庁

The buffer layer is formed between the source and drain electrodes and the active layer, thereby preventing contact resistance due to oxidation from increasing, so that the electrical characteristics of the thin-film transistor can be improved.例文帳に追加

ソース電極及びドレイン電極とアクティブ層との間にバッファ層が形成されることによって、酸化による接触抵抗が増加することを防止することができ、薄膜トランジスタの電気的な特性を向上させることができる。 - 特許庁

The method for manufacturing a single-walled carbon nanotube comprises the steps of: forming a buffer layer on a glass substrate; forming a catalyst metal layer on the buffer layer; introducing the glass substrate having the catalyst metal formed thereon into a vacuum chamber to generate an H_2O plasma in the vacuum chamber; and supplying a source gas into the vacuum chamber to grow a carbon nanotube on the glass substrate.例文帳に追加

ガラス基板上にバッファー層を形成するステップと、前記バッファー層上に触媒金属層を形成するステップと、前記触媒金属が形成されたガラス基板を真空チャンバに導入し、真空チャンバ内にＨ_２Ｏプラズマを発生させるステップと、真空チャンバ内にソースガスを供給しガラス基板上にカーボンナノチューブを成長させるステップと、を含むことを特徴とする単層カーボンナノチューブの製造方法である。 - 特許庁

This display apparatus comprises a thin film transistor formed on a substrate material; a picture element electrode connected electrically with the thin film transistor and having a first maximum roughness; a buffer layer formed on the picture element electrode and having a second maximum roughness less than the first maximum roughness; and an organic light emitting layer formed on the buffer layer.例文帳に追加

本発明による表示装置は、基板素材の上に形成されている薄膜トランジスタと；前記薄膜トランジスタと電気的に接続されており、第１最大粗度を有する画素電極と；前記画素電極の上に形成されており、前記第１最大粗度より小さい第２最大粗度を有するバッファー層と；前記バッファー層の上に形成されている有機発光層とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

This unit cell for solid oxide fuel cell has a layered structure wherein the solid electrolyte layer is sandwiched between upper and lower electrode layers, the electrolyte layer has a dense structure part, and a buffer part is disposed on the structure part, the buffer part comprising substantially independent columnar grains of a solid electrolyte material and/or an electrode material.例文帳に追加

固体電解質層を上部電極層と下部電極層で狭持した積層構造をなし、固体電解質層が緻密構造部を有し、この緻密構造部に、固体電解質材料及び／又は電極材料の略独立な柱状粒より構成されたバッファ部を配設して成る固体酸化物形燃料電池用単セルである。 - 特許庁

The carbon concentration within a buffer layer 13 is controlled by introducing material gas of hydrocarbon or organic compounds containing carbon such as propane as an additive in forming the buffer layer 13 by introducing trimethylgallium (TMGa) and ammonium (NH_3) as gaseous nitride compound semiconductor materials into a chamber in which a substrate is disposed.例文帳に追加

基板が配置されたチャンバ内にガス状の窒化物系化合物半導体材料としてトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）とアンモニア（ＮＨ_３）とを導入してバッファ層１３を形成する際、プロパンなどのカーボンを含む炭化水素または有機化合物の材料ガスを添加剤として導入することで、バッファ層１３のカーボン濃度を制御する。 - 特許庁

The forming method of the multi-layered mirror for the manufacture of a micro-cavity of a light emitting device comprises a process of forming the buffer layer on a transparent base plate of the light emitting device, and a process of forming the multi-layered mirror by sputtering a plurality of thin films having different refractive index from each other on the buffer layer.例文帳に追加

発光装置のマイクロキャビティ構造用の多層ミラーの形成方法であって、発光装置の透明基板上にバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上に異なる屈折率の複数の薄膜をスパッタリングし、多層ミラーとする工程とからなることを特徴とする上記方法、及びマイクロキャビティ構造用の多層ミラー。 - 特許庁

