「buffer-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

The buffer layer is patterned, and the piezoelectric/electrostrictive layer is patterned according to the pattern of the buffer layer.例文帳に追加

単結晶基板上に配向成長させて形成されたバッファー層と該バッファー層上に配向成長させて形成された下電極層と該下電極層上に配向成長させて形成された圧電/電歪体層と該圧電/電歪体層上に形成された上電極層を有する圧電/電歪体素子構造体であって、該バッファー層がパターニング形成され、このパターニングに倣って該圧電/電歪体膜がパターニングされる。 - 特許庁

On a sapphire substrate 11, a buffer layer 12 of film thickness of about 25 nm comprising nitride aluminum(AlN) is provided, over which a high carrier concentration n+ layer 13 of film thickness of about 4.0 μm comprising silicon(Si) doped GaN is formed.例文帳に追加

サファイア基板１１の上には窒化アルミニウム(AlN) から成る膜厚約25nmのバッファ層１２が設けられ、その上にシリコン(Si)ドープのGaN から成る膜厚約4.0 μｍの高キャリア濃度ｎ^+ 層１３が形成されている。 - 特許庁

An n+ buffer layer that is formed on the reverse side of an N- layer 11 consists of an inactive region 21 where the activation of ions is incomplete, and an active region 19 that is a region where the activation of ions has been improved.例文帳に追加

Ｎ^-層１１の裏面に形成されたｎ^+バッファ層は、イオンの活性化が不完全な領域である不活性領域２１と、イオンの活性化が高められた領域である活性領域１９とからなる。 - 特許庁

The heat radiation component has a buffer layer 22 made of Ni or an Ni alloy and the metal layer 23 made of Cu or Cu alloy and formed by flame spraying on the heat sink 21 made of Al or an Al alloy.例文帳に追加

放熱部品は、Ａｌ又はＡｌ合金からなるヒートシンク２１上に、Ｎｉ又はＮｉ合金からなるバッファー層２２とＣｕ又はＣｕ合金からなる溶射によって形成された金属層２３とを備えている。 - 特許庁

An epitaxial wafer 50 constituting a semiconductor multilayer structure is composed of a single-crystal substrate 1 and a device layer 3 of compound semiconductor which is formed by hetero-epitaxial growth on the major surface of the single-crystal substrate 1 via a buffer layer 2.例文帳に追加

半導体多層構造をなすエピタキシャルウェーハ５０は、単結晶基板１の主表面上にバッファ層２を介して化合物半導体からなる素子層３をヘテロエピタキシャル成長させた構造をなす。 - 特許庁

To provide a solar battery having a high voltage characteristic by forming a compound semiconductor thin film between a light absorbing layer and a buffer layer, the semiconductor thin film having a large energy difference between the bottom of a conduction band and a Fermi level.例文帳に追加

光吸収層とバッファ層との間に、伝導帯の底とフェルミレベルとのエネルギー差が大きい化合物半導体薄膜を形成することによって、電圧特性が高い太陽電池を提供する。 - 特許庁

As a result, when the using capacity of the buffer 20b for the layer 1 transmission exceeds 80%, an operating system 10 notifies a high-order layer that a memory residual amount becomes equal to or less than a prescribed capacity by an event flag.例文帳に追加

その結果、レイヤ１送信用バッファ２０ｂの使用容量が８０％を越えると、オペレーティングシステム１０はメモリ残量が所定の容量以下になったことをイベントフラグにより上位レイヤに通知する。 - 特許庁

An insulating GaN buffer layer 3a comprising an insulating nitride III-V compound semiconductor with carbon doped with high concentration as impurities is formed on an AlN nucleus forming layer 2 as the nitride III-V compound semiconductor on a SiC substrate 1 for growing a thin film.例文帳に追加

例えば、高移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）のチャネル層の下層に、絶縁性窒化物膜を設けることにより、容易に高速性に優れたＨＥＭＴ特性が得られる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The buffer material 30 alleviates the thickness reduction 30 of the thermal covering layer Q caused by a load of the pipe P and is provided so as to supplement the heat-retaining performance of the portion of the reduced thickness in the thermal covering layer Q.例文帳に追加

