「buffer-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

The flatness of a spacer 10 is enhanced by doping the spacer layer 10 with oxygen, when growing sequentially the crystals of a buffer layer 2, a channel layer 4, the spacer layer 10, an electron supply layer 5, and a contact layer 6 by supplying dopant material, group III material, group V material, and gas for dilution onto a heated substrate 1.例文帳に追加

加熱された基板１上にドーパント原料、III族原料、Ｖ族原料及び希釈用ガスを供給し、バッファ層２、チャネル層４、スペーサ層１０、電子供給層５及びコンタクト層６を順次結晶成長させる際に、スペーサ層１０に酸素をドーピングすることにより、スペーサ層１０の平坦度が向上する。 - 特許庁

The nitride semiconductor element comprises a nitride semiconductor layer (a buffer layer 2, an n-type clad layer 3, a light emitting layer 4, a p-type clad layer 5 and a p-type contact layer 6) formed on the front surface of a ZrB_2 substrate 1, and a protective film 9 made of a tungsten formed on the rear surface of the substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体素子は、ＺｒＢ_2基板１の表面上に形成された窒化物系半導体層（バッファ層２、ｎ型クラッド層３、発光層４、ｐ型クラッド層５およびｐ型コンタクト層６）と、ＺｒＢ_2基板１の裏面上に形成されたタングステンからなる保護膜９とを備えている。 - 特許庁

To form a functional semiconductor layer which performs a stable functionality by controlling so as to suppress the diffusion amount of a p-type dopant to the functional semiconductor layer having predetermined functionalities, such as an activity layer, through a first dopant layer as a buffer layer from a p-type semiconductor layer doped with the p-type dopant.例文帳に追加

ｐ型ドーパントをドープしたｐ型半導体層から、バッファ層としての第１ドーパント層を介して活性層などの所定の機能を有する機能半導体層へのｐ型ドーパントの拡散量が抑制できるように制御し、安定した機能を実現する機能半導体層を形成すること。 - 特許庁

The nitride compound semiconductor epitaxial wafer is constituted by successively laminating a buffer layer 2, an n-type GaN clad layer 3, an active layer 4 of multiple quantum well structure consisting of an undoped InGaN well layer, and an undoped GaN barrier layer, p-type clad layers 5, 6, and a p-type InGaN contact layer 7 on a substrate 1.例文帳に追加

本発明の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハは、基板１上にバッファ層２、ｎ型ＧａＮクラッド層３、アンドープＩｎＧａＮ井戸層とアンドープＧａＮ障壁層とからなる多重量子井戸構造の活性層４、ｐ型クラッド層５，６、及びｐ型ＩｎＧａＮコンタクト層７が順次積層されている。 - 特許庁

On a sapphire substrate 1, a GaN buffer layer 2, an n-type GaN contact layer 3, an MWQ active layer 4, and a p-type GaN contact layer 5 are stacked in order, and a partial region is mesa-etched from the p-type GaN contact layer 5 halfway to the n-type GaN contact layer 3 to form an (n) electrode 7.例文帳に追加

サファイア基板１上に、ＧａＮバッファ層２、ｎ型ＧａＮコンタクト層３、ＭＱＷ活性層４、ｐ型ＧａＮコンタクト層５が順次積層されており、ｐ型ＧａＮコンタクト層５からｎ型ＧａＮコンタクト層３の途中まで一部領域がメサエッチングされて、ｎ電極７が形成されている。 - 特許庁

This solar cell includes: a glass substrate 12; a back electrode layer 14 formed on the glass substrate 12 and acting as a back electrode; a CIGS light absorption layer 16 formed on the back electrode layer 14; and a transparent electrode layer 20 formed on the CIGS light absorption layer 16 through a buffer layer 18.例文帳に追加

