「buffer-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a laminate having a transparent conductive film layer formed of an oxide thin film including an anatase phase with more excellent crystallinity by forming an optimum buffer layer on a substrate and including an adding element such as niobium with a titanium oxide as a principal component having a high refractive index and a low specific resistance, and to provide a functional element such as a semiconductor light emitting element having the laminate or a solar cell.例文帳に追加

基体上に最適なバッファー層を形成することで、より結晶性に優れたアナターゼ相を含み、高い屈折率と低い比抵抗を有する、酸化チタンを主成分としてニオブなどの添加元素を含む酸化物薄膜からなる透明導電膜層を有する積層体を提供し、この積層体を具備した半導体発光素子、あるいは太陽電池などの機能素子を提供する。 - 特許庁

The laminate structure for thermoelectric conversion has a structure in which a substrate 10, a buffer layer 20 formed by distributingly laminating a plurality of independent laminate portions 21 comprising Ti metal or Ti alloy, and a thermoelectric material layer 30 containing as effective components one or two elements selected from a first group of Bi and Sb and one or two elements selected from a second group of Te and Se are laminated in this order.例文帳に追加

基板１０と、Ｔｉ金属若しくはＴｉ合金からなる独立積層部２１を複数、相互に分散して積層形成してなる緩衝層２０と、Ｂｉ、Ｓｂの第１群から選ばれる１又は２の元素とＴｅ、Ｓｅの第２群から選ばれる１又は２の元素とを有効成分として含む熱電材料層３０とが、この順で積層されている熱電変換用積層構造である。 - 特許庁

In this easily peelable bumping bag, polyolefin containing maleic acids contains 30 ppm-1,000 ppm maleic acids, an interior sheet is a buffer olefin resin sheet having a polyolefin layer containing maleic acids at least in one surface, and a paper sheet and the interior sheet are arranged in an overlapping manner of the paper sheet and the polyolefin resin layer containing maleic acids as the interior sheet.例文帳に追加

マレイン酸類含有ポリオレフィンがマレイン酸類３０ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍを含むポリオレフィンであり、内装シートが少なくとも一表面にマレイン酸類含有ポリオレフィン層を有する緩衝性のオレフィン樹脂のシートであり、紙質シートと内装シートが、紙質シートと内装シートのマレイン酸類含有ポリオレフィン層とを重ね合わせるように配置されてなることを特徴とする易剥離性緩衝袋。 - 特許庁

The organic photoelectric converter includes at least a pair of electrodes 12, 16, a photoelectric conversion region (layer) 15 containing at least an electron donative organic substance and an electron receptive organic substance, and a buffer layer 14 interposed between the photoelectric conversion region and at least one of the pair of the electrodes and made of at least one type of inorganic substance.例文帳に追加

本発明の有機光電変換素子は、少なくとも１対の電極１２，１６と、前記電極間に、配置され、少なくとも電子供与性有機材料と電子受容性有機材料とを含む光電変換領域（層）１５と、前記光電変換領域と前記１対の電極の少なくとも一方との間に介在せしめられた少なくとも１種類の無機物からなるバッファ層１４とを有する。 - 特許庁

In a semiconductor module 1 comprising a semiconductor element 2 and contact materials 3 (stress buffer members) connected to an electrode layer 2a of the semiconductor element 2, a plurality of grooves 3a-3c extending along an outer periphery of the semiconductor element 2 are formed on principal surfaces of the contact materials 3, which are planes contacting the semiconductor element 2.例文帳に追加

半導体素子２と、半導体素子２の電極層２ａと接続されるコンタクト材３（応力緩衝部材）とを備える半導体モジュール１において、コンタクト材３の主面であって半導体素子２と接する面に、半導体素子２の外周に沿った複数の溝３ａ〜３ｃを形成する。 - 特許庁

The host request reception processing section 15 receives transmission data from a host layer, to write the data to a transmission area in the transmission/reception buffer 11, and the protocol processing section 12 applies protocol processing to the transmission data to generate a transmission frame, and the network transmission processing section 14 transmits the generated transmission frame to a network N.例文帳に追加

ホスト要求受信処理部１５は、送信データを上位レイヤから受け取って送受信バッファ１１内の送信用領域に書き込み、プロトコル処理部１２は、送信データにプロトコル処理を行って送信フレームを作成し、ネットワーク送信処理部１４は、作成された送信フレームをネットワークＮ上に送信する。 - 特許庁

