「buffer-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

An n-type light-transmitting buffer layer 140 pn-joined to the optical absorption layer 130 is stacked and formed on a p-type conductive optical absorption layer 130 by the compound in a chalcopyrite structure stacked over a pair of back electrode layers 120 on the surface of a glass substrate 110.例文帳に追加

ガラス基板１１０面上の対をなす裏面電極層１２０に亘って積層したカルコパイライト構造化合物にて導電性を有するｐ型の光吸収層１３０に、光吸収層１３０とｐｎ接合する透光性でｎ型のバッファ層１４０を積層形成する。 - 特許庁

The conductive film, the film having the n-type conductivity, and the oxide semiconductor film containing In, Ga and Zn are etched using the channel protective layer and gate insulating films as etching stoppers with the resist mask, so that source and drain electrode layers, a buffer layer, and a semiconductor layer are formed.例文帳に追加

このレジストマスクと共に、チャネル保護層及びゲート絶縁膜をエッチングストッパーとして利用して、導電膜と、ｎ型の導電型を有する膜と、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜をエッチングして、ソース電極層及びドレイン電極層と、バッファ層と、半導体層を形成する。 - 特許庁

The optical fiber cord 50 is constructed by sequentially arranging a buffer coating 52 and a sheath layer 51 on an outer circumferential surface of a coated optical fiber 10 in the order of going away from the coated optical fiber 10.例文帳に追加

光ファイバコード50は、被覆光ファイバ心線10の外周面に、さらに、緩衝層52とシース層51とを被覆光ファイバ心線10から離れる方向で順に設けてなる。 - 特許庁

To reduce a leakage current component due to conduction of residual carriers in a GaN buffer layer, in a GaN field-effect transistor, and to raise the pinch-off characteristics of the transistor.例文帳に追加

ＧａＮ系電界効果トランジスタにおいて、ＧａＮのバッファー層中の残留キャリアの伝導によるリーク電流成分を低減しトランジスタのピンチオフ特性を向上させる。 - 特許庁

The buffer layer 14 is formed of a material, whose thermal expansion coefficient is intermediate between those of the insulating board 12 and the heat sink 13.例文帳に追加

この緩衝層１４は絶縁基板１２の熱膨張係数とヒートシンク１３の熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する材料により形成される。 - 特許庁

A base fishing rod 1 has a cylindrical body part 11 and a buffer layer 12 formed in the inner circumference of the end on the tip side of the body part 11 and softer than the body part 11.例文帳に追加

元竿１は、筒状の本体部１１と本体部１１の穂先側端部内周面に形成され本体部１１より軟質な緩衝層１２とを有する。 - 特許庁

A nitride active layer of group III including a stress absorbing structure including a plurality of specified stress removing regions in a crystal structure of a buffer structure is formed.例文帳に追加

緩衝構造の結晶構造内に複数の所定の応力除去領域を含む応力吸収構造を含む第ＩＩＩ族窒化物活性層を形成する。 - 特許庁

Further, the silicon wafer that serves as a buffer layer 108 and a substrate 109 is sandwiched in between the film 104 and a wiring substrate 107, which are integrated, and the mold is removed.例文帳に追加

更に、該絶縁フィルム１０４と配線基板１０７との間に、緩衝層１０８および基板１０９となるシリコンウエハを挾みこんで一体とし、型を除去する。 - 特許庁

To provide a semiconductor-mounting method, capable of restraining increase in man-hours and improving the thickness of a solder layer in uniformity, in a semiconductor mounting structure where a buffer plate is used.例文帳に追加

緩衝板を用いる半導体実装において、工程数の抑制および半田厚さの均一性の向上を図ることができる半導体実装方法の提供。 - 特許庁

A c constant of the ZnO buffer layer is set to 5.2070 Åor higher, preferably, 5.21 to 5.28 Å, by adjusting the parameter of a sputter apparatus.例文帳に追加

上記ＺｎＯバッファ層のｃ定数は、スパッタ装置のパラメータを調整することにより、５.２０７０Å以上、好ましくは５.２１Å〜５.２８Åとしている。 - 特許庁

The carrier concentration of a III-V compound semiconductor wafer on which an n-type buffer layer is formed is measured through C-V measurement and, in addition, the photoluminescence of the wafer is also measured.例文帳に追加