太陽電池は、ガラス基板１２と、該ガラス基板１２上に形成され、裏面電極となる裏面電極層１４と、該裏面電極層１４上に形成されたＣＩＧＳ光吸収層１６と、該ＣＩＧＳ光吸収層１６上に緩衝層１８を介して形成された透明電極層２０とを有する。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting device 10 having the active layer A1 including the quantum well layer having the high compressive strain amount of not less than 1%, a strain buffer layer B1 comprising a layer having a compressive strain amount not greater than the strain amount of the active layer A1 is adjacently formed on the active layer A1.例文帳に追加

圧縮歪量が１％以上の高圧縮歪量子井戸層を含む活性層Ａ１を有する半導体発光素子１０において、活性層Ａ１の歪量以下の圧縮歪量を有する層から構成される圧縮歪緩衝層Ｂ１を、活性層Ａ１上に隣接するように形成する。 - 特許庁

The semiconductor optical element comprises an n-type buffer layer 102, an undoped InAlAs carrier travel layer 103, an n-type InAlAs field relaxation layer 104, an undoped InAlAs multiplication layer 105, a p-type InAlAs field relaxation layer 106, a p-type concentration gradient InGaAs absorption layer 107, and a p-type InP cap layer 108 formed on an n-type InP substrate 101.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０１上に、ｎ型バッファ層１０２、アンドープＩｎＡｌＡｓキャリア走行層１０３、ｎ型ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層１０４、アンドープＩｎＡｌＡｓ増倍層１０５、ｐ型ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層１０６、ｐ型濃度勾配ＩｎＧａＡｓ吸収層１０７、ｐ型ＩｎＰキャップ層１０８で構成されている。 - 特許庁

After a buffer layer 11, a channel layer 12, a spacer layer 13, an electron supplying layer 14, and a contact layer 15 are sequentially grown on a substrate 10; the substrate 10 is taken out from the vapor growth apparatus, and a non-alloy contact layer 16 is additionally grown on the contact layer 15 with the other vapor growth apparatus to eliminate adverse effect of the memory effect.例文帳に追加

基板１０上にバッファ層１１、チャネル層１２、スペーサ層１３、電子供給層１４、コンタクト層１５を順次成長させた後、その基板１０を気相成長装置から取り出し、他の気相成長装置でコンタクト層１５上にノンアロイコンタクト層１６を別途成長させてメモリー効果の影響を排除するようにしたものでる。 - 特許庁

The element also comprises a buffer layer 6 provided between the layer 3 and the layer 9, and since the light emitted from the layer 3 to an electrode 14 side is reflected to the substrate 1 side by the layer 6, the retrieving efficiency of the light from the substrate 1 side can be enhanced.例文帳に追加

又、第１発光層３と第２発光層９との間にはバッファ層６が設けられ、このバッファ層６により第１発光層３から電極１４側に発光された光が基板１側に反射されるので、基板１側からの光の取り出し効率を高めることができる。 - 特許庁

The nitride semiconductor device comprises a buffer layer 102, an underlayer 103, a first semiconductor layer 104, a second semiconductor layer 105, a control layer 106, and a contact layer 107, which are sequentially formed on a substrate 101 made of sapphire and are composed of a nitride semiconductor, respectively.例文帳に追加

窒化物半導体装置は、サファイアからなる基板１０１上に順次形成され、それぞれ窒化物半導体からなる、バッファ層１０２と、下地層１０３と、第１の半導体層１０４と、第２の半導体層１０５と、コントロール層１０６と、コンタクト層１０７とを備えている。 - 特許庁

The buffer layer 19 is formed by oxidizing an oxidized layer 19D (not shown) formed with a material and thickness which increase oxidation speed relative to the upper DBR layer 15 and a lower DBR layer 11, and decrease the oxidation speed relative to an oxidized layer 18D (not shown).例文帳に追加

バッファ層１９は、上部ＤＢＲ層１５および下部ＤＢＲ層１１よりも酸化速度が速く、かつ被酸化層１８Ｄ（図示せず）よりも酸化速度が遅くなるような材料および厚さによって構成された被酸化層１９Ｄ（図示せず）を酸化することにより形成されている。 - 特許庁