To provide a protection structure and a protection buffer body method for water barrier normal plane in final disposal plant which reliably protect a water barrier sheet which is laid in a man-made surface of a final disposal plant from the breakage on a reclamation and form a protection layer which is inexpensive and stable.例文帳に追加

最終処分場の造成面に敷設される遮水シートを埋め立て時の破損から確実に保護できると共に、安価で安定した保護層を形成可能である最終処分場における遮水法面の防護構造および最終処分場における遮水法面の防護緩衝体工法を提供する。 - 特許庁

While a piezoelectric actuator 60 is constituted by forming a PZT piezoelectric film 64 on a ZrO_2 substrate 62 which becomes a diaphragm by the aerosol deposition method, a stress buffer layer 66 composed of platinum (Pt) having a required thickness is interposed between the ZrO_2 substrate 62 and PZT piezoelectric film 64 by the sputtering method etc.例文帳に追加

この圧電アクチュエータ６０は、振動板となるZrO2基板６２上にエアロゾルデポジション法によりＰＺＴ圧電膜６４を成膜して構成されるが、このZrO2基板６２とＰＺＴ圧電膜６４との間にスパッタ法等により所要の厚みをもった白金(Pt)からなる応力バッファ層６６を介在させる。 - 特許庁

A cell buffer 24 once stores an ATM cell received by a physical layer interface 12 independently of whether the ATM cell is an ATM cell outputted from a switch interface 22 or an ATM cell addressed to a host CPU 26 and the ATM cell addressed to the host CPU 26 is stored in a temporary RAM 18 in timing managed by a scheduler 16.例文帳に追加

物理層インターフェース１２に入力されたＡＴＭセルを、スイッチインターフェース２２から出力するＡＴＭセルであるかホストＣＰＵ２６宛のＡＴＭセルであるかにかかわらずセルバッファ２４に一旦蓄積し、スケジューラ１６により管理されたタイミングでホストＣＰＵ宛のＡＴＭセルをテンポラリＲＡＭ１８に格納する。 - 特許庁

This semiconductor device comprises an elastic insulative stress buffer resin layer 14, which coats the semiconductor substrate 11 and has openings 14a exposing electrode pads 12, and a conductive adhesive 16 which is formed in the openings 14a to connect the electrode pads 12 and the metal bumps 25.例文帳に追加

この半導体装置は、半導体基板１１を覆い電極パッド１２を露出する開口部１４ａを備えた弾性を有する絶縁性応力緩衝樹脂層１４と、開口部１４ａ内に形成され電極パッド１２と金属バンプ２５とを接続する導電性接着剤１６とを備えている。 - 特許庁

In the substrate 1, a 2nd optical waveguide is formed so that it is connected in series with the 1st optical waveguide, and then a DC electrode 14 for operation point control and ground electrodes 15-1 and 15-2 are formed without forming any buffer layer to constitute the operation point control part 20.例文帳に追加

そして、基板１内に第１の光導波路２と直列に接続されるように第２の光導波路１２を形成し、バッファ層を形成することなく動作点制御用ＤＣ電極１４並びに接地電極１５−１及び１５−２を形成することによって、動作点制御部３０を構成する。 - 特許庁

In one embodiment, the three-dimensional authoring tool implemented on a computer system manages a method of constituting an image for duplication, the image is constituted so as to process a jump without any buffer underrun, and the jump is made by layer switching or movement from or to a branch in a multi-branch story line.例文帳に追加

１つの実施では、コンピュータシステム上で実行される３Ｄオーサリングツールは、複製のための画像を構成する方法を管理し、画像は、バッファアンダーラインなしにジャンプを処理し、ジャンプは、層スイッチングにより又はマルチ分岐ストーリーラインにおいて分岐から又は分岐へ移動することにより引き起こされる。 - 特許庁

The silicon substrate having a (111) plane which has orientation flat, in a direction in which the <110> direction rotates counterclockwise about the rotation axis of the <111> direction by an angle ϕ of 30°, 90°, and 150° as a principal surface is used as the substrate for heteroepitaxial growth; and a buffer layer made of the group-III nitride semiconductor is formed.例文帳に追加

