「buffer-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

Or, the c-BP film is formed as a buffer layer on the Si substrate, and a film of amorphous SiC or amorphous GaN is formed on the c-BP film.例文帳に追加

また、Ｓｉ基板の上にｃ−ＢＰの膜をバッファー層として成形し、そのｃ−ＢＰの膜の上にアモルファスＳｉＣ又はＧａＮの膜を形成する。 - 特許庁

An optical waveguide 37 of the semiconductor laser element 1a is provided in a mesa shape on an n-type buffer layer 13 with a specific axial direction as a longitudinal direction.例文帳に追加

半導体レーザ素子部１ａの光導波路３７は、ｎ型バッファ層１３上に所定の軸方向を長手方向とするメサ状に設けられる。 - 特許庁

Further, a buffer layer 13 having an arbitrary film thickness represented by an integer multiple of optical film thickness of a quarter wavelength is provided between respective filter parts.例文帳に追加

又各フィルタ部分の間に４分の１波長の光学膜厚の整数倍膜厚で代表される任意の膜厚のバッファ層１３を設ける。 - 特許庁

As a result, at least the lower electrode 5 and the piezoelectric thin film 3 taking over the crystal azimuth of the buffer layer 6 and grown are configured of the epitaxial film.例文帳に追加

その結果、バッファ層６の結晶方位を引き継いで成長した、少なくとも下電極５および圧電薄膜３について、これらをエピタキシャル膜とする。 - 特許庁

Each of the buffer regions 32, 34, and 36 containing the blank spaces 24 is constituted of first and third AlN layers 21 and 23 and a second GaN layer 22.例文帳に追加

空所２４を有するバッファ領域３２、３４、３６をＡｌＮから成る第１及び第３の層２１、２３とＧａＮから成る第２の層２２とで構成する。 - 特許庁

The thermal stress of the connector C due to a molded pressure and a temperature change is relaxed by the buffer layer 20 and generation and growth of a crack in the resistor 12 are suppressed.例文帳に追加

緩衝層２０により、モールド成形圧及び温度変化による熱応力が緩和され、抵抗体１２のクラックの発生及び成長が抑制される。 - 特許庁

A buffer circuit 11, comprising an operational amplifier having a one-time amplification degree to the parasitic capacitor Cj between the n-type diffusion layer 2 and the P well 4, is provided.例文帳に追加

ｎ型拡散層２とＰウェル４との間の寄生容量Ｃｊに対して、１倍の増幅度をもつオペアンプからなるバッファ回路１１が設けられている。 - 特許庁

The ridge structure part 3 confines a field of light by the side surface 3a and the buffer layer suppresses scattering loss and suppresses the optical loss on the bent part 1a.例文帳に追加

リッジ構造部３は、側面３ａにより光のフィールドを閉じ込め、バッファ層は、散乱損を抑え、曲がり部１ａにおける光損失を抑える。 - 特許庁

The N-InP buffer layer 2 is grown at a growth temperature of 600 to 700°C and at a growth rate of 1 to 3 μm, where a V/III ratio is set to 150 to 250.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰバッファ層２の成長温度は，６００〜７００℃，成長速度は，１〜３μｍとされ，Ｖ／III比は，１５０〜２５０とされている。 - 特許庁

As the CVD method is used, a deposition rate of the viscoelastic buffer layer 2 is fast, and consequently the film with a practicable thickness is efficiently formed.例文帳に追加

ＣＶＤ法を用いているので、粘弾性緩衝層２の成膜速度が速く、実用的な厚さの膜を効率よく作成することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element which has a buffer layer formed on a semiconductor substrate when necessary and also has a semiconductor layer formed by stacking an n-type or p-type lower semiconductor layer, a light emitting layer and a p-type or n-type upper semiconductor layer, the semiconductor light emitting element having high light emission efficiency for a specified wavelength.例文帳に追加

半導体基板上に、必要に応じて緩衝層を形成し、ｎ型又はｐ型の下側半導体層と、発光層と、ｐ型又はｎ型の上側半導体層とを積層してなる半導体層を持つ半導体発光素子において、特定の波長に対して高い発光効率を有する半導体発光素子を提供することにある。 - 特許庁

The thin film transistor includes: a substrate; a source electrode and a drain electrode on the substrate; an oxide active layer between the source electrode and the drain electrode; a gate electrode on one side of the oxide active layer; a gate insulating film between the gate electrode and the oxide active layer; and a buffer layer between the gate insulating film and the oxide active layer.例文帳に追加

