「buffer-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

A laminate structure of InP buffer layer 14, an active layer 16, a InP spacer layer 18 in the thickness of 200 nm, a GaInAs diffraction grating 20, and a InP clad layer 22 embedding the diffraction grating is provided on a InP substrate 12.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１２上に、ＩｎＰバッファ層１４、活性層１６、膜厚２００ｎｍのＩｎＰスペーサ層１８、のＧａＩｎＡｓ回折格子２０、及び回折格子を埋め込んだＩｎＰクラッド層２２の積層構造を備える。 - 特許庁

In an electrode structure 30 for a fuel cell including an electrolyte membrane 1, a catalyst layer 2, and water repellent layer 3 in this order, a hydrophilic buffer layer 7 absorbing water in a low capillary pressure grade is formed adjacent to the catalyst layer 2.例文帳に追加

電解質膜１、触媒層２、及び撥水層３を、この順に含む燃料電池用の電極構造体３０において、低毛管圧勾配で水を吸収する親水性バッファー層７を、触媒層２に隣接して形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a nitride semiconductor layer which crystal-grows a flat non-polarity nitride semiconductor layer having high quality without interposing a low-temperature buffer layer between a sapphire substrate and the nitride semiconductor layer.例文帳に追加

サファイア基板と窒化物半導体層との間に低温バッファ層を介在させることなく、平坦で高品質の無極性窒化物半導体層を結晶成長させる窒化物半導体層の形成方法を提供する。 - 特許庁

The relation of a distance Ls between a base layer (5), formed on the surface of a drift layer (3) and an n-type buffer layer (2) and film thickness t of a semiconductor substrate (10) formed contacting the drift layer (3), is set at Ls≤t≤2×Ls.例文帳に追加

ドリフト層（３）表面に形成されるベース層（５）とｎ型バッファ層（２）との間の距離Ｌｓと、このドリフト層（３）に接して形成される半導体基板（１０）の膜厚ｔとの関係を、Ｌｓ≦ｔ≦２・Ｌｓに設定する。 - 特許庁

The GaP light emitting device 1 has a structure of laminating an n-type GaP buffer layer 11, an n-type GaP layer 12, an N dope n-type GaP layer 13, and a p-type GaP layer 14 on an n-type GaP mono-crystal substrate 10.例文帳に追加

ＧａＰ発光素子１は、ｎ型ＧａＰ単結晶基板１０上に、ｎ型ＧａＰバッファ層１１、ｎ型ＧａＰ層１２、Ｎドープｎ型ＧａＰ層１３、ｐ型ＧａＰ層１４が積層された構造を有する。 - 特許庁

Further, a p-type weak anode layer arranged adjacently to the surface of the bottom of the buffer layer 30, and a rear side metallic contact (laminated structure of 23-26) connected to the weak anode layer, are formed.例文帳に追加

また、バッファー層３０底部表面に隣接するように配置されたＰタイプの弱アノード層と前記弱アノード層に接続する裏面側金属接点（２３，２４，２５，２６の積層構造）を備える。 - 特許庁

A p-type InP buffer layer 2, an active layer 3, and an n-type InP clad layer 4 formed on a p-type InP substrate 1 are processed through a first dry etching process for the formation of a ridge 6.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰ基板１の上に形成された、ｐ型ＩｎＰバッファ層２、活性層３およびｎ型ＩｎＰクラッド層４を第１のドライエッチングにより加工して、リッジ部６を形成する。 - 特許庁

Preferably, a backer material 60 composed of two layers of a nonwoven fabric layer 61 functioned as a buffer material and a resin foam layer 62 functioned as a heat insulating layer, is stacked on the rear face of each panel.例文帳に追加

好ましくは、各パネルの裏面には、緩衝材として機能する不織布層６１と断熱層として機能する樹脂発泡体層６２の２層からなるバッカー材６０が積層される。 - 特許庁

An In_x1Ga_1-x1As layer is grown on a GaAs substrate 101 as a first layer buffer layer 102, which has lattice mismatch within a range keeping two dimensional growth for a base.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０１上に１層目のバッファ層１０２として下地に対し２次元成長を保つ範囲の格子不整合性を有するＩｎ_ｘ１Ｇａ_１−ｘ１Ａｓ層を成長させる。 - 特許庁

The light receiving element is made by forming an n-InP buffer layer 102, an n-InGaAs optical absorption layer 103, and an n-InP window layer 104 in sequence on an InP substrate 101.例文帳に追加

