「buffer-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

Two or more pairs of a first layer 31 having a slow growing speed and a second layer 32 having a fast growing speed are stacked to form a buffer layer 3 which has upper-surface unevenness greatly reduced while maintaining high crystallinity.例文帳に追加

遅い成長速度の第１の層３１と速い成長速度の第２の層３２とを２組以上積層することにより、高い結晶性を維持しながら、上面の凹凸を大幅に低減したバッファ層３を形成することができる。 - 特許庁

A buffer layer comprising a metal element which is lower in a specific resistance of oxide and, easier to be oxidized than a contact layer or wiring layer is provided, so that the oxygen dissociated from an ferroelectric oxide and a contact layer contacting it is surely adsorbed, and a barrier layer of metal wiring is assuredly prevented from being oxidized.例文帳に追加

コンタクト層や配線層よりも酸化されやすく、酸化物の比抵抗が低い金属元素から構成される緩衝層を設けることにより、酸化物強誘電体やこれに接触するコンタクト層から解離される酸素を確実に受け止め、金属配線のバリア層などの酸化を確実且つ容易に防ぐことができる。 - 特許庁

After a buffer layer 2, a channel layer 3, and an electron supply layer 4 are grown by an epitaxial method on a backing substrate 1 in an epitaxial growth furnace, a dielectric layer (dielectric film) 5 having a form of an amorphous crystal is grown by an MOCVD method in succession to the electron supply layer 4 in the epitaxial growth furnace.例文帳に追加

エピタキシャル成長炉内で下地基板１上にエピタキシャル法によってバッファ層２、チャネル層３、及び電子供給層４を成長後、該エピタキシャル成長炉内で電子供給層４に続けてＭＯＣＶＤ法によりアモルファス結晶形を有する誘電体層（誘電体膜）５を成長する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a tape base material for superconducting wire rod 2 in which an orientation layer 21 is formed on a metal substrate 10 by an ion beam assisted vapor deposition method and a buffer layer 22 is formed on the orientation layer, lattice distortion of the orientation layer is alleviated by giving a prescribed thermal history to the orientation layer.例文帳に追加

金属基板上１０にイオンビームアシスト蒸着法により配向層２１を形成し、この配向層の上に緩衝層２２を形成する超電導線材用テープ基材２の製造方法において、配向層に所定の熱履歴を与えることにより配向層の格子歪みを緩和する。 - 特許庁

A heterojunction field effect transistor 1 is fabricated by depositing an AlN buffer layer 3, a first GaN layer 4, an AlGaN barrier layer 5, and a second GaN layer 6 in this order on an SiC substrate 2 whose front face is a C surface, and then forming a source electrode 7, a drain electrode 8, and a gate electrode 9 on the GaN layer 6.例文帳に追加

ヘテロ接合電界効果型トランジスタ１は、表面がＣ面であるＳｉＣ基板２の上にＡｌＮバッファ層３、第１のＧａＮ層４、ＡｌＧａＮバリア層５、および第２のＧａＮ層６をこの順番に積層して、ＧａＮ層６の上にソース電極７、ドレイン電極８およびゲート電極９形成する。 - 特許庁

In the field-effect transistor memory element having the ferroelectric material, a ferroelectric layer is composed of a first ferroelectric layer stacked between a buffer layer and an electrode layer, and a second ferroelectric layer stacked to cover a gate stack.例文帳に追加

強誘電体を有する電界効果トランジスタ型記憶素子において、強誘電体層が、バッファ層と電極層の間に積層される第一の強誘電体層と、ゲートスタックを被包するように積層される第二の強誘電体層からなることを特徴とする強誘電体を有する電界効果トランジスタ型記憶素子を提供する。 - 特許庁

The optical information recording medium is constituted by laminating successively a metallic reflective layer 11, a recording layer 12 containing a dyestuff formed by a solvent coating method, deformable buffer layer 13, a protective layer 14 or an additional adhesive layer 15, and a second board 17 on a base 10 having a guide groove.例文帳に追加