本発明の薄膜トランジスターは、基板、基板上のソース電極、及びドレーン電極、ソース電極、及びドレーン電極間の酸化物活性層、酸化物活性層の一面の上のゲート電極、ゲート電極と酸化物活性層との間のゲート絶縁膜、及びゲート絶縁膜と酸化物活性層との間の緩衝層を含む。 - 特許庁

The nitride-based diode 10 includes a buffer layer 12 formed on a (111) plane of a silicon substrate 11, a channel layer 13 made of undoped GaN, an electron supply layer 14 formed on the channel layer 13 and made of undoped AlGaN, and a cathode electrode 15 and an anode electrode 16 formed on the electron supply layer 14.例文帳に追加

窒化物系ダイオード１０は、シリコン基板１１の（１１１）面上に形成されたバッファ層１２と、アンドープのＧａＮからなるチャネル層１３と、チャネル１３層上に形成されたアンドープのＡｌＧａＮからなる電子供給層１４と、電子供給層１４上に形成されたカソード電極１５およびアノード電極１６とを備える。 - 特許庁

A photoelectric conversion device 31 comprises: a light absorbing layer 3 containing a Group I-III-VI compound having a chalcopyrite structure; an intermediate layer 4 which is positioned on the light absorbing layer 3 and contains a Group III-VI compound having an amorphous or microcrystalline structure; and a buffer layer 5 which is positioned on the intermediate layer 4 and contains a Group VI compound having a crystal structure.例文帳に追加

光電変換装置３１は、カルコパイライト構造のＩ−III−VI族化合物を含む光吸収層３と、光吸収層３上に位置するアモルファスまたは微結晶構造のIII−VI族化合物を含む中間層４と、中間層４上に位置する結晶構造を有するVI族化合物を含むバッファ層５とを備える。 - 特許庁

Further, the semiconductor device has a longitudinal structure having the GaN-HFET 21 stacked on the PN diode 22, so an anode electrode 34 and a cathode electrode 33 of the PN diode 22 need not to be formed on a surface of an epitaxial layer comprising a buffer layer 26, a GaN layer 27 and an AlGaN layer 28, and the use efficiency of the surface of the epitaxial layer is enhanced.例文帳に追加

また、ＰＮダイオード２２の上にＧaＮ‐ＨＦＥＴ２１を積み上げた縦型構造を有しているので、ＰＮダイオード２２のアノード電極３４とカソード電極３３とを、バッファ層２６,ＧaＮ層２７およびＡlＧaＮ層２８でなるエピタキシャル層の表面に形成する必要がなく、エピタキシャル層の表面の利用効率を上げることができる。 - 特許庁

An OEL element 11 is structured of a positive electrode 15 composed of an ITO or the like, an organic layer 16 containing an electro-luminescence layer 21, an electron injection layer 17 composed of Ba or the like, a buffer layer 18 composed of Al or the like, and a transparent negative electrode layer 19 composed of indium zinc oxide laminated in that order.例文帳に追加

ＯＥＬ素子１１は、ＩＴＯ等から構成される陽極層１５と、電界発光する発光層２１を含む有機層１６と、Ｂａ等から構成される電子注入層１７と、Ａｌ等から構成されるバッファー層１８と、インジウム亜鉛酸化物等から構成される透明陰極層１９と、が順に積層されて構成されている。 - 特許庁

An electronic device includes a drift layer having a first conductivity type, a buffer layer having a second conductivity type, opposite the first conductivity type, on the drift layer and forming a P-N junction with the drift layer, and a junction termination extension region having the second conductivity type in the drift layer near the P-N junction.例文帳に追加

第１の伝導型を有するドリフト層と、前記ドリフト層上にあって、前記第１の伝導型とは反対の第２の伝導型を有し、前記ドリフト層とＰ−Ｎ接合を形成するバッファ層と、前記Ｐ−Ｎ接合の近傍の前記ドリフト層内にあって前記第２の伝導型を有する接合終端拡張領域とを含む電子デバイスを提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing semiconductor device comprises the steps of adhering a silicon wafer 10 to a supporting substrate 8 through an oxide film 20, forming a drain layer 11 by grinding the wafer 10, forming a buffer layer 12 and a high resistance layer 13 on the layer 11 by an epitaxial growth, and forming a MOS gate structure on the surface of the layer 13.例文帳に追加