本発明に係る受光素子は、ＩｎＰ基板１０１上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層１０２、ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１０３、ｎ−ＩｎＰ窓層１０４が順次形成されている。 - 特許庁

The epitaxial wafer for the field effect transistor comprises an InGaN low-temperature deposit layer 5 provided on the sapphire substrate 6, and GaN field effect transistor structures 1 to 3 provided on the layer 5 via a GaN buffer layer 4.例文帳に追加

サファイア基板６上にＩｎＧａＮ低温堆積層５を設け、そのＩｎＧａＮ低温堆積層５上に、ＧａＮバッファ層４を介して、ＧａＮ系電界効果トランジスタ構造１〜３を設ける。 - 特許庁

Here, since the insulator 12 is embedded in the groove 11 which separates the buffer layers 5, the N-type clad layer 6, the MQW active layer 7 and the P-type clad layer 8 do not grow on the groove 11.例文帳に追加

このとき、バッファ層５を分離する溝１１に絶縁体１２が埋設されているので、溝１１上には、Ｎ型クラッド層６、ＭＱＷ活性層７およびＰ型クラッド層８が成長しない。 - 特許庁

The via hole is formed, where the via hole passes through the insulation region of a semiconductor layer and a buffer layer from the surface side of the semiconductor layer having an active region and the insulation one to a semiconductor substrate.例文帳に追加

活性領域と絶縁領域とを有する半導体層の表面側から、この半導体層の絶縁領域およびバッファ層を貫通して半導体基板に至るバイア・ホールを形成する。 - 特許庁

An n-type GaAlAs buffer layer 14, an n-type GaAs substrate 16, an n-type GaAlAs clad layer 18, and a GaAs active layer 20 (emission region) are formed on an n-type electrode 12.例文帳に追加

ｎ形電極１２上にｎ型ＧａＡｌＡｓバッファ層１４、ｎ形ＧａＡｓ基板１６、ｎ形ＧａＡｌＡｓクラッド層１８、ＧａＡｓ活性層２０（発光領域）が形成されている。 - 特許庁

The optical disk has at least the reflection layer 1003 on the substrate 1001 and performs reproduction of information by irradiation with light, wherein a buffer layer 1002 is provided between the substrate 1001 and the reflection layer 1003.例文帳に追加

基板1001上に少なくとも反射層1003を有し、光の照射により情報の再生を行う光ディスクにおいて、基板1001と反射層1003との間に緩衝層1002を設けたことを特徴とする光ディスク。 - 特許庁

A lower transparent panel substrate 20 has a TFT forming layer 40 formed on a buffer layer 32 on a lower glass substrate 30, and a flattening film 44 is formed on its gate film layer 36.例文帳に追加

下側の透明パネル基板２０において、下ガラス基板３０上のバッファ層３２の上にＴＦＴ形成層４０が形成され、そのゲート膜層３６の上に平坦化膜４４が形成される。 - 特許庁

The epitaxial substrate 1 is produced by successively epitaxially growing a target group III-nitride layer 13, an interlayer 14 and a group III-nitride layer 15 on a substrate 11 through a buffer layer 12.例文帳に追加

エピタキシャル基板１は、基材１１の上に、バッファ層１２を介して、目的とするIII族窒化物層１３、中間層１４およびIII族窒化物層１５を順次エピタキシャル成長させることにより作製される。 - 特許庁

The epitaxial substrate 1 is made by depositing an underlying layer 12, a buffer layer 13, and a designed group-III nitride layer 14 on a base material 11 in order by epitaxial growth using the MOCVD method.例文帳に追加

エピタキシャル基板１は、下地層１２、バッファ層１３および目的とするIII族窒化物層１４を基材１１上にＭＯＣＶＤ法を用いて順次にエピタキシャル成長させることにより得られる。 - 特許庁

Thus, when a breakdown voltage is applied as a reverse-bias voltage, a depletion layer is stopped in the N cathode buffer layer 4 and is prevented from reaching the N^+ cathode layer 3, thereby suppressing leakage current.例文帳に追加

それによって、逆バイアス電圧として耐圧が印加されたときに、空乏層をＮカソードバッファ層４の途中で止め、空乏層がＮ^+カソード層３に到達するのを防ぎ、漏れ電流を抑制する。 - 特許庁