＜１１１＞方向を回転軸として、＜１１０＞方向を左回りに３０°、９０°、１５０°のいずれかの角度φだけ回転させた方向にオリフラを有する（１１１）面を主面とするシリコン基板をヘテロエピタキシャル成長用基板として使用し、ＩＩＩ族窒化物半導体からなるバッファ層を形成する。 - 特許庁

In the high-voltage semiconductor device (horizontal IGBT), an N-type drift region 104 and a P-type body region 105 are formed in an SOI layer 103, an N-type emitter region 106 is formed in the body region 105, and an N-type buffer region 115 and a P-type collector region 116 are formed in the drift region 104.例文帳に追加

高耐圧半導体装置（横型ＩＧＢＴ）において、ＳＯＩ層１０３内にＮ型ドリフト領域１０４、Ｐ型ボディ領域１０５が形成され、ボディ領域内１０５内にＮ型エミッタ領域１０６、ドリフト領域１０４内にＮ型バッファ領域１１５とＰ型コレクタ領域１１６が形成される。 - 特許庁

The conductors of at least one conductor layer have the S-Z twist, and surround the optical fibers 14 included in a loose 16 in at least one plastic buffer tube 12 to provide the cable and the optical fiber network including the cable with the desired structural and operational characteristics.例文帳に追加

少なくとも一つの導体層の導体は、Ｓ−Ｚ撚りであり、少なくとも一つのプラスチックバッファチュ−ブ１２の中にルース１６に含まれる光ファイバ−１４を取り囲んで、ケ−ブルおよびケ−ブルが含まれる光ファイバ−ネットワ−クに望ましい構造上の特徴と動作上の特徴を与える。 - 特許庁

Record data is supplied from a host PC 110, the record data is supplied to a laser driver 19 through a buffer memory 36, an encoder 17, and a strategy circuit 18, an optical disk 200 is irradiated with a laser beam in accordance with the record data, and information is recorded on a recoding layer of the optical disk 200.例文帳に追加

ホストＰＣ１１０から記録データが供給され、その記録データがバッファメモリ３６、エンコーダ１７、ストラテジ回路１８を介してレーザドライバ１９に供給され、記録データに応じたレーザ光の照射が光ディスク２００に対して実施され、光ディスク２００の記録層２０２に情報記録が行われる。 - 特許庁

A buffer layer (12) which is an intermediate film or an oscillation plate (55) is formed on substrates (11 and 52), lower electrodes (13 and 542) are formed on the intermediate film, the ferroelectric film (24) or the piezoelectric film (543) is formed on the lower electrodes, and upper electrodes (25 and 541) are formed on the ferroelectric film or the piezoelectric film.例文帳に追加

基板（１１、５２）の上に中間膜であるバッファ層（１２）又は振動板（５５）を形成し、前記中間膜上に下部電極（１３、５４２）を形成し、前記下部電極上に強誘電体膜（２４）又は圧電体膜（５４３）を形成し、前記強誘電体膜又は圧電体膜上に上部電極（２５、５４１）を形成する。 - 特許庁

The diffusion region 102 has: a bent part; a groove 105 formed by etching the substrate 101 along the diffusion region 102 at the outer side of the bent part of the diffusion region 102; and a buffer layer 1 (111) having a refractive index equal to or greater than that of the substrate 101 and provided at the upper part of the diffusion region 102.例文帳に追加

この拡散領域１０２は、曲がり部を有し、拡散領域１０２の曲がり部の外側に、拡散領域１０２に沿って基板１０１を掘り下げて形成した溝１０５と、拡散領域１０２の上部に設けられ、基板１０１の屈折率以上の屈折率を有するバッファ層１（１１１）と、を備えてなる。 - 特許庁

In the method for depositing the silicon dioxide thin film onto the diamond-like carbon, a diamond-like carbon film 2 is deposited onto a substrate 1 by a CVD method and a silicon film 3 is deposited as a buffer layer onto the diamond-like carbon film 2 by a sputtering method and then the silicon dioxide thin film 4 is deposited onto the silicon film 3.例文帳に追加

ダイヤモンド様炭素上への二酸化珪素薄膜の堆積方法において、基板１上にＣＶＤ法でダイヤモンド様炭素膜２を堆積し、このダイヤモンド様炭素膜２上にバッファ層としてシリコン膜３をスパッタ法で堆積し、このシリコン膜３上に二酸化珪素薄膜４を堆積することを特徴とする。 - 特許庁

