「buffer-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

The laminated foundation layer is formed on an AlN buffer layer formed on a silicon substrate and includes a plurality of AlN foundation layers and a plurality of GaN foundation layers alternately laminated one on top of another.例文帳に追加

積層下地層は、シリコン基板の上に形成されたＡｌＮバッファ層の上に形成され、交互に積層された複数のＡｌＮ下地層と複数のＧａＮ下地層とを含む。 - 特許庁

The buffer layer 2 has first and second amorphous semiconductor layers 2a, 2c and a single crystal semiconductor layer 2b locating between the first and the second amorphous semiconductor layers 2a, 2c.例文帳に追加

バッファ層２は第１及び第２アモルファス半導体層２ａ，２ｃと、第１及び第２アモルファス半導体層２ａ，２ｃ間に介在する単結晶半導体層２ｂとを備える。 - 特許庁

The first crystalline layer 14 is provided on the buffer layer 12, contains InAlGaN, and has a top surface 14a provided above a top surface 10a of the substrate 10.例文帳に追加

第１結晶層１４は、前記第１バッファ層１２の上に設けられ、ＩｎＡｌＧａＮを含み、前記基板１０の上面１０ａよりも上方に設けられた上面１４ａを有する。 - 特許庁

To provide a waste-processing system preventing a packet exceeding an accumulation limit from being wasted illegally in a packet buffer in a layer-2-switch or a layer-3-switch.例文帳に追加

レイヤ２スイッチやレイヤ３スイッチにおいて、パケットバッファに滞留限界を超えたパケットが不正に廃棄される問題が発生するため、その問題を回避する廃棄処理方式を提供する。 - 特許庁

The vertical MOSFET which has a semiconductor substrate layer and a drift layer, provided above the semiconductor substrate layer and having a lower impurity concentration than the semiconductor substrate layer is provided with a buffer layer which continuously varies in impurity concentration, with the depth position within an impurity range being lower than the impurity concentration of the semiconductor layer and higher than the impurity concentration of the drift layer between the semiconductor substrate layer and drift layer.例文帳に追加

半導体基板層と、半導体基板層の上方に設けられて半導体基板層の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有するドリフト層と、を有する縦型ＭＯＳＦＥＴにおいて半導体基板層とドリフト層との間に半導体基板層の不純物濃度よりも低く且つドリフト層の不純物濃度よりも高い不純物濃度範囲において、その深さ位置に応じて不純物濃度が順次変化しているバッファー層を設ける。 - 特許庁

When the buffer layer 102 is provided on a silicon substrate 101, particularly, an element having atomic radius larger than that of silicon is used as the impurity.例文帳に追加

特に、シリコン基板１０１上の低温緩衝層に添加する不純物は、珪素より原子半径を大とする不純物とする。 - 特許庁

A self buffer memory 12 stores the ATM cell switched by an ATM switching function part 11 at every PHY layer function part 2.例文帳に追加

セルバッファメモリ１２は、ＡＴＭスイッチング機能部１１によりスイッチングされたＡＴＭセルを、各ＰＨＹレイヤ機能部２毎に格納する。 - 特許庁

Besides, a buffer layer 46 is interposed between the silicon wafer 28 where the contact terminal 42 is formed and a wiring board 70 and integrated.例文帳に追加

更に、該接触端子４２を形成したシリコンウェハ２８と配線基板７０との間に、緩衝層４６を挾みこんで一体とする。 - 特許庁

In addition, the major diameter part 4 acts as a buffer layer with respect to side pressures and, therefore, the excellent side pressure resistance is the obtained and the gripping and fixing of the terminal is facilitated.例文帳に追加

また側圧に対して長径部が緩衝層として働くため耐側圧性に優れ、端末の把持、固定が容易である。 - 特許庁

To provide a thin film solar cell which can film-form a buffer layer by using a dry process and has high efficiency, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

バッファ層をドライプロセスを用いて成膜できると共に、効率の高い薄膜太陽電池、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

After an insulating film 9 is formed on the gate electrode 8, the rear surface of the N^+-buffer layer 2 is irradiated with a first laser light beam to be planarized.例文帳に追加

ゲート電極８上に絶縁膜９を形成後、Ｎ^＋バッファ層２の裏面に第１のレーザを照射して裏面を平坦化する。 - 特許庁

To provide a breathable buffer sheet with a self adhesive layer that can increase a quantity of airflow, thereby leading water vapor etc., from a working surface.例文帳に追加

施工面からの水蒸気等を導く通気量の増大を図ることができる粘着層付き通気緩衝シートを提供する。 - 特許庁

Recessed surfaces 22a, 22b are formed by grinding on one main surface of a semiconductor device 10 on which surface an N+ buffer layer 15 is formed.例文帳に追加