An n-type InP buffer layer 22, a reflector layer 23, an i-type InGaAs photo-absorption layer 24, and an n-type InP cap layer 28 are laminated on an n-type InP substrate, and zinc(Zn) is diffused in the n-type InP cap layer 28 to form a p-type diffusion region 32 as a photo-receiving portion.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板２０上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層２２，反射鏡層２３，ｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２４，ｎ−ＩｎＰキャップ層２８が積層され、ｎ−ＩｎＰキャップ層２８内に亜鉛（Ｚｎ）が拡散されて、受光部となるｐ型拡散領域３２が形成されている。 - 特許庁

The ice-melting and snow-melting/ice and snow accretion prevention means is provided with a heating element 6 of three layer structure, the heating element laminating a buffer layer (S_iOx film), an ultraviolet absorbing layer (ZnO film) also serving as a heat generation layer, and a hard coat layer (SiO_xfilm) in order on a lens base body (polycarbonate).例文帳に追加

融氷融雪・着氷着雪防止手段は、レンズ基材（ポリカーボネート）上に順次バッファ層（ＳｉＯ_Ｘ膜）、発熱層を兼ねた紫外線吸収層（ＺｎＯ膜）、およびハードコート層（ＳｉＯ_Ｘ膜）を積層した３層構造の発熱体６を設けたことである。 - 特許庁

To provide a CBD bath for forming an InS layer as a buffer layer between a p type semiconductor layer and an n type semiconductor layer constituting a compound solar cell by a CBD method by forming an InS layer with predetermined thickness without repeating the same operation several number of times.例文帳に追加

化合物太陽電池を構成するｐ型半導体層とｎ型半導体層との間にバッファー層としてのＩｎＳ層をＣＢＤ法で形成する際に、同一操作を複数回繰り返すことなく所定厚さのＩｎＳ層を形成できるＣＢＤ浴を提供する。 - 特許庁

This reaction container containing the reagent for amplifying the nucleic acid, and composed of the gel layer and aqueous layer includes a primer in any one of the gel layer or aqueous layer, and includes buffer liquid, a magnesium compound and dNTP in the other layer without containing the primer.例文帳に追加

ゲル層と水層を含む、核酸増幅用の試薬入り反応容器であって、ゲル層または水層の何れか一方の層にプライマーが含有され、プライマーを含有しない他方の層に、緩衝液、マグネシウム化合物、およびｄＮＴＰが含有される、核酸増幅用の試薬入り反応容器。 - 特許庁

A second barrier layer 3 formed of AlGaAs, a channel layer 4 formed of InGaAs, a third barrier layer 12 formed of InGaP, and a first barrier layer 11 formed of AlGaAs, are sequentially laminated on one face of a substrate 1 formed of single crystal GaAs through a buffer layer 2.例文帳に追加

単結晶ＧａＡｓよりなる基板１の一面に、バッファ層２を介して、ＡｌＧａＡｓよりなる第２の障壁層３、ＩｎＧａＡｓよりなるチャネル層４、ＩｎＧａＰよりなる第３の障壁層１２、およびＡｌＧａＡｓよりなる第１の障壁層１１が順次積層される。 - 特許庁

In a laminated film structure comprising an upper layer film composed of the insulation film and a lower layer film composed of a silicon film containing holes, buffer hydrofluoric acid or hydrofluoric acid is used for a chemical solution to be dissolved, and the upper layer film and the lower layer film are simultaneously dissolved, thereby evaluating the film quality of the upper layer film.例文帳に追加

絶縁膜からなる上層膜と正孔を含むシリコン膜からなる下層膜とからなる積層膜構造において、溶解させる薬液に緩衝フッ酸やフッ酸を用いて、上層膜と下層膜とを同時に溶解させることにより上層膜の膜質を評価する。 - 特許庁