In the light modulator, a window 6 where a buffer layer 4 is removed is disposed on one phase shift optical waveguide 3a; and a phase adjusting section 7 comprising a substance having a lower refractive index than that of a substance constituting the optical waveguide 3 is disposed in at least a partial region on the phase shift optical waveguide 3a in the window 6.例文帳に追加

一方の位相シフト光導波路３ａ上において、バッファ層４を除去した窓部６が配置され、光導波路３を形成する物質よりも屈折率の低い物質からなる位相調整部７が、窓部６における位相シフト光導波路３ａ上の少なくとも一部の領域に配置されている。 - 特許庁

The base material 10 for growing single crystal diamond includes an iridium film or a rhodium film 12 heteroepitaxially grown on a side of a single crystal SiC substrate 11 where single crystal diamond is to be grown, wherein the iridium film or rhodium film 12 functions as a good buffer layer in growing single crystal diamond.例文帳に追加

単結晶ＳｉＣ基板１１の単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１２を有する単結晶ダイヤモンド成長用基材１０であって、イリジウム膜又はロジウム膜１２は、単結晶ダイヤモンド成長時に良好なバッファ層として機能する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor crystal capable of separating the nitride semiconductor crystal from a dissimilar substrate by dissolving a buffer layer in a short time by etching selectively even when using a material having a small dissolving rate difference from that of the nitride semiconductor crystal.例文帳に追加

窒化物半導体結晶との溶解速度差が小さい材料からなるバッファ層を用いた場合であっても、選択的エッチングにより短時間でバッファ層を溶解させて、窒化物半導体結晶を異種基板から分離可能とすることができる、窒化物半導体結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁

This method for isolating and purifying a nucleic acid comprises (a) removing cell fragments and other particles with a filter layer reducing the pore diameter viewed in the flow direction or the direction to make a sample flow and (b) then treating the resultant eluate with an anion exchanger in a buffer solution at a low ionic strength or a high ionic strength.例文帳に追加

核酸を単離及び精製する方法と、その装置として、ａ）細胞破片及び他の粒子を流れの方向に、又は試料が流れる方向に見てポア径が小さくなるフィルター層によって除く、ｂ）該溶出液をその後、低イオン強度又は高イオン強度のバッファー溶液中で陰イオン交換体により処理する。 - 特許庁

The anode material for a lithium secondary battery of the present invention is composed of a composite powder having a component B coated on a surface of a component A, wherein (1) the component A is a material capable of electrochemically occluding lithium ions and (2) the component B is a compound which is decomposed into a buffer layer by lithium reduction during initial charging.例文帳に追加

本発明のリチウム二次電池用負極材料は、Ａ成分の表面にＢ成分が被覆された複合粉末からなり、（１）Ａ成分が、リチウムイオンを電気化学的に吸蔵することができる材料であり、（２）Ｂ成分が、初期の充電でリチウム還元されてバッファー層に分解する化合物である。 - 特許庁

The piezoelectric resonance stack 12 is comprised of: an oscillation area 18 in which the upper electrode 10 and the lower electrode 8 are opposite to each other via a piezoelectric layer 2 and located in accordance with the gap 4; a supporting area 22 which contacts the substrate; and a buffer area 20 located between the oscillation area 18 and the support area 22.例文帳に追加

圧電共振スタック１２は、上部電極１０と下部電極８とが圧電層２を介して互いに対向し且つ空隙４に対応して位置する振動領域１８と、基板に接する支持領域２２と、振動領域１８及び支持領域２２の間に位置する緩衝領域２０とからなる。 - 特許庁

By providing a buffer zone having specific arrangement of grooves between the control information area and the user information area and rectifying the flow of the dye solution when spin coating to uniformize the dye material layer even in the user area, an optical information recording medium is realized which can suppress the signal fluctuations of the recording signals in the user area.例文帳に追加

管理情報領域とユーザー情報領域の間に特定のグルーブ配置を持つ緩衝領域を設けることにより、スピンコートでの色素溶液の流れを整流し、ユーザー領域の色素層を均一化して、ユーザー領域の記録信号の変動を抑制した光情報記録媒体を実現する。 - 特許庁

Excitation light having energy that is lower than the band gap energy of a substrate is applied from the rear side of the substrate and photoluminescence is detected from the rear of the substrate in a method for non-destructively inspecting the carrier concentration of the semiconductor epitaxial film formed on the front of the substrate via a buffer layer by photoluminescence.例文帳に追加