シリコンウェハ１０を支持基板８と酸化膜２０を介して接着する工程と、上記シリコンウェハ１０を研削してドレイン層１１を形成する工程と、ドレイン層１１の上にバッファ層１２及び高抵抗層１３をエピタキシャル成長で形成する工程と、高抵抗層１３の表面にＭＯＳゲート構造を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

The organic electroluminescent device which has a pair of electrodes composed of an anode and a cathode, and a light emitting layer having a triphenylene derivative showing liquid crystal properties and an electron transport layer between the pair of the electrodes has a triphenylene derivative capable of being vapor-deposited between the light emitting layer and the electron transport layer as a buffer layer.例文帳に追加

陽極及び陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に、液晶性を示すトリフェニレン誘導体を有する発光層、及び電子輸送層とを有する有機電界発光素子であって、前記発光層と前記電子輸送層との間に、蒸着が可能なトリフェニレン誘導体をバッファー層として有する、有機電界発光素子。 - 特許庁

The EL element comprises a thick film dielectric layer 3 formed by a powder calcination method, a thin film dielectric layer 6, a phosphor thin layer 5 interposed between the dielectric layers 3, 6, and a buffer layer 7 made of zinc oxide (ZnO) as a main component interposed between the thin film dielectric layer 6 and a transparent electrode 8.例文帳に追加

粉体焼成法により形成された厚膜誘電体層３と、薄膜誘電体層６と、これらの誘電体層３，６間に蛍光体薄膜５を有するＥＬ素子であって、前記薄膜誘電体６と透明電極８の間に酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とするバッファ層７を有する構成のＥＬ素子およびその製造方法とした。 - 特許庁

To peel a plurality of sets of semiconductor layer groups from one semiconductor substrate by laminating a buffer layer right on the semiconductor device and a peel layer having a selective etching property with respect to the buffer layer, to obtain the semiconductor layer groups of high crystal quality, to save the labor for a substrate recycling stage by eliminating the need for a surface treatment for recycling the semiconductor substrate, and to make the semiconductor substrate not thinner.例文帳に追加

半導体基板直上のバッファ層と、該バッファ層と選択的なエッチング性を備える剥（はく）離層とを積層することによって、１枚の半導体基板から複数組の半導体層群を剥離することができ、高い結晶品質の半導体層群を得ることができ、半導体基板を再利用するために表面処理を行う必要がなく、基板再利用工程を省力化することができ、半導体基板の厚さが薄くなることがないようにする。 - 特許庁

The method for manufacturing a nitride-based single crystal substrate includes steps of: forming a ZnO layer 23 on a base substrate 21; forming a low-temperature nitride buffer layer 24 using dimethyl hydrazine (DMHy) as an N source on the ZnO layer; growing a nitride single crystal 25 on the low-temperature nitride buffer layer; and separating the nitride single crystal from the base substrate by chemically eliminating the ZnO layer.例文帳に追加

窒化物単結晶基板の製造方法は、母基板２１上にＺｎＯ層２３を形成する段階と、上記ＺｎＯ層上にＮソースとしてジメチルヒドラジン（ＤＭＨｙＤＭＨｙ）を使用して低温窒化物バッファ層２４を形成する段階と、上記低温窒化物バッファ層上に窒化物単結晶２５を成長させる段階と、上記ＺｎＯ層を化学的に除去することにより上記母基板から上記窒化物単結晶を分離させる段階とを含む。 - 特許庁

The pressure change in the unit is restrained by providing an air buffer layer A between an end plate 1 and a collector plate 2, and further a hole 8 is provided at the collector plate 2, and pressure in the inside of the air buffer layer A and the unit is automatically released to reduce variation in inner pressure.例文帳に追加

エンドプレート１と集電極板２間にエアーバッファー層Ａを設けることによってユニット内の圧力変化を抑えること、更に、前記集電極板２に穴８を設けて、前記エアーバッファ層Ａとユニット内とを自動放圧させることによって内圧変動を少なくたことを特徴とする。 - 特許庁

In a biofuel cell in which the positive electrode 2 and the negative electrode 1 are faced through an electrolyte layer 3 containing a buffer substance, and the enzyme is immobilized to at least one of the positive electrode 2 and the negative electrode 1, and a compound containing an imidazole ring is contained in the electrolyte layer 3 as the buffer substance.例文帳に追加