ｎ型バッファ層形成済みのIII−Ｖ族化合物半導体ウェーハで、Ｃ−Ｖ測定によりキャリア濃度を測定する一方、フォトルミネッセンス測定も行う。 - 特許庁

The movable contact 34 includes a plurality of buffer layers 54 and conductive layer 55 alternately laminated on a movable contact substrate 51 by vapor deposition, sputtering, electroplating, or the like.例文帳に追加

可動接点部３４は、可動接点基板５１の上に蒸着、スパッタ、電解メッキ等により緩衝層５４と導電層５５が複数層交互に積層される。 - 特許庁

The positive electrode buffer layer is formed by using an organic polymer (as a suitable example, PEDOT is used) and only by spin-coating the organic polymer on the surface of a positive electrode.例文帳に追加

陽極バッファー層として、有機高分子、好適例としてはＰＥＤＯＴを用いることにより、陽極表面にスピンコートするだけで陽極バッファー層を形成する。 - 特許庁

The piezoelectric film 88 is formed in the glass region at the temperature of not more than a glass transition point T_g of the shape-memory polymer used for the binding force buffer layer 86.例文帳に追加

この圧電膜８８の成膜時の温度は、拘束力緩衝層８６に用いられる形状記憶ポリマーのガラス転移点Ｔ_ｇ以下のガラス領域にして成膜を行う。 - 特許庁

An Al_2O_3, AlON and AlN based buffer layer 104 is deposited on a c-face sapphire substrate 102 by an ECR plasma deposition device.例文帳に追加

本発明の一実施例によれば、ｃ面サファイア基板１０２上に、ＥＣＲプラズマ成膜装置によりＡｌ_２Ｏ_３、ＡｌＯＮ、ＡｌＮ系の緩衝層１０４を堆積する。 - 特許庁

An epitaxial wafer E2 includes a GaN wafer 11 and an In_X1Al_X2Ga_1-X1-X2N (0<X1<1, 0≤X2<1, 0<X1+X2<1) buffer layer 13.例文帳に追加

エピタキシャルウエハＥ２は、ＧａＮウエハ１１と、Ｉｎ_Ｘ１Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ（０＜Ｘ１＜１、０≦Ｘ２＜１、０＜Ｘ１＋Ｘ２＜１）緩衝層１３とを備える。 - 特許庁

An interface between the buffer layer and the retaining substrate is defined by a method wherein distribution of oxygen concentration in the thickness direction has a peak at a position corresponding to the interface between them.例文帳に追加

厚さ方向に関する酸素濃度分布が、バッファ層と支持基板との界面に相当する位置にピークを有することにより両者の界面が画定される。 - 特許庁

Then, in a process (3), the buffer layer 130 is used as seed crystals, and a ZnO thin film 140 of high quality is grown thereon through an MO-CVD method.例文帳に追加

次に、工程（３）として、このバッファ層１３０を種結晶として、その上部にＭＯ−ＣＶＤ法により高品質のＺｎＯ薄膜１４０を成長させる。 - 特許庁

The composition modulation buffer layer 20 is formed having an inclined composition increasing in N atom content from the substrate 10 toward the first and second semiconductor layers 40 and 50.例文帳に追加

組成変調バッファ層２０は、基板１０から第１及び第２の半導体層４０，５０に向かってＮ原子含有量が高くなる傾斜組成で形成されている。 - 特許庁

A buffer layer 31 is formed on the upper surface 16a of the sealing film 16 and on side faces of the step parts with the electrodes 20 for external connection on the sealing film 16.例文帳に追加

封止膜１６の上面１６ａ上および封止膜１６における外部接続用電極２０との段差部の側面には緩衝層３１が形成されている。 - 特許庁

To provide a buffer layer forming method in a dye-sensitized solar cell capable of using high temperature sensitive materials, such as synthetic resin, as a substrate.例文帳に追加

基板として、例えば合成樹脂などの高温に弱い材料を用いることができる色素増感太陽電池におけるバッファ層の形成方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the multifunctional handwriting flexible board, the circuit board is connected to one end of the linear board first, and the name plate, the linear board and the buffer layer are connected successively.例文帳に追加

多機能式手書きフレキシブルボードの製造方法は、まず、回路板をリニアボードの一端に結合させ、順に追って銘板と、リニアボードと緩衝層とを結合する。 - 特許庁

To provide a new molded laying interior material for a vehicle integrated with a buffer material layer following a deep uneven shape formed in a vehicle body panel.例文帳に追加