半導体装置１０のＮ^＋型バッファ層１５を形成した側の主面に、研削によって凹面部２２ａ，２２ｂを形成する。 - 特許庁

The boron phosphide buffer layer is amorphous through low temperature growth and it is desirable to eliminate lattice mismatching to substrate crystal.例文帳に追加

リン化硼素系緩衝層は、低温成長させた非晶質のものとし、基板結晶との格子不整合を解消させるのが好ましい。 - 特許庁

A cell counter 14 counts the ATM cells at every PHY layer function part 2 stored in the cell buffer memory 12 as the number of stand-by cells.例文帳に追加

セルカウンタ１４は、セルバッファメモリ１２に格納された各ＰＨＹレイヤ機能部２毎のＡＴＭセルを待機セル数としてカウントする。 - 特許庁

An optical waveguide is disposed on the surface within an electrooptical substrate or near the same and a buffer layer is formed on the surface of the substrate.例文帳に追加

光導波路が電気光学基板内の表面または近傍に設けられ、バッファ層がこの基板の表面に形成されている。 - 特許庁

The buffer layer is formed under a condition of which silicon-based material gas is diluted at high level with diluent gas until the silicon-based material gas can be crystallized.例文帳に追加

前記バッファ層は、シリコン系原料ガスが、希釈ガスで、結晶化し得る程度まで高度に希釈された条件で形成される。 - 特許庁

In one preferred embodiment, the buffer layer includes a nylon 12 resin with a nominal elastic modulus of approximately 1,503 MPa (approximately 218,000 psi).例文帳に追加

好ましい一実施例において、緩衝層は弾性係数が約１５０３Ｍｐａ（約２１８，０００ｐｓｉ）であるナイロン１２樹脂を含む。 - 特許庁

A ceria family buffer layer 4 containing a ceria family electrolyte is interposed between an electrolyte substrate 1 which is the electrolyte membrane and the air electrode.例文帳に追加

電解質膜である電解質基板１と空気極２との間に、セリア系電解質を含むセリア系バッファー層４を配置する。 - 特許庁

A buffer layer which is not figured can be provided between the ITO film 2 and the metal reflection electrode 3 for preventing peeling of the ITO film.例文帳に追加

ＩＴＯ膜２と金属反射電極３との間に、ＩＴＯ膜剥離防止のために、図示しないバッファ層を設けることもできる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a III-V compound semiconductor which dopes oxygen into a buffer layer to reduce leakage current in pinch- off.例文帳に追加

バッファ層に酸素をドーピングしてピンチオフ時のリーク電流を低減するIII −Ｖ族化合物半導体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a GaN-based HEMT that is formed by utilizing a GaN-HEMT on Si substrate and prevents carrier storage layers from existing in the multilayer (GaN/AlN) buffer layer and Si substrate.例文帳に追加

GaN-HEMT on Si基板を利用して形成されるGaN系HEMTにおいて、多層(GaN/AlN)バッファ層及びSi基板中にキャリア蓄積層が存在しない。 - 特許庁

A buffer layer formed of the same semiconductor material as that of a retaining substrate is arranged on the retaining substrate composed of semiconductor material.例文帳に追加

半導体材料からなる支持基板の上に、支持基板と同一の半導体材料で形成されたバッファ層が配置されている。 - 特許庁

A single-crystal semiconductor separated from a single-crystal semiconductor substrate is formed partly over a supporting substrate with a buffer layer provided therebetween.例文帳に追加

支持基板上に、バッファ層を介して単結晶半導体基板から分離させた単結晶半導体を部分的に形成する。 - 特許庁

The buffer film 15 and 1st insulating film 4 are processed by dry etching to form an opening part 6 reaching the 1st wiring layer 3.例文帳に追加

その後、バッファ膜１５及び第１の絶縁膜４のドライエッチングを行い、第１の配線層３に到達する開口部６を形成する。 - 特許庁

On a buffer layer 22, a first earth electrode 25-1, a signal electrode 24, and a second earth electrode 25-2 are formed.例文帳に追加

バッファ層２２上には第１の接地電極２５−１、信号電極２４、及び第２の接地電極２５−２が形成されている。 - 特許庁

The dielectric regions extend in a vertical direction from at least just beneath the body region down at least into the buffer layer.例文帳に追加

誘電体領域は、少なくともボディ領域の下から下方に垂直方向に延在して少なくともバッファ層にまで達する。 - 特許庁

This buffer label is constituted by laminating a synthetic resin foamed sheet, a lining sheet, the tacky adhesive layer and a release sheet in this order.例文帳に追加