The apparatus operated in compliance with the IPSec is provided with a buffer, which stores encrypted data transmitted from the transmitter, when a re-transmission request comes from the receiver, the transmitter acquires information in the TCP layer independently of operation in the IP layer and returns corresponding data in the encrypted data in the buffer to the receiver.例文帳に追加

ＩＰＳｅｃで動作する装置は、バッファを備えており、送信者から送信されたデータを暗号化したものをバッファに格納し、受信者から再送要求がきたときは、ＩＰ層で動作しているにもかかわらず、ＴＣＰ層での情報を取得して、バッファ内の暗号化されたデータで対応するデータを受信者に返送する、 - 特許庁

The method of fabricating a low temperature ZnO polycrystalline film includes: a step of growing ZnO on a substrate at a first temperature during a first time period by means of MOCVD to form a ZnO buffer layer; and a step of heating the substrate at a temperature lower than the first temperature and growing ZnO on the buffer layer during a second time period longer than the first time period to form a ZnO film.例文帳に追加

MOCVDによって第１の温度で第１の時間の間基板にZnOを成長させてZnOバッファ層を形成する工程と、第１の温度より低い温度で基板を加熱し、第１の時間より長い第２の時間の間バッファ層上にZnOを成長させてZnOフィルムを形成する工程とを含む低温ZnO多結晶フィルムの製造方法である。 - 特許庁

In the multilayered quantum dot structure having InGaAs quantum dot laminate structures provided on a GaAs buffer layer, an arbitrary number of InGaAs quantum dot laminate structures 6 are laminated, each of the laminate structures 6 including an InGaAs thin-film layer 3 provided with a plurality of InGaAs quantum dots 4 and a GaAs buffer layer 5 provided on the InGaAs thin-film layer 3 so as to bury the InGaAs quantum dots 4.例文帳に追加

ＧａＡｓバッファ層上にＩｎＧａＡｓ量子ドット積層構造体を設けた多積層量子ドット構造体では、前記ＩｎＧａＡｓ量子ドット積層構造体６は、複数のＩｎＧａＡｓ量子ドット４を設けたＩｎＧａＡｓ薄膜層３と、そのＩｎＧａＡｓ量子ドット４を埋め込むようにＩｎＧａＡｓ薄膜層３上に設けたＧａＡｓバッファ層５から構成するＩｎＧａＡｓ量子ドット構造体６を任意数層積層して構成する。 - 特許庁

At least a surface region 2 includes a crystal growth substrate 3 made of an aluminum-containing group-III nitride semiconductor, a single metal layer 4 formed on the surface region 2 and made of crystallized Zr or Hf, and an initial growth layer 5 formed on the single metal layer 4 and formed by at least one buffer layer made of Al_xGa_1-xN (0≤x≤1).例文帳に追加

少なくとも表面部分２がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板３と、前記表面部分２上に形成され、結晶化されたZrまたはHfからなる単一金属層４と、前記単一金属層４上に形成され、Al_xGa_1-xN(0≦x≦1)からなる少なくとも一層のバッファ層からなる初期成長層５と、を具える。 - 特許庁

An amorphous silicon-based photoelectric conversion device comprises a conductivity type layer formed of an amorphous silicon-based semiconductor, a buffer layer containing a microcrystalline silicon phase, a photoelectric conversion layer formed of a substantially intrinsic amorphous silicon-based semiconductor and a reverse conduction type layer formed of a non-single-crystal silicon-based semiconductor which are arranged from a light incident side in this order.例文帳に追加

光入射側から順に、非晶質シリコン系半導体からなる一導電型層と、微結晶シリコン相を含むバッファ層と、実質的に真性の非晶質シリコン系半導体からなる光電変換層と、非単結晶シリコン系半導体からなる逆導電型層とが、配置されてなる非晶質シリコン系光電変換装置によって、解決する。 - 特許庁