「buffer-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

In an element formation region 9 surrounded by the deep trench 6, a P type drain buffer region 10, a drain contact region 11 and a drift region 12 are formed in the top layer of the epitaxial layer 5.例文帳に追加

ディープトレンチ６に取り囲まれる素子形成領域９には、エピタキシャル層５の表層部に、Ｐ型のドレインバッファ領域１０、ドレインコンタクト領域１１およびドリフト領域１２が形成されている。 - 特許庁

The media converter 10 is provided with physical layer devices 101, 105 respectively connected to a UTP(unshield twist pair) cable and an optical fiber cable, and a packet buffer is connected to the physical layer device 101 at the UTP cable side.例文帳に追加

ＵＴＰケーブルおよび光ファイバケーブルにそれぞれ接続する物理層デバイス１０１および１０５が設けられ、ＵＴＰケーブル側の物理層デバイス１０１にパケットバッファが接続される。 - 特許庁

The layers have such composition and layer thickness as 0≤Δa.da+2Δb.db+2Δr.dr≤0.08 nm where strain amounts of the quantum well layer 6, barrier layers 4 and 8, and buffer layers 5 and 7 are Δa, Δb and Δr, respectively.例文帳に追加

各層は、量子井戸層6,障壁層4,8,緩和層5,7 の歪量をそれぞれ、Δa,Δb,Δrとするとき、０≦Δa・ｄa＋２Δb・ｄb＋２Δr・ｄr≦0.08ｎｍで示される関係となる組成および層厚とする。 - 特許庁

An n-type GaN epitaxial layer 2, n-type GaN nano-columns 3, multiple quantum well nano-columns 4, and p-type GaN nano-columns 5, are successively grown in lamination on a sapphire substrate 1 through the intermediary of a low-temperature buffer layer (Figure 1 (a)).例文帳に追加

サファイア基板１上に、低温バッファ層を介して、ｎ型ＧａＮエピ層２、ｎ型ＧａＮナノコラム３、多重量子井戸ナノコラム４、ｐ型ＧａＮナノコラム５を、順次積層成長させる（図１（ａ））。 - 特許庁

The selected compression condition is set to the internal buffer 24, the layer image data 12 under the compression condition set by the compression processing section 24, and compressed layer image data 20 are outputted.例文帳に追加

選択された圧縮条件は内部バッファ２４に設定され、圧縮処理部２４で設定された圧縮条件でレイヤ画像データ１２が圧縮され、圧縮されたレイヤ画像データ２０が出力される。 - 特許庁

A light emission functional semiconductor region 3 including a gallium nitride semiconductor layer is provided on a silicon semiconductor substrate 1 with conductivity of doped impurities via an Si doped AIN buffer layer 2.例文帳に追加

不純物ドープの導電性を有するシリコン半導体基板１の上にＳｉドープＡｌＮバッファ層２を介して窒化ガリウム系半導体層を含む発光機能半導体領域３を設ける。 - 特許庁

A compound semiconductor thin film includes a rear surface electrode 22, a p-type compound semiconductor thin film 23, an n-type compound semiconductor thin film 24, a buffer layer 25, a window layer 26 and a transparent conductive film 27.例文帳に追加

基板２１上に形成された裏面電極２２、ｐ型化合物半導体薄膜２３、ｎ型化合物半導体薄膜２４、バッファ層２５、窓層２６および透明導電膜２７を含む。 - 特許庁

To provide a method for forming a boron phosphide buffer layer which readily and stably provides a continuous boron phosphide base crystal layer on a crystal substrate with unified crystal orientation.例文帳に追加

結晶基板上に、画一的な結晶面方位を有する連続性のあるリン化硼素系結晶層を簡便に且つ安定してもたらすためのリン化硼素緩衝層の形成方法を提供する。 - 特許庁

The buffer encasement includes a flexibly transformed acrylate inside layer protecting a fiber to minimize the stress transfer to the fiber and a hard and tough acrylate outer layer providing crush resistance.例文帳に追加

バッファ容器は、ファイバを保護し、ファイバへの応力伝達を最小にするアクリレートの柔軟に形を変える内側層、および圧砕抵抗をもたらす硬い強靭なアクリレートの外側層を備える。 - 特許庁

An underlying layer 23 of group III nitride, which contains at least ≥50 atom% Al, is directly formed on a substrate 21 consisting of a sapphire single crystal or the like, without interposing a low temperature buffer layer.例文帳に追加