合成樹脂発泡シート、裏打ちシート、粘着剤層及び剥離シートがこの順に積層されてなることを特徴とする緩衝ラベル。 - 特許庁

The biasing electrodes are at least partly separated from the substrate by the buffer layer having some conductivity in an embodiment.例文帳に追加

バイアス電極は、一実施形態では若干の導電率を有するバッファ層によって少なくとも部分的に基板から分離されている。 - 特許庁

To provide means for removing a stain due to n-type impurities such as Si and S, which form in an interface between a substrate and a buffer layer.例文帳に追加

基板とバッファ層の界面に発生するＳｉやＳなどのｎ型不純物による汚染を除去する手段を提供すること。 - 特許庁

The solid-state image sensor has a shunt wiring layer 7d comprising a refractory metal layer 13 to the transfer electrode of a charge transfer portion and has a connection between the transfer electrode or a buffer layer 11d and a shunt wiring layer 7d through an adhesion layer 14 comprising a silicon nitride film at the contact part of this shunt wiring layer 7d.例文帳に追加

電荷転送部の転送電極に対して高融点金属層１３から成るシャント配線層７ｄを有し、このシャント配線層７ｄのコンタクト部において転送電極又は緩衝層１１ｄとシャント配線層７ｄとの間が窒化珪素膜から成る密着層１４を介して接続されている固体撮像素子を構成する。 - 特許庁

On a buffer layer 23, an n-type InGaAs channel layer 24 having a large electron affinity and high impurity concentration, an InGaAs channel layer 25 having a large electron affinity and low impurity concentration, an n-type AlGaAs barrier layer (electron feeding layer) 26 having a small electron affinity and high impurity concentration, and an n+-type GaAs contact layer 27, are stacked.例文帳に追加

バッファ層２３の上に、電子親和力が大きくて高不純物濃度のｎ型ＩｎＧａＡｓチャネル層２４、電子親和力が大きくて低不純物濃度のＩｎＧａＡｓチャネル層２５、電子親和力が小さくて高不純物濃度のｎ型ＡｌＧａＡｓ障壁層（電子供給層）２６、ｎ^＋型ＧａＡｓコンタクト層２７を積層する。 - 特許庁

The element structure comprises a sapphire C face substrate 1, a GaN buffer layer 11 grown under a low temperature, an undoped GaN layer 12, an Si doped n-GaN contact layer 21, a multiple quantum well MQW emission layer 3 having a plurality of well layers, an Mg doped p-AlGaN clad layer 22, and an Mg doped p-GaN contact layer 23.例文帳に追加

素子構造は、サファイアＣ面基板１、低温成長されたＧａＮバッファ層１１、無添加のＧａＮ層１２、Ｓｉ添加のｎ-ＧａＮコンタクト層２１、複数の井戸層を有する多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の発光層３、Ｍｇ添加のｐ-ＡｌＧａＮクラッド層２２、Ｍｇ添加のｐ-ＧａＮコンタクト層２３からなる。 - 特許庁

In this manufacturing method of the photovoltaic device in pin junction structure with amorphous silicon as a main material, a p-type layer 3 is formed and then hydrogen plasma treatment is made to the p-type layer 3, then CO2 plasma treatment is made for oxidizing a p-type layer surface, and a buffer layer 4a is formed between the p-type layer and an i-type layer.例文帳に追加

非晶質シリコンを主材料としたｐｉｎ接合構造を有する光起電力装置の製造方法において、ｐ型層３を形成後にこのｐ型層３に水素プラズマ処理を施し、その後ＣＯ_2プラズマ処理を行いｐ型層表面を酸化させて、ｐ型層とｉ型層との間のバッファ層４ａを形成する。 - 特許庁

A long-wavelength photodetector epitaxial wafer 10 is equipped with an InGaAs layer 3 serving as a photodetection layer and an InP layer 4 serving as a window layer, wherein the InGaAs layer 3 is high in As concentration at an interface 5 between the layers 4 and 3 and gradually reduced in As concentration toward an InP buffer layer 2.例文帳に追加

受光層としてのＩｎＧａＡｓ層３と、窓層としてのＩｎＰ層４とを備える長波長受光素子用のエピタキシャルウェーハ１０において、ＩｎＧａＡｓ層３とＩｎＰ層４との界面５近傍のＩｎＰ４層側は、Ａｓ濃度が界面５で高く、その界面から徐々に低減していく構成を有する、ことを特徴としている。 - 特許庁

In a compound semiconductor 1 composed of a buffer layer 3 and a compound semiconductor layer 4 formed on a substrate 2, the surface of at least either of the buffer layer 3 and the compound semiconductor layer 4 is formed into a wavelike surface having an unevenness in a specific direction; thus strain energy in the crystal can be reduced and dislocation density by the crystal defects can be reduced.例文帳に追加