正極２と負極１とが、緩衝物質を含む電解質層３を介して対向した構造を有し、正極２および負極１の少なくとも一方に酵素が固定化されているバイオ燃料電池において、電解質層３に緩衝物質としてイミダゾール環を含む化合物を含ませる。 - 特許庁

A single-crystalline or epitaxial buffer layer 12 comprising Pb1-xLax(ZryTi1-y)1-x/4O3 is disposed on the surface of a single crystal substrate 10 and a single-crystalline or epitaxial electrically conductive or semiconductive thin film 14 having an ABO3 type perovskite phase structure is formed on the surface of the buffer layer 12.例文帳に追加

単結晶基板１０の表面に、単結晶状またはエピタキシャル状のＰｂ_1-xＬａ_x（Ｚｒ_yＴｉ_1-y）_1-x/4Ｏ_3からなるバッファ層１２を設けた後に、該バッファ層１２の表面に、単結晶状またはエピタキシャル状でありＡＢＯ_3型ペロブスカイト相構造を有する導電性または半導電性の薄膜１４を形成する。 - 特許庁

A single crystal film having good quality can be formed on a polycrystalline substrate by an epitaxial growth method where a buffer layer is formed by heat-treating the surface of the substrate in arsin atmosphere or a polycrystalline buffer layer is formed at a temperature low enough not to start epitaxial growth of a single crystal.例文帳に追加

そのための成長方法として、基板表面をアルシン雰囲気での熱処理することによるバッファ層、あるいは、通常単結晶が成長しない程度の低温での多結晶体バッファ層を形成することにより、多結晶体基板上に良質な単結晶膜を形成することができる。 - 特許庁

The semiconductor substrate 10 includes: a silicon substrate 1 that has monocrystaline silicon on at least one surface; a buffer layer 2 that is provided in the monocrystaline silicon and has one or more of cobalt silicide layers (2a, 2b, 2c) mainly composed of cobalt silicide; and the silicon carbide single crystal film 3 provided on the buffer layer 2.例文帳に追加

少なくとも一面に単結晶シリコンを有するシリコン基板１と、単結晶シリコン上に設けられた、コバルトシリサイドを主に含んでなるコバルトシリサイド層（２ａ、２ｂ、２ｃ）を一層以上有したバッファ層２と、バッファ層２上に設けられた、炭化珪素単結晶膜３と、を含む半導体基板１０。 - 特許庁

An insulator buffer layer 2 is composed of HfO_2+u or Hf_1-xAl_2xO_2+x+y to reduce the leakage current from both of the insulation buffer layer 2 and a ferroelectric 3 and to provide a memory transistor which retains data for a good long time.例文帳に追加

これは主として、バッファ層及び強誘電体のリーク電流が大きいため、強誘電体が記憶した電気分極を遮蔽するように強誘電体とバッファ層の界面付近に電荷が蓄積されトランジスタのソースドレイン間の電気伝導を強誘電体の電気分極が制御できなくなるためである。 - 特許庁

In the method for successively forming the buffer layer of zinc oxide and the zinc oxide crystalline film on the substrate of, for example, sapphire by an organic vapor deposition process, the zinc oxide buffer layer is formed by utilizing gas of an organic metallic compound like zinc acetylacetonate containing zinc and oxygen without using other gases containing oxygen.例文帳に追加

例えばサファイアの基板上に酸化亜鉛のバッファ層と酸化亜鉛結晶膜とを有機金属気相堆積法で順次形成する方法において、その酸化亜鉛バッファ層は亜鉛と酸素を含む亜鉛アセチルアセトナートのような有機金属化合物のガスを利用して、酸素を含む他のガスを用いることなく形成される。 - 特許庁

The electronic component holder includes a frame body 1, a holding plate 6 for freely detachably holding a semiconductor wafer 4 which is loosely fitted inside the frame body 1 and thinned, and a buffer connection layer 8 for connecting the frame body 1 and the holding plate 6, and flexibility is imparted to the frame body 1, the holding plate 6 and the buffer connection layer 8 respectively.例文帳に追加

枠体１と、この枠体１内に遊嵌されて薄化された半導体ウェーハ４を着脱自在に保持する保持板６と、これら枠体１と保持板６とを連結する緩衝連結層８とを備え、枠体１、保持板６、及び緩衝連結層８に可撓性をそれぞれ付与する。 - 特許庁