In addition, p- and n-type blocking layers 8 and 9 are arranged between the partial lower part of the buffer layer 2 and the spacer layer 5 by making the widths of the upper part of the spacer layer 2, active layer 3, and spacer layer 4 in the direction perpendicular to the emitting direction of laser light narrower than that of the substrate 1.例文帳に追加

また、ｎ−バッファ層２の上部と、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３とｐ−スペーサ層４は、レーザ光出射方向に対して垂直方向の幅がｎ−基板１よりも狭くしてｐ−ブロッキング層８、ｎ−ブロッキング層９とが配置されている。 - 特許庁

While heating the metal film 3 and thereby heating the infrared transmission substrate 2 through heat conduction, an n-type buffer layer 21, an n-type clad layer 22, an active layer 23, a p-type clad layer 24 and a p-type contact layer 25 are formed by epitaxial growth, on the other side of the infrared transmission substrate 2.例文帳に追加

金属膜３を加熱し、それによって、熱伝導で赤外線透過基板２を加熱しながら、赤外線透過基板２の他方の面に、エピタキシャル成長により、ｎ型バッファ層２１、ｎ型クラッド層２２、活性層２３、ｐ型クラッド層２４およびｐ型コンタクト層２５を形成する。 - 特許庁

A gain combination DFB laser 20 is a laser of oscillation wavelength of about 1,550 nm, and comprises, on an n-InP substrate 1, an n-InP buffer layer 2, active layer 3, p-InP spacer layer 4, p-InP upper-part clad layer 6, and p-GaInAs contact layer 7.例文帳に追加

本利得結合ＤＦＢレーザ２０は、発振波長約１５５０ｎｍのレーザであって、ｎ−ＩｎＰ基板１上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層２、活性層３と、ｐ−ＩｎＰスペーサ層４、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層６、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層７の積層構造を有する。 - 特許庁

A semiconductor light emitting device is equipped with a semiconductor substrate 2, a light emitting functional layer 3 of AlGaInP compound semiconductor, and a current diffusion layer 5a where a buffer layer 11 of GaxIn(1-x)P (x=0.7 to 0.9) is provided between the light emitting functional layer 3 and the current diffusion layer 5a.例文帳に追加

半導体基板２とＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体から成る発光機能層３と電流拡散層５ａとを有する半導体発光素子において、発光機能層３と電流拡散層５ａとの間にＧａ_xＩｎ_(1-x)Ｐ（ｘ＝０.７〜０.９）から成るバッファ層１１を形成する。 - 特許庁

A buffer layer 102, a high carrier concentration n+ type layer 103 and a multiple quantum well structure light emitting layer 104 are formed on a sapphire substrate 101, P type layers 105, 106 and a first thin film metal layer 111 of metal vapor deposition are formed thereon, and a negative electrode 140 is formed on the layer 103.例文帳に追加

フリップチップ型の III族窒化物系化合物半導体発光素子において、ｐ型半導体層に接続され、光をサファイア基板側へ反射する厚膜正電極を銀（Ａｇ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、または、これらの合金より形成する。 - 特許庁

A buffer layer 12, a gallium nitride channel layer 13 on which a two-dimensional electron gas layer is formed, and an n-type aluminum nitride gallium channel layer 14 for supplying carriers to the channel layer 13 are formed sequentially on a silicon carbide substrate 11.例文帳に追加

炭化ケイ素からなる基板１１上には、バッファ層１２と、窒化ガリウムからなりその上部に２次元電子ガス層が形成されるチャネル層１３と、ｎ型の窒化アルミニウムガリウムからなりチャネル層１３にキャリアを供給するキャリア供給層１４とが順次形成されている。 - 特許庁

To reduce the quantity of an Si impurity diffused in the second compound semiconductor layer of a compound semiconductor device having an AlInAs buffer layer on a substrate as a first compound semiconductor layer and the second compound semiconductor layer on the first compound semiconductor layer.例文帳に追加