配管Ｐの荷重による保温被覆層Ｑの肉厚減少を緩衝材３０で緩和せしめると共に、保温被覆層Ｑの肉厚減少部分の保温性を緩衝材３０が補充するように設ける。 - 特許庁

Trenches of a block isolation region 22 are formed to reach a semiinsulating buffer layer 12 arranged lower than the active layer 14 thus forming unit blocks isolated electrically while having a plurality of LEDs, respectively.例文帳に追加

そして、活性層１４より下層に配置された半絶縁性のバッファ層１２まで達するブロック分離領域２２の溝を形成して、個々に複数のＬＥＤを有して電気的に分離した単位ブロックを形成する。 - 特許庁

Holes 101h are formed in the substrate 101 to extend from a second main surface 101b to the first main surface 101a, and reach the GaN buffer layer 102 and the n-type GaN layer 103.例文帳に追加

サファイヤ基板１０１には、第２の主表面１０１ｂから第１の主表面１０１ａへ延び、かつＧａＮバッファ層１０２およびｎ型ＧａＮ層１０３に到達する孔１０１ｈが形成されている。 - 特許庁

Then, processing for forming an epitaxial layer whose impurity concentration is lower than that of the n type buffer layer 3, and for selectively injecting the n type impurity and the p type impurity into the upper face is repeated.例文帳に追加

次に、不純物濃度がｎ型バッファー層３の不純物濃度よりも低いエピタキシャル層を形成し、その上面にｎ型不純物及びｐ型不純物を選択的に注入する処理を繰り返す。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor substrate 41, semiconductor layers are epitaxially grown on only an SOI element forming region 13 in a silicon substrate 11 on condition that a silicon buffer layer 18 and a silicon germanium layer 15 can grow.例文帳に追加

半導体基板４１の製造方法は、シリコン基板１１上におけるＳＯＩ素子形成領域１３のみに、シリコンバッファ層１８及びシリコンゲルマニウム層１５が成長する条件でエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The magnetic recording medium includes a substrate, an underlayer to be plated, a buffer layer, and a magnetic recording layer in this order, and the magnetic parameter of the recording medium is tuned by varying the thickness of the underlayer.例文帳に追加

磁気記録媒体は順に基板とメッキされる底層と、緩衝層と、磁性記録層とを備えてなり、底層はその厚さを変更することにより記録媒体の磁性パラメータを同調することができる。 - 特許庁

The pattern of the polysilicon layer 15C (storage capacitor electrode) is formed larger than the bottom portion of an opening OP, and the edge of its peripheral portion is located on a buffer film 13 on the slant portion K of the opening OP or on the buffer film 13 on the outside of the opening OP.例文帳に追加

ポリシリコン層１５Ｃ（保持容量電極）のパターンは、開口部ＯＰの底部より大きく形成され、その外周部のエッジが開口部ＯＰの傾斜部Ｋ上又は開口部ＯＰの外のバッファ膜１３上に配置されるようにした。 - 特許庁

Furthermore, adhesion of the lubricant to the outside of the oil buffer 5 is prevented, because an oil-repellent layer is formed, respectively, on the outer side surface of the sleeve portion 221 and the third inner side surface of a locking member 314 of the rotor section 3 on the outside of the oil buffer 5.例文帳に追加

また、オイルバッファ５の外部において、スリーブ部２２１の外側面、および、ロータ部３の抜止部材３１４の第３内側面にそれぞれ撥油層が形成されているため、オイルバッファ５の外部に対する潤滑油の付着が抑制される。 - 特許庁

There are sequentially formed a buffer layer of BP material, a cubic-system p-type single crystal layer of BP material, a p-type group III nitride semiconductor crystal layer of hexagonal system, and an n-type group III nitride semiconductor crystal layer on a substrate comprising Si single crystal of p-type conductivity.例文帳に追加

ｐ形導電性のＳｉ単結晶からなる基板上に、ＢＰ系材料からなる緩衝層と、ＢＰ系材料からなる立方晶のｐ形単結晶層と、立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層と、六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層とを順次形成する。 - 特許庁

The AlGaN layer whose surface is substantially flat on atomic level is formed after a buffer layer having a stress relaxation effect and AlGaN layer are formed on a template substrate to which an in-plane compression stress is applied and on which a surface layer being substantially flat on atomic level is formed.例文帳に追加