サファイア単結晶などからなる基板２１上に、低温バッファ層を介することなく、少なくともＡｌを５０原子％以上含むIII族窒化物下地層２３を直接的に形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a gallium nitride semiconductor device capable of easily preparing a vertical element where current flows in the thickness direction of a substrate regardless of the resistance of a gallium nitride growth layer and a buffer layer.例文帳に追加

窒化ガリウム成長層およびバッファ層の抵抗に関係なく、基板の厚さ方向に電流が流れる縦型素子を容易に作成可能な窒化ガリウム半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a multilayer film reflective mask causing no damage on the surface of a multilayer film when the multilayer film reflective mask is remade by stripping an absorber layer and a buffer layer from the surface of the multilayer film.例文帳に追加

多層膜の表面から吸収体層及びバッファー層を剥離して多層膜反射マスクを作り直す場合に、多層膜の表面にダメージを与えずに済む多層膜反射マスク等を提供する。 - 特許庁

A GaInNAs well layer 45, formed of a first group III-V compound semiconductor comprising nitrogen and arsenic as a group V, is formed on a GaAs buffer semiconductor layer 43 by molecular beam epitaxy.例文帳に追加

ＧａＡｓバッファ半導体層４３上に、Ｖ族として窒素およびヒ素を含む第１のIII−Ｖ化合物半導体からなるＧａＩｎＮＡｓ井戸層４５を分子線エピタキシ法で形成する。 - 特許庁

A low resistance GaAs substrate is used and a GaAs/AlGaAs superlattice buffer layer 22 is inserted between a device layer 23 constituting the main of a semiconductor device and the low resistance substrate 21.例文帳に追加

基板として低抵抗ＧａＡｓ基板を使い、さらに半導体装置の要部を構成するデバイス層２３と低抵抗基板２１との間にＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓの超格子バッファ層２２を介在させる。 - 特許庁

A block layer which is a novel element with this kind of the element is formed on the surface of the buffer layer and functions to suppress or reduce the occurrence of an unnecessary chemical reaction on the surface or near the same.例文帳に追加

バッファ層の表面には、この種の素子では新規の要素であるブロック層が形成され、該表面また近傍で無用な化学反応が生起することを抑制ないし低減すべく機能する。 - 特許庁

The power supply control section 405 controls the power-saving mode of a physical layer/data link layer 401, on the basis of the reception buffer size of a remote device and the transfer rate, to attain with power-saving operation for the wireless transmission apparatus.例文帳に追加

電源制御部４０５はリモートデバイスの受信バッファサイズおよび転送レートから物理層／データリンク層４０１の省電力モードを制御することにより省電力運用を可能にする。 - 特許庁

The voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification high electron mobility transistor has a buffer layer, a main channel layer, a superlattice structure having a cumulative thickness of GaInAs/GaAs, a single-atom δ-doping career supply layer, a gate Schottky contact layer, a drain/source ohmic contact layer, successively disposed on a semiconductor substrate, in which the superlattice structure includes a barrier layer and a subchannel layer.例文帳に追加

電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅高電子移動度トランジスタは、半導体基板上に、順に、バッファ層と、主チャンネル層と、ガリウムインジウム砒素/ガリウム砒素の厚さが累積的である超格子構造と、単原子δ-ドーピングキャリア供給層と、ゲートショットキーコンタクト層と、ドレーン/ソースオーミックコンタクト層とが配置され、その中で、上記超格子構造には、障壁層とサブチャンネル層とがある。 - 特許庁

On the manufacture of the donor film for the flat display element, an adhesive force of the transfer layer 75 to a donor base plate 70 can be improved by introducing the buffer film 65 between the light-heat conversion layer 55 and the transfer layer 75.例文帳に追加

平板表示素子用ドナーフィルムを製造することにおいて光−熱変換層５５と転写層７５間に緩衝膜６５を導入することによって、転写層７５のドナー基板７０に対する接着力を改善させることができる。 - 特許庁

The semiconductor device includes a trap layer 13 which has a plurality of quantum dots (quantum boxes) 13a of i-InAs and which is formed between a buffer layer 12 of i-InAlAss and an n-type barrier layer 15 of n- InAlAs.例文帳に追加

ｉ−ＩｎＡｌＡｓからなるバッファ層１２とｎ−ＩｎＡｌＡｓからなるｎ型障壁層１５との間に形成された、ｉ−ＩｎＡｓからなる複数の量子ドット（量子箱）１３ａにより構成されるトラップ層１３を有している。 - 特許庁

On a (0001) surface sapphire substrate 11, a GaN buffer layer 12 with a film of about 20nm in thickness and a GaN layer 13 of about 2μm are subjected to crystal growth to form holes 13a of 1.0μm in depth and of 1.0 to 2.5μm in diameter in the GaN layer 13.例文帳に追加

