「buffer-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

A cylindrical body (2) having a buffer function is longitudinally provided on the surface of a strip material (1) having a water resistant property on the rear face of which an adhesive layer (3) is provided.例文帳に追加

裏面に粘着層（３）を設けた耐水性を有する帯状材（１）の表面に、緩衝性のある円柱状体（２）を長手方向に設ける。 - 特許庁

To provide a method for reducing the time for etching a debonding buffer layer when manufacturing a substrate of a crystalline body of Group III nitride.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物の結晶体の基板を製造する際における剥離バッファー層をエッチングするための時間を短縮する方法を提供する。 - 特許庁

A sealing member 14 of translucent low melting point glass is formed by press to cover the buffer layer 13 and the periphery thereof.例文帳に追加

この緩衝層１３及びその周辺を覆うようにして透光性の低融点ガラスによる封止部材１４が加圧プレスにより形成されている。 - 特許庁

A buffer layer 2 composed of an alumnum nitride AIN is formed dispersedly, and in an island-like state such as dot-like, strip-like, or lattice-like, on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１上に、窒化アルミニウム(AlN)から成るバッファ層２を、散在するように、点状、ストライプ状又は格子状等の島状態に形成する。 - 特許庁

The optical fiber 12 is provided with an optical fiber main body 12a arranged in the center, and a sheath-formed buffer layer 12b at the outer periphery of the main body 12.例文帳に追加

光ファイバ素線１２は、中央に配置された光ファイバ本体１２ａと、その外周に被覆形成されたバッファ層１２ｂとを備えている。 - 特許庁

In this light emitting thyristor, AlGaAs layers are epitaxially grown by changing Al composition from 0 through 0.1, 0.2, and 0.3 to 0.35 on a GaAs buffer layer 12 on a GaAs substrate 10.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０上のＧａＡｓバッファ層１２の上に、Ａｌ組成を０，０．１，０．２，０．３，０．３５のように変化させながらＡｌＧａＡｓ層をエピタキシャル成長する。 - 特許庁

When the Al-based alloy layer remains after bonding, since soft Al functions as a stress buffer material, it is possible to obtain high bonding reliability.例文帳に追加

また、接続後にＡｌ系合金層を残存させた場合、軟らかいＡｌが応力緩衝材として機能するため、高い接続信頼性を得ることができる。 - 特許庁

The second configuration comprises a structure to vary the cell gaps corresponding to the transmission section and the reflective section and the thickness of the color filters by utilizing the buffer layer.例文帳に追加

第2構成は、上記バッファ層を利用して透過部と反射部に対応するセルキャップ及びカラーフィルタの厚みを異なるようにする構成である。 - 特許庁

The buffer layer is made of a soft adhesive, and a part corresponding to the IC chip 20 is deformed into a recessed shape and absorbs the external form of the IC chip 20.例文帳に追加

バッファ層は軟質性接着剤からなり、ＩＣチップ２０に対応する部分が凹状に変形してＩＣチップ２０の外側形状を吸収する。 - 特許庁

Even if a foreign matter is adhered to the tape when the tape is pressed, the damage of the alignment layer is prevented by the function of the organic coating film as a buffer material.例文帳に追加

この圧着時においてテープに異物が付着している場合でも、有機被膜が緩衝材となって、配向膜の損傷が防止される。 - 特許庁

Related to a semiconductor device with a pin structure, the impurity concentration gradient of an n+ buffer layer 103 is configured to 2×1018 cm-4 or below.例文帳に追加

ｐｉｎ構造を有する半導体装置において、バッファ層であるｎ^+層１０３の不純物濃度勾配を２×１０^18ｃｍ^-4以下に構成する。 - 特許庁

The tunnel excavating surface may also be formed in an uneven surface by primary spraying cement concrete, and a buffer and water conveyance layer may also be formed on the primary spraying cement concrete surface.例文帳に追加

トンネル掘削面を一次吹付セメントコンクリートにより不陸にしてもよく、一次吹付セメントコンクリート表面に緩衝・導水層を設けてもよい。 - 特許庁

The buffer 13 outputs data included in the segment data output from the mask circuit 12 to a physical layer device 20 by being synchronized with a clock signal TX_CLK.例文帳に追加

バッファ１３は、マスク回路１２から出力されたセグメントデータに含まれるデータを、クロック信号ＴＸ＿ＣＬＫに同期して物理層デバイス２０に出力する。 - 特許庁

The buffer tape 11 is provided between the protection resin layer 4 covering the face on which the electronic part on the ceramic substrate is mounted and the insulation mold resin 9.例文帳に追加

セラミック基板の電子部品が実装されている面を覆う保護樹脂層４と絶縁モールド樹脂９との間に緩衝用テープ１１を介在させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a polymetal gate electrode that is provided with a barrier film formed from a TiN film and a buffer layer, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ＴｉＮ膜及びバッファ層から形成されるバリアー膜を備えるポリメタルゲート電極を持つ半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A buffer layer 31 is provided on a substrate 30, is made from silicon carbide containing an impurity, and has a thickness ranging from 1 μm to 7 μm.例文帳に追加