面内圧縮応力が作用してなる、実質的に原子レベルで平坦な表面層が形成されてなるテンプレート基板の上に、応力緩和効果を有するバッファ層をした上で、ＡｌＧａＮ層を形成するようにすることで、表面が実質的に原子レベルで平坦なＡｌＧａＮ層を形成することができる。 - 特許庁

An HFET 100 comprises, on an a-plane sapphire substrate 101 in a stripe shape, a buffer layer 102 composed of GaN having an m-plane as a primary surface, a channel layer 103 composed of non-doped GaN, a barrier layer 104 composed of non-doped AlGaN, and a carrier supply layer 105 composed of oxygen-doped n-AlGan.例文帳に追加

ＨＦＥＴ１００は、凹凸加工されたａ面サファイア基板１０１上に、ｍ面を主面とするＧａＮからなるバッファ層１０２、ノンドープのＧａＮからなるチャネル層１０３、ノンドープのＡｌＧａＮからなる障壁層１０４、酸素ドープのｎ−ＡｌＧａＮからなるキャリア供給層１０５を有している。 - 特許庁

The anticorrosive coated steel includes a base material steel and an anticorrosive coated layer laminated directly or via an intermediate layer on the base material steel and based on an inorganic compound containing sulfur or silicon, wherein a substance having a pH buffer action is incorporated into at least the steel side part or the intermediate layer of the anticorrosive coated layer, coming into contact with the base material steel.例文帳に追加

素地鋼材と、該素地鋼材上に、直接または中間層を介して積層され、硫黄または珪素を含有する無機化合物ベースの防食被覆層とを有し、前記素地鋼材と接触する、防食被覆層の少なくとも鋼材側部分または中間層に、ｐＨ緩衝作用のある物質を含有させる。 - 特許庁

This semiconductor photo-electric cathode has a semiconductor optical absorption layer 3 formed on a buffer layer 2 on a substrate 1 and for converting incident light into an electron; and an alkali metal-containing layer 5 formed on the semiconductor optical absorption layer 3 and for emitting the electron into vacuum.例文帳に追加

本半導体光電陰極は、基板１との間に介在するバッファ層２上に設けられ入射した光を電子に変換する半導体光吸収層３と、半導体光吸収層３上に設けられ電子を真空中に放出させるためのアルカリ金属含有層５とを備えている。 - 特許庁

An undoped AlGaN layer 13 is formed on a buffer layer composed of a GaN series material formed on a semiconductor substrate, and a drain electrode 15 and a source electrode 16 forming ohmic junction with the undoped AlGaN layer 13 are formed separately from each other on the undoped AlGaN layer 13.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたＧａＮ系の材料からなるバッファ層上にアンドープＡｌＧａＮ層１３が形成され、このアンドープＡｌＧａＮ層１３上に、アンドープＡｌＧａＮ層１３とオーミック接合されたドレイン電極１５及びソース電極１６が、互いに離間して形成されている。 - 特許庁

To cope with a buffer under run in a method in which a visible picture is formed at a plotting layer with the other beam while performing data recording in a data recording layer with one beam, for an optical disk in which two beams are projected from one optical pickup and the data recording layer and the plotting layer are laminated and arranged.例文帳に追加

１台の光ピックアップから２本のビームを出射し、データ記録層と描画層を積層配置した光ディスクに対し、一方のビームで前記データ記録層にデータ記録を行いながら、同時に他方のビームで前記描画層に可視画像の形成を行う方法において、バッファアンダーラン対策を講じる。 - 特許庁

To provide a silicone sealed LED which is unlikely to cause any crack in a silicone resin layer that is a sealant while taking advantage of excellent heat resistance, weather resistance, and color fastness of silicone rubber and silicone resin since a silicone rubber layer serves as a buffer layer between the silicone resin layer that is a sealant and an LED chip.例文帳に追加

封止体であるシリコーン樹脂層とＬＥＤチップとの間に存在するシリコーンゴム層がバッファー層として作用するため、シリコーンゴムおよびシリコーン樹脂の優れた耐熱性、耐候性および耐変色性を生かしつつ、封止体であるシリコーン樹脂層にクラックが生じにくいシリコーン封止型ＬＥＤを提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a shaped substrate with curved surface includes the steps of providing a textured substrate with planar surface with one or more of first textured buffer layers, subjecting the substrate covered with the first buffer layers to a shaping step, and providing a second textured buffer layer onto the first buffer layers by epitaxial growth.例文帳に追加