（０００１）面サファイア基板１１上に、２０ｎｍ程度の膜厚のＧａＮバッファ層１２、２μｍ程度のＧａＮ層１３を結晶成長させ、ＧａＮ層１３に深さ１．０μｍ、１．０〜２．５μｍ径の穴１３ａを形成する。 - 特許庁

To provide a blue or red light emitting diode to achieve the high efficiency in a method of approaching a light emitting layer to a single crystal as much as possible, by introducing a new buffer layer between both sides of a light emitting layer to be formed on a glass substrate.例文帳に追加

ガラス基板上に発光層を形成するに際しその両方の間に新バッファ層を導入し、これにより発光層を限りなく単結晶に近づけることにより高効率の青色又は赤色発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

For example, in the case of introducing a GaSb layer with 0.24 to 1.52 ML thickness with a composition x (x=1) of antimony (Sb) to the GaAs buffer layer, the InAs quantum dots can be self-formed on the GaSb layer with a high uniformity with a dot density of 1.1×10^11cm^-2 or over.例文帳に追加

たとえば、アンチモン（Ｓｂ）の組成ｘをｘ＝１にして、０．２４〜１．５２ＭＬ厚のＧａＳｂ層を導入する場合は、ＧａＳｂ層上にＩｎＡｓ量子ドットを、１．１×１０^11ｃｍ^-2以上のドット密度で、高均一に自己形成できる。 - 特許庁

At the time of removing the secondn-type clad layer 23 located in the side of the n-type GaAs buffer layer 22, since an Al crystal mixing ratio of the secondn-type clad layer 23 is set to 0.500 (x = 0.500), whitening does not occur and mirror surface etching can be realized.例文帳に追加

こうして、ｎ型ＧaＡsバッファ層２２側に位置する第２ｎ型クラッド層２３をＨＦでエッチング除去する際に、第２ｎ型クラッド層２３のＡl混晶比はｘ＝０.５００であるため白濁が起こらず、鏡面エッチングが可能である。 - 特許庁

To provide an super-straight solar battery using a light-absorbing layer with a chalcopyrite structure, wherein the solar battery prevents deterioration of properties due to mutual diffusion of a buffer layer and the light-absorbing layer and that has satisfactory properties such as conversion efficiency.例文帳に追加

カルコパイライト構造を有する光吸収層を利用するスーパーストレート型の太陽電池において、バッファ層と光吸収層との相互拡散に起因する特性劣化を防止して、変換効率等の特性が良好な太陽電池を提供する。 - 特許庁

By the lattice relaxation of the first conductivity type buffer layer 15, stress due to the difference of lattice constant between a material of the gallium nitride-based semiconductor layer 21a and a material of the principal plane 13a of the semiconductor region 13 is not applied on the active layer 17.例文帳に追加

第１導電型バッファ層１５の格子緩和により、窒化ガリウム系半導体層２１ａの材料と半導体領域１３の主面１３ａの材料との格子定数差に起因する応力が、活性層１７に加わることがない。 - 特許庁

The InGaP buffer layer 3 of thickness of 5 nm or more and 500 nm or less is formed on the semi-insulating GaAs substrate 1, and the heterostructure is formed by laminating an InAlAs layer 4 and an InGaAs channel layer 5 thereon.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にＩｎＧａＰバッファ層３を膜厚が５ｎｍ以上５００ｎｍ以下に形成し、その上にＩｎＡｌＡｓ層４及びＩｎＧａＡｓチャネル層５を成層することによりヘテロ構造を形成する。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element having a light-emitting layer between a first electrode and a second electrode, a buffer layer with 0.1 nm to 100 nm thickness containing carbon based compound is provided between the light emitting layer and the first electrode.例文帳に追加

第１電極と第２電極との間に発光層が備えられる有機電界発光素子において、発光層と第１電極との間に、炭素系化合物を含む厚さ０．１ｎｍから１００ｎｍのバッファ層を備える有機電界発光素子である。 - 特許庁

Buffer layers on and after a second layer are obtained by forming an In_xGa_1-xAs layer having lattice mismatch within a range where it can grow two-dimensionally for an apparent lattice constant of a lower layer within a range of ≥15 times of the critical thickness and of ≤100 times of the same.例文帳に追加

２層目以降のバッファ層は下層の見かけの格子定数に対して２次元成長し得る範囲の格子不整合性を有するＩｎ_ｘ Ｇａ_１−ｘ Ａｓ層を臨界膜厚の１５倍以上１００倍以下の範囲で形成する。 - 特許庁