基板の表面にバッファ層を介して形成された半導体エピタキシャル膜のキャリア濃度をフォトルミネッセンスで非破壊検査する方法において、該基板のバンドギャップエネルギーより低いエネルギーをもつ励起光を該基板の裏面側から照射し、フォトルミネッセンスを該基板の裏面から検出することを特徴とする。 - 特許庁

Thereby, since not only it can raise the electron pouring nature from the negative electrode, but also it can thicken film thickness compared with the negative electrode buffer layer formed conventionally using the insulation material, the film-thickness control can become easy and can make reduction of manufacturing cost and improvement in the yield realize.例文帳に追加

これにより、陰極からの電子の注入性を向上させることができるだけでなく、これまで絶縁性の材料を用いて形成された陰極バッファー層に比べて、膜厚を厚くすることができるので、膜厚制御が容易になり、製造コストの低減および歩留まりの向上を実現させることができる。 - 特許庁

With this, not only an injection property of electrons from the cathode is improved, but also a film thickness can be made thicker than a cathode buffer layer formed with a conventional insulating material, so that a film thickness control is made easier and a reduction of cost and improvement of a yield ratio can be realized.例文帳に追加

これにより、陰極からの電子の注入性を向上させることができるだけでなく、これまで絶縁性の材料を用いて形成された陰極バッファー層に比べて、膜厚を厚くすることができるので、膜厚制御が容易になり、製造コストの低減および歩留まりの向上を実現させることができる。 - 特許庁

The light-emitting element 100 includes a pair of electrodes 2 and 7, a light-emitting layer 5 provided between the pair of electrodes 2 and 7 and having a donor-acceptor pair light emitting function, a buffer layer 4 and a carrier injection layer 3 containing a p-type semiconductor in this order.例文帳に追加

一対の電極２，７と、一対の電極２，７間に配置された、ドナー・アクセプター対発光機能を有する発光層５と、バッファ層４と、ｐ型半導体を含むキャリア注入層３と、をこの順で備える発光素子１００であって、発光素子１００のエネルギーバンド図において、発光層５の価電子帯頂部のエネルギーレベルをＶＢＭ_ｉ（ｅＶ）及びキャリア注入層３の価電子帯頂部のエネルギーレベルをＶＢＭ_ｐ（ｅＶ）としたときに、バッファ層４の価電子帯が、下記式（１）の条件を満たすエネルギーレベルＶＢＭ_ｂ（ｅＶ）の価電子帯頂部を有することを特徴とする。 - 特許庁

The capacitor 52 has an upper electrode 50 and a lower electrode 46 which are made of platium group elements, a dielectric thin film 48 which is formed between the upper and lower electrodes, and a buffer layer 47 which is made of group 3, group 4, or group 13 metal oxide between the lower electrode and dielectric thin film.例文帳に追加

白金族元素よりなる上部電極５０及び下部電極４６と、前記上部電極と下部電極との間に形成された誘電体薄膜４８と、前記下部電極と誘電体薄膜との間に形成され、３族、４族または１３族の金属酸化物よりなるバッファ層４７とを備えることを特徴とするキャパシタ５２。 - 特許庁

The method of growing a crystal of the nitride semiconductor on the crystalline nitride semiconductor substrate comprises supply of gaseous raw materials onto the substrate while keeping the temperature of the substrate within the temperature range of 400 to 600°C so as to form a low temperature buffer layer composed of the nitride semiconductor material on the surface of the substrate.例文帳に追加

結晶性の窒化物半導体からなる基板上に窒化物半導体を結晶成長させる方法であって、前記基板に対して原料ガスを供給すると共に当該基板を４００℃〜６００℃の範囲に保持することで、当該基板表面に窒化物半導体材料で構成された低温バッファー層を形成する。 - 特許庁

This soundproof flooring material 10 includes the plate-like wood base material 12 with a specific gravity of 0.2-0.4, a surface strengthening layer 13 which is provided on the top surface of the wood base material 12 and which is higher in hardness than the wood base material 12, and a buffer material 14 which is attached to an undersurface of the wood base material 12.例文帳に追加

防音床材１０を、０．２以上０．４以下の比重を有する板状の木質基材１２と、木質基材１２の上面に設けられた、木質基材１２よりも硬度が高い表面強化層１３と、木質基材１２の下面に取り付けられた緩衝材１４とで構成することにより、上記課題を解決することができる。 - 特許庁