車体パネルに形成された深い凹凸形状に追従した緩衝材層が一体化された新規な車両用成形敷設内装材の提供を課題とする。 - 特許庁

On a portion of a substrate 10 made of n-type GaAs, a composition modulation buffer layer 20 made of n-type GaAs_xN_1-x (0≤x≤1) mixed crystal is formed.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓからなる基板１０上の一部に、ｎ型ＧａＡｓ_ｘＮ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）混晶からなる組成変調バッファ層２０が形成されている。 - 特許庁

A buffer layer 2 is provided with the structure of alternately laminating a plurality of first layers 8 composed of Al and second layers 9 composed of GaN on a wafer 1 composed of silicon.例文帳に追加

シリコンから成る基板１の上にＡｌＮから成る第１の層８とＧａＮから成る第２の層９とを交互に複数積層した構造のバッファ層２を設ける。 - 特許庁

Then, after performing heating to a high temperature (b), a buffer layer 4 and a second film 5 whose thermal expansion coefficient is higher than that of the substrate 2 are formed on the surface 2a of the substrate 2 (c).例文帳に追加

次に、高温まで加熱した後に（ｂ）、基板２の表面２ａ上に、基板２よりも熱膨張率が高いバッファ層４及び第２の膜５を成膜する（ｃ）。 - 特許庁

The layer 30 consists of a base Si film 12, an Si buffer film 13, an SiGe film 14, and a top Si film 15 which are grown epitaxially respectively.例文帳に追加

半導体層３０は、下地Ｓｉ膜１２と、各々エピタキシャル成長されたＳｉバッファ膜１３，ＳｉＧｅ膜１４，トップＳｉ膜１５とから構成されている。 - 特許庁

On the other hand, a buffer 32 for the differential data is first referenced when a layer L 3 is displayed and if there is no data corresponding thereto, the color pallet 15 is next referenced.例文帳に追加

一方、レイヤＬ３を表示する場合は、まず差分データ用バッファ３２を参照し、そこに該当するデータがない場合には次にカラーパレット１５を参照する。 - 特許庁

GaN layers 13a, 13b and the AlN buffer layer 12 are removed to a substrate by dry etching by using a resist and the SiO2 film 14 as a mask and using chlorine gas, and a line and space pattern is formed.例文帳に追加

レジストとSiO_2膜14をマスクとして、塩素系のガスを用いてGaN層13a、13bおよびＡｌＮバッファ層12をドライエッチングにより基板まで除去して、ラインアンドスペースのパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method in which stress that operates when a semiconductor device is mounted on a mounting substrate, can be relaxed without using a buffer layer.例文帳に追加

バッファ層を用いずに、半導体装置を実装基板に実装したときに作用する応力を緩和できる半導体装置と、その製造方法を提供する。 - 特許庁

This resistor connector C is has a resistor 10 within a pair of lead frame 1 and 1, where this resistor 10 undergoes mold coating 2 with a silicon resin 20 interposed in between as a buffer layer.例文帳に追加

対のリードフレーム１、１間に抵抗器１０を設け、この抵抗器１０をシリコン樹脂２０の緩衝層を介在してモールド被覆２を行ったレジスタコネクタＣである。 - 特許庁

First and second n-buffer layers 2a and 2b are formed on both sides of an n- drift layer 1, over which first and second p+ base layers 3a and 3b are formed.例文帳に追加

ｎ^- ドリフト層１の両側に、第１、第２ｎバッファ層２ａ、２ｂが形成され、これらのｎバッファ層２ａ、２ｂ上に第１、第２ｐ^+ ベース層３ａ、３ｂが形成される。 - 特許庁

In this constitution, the SIS trilayer film is formed on the buffer layer formed on the substrate or on the substrate in contact.例文帳に追加

本構成によれば、SIS三層膜は、基板上に形成されたバッファ層又は基板の上に接して形成されているため、高品質なSIS接合が実現でき、高性能なSIS素子が得られる。 - 特許庁

Further, an electron beam irradiated film 1a is formed on the CaF_2 buffer layer 3 by irradiating an electron beam to make a CuCl thin film grown with MBE method.例文帳に追加