When a radio link with a base station becomes a weak electric field, signal transmission cannot be performed in a layer 1 and delivery confirmation cannot be performed in the layer 2, the transmission message of DTMF inputted by the user is stored in a buffer 20b for layer 1 transmission.例文帳に追加

基地局との無線リンクが弱電界になってレイヤ１で信号送信が行えなくなり、レイヤ２で送達確認が行えなくなると、ユーザにより入力されたＤＴＭＦの送信メッセージはレイヤ１送信用バッファ２０ｂに蓄積される。 - 特許庁

The light emitting element comprises a sapphire substrate 1, an oxygen-containing layer 4 made of an oxygen-containing nitride located on the sapphire substrate 1 and a third buffer layer 5 made of a nitride semiconductor located on the oxygen-containing layer 4.例文帳に追加

サファイア基板１と、前記サファイア基板１上に位置するとともに酸素が含有された窒化物からなる酸素含有層４と、前記酸素含有層４上に位置する窒化物系半導体からなる第３バッファ層５とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The first ferromagnetic layer (11) contacts with the first nonmagnetic layer (12) at its upper surface, while the first ferromagnetic layer (11) comprises a first orientation control buffer (22) which acts to raise the crystal orientation of the film formed over it.例文帳に追加

第１強磁性層（１１）は、その上面において第１非磁性層（１２）に接しており、且つ、第１強磁性層（１１）は、その上に形成された膜の結晶配向性を高める作用を有する第１配向制御バッファ（２２）を備えている。 - 特許庁

In this case, the predetermined pattern is a pattern which has the same shape as that of the light-shielding layer 11, is subtly wider than the light-shielding layer 11 and can cover a first inclined surface 12S of the buffer film 12 in which the step difference of the light-shielding layer 11 is reflected.例文帳に追加

ここで、所定のパターンは、遮光層１１と同一の形状であるが、僅かに遮光層１１より広く、遮光層１１の段差が反映されたバッファ膜１２の第１の傾斜面１２Ｓを覆うことができるパターンである。 - 特許庁

To solve the problem that a GaN based semiconductor layer having uniform orientation cannot be brought about even when a GaN based III nitride semiconductor layer is formed on a sapphire substrate through a low temperature buffer layer.例文帳に追加

サファイア基板上に低温緩衝層を介してＧａＮ系ＩＩＩ族窒化物半導体層を形成しようとしても、画一的な配向性を有するＧａＮ系半導体層を充分に安定してもたらすことができない問題点を解決する。 - 特許庁

After an AlN buffer layer 12 and a GaN layer 13 are grown sequentially on a sapphire substrate 11 by MOVPE, Si ions are implanted into an ion implantation region 14 centering the vicinity of interface between the sapphire substrate 11 and the growth layer.例文帳に追加

サファイア基板１１上にＡｌＮ緩衝層１２とＧａＮ層１３をＭＯＶＰＥ法により順次成長させた後、サファイア基板１１と成長層との界面付近を中心としたイオン注入領域１４にＳｉのイオン注入を行う。 - 特許庁

The semiconductor device includes a staggered (a top gate structure) thin-film transistor in which an oxide semiconductor film containing In, Ga, and Zn is used as a semiconductor layer and a buffer layer is provided between the semiconductor layer and a source and drain electrode layers.例文帳に追加

半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた順スタガ型（トップゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。 - 特許庁

A sacrifice layer 103 is isotropically etched through a through-hole 104a with the use of, for instance, a diluted hydrofluoric acid solution, to form a space 131 exceeding the region of the through-hole 104a between an oscillator layer 104 and a GaAs buffer layer 102.例文帳に追加

例えば希弗酸溶液を用い、貫通孔１０４ａを介して犠牲層１０３を等方的にエッチングし、振動子層１０４とＧａＡｓバッファー層１０２との層間に、貫通孔１０４ａの領域を超える空間１３１を形成する。 - 特許庁

Furthermore, the oscillation unit 5 and the output buffer unit 6 are provided on different surfaces of the base 2 and a grounded shield layer 7 is interposed between an arrangement area wherein the oscillation unit 5 is provided and an arrangement area wherein the output buffer unit 6 is provided.例文帳に追加

また、発振部５と出力バッファ部６とがベース２の異なる面に設けられ、発振部５が設けられた配置領域と、出力バッファ部６が設けられた配置領域との間に接地されたシールド層７が介在される。 - 特許庁

A link manager layer 32 determines the priority order of transmission from magnitudes of data contained in the HCI data packets 66, 72, and transmits the HCI data packets 66, 72 after distributing them to a preferential buffer 74 and a non-preferential buffer 76 according to the determined priority order.例文帳に追加