By employing a fluoride (one of CaF_2, BaF_2 and MgF_2) as a buffer layer on a diamond single-crystal substrate or an epitaxial thin film, an excellent ferroelectric PZT thin film having remnant polarization charge (68 μC/cm^2) twice as much as that of a conventional one while keeping a coercive electric field at the same value (33 kV/cm) is provided.例文帳に追加

ダイヤモンド単結晶基板またはエピタキシャル薄膜上にフッ化物（ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、ＭｇＦ_２の内一つ）を緩衝層として用いることにより、抗電界を同じ大きさ（３３ｋＶ／ｃｍ）に保ちながら、従来の２倍の残留分極電荷（６８μＣ／ｃｍ^２）を持つ優れた強誘電性のＰＺＴ薄膜を提供する。 - 特許庁

This solar cell includes: first and second electrodes facing to each other; a porous film interlaid between the first and second electrodes with a dye adsorbed thereto; an electrolyte interlaid between the first and second electrodes; and a buffer layer interlaid between the first electrode and the porous film and comprising at least two layers.例文帳に追加

互いに対向した第１及び第２電極と、第１及び第２電極間に介在され、色素が吸着されている多孔質膜と、第１及び第２電極間に介在された電解質と、第１電極及び多孔質膜間に介在され、少なくとも二層で備わった緩衝層とを含むことを特徴とする太陽電池である。 - 特許庁

When picture data is supplied from the host PC 110, the picture data is supplied to the laser driver 19 through the buffer memory 36, a control section 16, a FIFO memory 34, and a drive pulse generating section 35, laser beam irradiation corresponding to the picture data is performed, and a visible picture is formed on a color change layer 205 of the optical disk 200.例文帳に追加

一方、ホストＰＣ１１０から画像データが供給された場合、その画像データがバッファメモリ３６、制御部１６、ＦＩＦＯメモリ３４および駆動パルス生成部３５を介してレーザドライバ１９に供給され、画像データに対応したレーザ光照射が行われ、光ディスク２００の変色層２０５に可視画像が形成される - 特許庁

The phase shift mask blank has, at least on a substrate, one or more layers of a phase shift film essentially comprising a metal silicide compound and one or more layers of a metal-containing film, and further has a buffer layer having a continuously varied composition of the film on the interface between the phase shift film and the metal-containing film.例文帳に追加

位相シフトマスクブランクであって、少なくとも、基板上に、金属シリサイド化合物を主成分とする１層以上の位相シフト膜と、１層以上のメタル含有膜を具備し、前記位相シフト膜と前記メタル含有膜との界面に、膜の組成が連続的に変化したバッファ層を有するものであることを特徴とする位相シフトマスクブランク。 - 特許庁

The semiconductor apparatus 1 includes: a substrate 20; a semiconductor device 12 formed on the principal surface of the substrate 20 and including an interconnect layer; a magnetic shielding film 15 of a magnetic material covering the semiconductor device 12; and a buffer film 14 disposed between the semiconductor device 12 and the magnetic shielding film 15, and preventing diffusion of the magnetic material of the magnetic shielding film 15.例文帳に追加

半導体装置１は、基板２０と、基板２０の主面上に形成され、かつ配線層を含む半導体素子１２と、半導体素子１２を被覆する磁性体からなる磁気シールド膜１５と、半導体素子１２と磁気シールド膜１５との間に介在し、かつ磁気シールド膜１５の磁性体材料の拡散を防止するバッファ膜１４と、を有する。 - 特許庁

First and second semiconductor lasers 10 and 20 comprising buffer layers 11 and 21, clad layers 12 and 22, quantum well active layers 13 and 23 and clad layers 14 and 24 laminated on a substrate 1 while having a stripe structure are integrated on the same substrate, and the quantum well active layer near a resonator end face is disordered by impurity diffusion.例文帳に追加

基板１上に積層されたバッファ層１１、２１、クラッド層１２、２２、量子井戸活性層１３、２３、およびクラッド層１４、２４を備え、ストライプ構造を有する第一および第二半導体レーザ１０、２０が同一基板上に集積化され、共振器端面近傍における量子井戸活性層は不純物拡散により無秩序化されている。 - 特許庁