さらに、ＣａＦ_２ｂｕｆｆｅｒ層３上に、電子線を照射しながらＣｕＣｌ薄膜をＭＢＥ法によって成長させ、電子線照射膜１ａを形成する。 - 特許庁

During the course of growing the GaN buffer layer by heating, a GaN film is formed by introducing AsH3 (process C), and thereafter, introducing DMHy and TMG.例文帳に追加

ＧａＮバッファ層を加熱して成長させる過程において、ＡｓＨ_3を導入し（プロセスＣ）、その後ＤＭＨｙとＴＭＧを導入してＧａＮ膜を形成する。 - 特許庁

Porcelain ceramics is used for the material of the pedestal 20 for the piano and the segment in contact with a floor surface is provided with a buffer layer 3 consisting of closed cell foamed plastic.例文帳に追加

ピアノ用台座２０の材料を磁器質セラミックスとし、床面と接触する部分には単泡の発泡プラスチックからなる緩衝層３が設けられている。 - 特許庁

To provide a method of forming a SiO2 buffer layer by which etching to produce a perpendicular cross section is possible without using dry etching, and the center electrode is not deteriorated.例文帳に追加

ドライエッチングに依らずに垂直な断面を有するエッチングを可能とすると共に、中心電極を劣化させないＳｉＯ_2 バッファ層の形成方法を提供する。 - 特許庁

By repeating the process, a plurality of depletion parts 12a are generated in an epitaxial layer 12 to provide a hetero N- buffer structure.例文帳に追加

そして、この工程を繰り返すことにより、エピタキシャル層１２中に複数の空洞部１２ａを作り込んで、ヘテロなＮバッファ構造を実現する構成となっている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the thickness of a buffer layer and a compound semiconductor can be gained and can improve the element breakdown voltage while suppressing the warpage of a substrate.例文帳に追加

基板の反りを抑制しつつ、バッファ層及び化合物半導体の厚さを稼ぐことができ、素子耐圧を向上することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

In this method, the SiC film is grown by using the single-layered BP film formed by the method or multilayered BP and SiC films formed by repeating the method as the buffer layer.例文帳に追加

（２）上記の方法によるＢＰ単層膜もしくは上記を２回以上繰り返し行いＢＰ，ＳｉＣ多層膜をバッファー層としてＳｉＣ膜を成長させる方法。 - 特許庁

The thermal stress due to a molded pressure and the severe temperature change is relaxed by the buffer layer 20 and generation and growth of a crack in the resistor unit 12 can be suppressed.例文帳に追加

緩衝層２０により、モールド成形圧及び過酷な温度変化による熱応力が緩和され、抵抗体１２のクラックの発生及び成長が抑制される。 - 特許庁

To obtain a larger area to take out light without including an n-type Si substrate and a buffer layer, concerning a GaN-base LED to be formed by using a GaN-LED on Si substrate.例文帳に追加

GaN-LED on Si基板を利用して形成されるGaN系LEDにおいて、n型Si基板及びバッファ層を含まず、かつ光を取り出すための領域の面積を広く取ることが可能である。 - 特許庁

A c constant of the ZnO buffer layer is 5.2070 Å or above, 5.21-5.28 Åbeing preferred, by adjusting a parameter of a sputter device.例文帳に追加

上記ＺｎＯバッファ層のｃ定数は、スパッタ装置のパラメータを調整することにより、５.２０７０Å以上、好ましくは５.２１Å〜５.２８Åとしている。 - 特許庁

A buffer layer 2, having a laminated structure composed of first AlN layers 8 and second GaN layers 9 which are alternately laminated in some layers, is formed on a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコンから成る基板１の上にＡｌＮから成る第１の層８とＧａＮから成る第２の層９とを交互に複数積層した構造のバッファ層２を設ける。 - 特許庁

An AlN buffer layer 81 of 350 Å is formed on a single-crystal sapphire substrate 60 at 65°C by supplying H2 at 3 liter/minute, NH3 at 2 liter/ minute, and TMA at 500 cc/minute.例文帳に追加

単結晶のサファイア基板６０上に、温度650 ℃で、Ｈ_2 を３liter／分、ＮＨ_3 を 2liter ／分、ＴＭＡを５００cc／分で供給して350 ÅのＡｌＮのバッファ層６１を形成した。 - 特許庁