A transport layer 403 reports the remaining size of a reception buffer of a receiver side device to a power supply control section 405 and a session layer/application layer 404 reports the data transfer rate to the power supply control section 405.例文帳に追加

トランスポート層４０３は受信側デバイスの受信バッファの残りサイズを電源制御部４０５に報告し、セッション層／アプリケーション層４０４は電源制御部４０５にデータ転送レートを報告する。 - 特許庁

The high breakdown voltage semiconductor device is characterized in that a low concentration collector diffusion layer of a first conductivity type is formed in a second conductivity type collector buffer layer so as to enclose a first conductivity type high concentration collector diffusion layer.例文帳に追加

第２導電型コレクタバッファ層内に第１導電型高濃度コレクタ拡散層を包囲するように第１導電型の低濃度コレクタ拡散層が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

Furthermore, the buffer layer 60 has a light refractive index larger than that of the low refractive index layer 31, and has a thickness larger than that of the low refractive index layer 31.例文帳に追加

また、緩衝層６０の光屈折率は低屈折率層３１の光屈折率よりも大きくなっており、かつ、緩衝層６０の厚みは低屈折率層３１の厚みよりも大きくなっている。 - 特許庁

This method also includes a step in which a buffer layer 108 to alleviate the impact applied to the printing layer when the opening is formed is locally provided in the periphery of the opening formation region in contact with the printing layer.例文帳に追加

開口部を設ける際に印刷層に加わる衝撃を緩和する緩衝層１０８を、開口部形成領域の周囲に印刷層に接して局所的に設ける工程を有する。 - 特許庁

On a 1st inter-layer insulating film 116 formed on the switching element, a buffer layer 117 for lattice matching between the 1st inter-layer insulating film 116 and the ferroelectric thin film is formed.例文帳に追加

スイッチング素子の上に形成された第１の層間絶縁膜１１６の上には、該第１の層間絶縁膜１１６と強誘電体薄膜との格子整合をとるバッファ層１１７が形成されている。 - 特許庁

Next, a buffer layer including a brittle layer in which the glass is deteriorated by irradiating a gas cluster ion or a coating layer whose surface is coated with a soft substance is formed on the surface of the glass substrate.例文帳に追加

次に、ガラス基板の表面に、ガスクラスタイオンを照射することによりガラスを劣化させた脆性層、又は柔軟な物質で表面を被覆した被覆層からなる緩衝層を生成する。 - 特許庁

A ground adhesive layer 4 is formed on the ground 1 of a sealed ground by coating, a buffer layer 5 is formed thereon by coating, and a water sealing layer 6 consisting of a polyurethane resin is formed thereon by coating.例文帳に追加

被遮水地の下地１上に、下地接着層４を塗布により形成し、その上に緩衝層５を塗布により形成し、その上にポリウレタン樹脂からなる遮水層６を塗布により形成する。 - 特許庁

The thermal buffer layer 25 is formed by winding up a semiconductive cushion tape from the external semiconductive layer 4 of a cable to the external semiconductive layer 24 at the joint such that the outside diameter becomes uniform.例文帳に追加

熱的緩衝層２５は、半導電性クッションテープをケーブルの外部半導電層４から接続部の外部半導電層２４にかけて外径が一様になるように巻き上げて形成する。 - 特許庁

The buffer thin film layer 3c is made to be composed of either a material whose electroconductivity is higher than that of the organic layer 6 among oxides of the metallic material constituting the metallic material layer 2c or an oxide of chromium.例文帳に追加

緩衝薄膜層３ｃは、金属材料層２ｃを構成する金属材料の酸化物のうち有機層６よりも導電性の高い材料か、クロムの酸化物からなることとする。 - 特許庁

An ohmic contact is formed by intentionally providing a buffer layer having a higher carrier concentration than an IGZO semiconductor layer between the IGZO semiconductor layer and the source and drain electrode layers.例文帳に追加

ソース電極層及びドレイン電極層とＩＧＺＯ半導体層との間に、ＩＧＺＯ半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 - 特許庁

The negative electrode assembly 104 has a three-layered structure in which a negative electrode 106 is covered with a waterproof layer 110 and in which a buffer layer 108 is interposed between the negative electrode 106 and the waterproof layer 110.例文帳に追加

負極複合体１０４は、負極１０６を耐水層１１０で被覆し、負極１０６と耐水層１１０との間に緩衝層１０８を挿入した三層構造を有する。 - 特許庁

The performance monitor circuit and the performance monitor method are equipped with a buffer, stored a received packet in the transaction layer of a PCI Express in the buffer, and connected to the PCI express component transmitting the packet stored in the buffer.例文帳に追加