案内溝を有する基板１０上に、金属反射層１１と、溶剤塗布法により形成される色素を含有する記録層１２と、変形可能な緩衝層１３と、保護層１４又は更に接着層１５と、第２の基板１７とを順次積層させてなる光情報記録媒体及びその記録／再生方法である。 - 特許庁

A DFB laser device 10, an embedding hetero type having an oscillation wavelength of 1,550 nm, comprises, on an n-InP substrate 12, an n-InP buffer layer 14, an active layer 16, a p-InP spacer layer 18, a grating 20 consisting of GaInAsP layer, and a lamination structure of p-InP first cladding layer 22 in which a grating is embedded.例文帳に追加

ＤＦＢレーザ素子１０は、発振波長が１５５０ｎｍの埋め込みへテロ型であって、ｎ-ＩｎＰ基板１２上に、ｎ-ＩｎＰバッファ層１４、活性層１６、ｐ-ＩｎＰスペーサ層１８、ＧａＩｎＡｓＰ層からなる回折格子２０、及び回折格子を埋め込んだｐ-ＩｎＰ第１クラッド層２２の積層構造を備える。 - 特許庁

In the power semiconductor device as an IEGT, a p-type collector layer 13, an n-type buffer layer 14 and a n-type base layer 15 are formed on a collector electrode in this order, and a main cell 21 and a dummy cell 22 are alternately provided on an upper surface of the n-type base layer 15 along a direction parallel to the n-type base layer 15.例文帳に追加

ＩＥＧＴである電力用半導体装置において、コレクタ電極上にｐ型コレクタ層１３、ｎ型バッファー層１４、ｎ型ベース層１５をこの順に設け、ｎ型ベース層１５上に、ｎ型ベース層１５の上面に平行な方向に沿ってメインセル２１及びダミーセル２２を交互に設ける。 - 特許庁

Between a first semiconductor layer to be a drift layer being a layer in which a component of a semiconductor device will be built and a foundation substrate comprising a silicon carbide single crystal wafer, a buffer layer comprising two or more semiconductor layers of the same conductive type as the drift layer is provided by epitaxial growing.例文帳に追加

半導体装置の構成要素が作りこまれるための層であるドリフト層となる第１の半導体層と，炭化珪素単結晶ウエハからなる下地基板の間に，ドリフト層と同一伝導型の２層以上の半導体層によって構成されるバッファ層をエピタキシャル成長によって設ける。 - 特許庁

In addition, a hole is prevented from passing through from the organic luminescent layer 16 to the electron injection electrode 24 side by providing the hole blocking layer 18 between the buffer layer 18 and the organic luminescent layer 17, and recombination of the electron and the hole in the organic luminescent layer 16 is expedited to enhance luminous efficiency.例文帳に追加

また、ホールブロック層１８をバッファ層２２と有機発光層１６との間に設けることにより、有機発光層１６から電子注入電極２４側にホールが抜けることを抑制でき、有機発光層１６中における電子とホールとの再結合が促進され、発光効率が向上する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon LSI device having an insulating film which is at most 15 Å in terms of SiO2 by a method wherein physical film thickness of an interface buffer layer which is used for holding excellent interface characteristic with a silicon substrate is reduced with superior controllability while practical existence of the interface buffer layer is maintained.例文帳に追加

シリコン基板との界面特性を良好に保つための界面バッファ層の実質的な存在を維持しつつ、その物理膜厚を制御性良く低減させ、ＳｉＯ_2換算１５オングストローム以下の絶縁膜を有するシリコンＬＳＩデバイスの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The conductivity modulation density N is so determined that the cross current Ic is smaller than the operating current Iop/m (m: the number of IGBTs connected in parallel), and n+ buffer layer density nb and n+ buffer layer thickness db are so determined as to obtain the conductivity modulation density N.例文帳に追加

クロス電流Ｉｃが動作電流Ｉｏｐ／ｍ（ｍは並列接続するＩＧＢＴの個数）よりも小さくなるように導電率変調濃度Ｎを決定し、そのような導電率変調濃度Ｎとなるようにｎ＋バッファ層濃度ｎｂ及びｎ＋バッファ層厚ｄｂを決定する。 - 特許庁