リンクマネージャ層32は、HCIデータパケット66、72に含まれるデータの大きさから送信の優先順位を決定し、決定された優先順位に従って優先バッファ74と非優先バッファ76に振り分けた後、HCIデータパケット66、72を送信する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 6 is applied on the electrodes 5 and a P-type buffer region 10, which is used as a pressing buffer region 21, is formed in the surface layer of the substrate 1 in the vicinity of a contact terminal body 9 to come into contact with an edge part 12.例文帳に追加

ゲート電極５上に層間絶縁膜６を被覆し、コンタクト端子体９のエッジ部１２が接触する近傍では、半導体基板１の表面層に加圧緩衝領域２１となるｐバッファ領域１０を形成する。 - 特許庁

Pedestals 31, 32 are formed on a buffer region 4 so that the height of the surface of a second metal layer 19 on the buffer region 4 is higher than that on a gate region 3 before pressure is applied to a contact terminal member 6.例文帳に追加

コンタクト端子体６の未加圧状態においては、第２金属層１９の、バッファ領域４上の表面高さがゲート領域３上の表面高さよりも高くなるように、バッファ領域４上に台座部３１，３２を設ける。 - 特許庁

Further, the plastic case comprises the buffer part formed by a moving die in the inner layer of the case at the angle part of the plastic case in the plastic case having the buffer part formed into a one piece.例文帳に追加

また、本発明の樹脂筐体は、一体成形され緩衝部を有する樹脂筐体において、前記樹脂筐体の角部の筐体内層に可動金型によって形成された緩衝部を有することを特徴とする。 - 特許庁

An electronic device 100 is composed of a substrate 11 formed of silicon, a first buffer layer 12 and a second buffer layer 13 laminated by being epitaxially grown in order on a film forming surface of the substrate 11 and having a fluorite structure, a first oxide electrode layer 14 having a laminar perovskite structure, and a second oxide electrode layer 15 having a simple perovskite structure.例文帳に追加

本発明に係る電子デバイス用基体１００は、シリコンからなる基板１１と、基板１１の被成膜面上に順にエピタキシャル成長して積層された、フルオライト構造を有する第一バッファ層１２及び第二バッファ層１３、層状ペロブスカイト構造を有する第一酸化物電極層１４、および単純ペロブスカイト構造を有する第二酸化物電極層１５とから構成されている。 - 特許庁

On a buffer layer 12 of the infrared semiconductor laser device 2A, a height-adjusting buffer layer 20 of n-type GaAs is provided which is sequentially formed with an interval from the infrared semiconductor laser device 1A and is adjusted in film thickness for improved crystallinity of semiconductor layers on the substrate 11 as well as for conformity between heights from the substrate surface of a first active layer 14 and a second active layer.例文帳に追加

赤色半導体レーザ素子２Ａには、バッファ層１２上に、赤外半導体レーザ素子１Ａと間隔をおいて順次形成され、基板１１上の各半導体層の結晶性を向上させると共に第１活性層１４と第２活性層との基板面からの高さが一致するように膜厚が調整されたｎ型のＧａＡｓからなる高さ調整用バッファ層２０を有している。 - 特許庁

The organic light emitting element includes an anode 2, a cathode 3 facing the anode, an organic light emitting layer interposed between the anode and the cathode, an electron transport layer containing an alkali metal compound or alkali earth metal compound interposed between the organic light emitting layer and the cathode, and a buffer layer interposed between the organic light emitting layer and the electron transport layer.例文帳に追加

アノード電極と、アノード電極と対向するカソード電極と、アノード電極とカソード電極との間に介在された有機発光層と、有機発光層とカソード電極との間に介在されたアルカリ金属化合物またはアルカリ土類金属化合物を含有する電子輸送層と、有機発光層と電子輸送層との間に介在されたバッファ層とを備える有機発光素子を提供する。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 12 is constituted by laminating a first semiconductor layer 12A having oxide semiconductor as its principal constituent and a second semiconductor layer 12B consisting of non-oxide semiconductor and showing p-type electric conductivity alternately on the buffer layer 11 repeatedly, and the first semiconductor layer 12A and the second semiconductor layer 12B are provided with super lattice structure.例文帳に追加

ｐ型半導体層１２は、バッファ層１１上に、酸化物半導体を主成分とする第１の半導体層１２Ａと、非酸化物半導体からなり、ｐ型の電気伝導性を示す第２の半導体層１２Ｂとを交互に繰り返し積層して構成されており、第１の半導体層１２Ａおよび第２の半導体層１２Ｂは超格子構造をなしている。 - 特許庁