バッファを備え、受信したＰＣＩ Ｅｘｐｒｅｓｓのトランザクション層のパケットをバッファに格納し、バッファに格納されたパケットを送信するＰＣＩ ｅｘｐｒｅｓｓコンポーネントと接続する性能モニタ回路及びそのモニタ方法である。 - 特許庁

A buffer layer 15 where a housing opening 15a housing the IC chip 20 is formed is arranged on the coil 13.例文帳に追加

アンテナコイル１３上に、ＩＣチップ２０を収納する収納開口１５ａが形成されたバッファ層１５が配置される。 - 特許庁

SiN buffers 12 are dispersedly formed on the surface of a board 10, on which a low-temperature GaN buffer layer 14 is formed.例文帳に追加

基板１０上にＳｉＮバッファ体１２を離散的に形成し、その上に低温ＧａＮバッファ層１４を形成する。 - 特許庁

On the surface of a light-transmissive substrate, a projecting light taking-in member is formed directly or through a buffer layer.例文帳に追加

光透過性基板の表面上に直接又はバッファ層を介して凸状の光取り込み部材を形成する。 - 特許庁

SiN buffers 12 are dispersedly formed on the surface of a board 10, and a low-temperature GaN buffer layer 14 is formed thereon.例文帳に追加

基板１０上にＳｉＮバッファ体１２を離散的に形成し、その上に低温ＧａＮバッファ層１４を形成する。 - 特許庁

After the temperature is stabilized, the n-type GaN buffer layer 5, having a thickness of 1 μm, is further grown on the substrate 1.例文帳に追加

温度が安定した後に、更に厚さ１マイクロメートルのｎ型ＧａＮバッファ層５を基板１上に成長する。 - 特許庁

The buffer layer 50 is formed of a material excluding resin and softer than the inorganic insulating layers 60, 62.例文帳に追加

緩衝層５０は、樹脂を除く材料であって、無機絶縁層６０，６２よりも柔らかい材料から形成されてなる。 - 特許庁

To provide an inexpensive method of manufacturing organic EL elements suppressing leaks between a buffer layer and a second electrode.例文帳に追加

バッファ層と第２電極との間のリークを抑止した有機ＥＬ素子を低コストに製造する方法を提供する。 - 特許庁

When a buffer layer formed of ZrN is formed on a silicon substrate, the crystallinity of ZrN becomes extremely high.例文帳に追加

シリコン基板上にＺｒＮからなるバッファ層を設けた場合に、当該ＺｒＮの結晶性が極めて高くなる。 - 特許庁

In the case of SiC, the epitaxial growth of the buffer layer is effected at a temperature of 500-900°C at a speed of 0.1-1μm/h.例文帳に追加

ＳｉＣの場合、５００〜９００℃の温度でかつ０．１〜１μｍ／ｈの速度でバッファー層をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The surface of the solid electrolyte 4 is texture-processed, and the texture-processed surface is in contact with the buffer layer 3.例文帳に追加

該固体電解質４の表面はテクスチャ加工が施され、該テクスチャ加工された表面が該緩衝層３と接する。 - 特許庁

The micro-cavity structure 14 is structured of a half mirror 16, a buffer layer 17, and a half mirror 18 sequentially formed on the base plate 12.例文帳に追加

マイクロキャビティ構造14は、基板12上に順に形成されたハーフミラー16と、バッファ層17と、ハーフミラー18とで構成されている。 - 特許庁

The extracted background images with a single layer and a plurality of layers are stored in a background buffer, and updated for each frame (S3).例文帳に追加

抽出された単層および複数層の背景画像を背景バッファに保存し、フレームごとに更新する（Ｓ３）。 - 特許庁

After the temperature is stabilized, an n-type GaN buffer layer 5 of a 1 micrometer thickness is further grown on the substrate 1.例文帳に追加

温度が安定した後に、更に厚さ１マイクロメートルのｎ型ＧａＮバッファ層５を基板１上に成長する。 - 特許庁

Furthermore, an intermediate heat sink 15 for heat buffer is provided between the carbon fiber composite material layer 13 and the heat sink 12.例文帳に追加

また、炭素繊維複合材料層１３とヒートシンク１２の間に熱バッファ用中間ヒートシンク１５を設けている。 - 特許庁