基板上に、第１の化合物半導体層としてＡｌＩｎＡｓバッファ層を有し、前記第１の化合物半導体層上に第２の化合物半導体層を有する化合物半導体素子において、第２の化合物半導体層に拡散するＳｉ不純物量の低減を目的とする。 - 特許庁

In the disposal site structure installed by using the bentonite based material layer and the cement based material layer, a buffer layer composed of a silica based material is interposed on the boundary part where the bentonite based material layer and the cement based material layer are in contact with each other.例文帳に追加

ベントナイト系材料層とセメント系材料層を用いて敷設される処分場構造物において，該ベントナイト系材料層と該セメント系材料層が接する境界部にシリカ系材料からなる緩衝層を介在させたことを特徴とする処分場構造物である。 - 特許庁

A semiconductor device is composed of a semiconductor substrate 10, a buffer layer 12 that is formed on the semiconductor substrate 10 while a lattice constant near the surface differs from that near the interface with the semiconductor substrate 10, and a quantum dot that is formed on the buffer layer 12 while a luminous wavelength is stipulated by a lattice constant near the surface of the buffer layer 12.例文帳に追加

半導体基板１０と、半導体基板１０上に形成され、表面近傍における格子定数が半導体基板１０との界面近傍における格子定数とは異なるバッファ層１２と、バッファ層１２上に形成され、発光波長がバッファ層１２の表面近傍における格子定数によって規定された量子ドットとにより半導体装置を構成する。 - 特許庁

An n-GaAs buffer layer 102, n-AlGaInP clad layer 103, active layer 104, p-AlGaInP lower clad layer 105, p-AlGaInP etching stopper layer 106, p-AlGaInP upper clad layer 107, p-GaInP intermediate layer 108, and p-GaAs lower contact layer 109 and grown in sequence on an n-GaAs substrate 101.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０３、活性層１０４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ下部クラッド層１０５、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰエッチングストッパ層１０６、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ上部クラッド層１０７、ｐ−ＧａＩｎＰ中間層１０８、ｐ−ＧａＡｓ下部コンタクト層１０９をその順序で成長させる。 - 特許庁

With the thin film EL element which has at least a laminated structure with a light-emitting layer and transparent electrode layer after an electrode layer having a pattern is formed on a substrate having electric insulation and then, a dielectric layer is formed into a multi-layer state by repeating a solution-coating burning method, a buffer layer is placed between the multi- layer dielectric layer and the electrode layer.例文帳に追加

電気絶縁性を有する基板上にパターンを有する電極層が形成され、さらに誘電体層が溶液塗布焼成法を複数回繰り返すことにより多層状に形成された後、発光層及び透明電極層が積層された構造を少なくとも有する薄膜ＥＬ素子であって、前記多層状誘電体層と前記電極層との間にバッファ層を備えた構造とする。 - 特許庁

An InN layer 2 is formed on an underlayer 1 made of Al_0.1Ga_0.9N on a sapphire substrate (not shown) via a buffer layer (not shown) made of GaN, and a silicon nitride (SiN_x) layer 3 is formed on the InN layer 2.例文帳に追加

サファイア基板（図示せず）の上にＧａＮよりなるバッファ層（図示せず）を介してＡｌ_０．１Ｇａ_０．９Ｎよりなる下地層１の上にＩｎＮ層２を形成し、当該ＩｎＮ層２の上に窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）層３が形成されたものである。 - 特許庁

The gallium nitride light emitting element comprises an n-type GaN buffer layer 12, an n-type GaN layer 14, an InGaN light emitting layer 16, a p-type GaN layer 18, an n-type electrode 20, and a p-type electrode 22 sequentially formed on a sapphire substrate 10.例文帳に追加

窒化ガリウム系発光素子は、サファイア基板１０上にｎ型ＧａＮバッファ層１２、ｎ型ＧａＮ層１４、ＩｎＧａＮ発光層１６、ｐ型ＧａＮ層１８、ｎ型電極２０、ｐ型電極２２を順次形成することで構成される。 - 特許庁