曲がった面を備えた、形状を変化させた基板を作成する方法であって、一つまたは複数のバッファ層を備え、平面を備えたテクスチャ化された基板を供給するステップと、最初のバッファ層で被覆された該基板の形状を変化させるステップと、エピタキシャル成長によって、最初のバッファ上に、テクスチャ化された第２のバッファ層を供給するステップとを含む、形状を変化させた基板を作成する方法。 - 特許庁

The semiconductor device (HFET) includes: a first nitride semiconductor layer 13 formed on a SiC substrate 11 through a buffer layer 12; a second nitride semiconductor layer 14 formed on the first nitride semiconductor layer 13 to generate a two-dimensional electronic gas layer on the upper part of the first nitride semiconductor layer 13; and electrodes 16, 17 selectively formed on the second nitride semiconductor layer 14 and having ohmic properties.例文帳に追加

半導体装置（ＨＦＥＴ）は、ＳｉＣ基板１１上にバッファ層１２を介在させて形成された第１の窒化物半導体層１３と、該第１の窒化物半導体層１３の上に形成され、該第１の窒化物半導体層１３の上部に２次元電子ガス層を生成する第２の窒化物半導体層１４と、該第２の窒化物半導体層１４の上に選択的に形成されたオーム性を持つ電極１６、１７とを有している。 - 特許庁

The process for fabricating a capacitor 200 having a lower electrode 210 and a ferroelectric layer 230 comprises a metal layer forming step for forming the lower electrode 210, a step for forming a buffer layer 220 having a lattice constant between those of the lower electrode 210 and the ferroelectric layer 230 and exhibiting ferroelectric characteristics on the lower electrode 210, and a step for forming the ferroelectric layer 230 on the buffer layer 220.例文帳に追加

下部電極２１０及び強誘電体層２３０を有するキャパシタ２００を製造するキャパシタ製造方法であって、下部電極２１０を形成する金属層形成ステップと、下部電極２１０の格子定数と強誘電体層２３０の格子定数との間の格子定数を有する、強誘電体特性を示すバッファ層２２０を、下部電極２１０上に形成するバッファ層形成ステップと、強誘電体層２３０を、バッファ層２２０上に形成する強誘電体層形成ステップとを備えたキャパシタ製造方法。 - 特許庁

This method of manufacturing an organic EL device provided at least with a light emitting layer between a first electrode and a second electrode disposed above a base member includes a first step of forming the light emitting layer from a liquid state and forming a buffer layer above the first electrode, and is characterized in that at least a part of the buffer layer is formed by a plasma polymerization method in the first step.例文帳に追加

基体の上方に配置された第１の電極と第２の電極との間に、少なくとも発光層を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記発光層が液体状態から形成され、前記第１の電極の上方にバッファ層を形成する第１の工程を含み、前記第１の工程において、前記バッファ層の少なくとも一部をプラズマ重合法により形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。 - 特許庁

In the laminated structure 30, the crystallizability of the InP layer 34 is made better than the InP layer on the conventional GaAs substrate, and a surface shape is made better than the InP layer by interposing the layer 34 having the film thickness having a ratio of 0.35 to the critical film thickness between the substrate 32 and the layer 34 as a buffer layer as the example.例文帳に追加

本化合物半導体積層構造３０は、本実施形態例では、臨界膜厚に対する比率が０．３５の膜厚を有するＧａＡｓ_０．９５Ｐ_０．０５層３４をＧａＡｓ基板３２とＩｎＰ層３４との間にバッファ層として介在させることにより、従来のＧａＡｓ基板上のＩｎＰ層に比べて、ＩｎＰ層３４の結晶性を向上させ、表面形状を良好にしている。 - 特許庁

When image width is to be vertically increased, is there if no longer an empty space for writing in the line buffer memories 226, the writing and reading of image data to and from the line buffer memories 226 is prohibited, and pixel data of a prescribed amount for enlargement prepared in advance in an additional line buffer memory 229 is transferred to an output layer.例文帳に追加

画像幅を副走査方向に拡大する処理を施す場合において、ラインバッファメモリ群２２６に書込み用の空きがなくなるときには、ラインバッファメモリ群２２６に対する画像データの書込みおよび読出しを禁止し、予め追加ラインバッファメモリ２２９に用意された拡大用の所定量分の画素データを出力段に転送する。 - 特許庁