バッファ層３１は、基板３０上に設けられ、不純物を含有する炭化珪素から作られ、１μｍより大きく７μｍより小さい厚さを有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for buffer layer of photoelectric conversion element, capable of effectively removing adhering colloid-like solid on a deposition film surface by chemical bath deposition process.例文帳に追加

光電変換素子のバッファ層の製造において、化学浴析出法による析出膜表面に付着コロイド状固形物を効果的に除去する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an integrated circuit by metal silicate or silicate-germanate dielectrics which are opposed to SiGe and Si planes with no buffer layer.例文帳に追加

本発明は、バッファ層のないＳｉＧｅ及びＳｉ面に対する金属シリケートまたはシリケート−ゲルマネート(silicate-germanate)誘電体による集積回路の製造を提供する。 - 特許庁

Growth of GaN semiconductor 12 is suspended to grow a SiN buffer body 14, and then another GaN semiconductor layer 16 is grown.例文帳に追加

ＧａＮ半導体層１２の成長を中断してＳｉＮバッファ体を１４を成長させ、その後再びＧａＮ半導体層１６を成長させる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device provided with a high-resistance buffer layer that can be formed in a simple method, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

簡便な方法で形成することが可能な高抵抗のバッファ層を備えた窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

SUBSTRATE FOR POWER MODULE WITH HEAT SINK, POWER MODULE WITH HEAT SINK, SUBSTRATE FOR POWER MODULE WITH BUFFER LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE FOR POWER MODULE WITH HEAT SINK例文帳に追加

ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール、緩衝層付パワーモジュール用基板及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 - 特許庁

The host layer protocol 105 analyzes the received cell and gives a control signal to a buffer control section 163, when detecting the occurrence of cell loss to allow the control section 163 to retransmit the cell.例文帳に追加

上位層プロトコル１０５は、受信セルを解析し、セルロス発生を検知すると、バッファ制御部１６３に制御信号を出し、そのセルを再送させる。 - 特許庁

A pseudo InGaAs substrate is formed by forming an InGaAs buffer layer 121 and InGaAs 122 subjected to lattice relaxation on a GaAs substrate 102.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０２上に、ＩｎＧａＡｓバッファ層１２１と、格子緩和したＩｎＧａＡｓ１２２を形成して擬似的なＩｎＧａＡｓ基板する。 - 特許庁

Accordingly, the BN-based compound semiconductor buffer layer 24 acts to relax lattice misalignment between the substrate 11 and semiconductor crystalline layers 34, 35 and 36.例文帳に追加

従って、ＢＮ系化合物半導体バッファー層２４が、基板１１と半導体結晶層（３４、３５，３６）間における格子不整合を緩和する。 - 特許庁

After subjecting an Si single-crystal substrate to a temperature rise to 270-320°C, an In buffer layer is formed by an electron-beam heating type vacuum deposition method (A region).例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板を２７０〜３２０℃まで昇温させた後、電子ビーム加熱式真空蒸着法によりＩｎ緩衝層を形成する（Ａ領域）。 - 特許庁

After the principal plane of the sapphire substrate having the (11-22) semipolar plane is subjected to unevenness processing, the AlN, GaN, or AlGaN buffer layer is formed.例文帳に追加

（１１−２２）半極性面を有するサファイヤ基板の主面上に、凹凸加工を施した後、ＡｌＮ,ＧａＮ又はＡｌＧａＮバッファ層を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a punched through type IGBT (conductivity modulated MOSFET) having a buffer layer which enables cost reduction and high performance simultaneously.例文帳に追加

低コスト化と高性能を両立可能なバッファ層を有するパンチスルー型ＩＧＢＴ（伝導度変調型ＭＯＳＦＥＴ）の製造方法の提供。 - 特許庁

Furthermore, the conductive protection film is formed by spraying fine powder on the buffer layer with carrier gas from the tip of the minute hole nozzle.例文帳に追加

さらに、前記導電性保護膜を、前記バッファ層上に微粉末をキャリアガスとともに微小孔ノズルの先端から吹き付けることにより、形成する。 - 特許庁

Lateral growth of the GaN-based crystal is suppressed by the protrusions and recesses (or a level difference) on the surface of the crystal substrate and the surface is planarized with no intermediary of the buffer layer.例文帳に追加

結晶基板表面の凹凸（または段差）によって、ＧａＮ系結晶は横方向の成長を抑制され、バッファ層を介さずとも平坦化する。 - 特許庁

The substrate is subjected to isotropic etching to remove the buffer layer exposed through the second apertures and to expose the side walls of the first apertures.例文帳に追加

次に、フォトレジスト層を前記基板上に形成し、その後、前記フォトレジスト層をパターン化し、前記バッファ層の一部を露出させる第２開口を形成する。 - 特許庁

In the compound semiconductor element, a first element isolation portion 9 reaching a buffer layer 2 from a surface of the element in the thickness direction of a substrate 1 is formed.例文帳に追加