A lower transparent panel substrate 20 has a TFT forming layer 40 formed on a buffer layer 32 on a lower glass substrate 30, and is provided with the pixel electrode layer 60 on its gate film layer 36 together with a gate line 42 and a common line 50.例文帳に追加

下側の透明パネル基板２０において、下ガラス基板３０上のバッファ層３２の上にＴＦＴ形成層４０が形成され、そのゲート膜層３６の上に、ゲートライン４２、コモンライン５０と共に画素電極層６０が設けられる。 - 特許庁

The processed seed layer can deposit the hard magnetic bias layers 338 and 340 on a crystalline layer without requiring a buffer layer of Si, or the like, for interrupting epitaxial growth induced by the underlying crystalline layer.例文帳に追加

処理済のシード層は、下にある結晶質層によって誘導されるエピタキシャル成長を中断するためにＳｉなどのバッファ層を必要とすることなく、結晶質層の上に硬磁性バイアス層３３８，３４０を蒸着することができるようにする。 - 特許庁

A buffer layer 102 made of undoped InAlAs, etc., a channel layer 103 made of undoped InGaAs, etc., an electron supply layer 104 made of InAlAs, etc., and an ohmic contact layer 106 are formed on a semiconductor substrate 101 made of semi-insulating InP, etc.例文帳に追加

半絶縁性のＩｎＰ等の半導体基板１０１上に、アンドープＩｎＡｌＡｓ等のバッファ層１０２、アンドープＩｎＧａＡｓ等のチャネル層１０３、ＩｎＡｌＡｓ等の電子供給層１０４、オーミックコンタクト層１０６が形成されている。 - 特許庁

The GaN semiconductor crystal base material comprises: an Al_xGa_1-xN (0<x≤1) substrate layer grown directly on a crystal substrate via an AlN low-temperature grown buffer layer, and an Al_yGa_1-yN (0≤y<x) layer provided on the substrate layer.例文帳に追加

結晶基板直上に、ＡｌＮ低温成長バッファ層を介してＡｌ_xＧａ_1_-xＮ（０＜ｘ≦１）下地層が成長しており、該下地層上にＡｌ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ＜ｘ）層が設けられていることを特徴とする、ＧａＮ系半導体結晶基材。 - 特許庁

The semiconductor transistor has a substrate 501, a buffer layer 502, a first nitride semiconductor layer 503, a second nitride semiconductor layer 504, a p-type nitride semiconductor layer 506, a source electrode 508, a drain electrode 509 and a gate electrode 510.例文帳に追加

半導体トランジスタは、基板５０１、バッファ層５０２、第１窒化物半導体層５０３、第２窒化物半導体層５０４、ｐ型窒化物半導体層５０６、ソース電極５０８、ドレイン電極５０９およびゲート電極５１０を備えている。 - 特許庁

A driver-containing active matrix type display device or the like comprises a metal layer 32 formed on a partial region on a transparent substrate, and a buffer layer 11 provided to cove any of the metal layer 32 forming region and a metal layer 32 non-forming region.例文帳に追加

ドライバ内蔵型アクティブマトリクス型表示装置など、透明基板上の一部の領域に金属層３２が形成され、金属層３２の形成領域上及び非形成領域上のいずれをも覆うようにバッファ層１１を備える。 - 特許庁

An n-type electron feeding layer 14 made of AlGa and an n-type electron transit layer 15 made of GaN are formed sequentially with an un-doped AlGaN buffer layer 12 and an un-doped AlGaN base layer 13 in between on a sapphire substrate 11.例文帳に追加

サファイアよりなる基板１１の上にundope−ＡｌＧａＮよりそれぞれなるバッファ層１２および下地層１３を介してｎ型ＡｌＧａＮよりなる電子供給層１４およびｎ型ＧａＮよりなる電子走行層１５が順次積層されている。 - 特許庁