A single or multi-color light emitting diode (LED) with high extraction efficiency comprises a substrate 78, a buffer layer 76 formed on the substrate, one or more patterned layers 72 deposited on the top of the buffer layer, and one or more active layers 70 formed on or between the patterned layers.例文帳に追加

高い抽出効率を有する単色またはマルチカラーの発光ダイオード（ＬＥＤ）は、基板７８と、基板上に形成されたバッファ層７６と、バッファ層の上部に堆積された１つ以上のパターニングされた層７２と、パターニングされた層の上または層の間に形成された１つ以上のアクティブ層７０から構成される。 - 特許庁

The buffer layer for the oxide superconductive thin film is formed through such a method wherein a CeO_2 buffer layer 2 of thickness 200 to 2,000 Å is formed on an R plane sapphire board 1 at a deposition speed of 40 to 350 Å/min and at deposition temperature of 630 to 780°C so as to obtain the oxide superconductive thin film having a high critical current density.例文帳に追加

酸化物超伝導薄膜用バッファ層において、Ｒ面サファイア基板１上に、２００Åから２０００Åの膜厚のＣｅＯ_２ バッファ層２を、４０Å／ｍｉｎから３５０Å／ｍｉｎの堆積速度と６３０℃から７８０℃の堆積温度で形成し、高臨界電流密度を得る。 - 特許庁

The optical fiber cord is successively provided with a fiber buffer layer consisting of high-tension fibers and a plastic sheath on a coated optical fiber or coated optical fiber ribbon, in which the fiber buffer layer is subjected to a flame-resisting treatment by a non-halogen flame retardant in the form of powder.例文帳に追加

光ファイバ心線或いは光ファイバテープ心線上に、順次高抗張力繊維からなる繊維緩衝層、プラスチックシースを設けた光ファイバコードにおいて、少なくとも前記繊維緩衝層は、粉末状のノンハロゲン難燃剤によって難燃化処理が施されている難燃性光ファイバコードとすることによって、解決される。 - 特許庁

The metal film 14 performs a role of buffer between the silicon substrate 2 and the insulating layer 20 by this constitution, thereby the silicon substrate 2 can be reliably prevented from sticking to the insulating layer 20 when anodically bonding the silicon substrate 2 with the insulating layer 20.例文帳に追加

このような構成によれば、金属膜１４がシリコン基板２と絶縁層２０間の緩衝の役割を果たすので、シリコン基板２と絶縁層２０を陽極接合する際にシリコン基板２が絶縁層２０に貼り付くことをより確実に防止できる。 - 特許庁

The sealing layer is formed of thin films of one or plural layers, and the edge of largest thin film having the maximum film thickness out of the thin films constituting the sealing layer (organic buffer film 22 or gas barrier layer 24) is located between the insulating film 18 and the peripheral wall 20.例文帳に追加

封止層は、１層または複数層の薄膜で構成され、絶縁膜１８と周辺壁２０との間には、封止層を構成する薄膜のうち最大の膜厚が最も厚い薄膜（有機緩衝膜２２またはガスバリア層２４）の端が位置する。 - 特許庁

A buffer layer 2 made of aluminium nitride with a thickness of 100 nm, a first semiconductor layer 3 made of undoped gallium nitride with a thickness of 1,500 nm and a second semiconductor layer 4 made of undoped gallium nitride with a thickness of 25 nm are formed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１の上には、厚さが１００ｎｍの窒化アルミニウムからなるバッファ層２と、厚さが１５００ｎｍのアンドープの窒化ガリウムからなる第１の半導体層３と、厚さが２５ｎｍのアンドープのアルミニウム窒化ガリウムからなる第２の半導体層４とが形成されている。 - 特許庁

As a result, the N-type clad layer 6, the MQW active layer 7 and the P-type clad layer 8 are grown only on the respective buffer layers 5, and an element isolation groove 4 for separating the respective semiconductor light-emitting elements 3 is of necessity formed between them.例文帳に追加

その結果、各バッファ層５上のみに、Ｎ型クラッド層６、ＭＱＷ活性層７およびＰ型クラッド層８を成長させることができ、各半導体発光素子３間に、それらを分離するための素子分離溝４が必然的に形成される。 - 特許庁