In the method of forming the crystalline zinc oxide thin film on a substrate at a temperature below 400°C, a crystalline buffer layer whose front surface is primarily a (111)-plane is formed on the substrate, and thereafter the zinc oxide thin film is deposited by a vapor phase method on the buffer layer.例文帳に追加

基板上に４００℃未満の温度で結晶性酸化亜鉛薄膜を形成させる方法であって、該基板上に表面が主に（１１１）格子面となる結晶性緩衝層を設けた後、該緩衝層の上に酸化亜鉛薄膜を気相法により堆積させることを特徴とする方法。 - 特許庁

To provide an optical control device which suppresses growth of abnormal grains in an electrode for control formed by plating even when a buffer layer does not exist or the buffer layer is thin such as a laminated crystalline substrate, has broadband characteristics and in which temperature characteristics and substrate damages are improved.例文帳に追加

薄板化した結晶性基板などのように、バッファ層が無い又は薄い場合においても、メッキにより形成する制御用電極に異常粒が成長することを抑制し、広帯域特性を有し、温度特性や基板損傷を改善した光制御デバイスを提供すること。 - 特許庁

In a connecting part (a first connecting part) which connects the second electrode and the auxiliary wiring (a first auxiliary wiring) and the second electrode in the pixel part, either or both of the first buffer layer and the second buffer layer are held by and between the auxiliary wiring (the first auxiliary wiring) and the second electrode.例文帳に追加

画素部において第２の電極と補助配線（第１の補助配線）が電気的に接続される接続部（第１の接続部）では、補助配線（第１の補助配線）と第２の電極との間に第１のバッファー層または第２のバッファー層のいずれか一方、または両方が挟まれている。 - 特許庁

The method of manufacturing the organic thin film solar cell having excellent electrical characteristic and durability is provided by optimizing dopant concentration in a buffer layer to 5.0x10^21 cm^-3 or less for preventing corrosion of the transparent electrode in a process of forming the buffer layer on the transparent electrode.例文帳に追加

透明電極上にバッファー層を形成する工程において、バッファー層中のドーパント濃度を５．０×１０^２１ｃｍ^−３以下とし最適化することで、透明電極の腐食を防ぎ、優れた電気特性と耐久性を有する有機薄膜太陽電池の製造方法。 - 特許庁

After the buffer layer material 6A is coated, this undergoes a heating and melting process and furthermore a drying process, thereby a flat buffer layer 6 is formed on a first electrode 2 in the light-emitting region 1A which is insulation-divided by an insulating membrane or an insulating barrier rib 4.例文帳に追加

緩衝層材料６Ａを塗布した後、これを加熱溶融処理し、更には乾燥処理することによって、絶縁膜３又は絶縁隔壁４によって絶縁区画された発光領域１Ａ内の第１電極２上に平坦な緩衝層６を形成する。 - 特許庁

On the buffer layer of a sapphire single crystal substrate having a buffer layer, a thin film of high temperature superconducting oxide (RE)BCO into which 1% or more of cavities are introduced is provided through an intermediate thin film of (RE')Ba_2Cu_3O_7 where RE' different from RE of the (RE)BCO thin film is selected.例文帳に追加

バッファ層を有するサファイア単結晶基板のバッファ層上に、１％以上の空孔を導入した高温超電導酸化物 (RE)BCO 薄膜を、間に (RE)BCO 薄膜とは異なるRE’を選んだ (RE’)Ba_2Cu_3O_7の中間層薄膜を介して設けた多層構造の(RE)BCO 薄膜及びその製造方法。 - 特許庁

In a non-punch through-trench IGBT device with extremely low voltage drop quantity V_CEON, an n^- non-epitaxial float zone 126 constituting a part of a buffer area is formed in a single crystal silicon wafer 125 and an additional depletion stop layer 30 to be an n^+ buffer layer is formed on the surface of its bottom.例文帳に追加