The manufacturing method has processes of: forming a silicon substrate 1, the buffer layer 2 formed on the silicon substrate, and a gallium nitride semiconductor layer on top of it; forming a trench of a depth reaching the gallium semiconductor layer by penetrating the silicon substrate and the buffer layer 2 from the back surface of the silicon substrate 1; and embedding a conductive material in the trench.例文帳に追加

シリコン基板１と前記シリコン基板上に形成されたバッファ層２とその上に窒化ガリウム半導体層を形成し、前記シリコン基板１の裏面から前記シリコン基板ならびに前記バッファ層２を貫通して前記窒化ガリウム半導体層に達する深さのトレンチを形成し、このトレンチの中に導電体を埋め込む工程を有する製造方法する。 - 特許庁

The structure is formed between a first substrate and a second substrate, and is configured by a buffer layer having an opening formed on the first substrate, a conductive layer formed on the buffer layer, and a non-conductive film formed between the conductive layer and the second substrate as bonding means for the bonding structure.例文帳に追加

第一のサブストレートと第二のサブストレートとの間に形成されており、その構造は、第一のサブストレート上に形成され開口部を有する緩衝層と、緩衝層上に形成される伝導性層と、ボンディング構造のためのボンディング手段として、伝導性層と第二のサブストレートとの間に形成される非伝導性フィルムから成る。 - 特許庁

In a SiC pin diode 20, an n-type minority carrier elimination layer 31, which is formed between an n-type SiC substrate 21 and an n-type buffer layer 22, has a higher concentration of carbon hole defects than the n-type buffer layer 22, and a carbon hole defect of the minority carrier elimination layer 31 serves as a trap for holes from p-type anode layers 24 and 25.例文帳に追加

このＳｉＣ ｐｉｎダイオード２０では、ｎ型ＳｉＣ基板２１とｎ型バッファ層２２との間に形成したｎ型少数キャリア消滅層３１は、ｎ型バッファ層２２よりも炭素空孔欠陥の濃度が高く、少数キャリア消滅層３１の炭素空孔欠陥はｐ型のアノード層２４,２５からの正孔のトラップとして働く。 - 特許庁

The semiconductor substrate 10 has a single crystal silicon substrate 11, a dislocation layer 12 formed in a surface region excluding the outermost surface of the single crystal silicon substrate 11, a buffer layer 13 formed on the outermost surface of the single crystal silicon substrate 11, and a gallium nitride layer 14 formed on the surface of the buffer layer 13.例文帳に追加

半導体基板１０は、単結晶シリコン基板１１と、前記単結晶シリコン基板１１の最表面を除く表層領域に形成された転位層１２と、前記単結晶シリコン基板１１の前記最表面に形成されたバッファ層１３と、前記バッファ層１３の表面に形成された窒化ガリウム層１４とを備えている。 - 特許庁

In the buffer layer 3, the entire Al composition of one pair of the first buffer region 331 and the adjacent second buffer region 332 at the nitride-based compound semiconductor 4 side is set to be larger than the Al composition of one pair of the regions at the substrate side.例文帳に追加

バッファ層３において窒化物系化合物半導体４側の第１のバッファ領域３３１とそれに隣接する第２のバッファ領域３３２との１組の全体のＡｌ組成は基板側の１組のＡｌ組成に対して大きく設定されている。 - 特許庁

The buffer layer 50 is made up of a material except a resin and it is softer than the inorganic insulating layers 60, 62.例文帳に追加

緩衝層５０は、樹脂を除く材料であって、無機絶縁層６０，６２よりも柔らかい材料から形成されてなる。 - 特許庁

At this time, it is prevented that the reaction vessel 11 is strongly affected by the surrounding temperature, because an air layer AR acts as a buffer.例文帳に追加

この際、空気層ＡＲがバッファとなって反応容器１１が周囲温度の強い作用を受けることを防止している。 - 特許庁