化合物半導体素子において、素子表面から基板１の厚さ方向にバッファ層２まで達する第１の素子分離部９を形成する。 - 特許庁

A buffer material 140 is disposed between a CsI substrate 126 having a CsI layer 123 and a sensor panel 107 including a photoelectric conversion element.例文帳に追加

ＣｓＩ層１２３を有するＣｓＩ基板１２６と光電変換素子が形成されたセンサパネル１０７との間に緩衝材１４０を具備する。 - 特許庁

It is then converted into an RGB video signal, a right video and a left video contained in the RGB video signal are mixed in the kernel layer, and stored in a second frame buffer.例文帳に追加

ついで、RGB映像信号に変換して、カーネル階層でRGB映像信号内に含まれた左映像と右映像をミキシングして、第２フレームバッファに保存する。 - 特許庁

In the second place, the buffer layer 3 is partially removed by an unreactive dry etching method, and the opening part 8 where the primary face 1A of the substrate 1 is exposed is formed.例文帳に追加

次いで、バッファ層３を非反応性ドライエッチングによって部分的に除去し、基板１の主面１Ａが露出した開口部８を形成する。 - 特許庁

The buffer layer 110 is formed on the reflection structure 108 and the exposed portion of surface 102 of the substrate 100 to be filled into the openings 106.例文帳に追加

バッファ層１１０は、反射構造１０８及び基板１００の表面１０２の露出部分上に形成されて開口１０６が充填されている。 - 特許庁

The stress buffer layer 105 is patterned with a laser to thereby activate the filler, and the laser ablation path can then be selectively metalized.例文帳に追加

応力緩衝層１０５は、レーザでパターン化され、これにより、充填材が活性化され、次いで、レーザ切削経路が選択的に金属化されることが可能である。 - 特許庁

The barrier film has the TiN film formed on the first metal silicide film and the buffer layer provided between the TiN film and the metal film.例文帳に追加

バリアー膜は、第１金属シリサイド膜上に形成されるＴｉＮ膜と、ＴｉＮ膜と金属膜との間に介在されるバッファ層と、を備える。 - 特許庁

The field effect transistor is formed on a p-type silicon carbide substrate 11 or a p-type silicon carbide substrate, having a p-type silicon carbide buffer layer 12.例文帳に追加

ｐ型炭化珪素基板１１またはｐ型炭化珪素バッファ層１２を有する炭化珪素基板上に形成してなる電界効果トランジスタ。 - 特許庁

On the binding force buffer layer 86, for example, a piezoelectric film 88 of a lead zirconate titanate (PZT) is formed by a deposition method (AD method) (Fig. 4(d)).例文帳に追加

この拘束力緩衝層８６上には、例えば、ジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）の圧電膜８８が、堆積法（ＡＤ法）により形成される（図４（ｄ））。 - 特許庁

To enhance the light emission intensity of a deep ultraviolet light LED by arranging a buffer layer having good lattice matching with an AlGaN-based material on a sapphire substrate.例文帳に追加

サファイア基板上にＡｌＧａＮ系の材料との格子整合性の良いバッファ層を配置し、深紫外光ＬＥＤのの発光強度を高める。 - 特許庁

A film-like buffer layer made of silicon oxide having a refractive index smaller than that of the substrate 2 is disposed on the side surface 3a of the ridge structure part 3.例文帳に追加

リッジ構造部３の側面３ａには、基板２の屈折率より小さい屈折率を有する酸化シリコン等からなる膜状のバッファ層を設ける。 - 特許庁

The sources of group II and group VI are operated to expose the III-V buffer layer to group II element flux before exposing to group VI element flux.例文帳に追加

ＩＩ族及びＶＩ族ソースを操作して、ＩＩＩ−Ｖバッファ層をＶＩ族元素フラックスに暴露する前にＩＩ族元素フラックスに暴露させる。 - 特許庁

Next, the substrate (12) is heated up to a temperature suitable for growing III-V semiconductor and crystalline III-V semiconductor buffer layer (14) is grown.例文帳に追加

基板（１２）を次にＩＩＩ−Ｖ半導体成長に適切な温度まで加熱し、結晶質ＩＩＩ−Ｖ半導体バッファ層（１４）を成長させる。 - 特許庁

A semiconductor element structure is formed on the AlN, GaN, or AlGaN buffer layer formed on the principal plane of the sapphire substrate having the (11-22) semipolar plane.例文帳に追加

（１１−２２）半極性面を有するサファイヤ基板の主面上に、形成したＡｌＮ又はＡｌＧａＮバッファ層上に半導体素子構造を形成する。 - 特許庁

An n-type SiC layer 4 having a relatively high dopant concentration as a buffer film is formed so as to coat the entire face of the Schottky barrier metal 3.例文帳に追加

ショットキーバリア金属３の全面を覆うように緩衝膜としてのドーパント濃度の比較的高いｎ型のＳｉＣ膜４が形成されている。 - 特許庁