極めて低い電圧低下量Ｖ_CEONの非パンチスルートレンチＩＧＢＴデバイスにおいて、単結晶シリコンウエハ１２５中に、バッファー領域の一部を構成するＮ^−非エピタキシャルフロートゾーン１２６とその底部表面にＮ^＋バッファー層である追加の空乏ストップ層３０を設ける。 - 特許庁

This solves the problem that the data written in a conventional MFIS transistor vanishes within a day or a little longer mainly because large leakage current from the buffer layer and the ferroelectric prevents electric polarization of the ferroelectric from controlling electric conduction between the source drains of transistors in which electric charges are accumulated around an interface between the ferroelectric and the buffer layer so that they shield electric polarization stored in the ferroelectric.例文帳に追加

本願発明においては、絶縁体バッファ層２をHfO_2+uあるいはHf_1-xAl_2xO_2+x+yで構成することにより、絶縁体バッファ層２と強誘電体３の両方のリーク電流を低く押さえることができ、データ保持時間が真に充分長いメモリトランジスタが実現する。 - 特許庁

Further, an n-type buffer layer 3 is selectively formed on the lower main surface of a silicon substrate 1, and an n-type cathode area 6 constituted of n-type semiconductor containing n-type impurity in a comparatively high concentration is selectively formed in the surface of the n-type buffer layer 3.例文帳に追加

また、シリコン基板１の下主面表面内には、ｎ型バッファ層３が選択的に形成され、ｎ型バッファ層３の表面内にはｎ型不純物を比較的高濃度に含んだｎ型半導体層で構成されたｎ型カソード領域６が選択的に形成されている。 - 特許庁

In the machine component 126g which is mainly composed of a silicon material and has a through hole 126k to which a shaft member 126f can be fitted, the inner peripheral surface of the through hole is covered by a stress buffer layer 126s, and the stress buffer layer can be brought into contact with the shaft member.例文帳に追加

シリコンを主成分として構成され、軸部材１２６ｆを嵌合可能な貫通孔１２６ｋを有する機械部品１２６ｇにおいて、貫通孔の内周面が応力緩和層１２６ｓで覆われており、応力緩和層が軸部材に当接可能に構成されている。 - 特許庁

The branch joint is provided with a conductor connecting pipe 10 for connecting the conductors 21, 22, and 23 of a main line and a branch line butted against each other, a buffer layer 50 formed on the periphery of the conductor connecting pipe 10 for absorbing expansion and shrinkage in the connecting pipe 10, and an integral protective cover 40 covering the buffer layer 50.例文帳に追加

突き合せた幹線と分岐線の各導体21、22、23を接続する導体接続管10と、導体接続管10の外周に形成されて同接続管10の膨張収縮を吸収する緩衝層50と、緩衝層50の外周を覆う一体の保護カバー40とを具える。 - 特許庁

A buffer layer is formed on a radiation surface on which the terahertz wave L3 is radiated of the nonlinear optical crystal, and a refractive index in a frequency band near-infrared from visible light of the buffer layer is set smaller than that of the nonlinear optical crystal in the same frequency band.例文帳に追加

非線形光学結晶のテラヘルツ波Ｌ３が放射される放射面上に、緩衝層が形成されており、緩衝層の可視光から近赤外の周波数帯域における屈折率は、非線形光学結晶の同周波数帯域における屈折率よりも小さく設定される。 - 特許庁

A waveguide optical switch is created by using whisker electrodes utilizing ZnO whiskers, forming a flat buffer layer on the tip parts of whiskers, forming waveguides on the surface of the buffer layer by silk printing or the like, and arranging the other counter electrode.例文帳に追加

ＺｎＯウィスカーを利用したウィスカー電極を用い、ウィスカーの先端部に平坦なバッファー層を形成し、その上に導波路をシルク印刷などにより形成し、対向するもう一つの電極を配置する構成の導波路光スイッチを作成することによって、従来の課題を解決した。 - 特許庁