A GaN seed layer 12 for ELOG is formed on a sapphire substrate 11 through the intermediary of a low-temperature GaN buffer layer, and stripe-shaped protuberant parts 12a extending in the plane direction of the substrate and separating from one another by a certain space are provided to the upper part of the GaN seed layer 12.例文帳に追加

サファイアからなる基板１１上に、ＧａＮからなる低温バッファ層を介してＥＬＯＧ用のＧａＮからなるシード層１２を形成し、該シード層１２の上部に基板面方向に互いに間隔をおいて延びるストライプ状の凸部１２ａを形成する。 - 特許庁

The laminate unit 10 is constituted such that there is provided a buffer layer 4 involving conductive ceramics between an electrode layer 3 containing metal or alloy and a dielectric layer 5 containing a bismuth layered compound, with the conductive ceramics having the same crystal plane parallel to a film surface.例文帳に追加

金属または合金を含む電極層３と、ビスマス層状化合物を含む誘電体層５との間に、同一の結晶面が膜面に対して平行な導電性セラミックスを含むバッファ層４を有するように積層体ユニット１０を構成する。 - 特許庁

The nitride semiconductor device includes a buffer layer 102 formed of a first GaN-based semiconductor, a carrier travelling layer 103 formed of a second GaN-based semiconductor, a carrier supply layer 104 formed of a third GaN-based semiconductor, on a substrate 101.例文帳に追加

窒化物半導体装置は、基板１０１上に形成された第１のＧａＮ系半導体からなるバッファ層１０２と、第２のＧａＮ系半導体からなるキャリア走行層１０３と、第３のＧａＮ系半導体からなるキャリア供給層１０４とを備えている。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor 120 has a GaN buffer layer 102 and an n-type GaN layer 103 as group III nitride semiconductor layers formed on a first main surface 101a, and an MQW active layer 104 formed thereon.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体１２０は、第１の主表面１０１ａに形成されたＩＩＩ族窒化物半導体層としてのＧａＮバッファ層１０２およびｎ型ＧａＮ層１０３と、その上に形成されたＭＱＷ活性層１０４とを有する。 - 特許庁

The optical waveguide is manufactured by successively forming the lower clad layer, the optical waveguide core and the upper clad layer which are each made of organic materials after providing the buffer layer made of the silicon oxide or the spin-on glass on the inorganic substrate except the silicon substrate.例文帳に追加

この光導波路は、シリコン基板を除く無機基板上に酸化シリコンまたはスピンオングラスからなるバッファー層を設けた後、各々有機材料からなる下部クラッド層、光導波路コアおよび上部クラッド層を順次形成することより製造される。 - 特許庁

Then after a GaN layer 16 having a prescribed film thickness is grown on the GaN layer 14 by an HVPE method, the self-supporting substrate is formed by removing the GaAs substrate 10 and the GaN buffer layer 12 of a growth substrate 1 by polishing and etching or the like.例文帳に追加

つづいて、ＨＶＰＥ法によりＧａＮ層１４の上に所定膜厚のＧａＮ層１６を成長させたあと、成長基板１のＧａＡｓ基板１０及びＧａＮバッファ層１２を研磨、エッチング等により除去してＧａＮ自立基板を得た。 - 特許庁

The composite film 10 obtained by laminating a base film 11, a buffer layer 12, a barrier layer 13 and a sealant layer in this order is made into a bag, and an aggregate of a solid 20 such as granules or the like is housed in the bag and then degassing packaged or vacuum packaged.例文帳に追加

基材フィルム（１１）、緩衝層（１２）、バリア層（１３）、シーラント層（１４）が順次この順序で積層された複合フィルム（１０）を袋状に製袋し、粒状など固形物の集合体（２０）を内部に収納し、脱気包装又は真空包装した。 - 特許庁

The total thickness of the epitaxially grown layers is controlled to 0.3-1.0 μm by providing the low-temperature-deposited InGaN layer 5 on a sapphire substrate 6 and GaN-based field effect transistor structures 1-3 on the layer 5 through a GaN buffer layer 4.例文帳に追加

サファイア基板６上にＩｎＧａＮ低温堆積層５を設け、そのＩｎＧａＮ低温堆積層５上に、ＧａＮバッファ層４を介して、ＧａＮ系電界効果トランジスタ構造１〜３を設け、成長層の総膜厚を０．３μｍ以上１μｍ以下とする。 - 特許庁