The ZnO buffer layer 3 having small specific resistance is grown on a conductive Si substrate 2, and n-type GaN, n-type AlGaN, InGaN (light emitting), p-type AlGaN, and p-type GaN layers 4, 5, 6, 7, and 8 are successively grown, thus forming the semiconductor light emitting device 1 having double hetero junction structure.例文帳に追加

導電性Ｓｉ基板２の上に比抵抗の小さなＺｎＯバッファ層３を成長させ、ＺｎＯバッファ層３の上に順次ｎ型ＧａＮ層４、ｎ型ＡｌＧａＮ層５、ＩｎＧａＮ層（発光層）６、ｐ型ＡｌＧａＮ層７、ｐ型ＧａＮ層８を成長させることにより、ダブルへテロ接合構造の半導体発光素子１を形成する。 - 特許庁

A multi-chip module can be manufactured by aligning a plurality of chip elements to a substrate via an adhesive, temporarily pasting the plurality of the chip elements, disposing the buffer film for multi-chip packaging between the chip elements and a bonding head so that the heat resistant resin layer exists on the chip element side, and heating and pressurizing the plurality of the chip elements to the substrate with the bonding head.例文帳に追加

マルチチップモジュールは、複数のチップ素子を、接着剤を介して基板にアライメントし、仮貼りした後、チップ素子とボンディングヘッドとの間に、マルチチップ実装用緩衝フィルムを、その耐熱性樹脂層がチップ素子側になるように配置し、複数のチップ素子をボンディングヘッドで基板に対し加熱加圧して接続することにより製造できる。 - 特許庁

An oxide superconductor thin film pattern 20 is formed through a CeO2 buffer layer on a sapphire substrate 10 having a step 11 formed such that the step 11 traverses specified regions of a square thin film pattern 22 having an opening 23 at the center, and step type Josephson junction 26, 27 are formed at the regions where the step 11 traverses.例文帳に追加

段差部１１を有するサファイア基板１０上にＣｅＯ_2バッファ層を介して酸化物超電導薄膜からなる超電導薄膜パターン２０を形成し、中心部分に開口部２３を有する正方形状の薄膜パターン２２の所定の部位を段差部１１が横断するように段差部１１及び薄膜パターン２０を構成する。 - 特許庁

The near-field light generator for generating near-field light from light emitted from an optical element to a plasmon probe is constructed in such a manner that the optical element is made of silicon, the plasmon probe is made of gold, and a buffer layer is formed between the optical element and the plasmon probe to prevent a eutectic phenomenon between the silicon and the gold.例文帳に追加

光学素子からプラズモンプローブに照射した光から近接場光を発生する近接場光発生器において、光学素子の材質はシリコン、プラズモンプローブの材質は金であり、光学素子と前記プラズモンプローブとの間に、シリコンと金の共晶現象を防止するバッファ層を形成したことを特徴とする近接場光発生器。 - 特許庁

A roadside communication device 2 comprises an MAC processing unit 41 which holds the transmission data given from an application layer 40 sequentially in a transmission buffer 41a for holding the transmission data, and a PHY processing unit 42 which transmits the transmission data output from the MAC processing unit 41 by using a plurality of first slots SL1 placed in the time axis direction.例文帳に追加

本発明の路側通信機２は、アプリケーション層４０から与えられる送信データを、当該送信データを保持するための送信バッファ４１ａに順次保持するＭＡＣ処理部４１と、時間軸方向に複数配置される第１スロットＳＬ１を用いて、ＭＡＣ処理部４１が出力する送信データを送信するＰＨＹ処理部４２とを備えている。 - 特許庁

A method for manufacturing a photoelectric converter includes the steps of directly dissolving chalcogen elemental substance and metal in a mixed solvent including an organic compound containing a chalcogen element and a Lewis base organic solvent to prepare a material solution, applying the material solution onto a light absorbing layer 3 consisting of a first semiconductor to form a film, and heating up the film to form a buffer layer 4 consisting of a second semiconductor including a chalcogen compound semiconductor.例文帳に追加

含カルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機溶剤とを含む混合溶媒に、カルコゲン元素の単体および金属を直接溶解させることにより、原料溶液を作製する工程と、第１の半導体から成る光吸収層３上に前記原料溶液を塗布して被膜を形成する工程と、前記被膜を加熱してカルコゲン化合物半導体を含む第２の半導体から成るバッファ層４を形成する工程と、を具備する。 - 特許庁