In this compound semiconductor wafer 1 formed by growing a plurality of compound semiconductor layers 3 on the substrate 2 respectively, a buffer layer 4 is grown on the substrate 2 by a liquid phase epitaxial method, and respective compound semiconductor layers 3 are grown on the buffer layer 4 by a vapor phase growth method.例文帳に追加

基板２上に複数の化合物半導体層３をそれぞれ成長させて作製される化合物半導体ウェハ１において、基板２上にバッファ層４を液相エピタキシャル法で成長させ、バッファ層４上に各化合物半導体層３を気相法でそれぞれ成長させたものである。 - 特許庁

The semiconductor laser is constituted, in such a way that due to the composition of a semiconductor layer, forbidden band gap widths of buffer layers 105 and 107 are larger than those of an active layer 106, and the forbidden gap widths of clad layers 104 and 108 are larger than those of buffer layers 105 and 107 that contact each of them.例文帳に追加

本発明の半導体レーザは、半導体層の組成より、活性層１０６よりバッファ層１０５、１０７の禁制帯幅が大きく、またクラッド層１０４、１０８の禁制帯幅は、それぞれに接するバッファ層１０５、１０７の禁制帯幅より大きくなるように構成する。 - 特許庁

A manufacturing method of a thin film transistor comprises the steps of forming at least one buffer layer on a substrate, forming a first semiconductor layer on the buffer layer, forming a doped second semiconductor layer on the first semiconductor layer, forming a source electrode and a drain electrodes by patterning the second semiconductor layer, forming a gate insulating film on the source electrode and the drain electrode, and forming the gate electrode on the gate insulating film.例文帳に追加

基板上に少なくとも一つのバッファー層を形成する段階と、前記バッファー層上に第１半導体層を形成する段階と、前記第１半導体層上にドーピングされた第２半導体層を形成する段階と、前記第２半導体層をパターニングしてソース及びドレイン電極を形成する段階と、前記ソース及びドレイン電極上にゲート絶縁膜を形成する段階及び前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する段階とを含む。 - 特許庁

A semiconductor substrate (1, 2, 3, 4, 5) is formed laminating a non-doped GaAs buffer layer 2, a non-doped InGaAs channel layer 3, an n-type AlGaAs electron supply layer 4, and an n-type GaAs contact layer 5 on a semi- insulating GaAs substrate 1 in order by epitaxial growth.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に、ノンドープＧａＡｓバッファ層２，ノンドープＩｎＧａＡｓチャネル層３，ｎ型ＡｌＧａＡｓ電子供給層４，ｎ型ＧａＡｓコンタクト層５がエピタキシャル成長により順次に積層されて、半導体基板（１，２，３，４，５）が形成されている。 - 特許庁

A stress-relaxing layer 20, comprising a buffer part 21 and a conductive part 22, consisting of nickel layer (conductive layer) 24 and a solder layer 23 and electrically connects an emitter electrode 25 to a circuit side electrode, is provided on the emitter electrode (element-side electrode) 25 on a semiconductor element 10.例文帳に追加

半導体素子１０上のエミッタ電極（素子側電極）２５の上に、緩衝部２１および、ニッケル層（導電性層）２４と半田層２３とからなる導電部２２を有し、エミッタ電極２５と回路側電極とを電気的に接続する応力緩和層２０が設けられている。 - 特許庁

A buffer layer 12 composed of silicon dioxide (SiO_2) of a thickness 400 nm, an adhesion layer 13 composed of titanium (Ti), an energy absorption layer 14 composed of molybdenum (Mo) of a thickness 200 nm, and a catalyst layer 15 composed of iron (Fe) are successively formed on the substrate 11 composed of silicon.例文帳に追加

シリコンよりなる基板１１に、厚み４００ｎｍの二酸化シリコン（ＳｉＯ_2 ）よりなるバッファ層１２、チタン（Ｔｉ）よりなる密着層１３、厚み２００ｎｍのモリブデン（Ｍｏ）よりなるエネルギー吸収層１４および鉄（Ｆｅ）よりなる触媒層１５を順に形成する。 - 特許庁