In the same apparatus for growing the following regions, parts of a sub-collector layer and collector layer stacked on a substrate 1 are removed to form a collector region 6, part of a buffer layer 2 is made to expose, and a buried region consisting of InAlAs is made to grow.例文帳に追加

同一の成長装置内で、基板１上に積層したサブコレクタ層およびコレクタ層の一部をエッチングにより除去してコレクタ領域６を形成するとともに、バッファ層２の一部を露出させ、その露出部分にＩｎＡｌＡｓからなる埋め込み領域を成長させる。 - 特許庁

An n-type light-transmitting buffer layer 140 pn-joined to the optical absorption layer 130 is stacked and formed on a p-type conductive optical absorption layer 130 by a compound in a chalcopyrite structure stacked over a pair of back electrode layers 120 on one surface of a glass substrate 110.例文帳に追加

ガラス基板１１０の一面に設けた対をなす裏面電極層１２０に亘ってカルコパイライト構造の化合物にて導電性を有するｐ型の光吸収層１３０に、光吸収層１３０とｐｎ接合する透光性でｎ型のバッファ層１４０を積層形成する。 - 特許庁

A basic bottom layer 20 is formed by arbitrary times repeating a cycle of stacking a buffer layer composed of a group III nitride-based compound semiconductor formed at a temperature at which not single crystal is grown and a group III nitride-based compound semiconductor layer formed at a temperature at which a crystal is grown.例文帳に追加

単結晶が成長しない温度で形成されたIII族窒化物系化合物半導体から成る緩衝層と、単結晶が成長する温度で形成されたIII族窒化物系化合物半導体層とを１周期として任意周期繰り返し積層した基底層２０を形成する。 - 特許庁

The buffer layer 14 contains: an inclusion compound having space inside; a coloring matter which absorbs light of at least some wavelength bands among visible wavelength bands except a light emitting wavelength of the light emitting layer, while making the light of the light emitting wavelength of the light emitting layer; and an electric charge supply substance.例文帳に追加

バッファ層１４は、内部に空間を有する包摂化合物と、発光層の発光波長の光を透過させると共に、発光層の発光波長を除いた可視波長域のうち少なくとも一部の波長域の光を吸収する色素と、電荷供与性物質とを含む。 - 特許庁

The corrosion preventing structure for a marine steel structure steel member is characterized in that a corrosion preventing protective cover including a first layer formed of plastic or metal, a second layer formed of a buffer material, and a third layer including a rust inhibitor, is mounted to a steel member of the marine steel structure through magnets.例文帳に追加

プラスチックまたは金属からなる第１層と、緩衝材からなる第２層と、防錆剤を含む第３層とからなる防食用保護カバーを、磁石を介して海洋鋼構造物の鋼部材に装着したことを特徴とする海洋鋼構造物鋼部材の防食構造。 - 特許庁

To prevent exfoliation of a near-field light generating element, and to suppress a drop in use efficiency of light propagating via a waveguide resulting from an adhesion layer, in a near-field light generating device having the near-field light generating element disposed above the waveguide with a buffer layer and the adhesion layer interposed therebetween.例文帳に追加

導波路上に緩衝層および密着層を介して近接場光発生素子が配置された構成の近接場光発生装置において、近接場光発生素子の剥離を防止し、且つ導波路を伝播する光の利用効率の、密着層に起因した低下を抑制する。 - 特許庁

In a composition of the buffer layer 12, a region (substrate connection region 121) where the value of p is set to 0 (p=0) (GaN) is formed on the lower end side, and a region (active layer connection region 122) where the value of p is also set to 0 (p=0) (GaN) is formed on the upper end side (electron transit layer 13 side).例文帳に追加

この緩衝層１２の組成においては、下端側においてｐ＝０（ＧａＮ）となった領域（基板接続領域１２１）が、上端側（電子走行層１３側）においてもｐ＝０（ＧａＮ）となった領域（能動層接続領域１２２）が、それぞれ設けられている。 - 特許庁

This optical modulator 40 is the embedded ridge waveguide type semiconductor optical modulator and has an n-InP buffer layer 14, GaInAsP-base multiple quantum well structure 16, p-InP upper clad layer 18 and p-GaInAs contact layer 20 on an n-InP substrate 12.例文帳に追加