基体２上に、バッファ層３と化合物半導体層４とが形成された化合物半導体１において、バッファ層３及び化合物半導体層４の少なくとも一方の表面を特定の方向に凹凸を有する波状面とすることにより、結晶内部の歪エネルギーを低減することができ、結晶欠陥による転位密度を低減することが可能とされる。 - 特許庁

To provide a buffer building material capable of preventing a person of advanced age and an infant from being injured and preventing the occurrence of its peeling-off and chipping, having a buffer layer having an adequate buffering property on a vertical face, and also having excellent designability.例文帳に追加

高齢者や幼児が負傷することなく、剥離したり欠けたりすることがなく、適度な緩衝性を有する緩衝層を垂直面に設けて意匠性も兼ね備えた緩衝建材を提供すること。 - 特許庁

By forming a buffer oxide film (buffer film) 103 on an entire structure including the metal wiring 101A, plasma damage caused in a process for forming the inter-metal-layer insulating film 104 as a post-process thereof is prevented.例文帳に追加

この金属配線１０１Ａを含む全体構造上にバッファ酸化膜（バッファ膜）１０３を形成することにより、後工程で金属層間絶縁膜１０４を形成する工程の際のプラズマ損傷を防止する。 - 特許庁

An RLC-PDU generator (124) generates an RLC-PDU by adding an appropriate RLC layer header to an RLC-SDU output from an RLC-SDU buffer (122) or a retransmission buffer (123).例文帳に追加

ＲＬＣ−ＰＤＵ作成部（１２４）は、ＲＬＣ−ＳＤＵバッファ部（１２２）または再送バッファ部（１２３）から出力されたＲＬＣ−ＳＤＵに適切なＲＬＣ層のヘッダを付加してＲＬＣ−ＰＤＵを作成する。 - 特許庁

The material 10 for laying on the floor comprises a carpet layer 11 discontinuously arranged with joining materials 11a consisting of thermoplastic resins on the rear surface and a buffer material layer 11 laminated across the joining materials 11a on the backside of the carpet layer 11.例文帳に追加

フロア敷設材１０は、熱可塑性樹脂からなる接合材１１ａが裏面に不連続に配設されたカーペット層１１と、カーペット層１１の裏面に接合材１１ａを介して積層された緩衝材層１２とからなる。 - 特許庁

The magnetic tunnel junction element is formed on a buffer layer 30 so that the position of the bottom surface 42L of the tunnel barrier layer 42 can be formed higher than that of the top surface 60U of the TaO layer 60 of the element side wall conductive film.例文帳に追加

素子側壁導電性膜であるＴａＯ層６０の上面６０Ｕよりも、トンネルバリア層４２の下面４２Ｌの位置のほうが高く形成できるように、バッファ層３０上に磁気トンネル接合素子を形成する。 - 特許庁

A thermal stress reducing layer which reduces the thermal stress due to the difference in the coefficients of linear expansion between the single-crystal substrate 1 and the device layer 3 on the basis of its dislocation introducing deformation is provided in the buffer layer 2.例文帳に追加

そして、バッファ層２内には、単結晶基板１と素子層３との線膨張係数差に起因して生ずる熱応力を自身の転位導入変形に基づいて緩和する熱応力緩和層が設けられている。 - 特許庁

A p^- diffusion layer 11 and a p^+ diffusion layer 12 contacting it are formed right below the high-potential wiring 9 in contact with an n drain buffer layer 10 to lower electric field intensity of an insulating film 44a that the high-potential wiring 9 crosses.例文帳に追加

高電位配線９の直下にｎドレインバッファ層１０と接してｐ^-拡散層１１とこれに接するｐ^+拡散層１２を形成することで、高電位配線９が横切る絶縁膜４４ａの電界強度を低下できる。 - 特許庁

Thereby, the lifetime value from interface of the first semiconductor layer 1 and a second semiconductor layer 2 to a cathode side end of a region, in which the net doping concentration of the broad buffer structure in the first semiconductor layer becomes maximum, becomes generally uniform.例文帳に追加

これによって、第１半導体層１と第２半導体層２との界面から、第１半導体層内のブロードバッファ構造のネットドーピング濃度が極大となる領域のカソード側の端部までのライフタイム値が概ね一様となる。 - 特許庁

Since the thickness of the rubber layer 26 is made equal to or greater than the thickness of the reinforcing layer 24, a buffer effect by this rubber layer 26 is sufficiently obtained and a cut (crack) due to an impact from a road surface is prevented from occurring in the pneumatic tire 10.例文帳に追加

また、ゴム層２６の厚みが補強層２４の厚み以上にされているので、このゴム層２６による緩衝効果が充分に得られ、路面からの衝撃によるカット（亀裂）が空気入りタイヤ１０に生じ難くなる。 - 特許庁