An aluminum alloy covered with an aluminum oxide layer is used as a base material, and, on the outside of the base material, a conductive layer, a buffer layer improving adhesion with the base material and compensating the hardness of the base material, and a diamond like carbon layer are formed in order from the base material side.例文帳に追加

酸化アルミニウム層で覆われているアルミニウム合金を基材とし、前記基材の外側に前記基材側から順に、導電層、前記基材との密着性を向上させ、前記基材の硬度を補うためのバッファー層、及びダイヤモンドライクカーボン層を形成する。 - 特許庁

The structure of the semiconductor switch comprises Al electrode/p-type single crystal silicon carbide layer, gradient composition layer/n-type single crystal silicon substrate/Al electrode (Al/p-SiC/GCL/n-Si/Al) while the gradient composition layer is a buffer layer between p-SiC and n-Si.例文帳に追加

前記半導体スイッチの構造は、Ａｌ電極／ｐ型単結晶炭化シリコン層／勾配組成物層／ｎ型単結晶シリコン基板／Ａｌ電極（Ａｌ/ｐ−ＳｉＣ／ＧＣＬ／ｎ−Ｓｉ／Ａｌ）を含み、前記勾配組成物層はｐ−ＳｉＣとｎ−Ｓｉの間の緩衝層である。 - 特許庁

MOSFETs, in each of which a thin-film SiGe buffer layer and a strained Si channel grown on an insulating film are stacked, and an HBT (hetero-bipolar transistor) having a SiGe base layer epitaxially grown on the same thin-film SiGe layer and a Si emiter layer thereon, are formed to constitute a composite structure.例文帳に追加

絶縁膜上に薄膜ＳｉＧｅバッファ層とひずみＳｉチャネルを積層したＭＯＳＦＥＴおよび、同じく薄膜ＳｉＧｅ層上にエピタキシャル成長したＳｉＧｅベース層およびその上のＳｉエミッタ層を有するＨＢＴを複合化した構造を採用する。 - 特許庁

On one principal surface of an n-type Si substrate 11, the nitride-based group III-V compound semiconductor layer 13, an n-type active layer 14, and a p-type nitride-based group III-V compound semiconductor layer 15 are grown with a buffer layer 12 interposed therebetween to form the light emitting diode structure.例文帳に追加

ｎ型Ｓｉ基板１１の一方の主面に、バッファ層１２を介してｎ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１３、活性層１４およびｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を成長させて発光ダイオード構造を形成する。 - 特許庁

In a separation layer dissipation process α, the temperature of a reaction chamber (heat treatment temperature T_x) is elevated to about 1,000°C and a protection layer B having a film thickness of about 10 μm is separated from a ground substrate side (a sapphire substrate 101 having a buffer layer 102) by pyrolytically decomposing (vaporizing) a separation layer A.例文帳に追加

分離層消失工程αでは、反応室の温度（熱処理温度Ｔ_X ）を約１０００℃まで昇温し、分離層Ａを熱分解（気化）することにより、下地基板側（バッファ層１０２を有するサファア基板１０１）から膜厚約１０μｍの保護層Ｂを分離する。 - 特許庁

A group III nitride semiconductor light-emitting element comprises: a sapphire substrate 10 on which an uneven shape is formed; and an n-type layer, a light-emitting layer, and a p-type layer that are sequentially stacked on a surface of the sapphire substrate 10 at the uneven shape side via a buffer layer and are composed of a group III nitride semiconductor.例文帳に追加

実施例１のIII 族窒化物半導体発光素子は、凹凸形状が形成されたサファイア基板１０と、サファイア基板１０の凹凸形状側表面上に、バッファ層を介して順に積層された、III 族窒化物半導体からなるｎ型層、発光層、ｐ型層と、を有している。 - 特許庁

In the nitride semiconductor light emitting diode, at least an n-type foundation layer (4), a strain relaxing layer (11), an InGaN buffer layer (12), a light emitting layer (6) which contains an InGaN quantum well and has a peak wavelength of 440 nm or more and p-type layers (6, 7) are laminated on a substrate (1).例文帳に追加