本光変調器４０は、埋め込みリッジ導波路型半導体光変調器であって、ｎ−ＩｎＰ基板１２上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層１４、ＧａＩｎＡｓＰ系多重量子井戸構造１６、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１８、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２０を備えている。 - 特許庁

Or, a buffer conductive film may be formed in the same layer as data lines 62, 66, 68 or pixel electrode 82 above a semiconductor layer 40 between adjacent data lines 62 in order to prevent a leak current generating from the semiconductor layer 40 between adjacent data lines.例文帳に追加

また、互いに隣接するデータ線の間の半導体層４０で発生する漏れ電流を遮断するために、互いに隣接するデータ線６２の間の半導体層４０の上部にデータ配線６２，６６，６８または画素電極８２と同一の層にバッファー導電膜を形成することができる。 - 特許庁

Furthermore, a buffer rubber layer 13 made of a rubber having a predetermined hardness is arranged at a predetermined position between the carcass layer 11 and the belt layers 31 and 32 of both tread-shoulder portions crossing a tire equatorial plane CL, which is adjacent to the carcass layer 11 and located on a side of inner circumference of the belt reinforce layers 21 and 22.例文帳に追加

また、所定硬度のゴムからなる緩衝ゴム層１３を、タイヤ赤道面ＣＬを挟んだ両トレッドショルダ部のカーカス層１１とベルト層３１、３２との間の所定位置に、カーカス層１１に隣接してベルト強化層２１、２２の内周側に配置する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 that is a vertical IGBT includes a collector electrode 2, a p^+-type collector layer 4, an n^+-type buffer layer 6, an n^--type drift layer 8, a p-type body region 10, an n^+-type emitter region 12, a gate electrode 18, and an emitter electrode 14.例文帳に追加

縦型のＩＧＢＴである半導体装置１００は、コレクタ電極２と、ｐ^+型のコレクタ層４と、ｎ^+型のバッファ層６と、ｎ^−型のドリフト層８と、ｐ型のボディ領域１０と、ｎ^+型のエミッタ領域１２と、ゲート電極１８と、エミッタ電極１４を備えている。 - 特許庁

In the light emitting element formed by interposing a light-emitting substance containing layer between a pair of electrodes, a buffer layer made of a composite material for a light-emitting element, including aromatic hydrocarbon containing at least one vinyl skeleton and metal oxide in part of the light-emitting substance containing layer is provided.例文帳に追加

一対の電極間に発光物質を含む層が挟持されてなる発光素子において、発光物質を含む層の一部に、ビニル骨格を少なくとも一つ含む芳香族炭化水素および金属酸化物とを含む発光素子用複合材料で形成されたバッファー層を設ける。 - 特許庁

The solar cell is provided with a translucent substrate 1, a transparent conductive film 7, a light absorbing layer 3, a buffer layer 4 and another transparent conductive film 5 while a p-type semiconductor or a translucent metallic thin film is interposed between the transparent conductive film 7 and the light absorbing layer 3.例文帳に追加

透光性基板１、透明導電膜７、光吸収層３、バッファ層４および透明導電膜５を有し、透明導電膜７と光吸収層３との間に、ｐ型半導体、または、透光性の金属薄膜を中間層４として介在させる。 - 特許庁

Since an organic buffer layer is formed by using a printing material (organic material) of viscosity of 3,000 mPa s to 100,000 mPa s on a cathode protection layer, even if the cathode protection layer is damaged at a level difference part, it is possible to evade the printing material from soaking from the damaged part.例文帳に追加

陰極保護層上に、３０００ｍＰａ・ｓ〜１０００００ｍＰａ・ｓの粘度の印刷材料（有機材料）を用いて有機緩衝層を形成するので、陰極保護層が段差部分で破損していても、当該破損部分から印刷材料が染み込むのを回避することができる。 - 特許庁

To provide a transparent gas barrier film providing a buffer layer between a barrier layer and a substrate, enhancing adhesion property to a deposited layer, and without degrading performance when sterilization treatment such as retorting is carried out; and its production method.例文帳に追加

バリア層と基材との間に緩衝層を設け、蒸着層との密着性が向上し、レトルト処理などの殺菌処理時によっても性能が劣化しない透明ガスバリア性フィルムを提供することが出来る透明バリアフィルムおよびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