基板(１)上に少なくとも、ｎ型下地層(４)と、歪緩和層(１１)と、ＩｎＧａＮバッファ層(１２)と、ＩｎＧａＮ量子井戸を含む発光のピーク波長が４４０ｎｍ以上である発光層(６)と、ｐ型層(６，７)とが積層されている窒化物半導体発光ダイオーである。 - 特許庁

In each solar cell unit, portions of the photoelectric conversion layer, the buffer layer, and the insulating layer, facing against the opening grooves are reformed to form a contact layer conducting the back electrode and the transparent electrode, and each solar cell unit is electrically connected in series by the contact layers.例文帳に追加

各太陽電池ユニットには光電変換層、バッファ層および絶縁層の開口溝に面した部分が改質されて裏面電極と透明電極とを導通させるコンタクト層が形成されており、コンタクト層により各太陽電池ユニットが電気的に直列に接続されている。 - 特許庁

The semiconductor wafer 100 includes a semiconductor substrate (for example, a GaAs substrate 101 and a buffer layer 102), a peeling layer 103 formed thereupon, and a compound semiconductor epitaxial layer 104 formed thereupon, the peeling layer 103 being ≥20 to <200 nm thick.例文帳に追加

半導体ウェハ１００は、半導体基板（例えば、ＧａＡｓ基板１０１及びバッファ層１０２）と、この上に形成された剥離層１０３と、この上に形成された化合物半導体エピタキシャル層１０４とを有し、剥離層１０３の厚さを２０ｎｍ以上２００ｎｍ未満にしたものである。 - 特許庁

This semiconductor photo-electric cathode has a semiconductor optical absorption layer 3 formed on a buffer layer 2 on a substrate 1 and for converting incident light into an electron; and an alkali metal-containing layer 5 formed on the semiconductor optical absorption layer 3 and for emitting the electron into vacuum.例文帳に追加

本半導体光電陰極は、基板１との間に介在するバッファ層２上に設けられ入射した光を電子に変換する半導体光吸収層３と、半導体光吸収層３上に設けられ電子を真空中に放出させるためのアルカリ金属含有層５とを備える。 - 特許庁

A buffer layer 12 composed of AlN, a channel layer 13 composed of undoped GaN, and a carrier supply layer 14 composed of AlGaN are sequentially formed on a substrate 11, and a cross-sectional V-shaped recessed portion 14b is formed on the upper part of the carrier supply layer 14.例文帳に追加

基板１１の上にＡｌＮからなるバッファ層１２、アンドープのＧａＮからなるチャネル層１３及びＡｌＧａＮからなるキャリア供給層１４とが順次形成されており、キャリア供給層１４の上部には断面Ｖ字形状の凹部１４ｂが設けられている。 - 特許庁

The elastic layer 220 elastically deforms so as to fasten the adhesive layer 210 to the section to be driven of the mounting person and to buffer the transmission of assisting power between the adhesive layer 210 and the power transmission layer 230 when the assisting power of the mounting type operation assisting device increases.例文帳に追加

弾性層２２０は、密着層２１０を装着者の被駆動部位に締付けると共に、装着式動作補助装置の補助動力が増大した場合には密着層２１０と動力伝達層２３０との間の補助動力の伝達を緩衝するように弾性変形する。 - 特許庁

The optical waveguide includes a lower clad layer, an optical waveguide core and an upper clad layer which are each made of organic materials and successively formed on the inorganic substrate except a silicon substrate, and a buffer layer made of silicon oxide or spin-on glass between the inorganic substrate and the lower clad layer.例文帳に追加

光導波路は、シリコン基板を除く無機基板上に各々有機材料からなる下部クラッド層、光導波路コアおよび上部クラッド層が順次形成されており、無機基板と下部クラッド層との間に酸化シリコンまたはスピンオングラスからなるバッファー層が設けられている。 - 特許庁