「buffer-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

In the organic electroluminescent element having an organic layer between a positive electrode and a negative electrode, either one of both electrodes consists of a single layer body of Al alloy layer or a multi-layer body of Al alloy layer and a buffer layer, and the organic layer contains phosphorescence luminous compound.例文帳に追加

陽極と陰極との間に有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、両電極のどちらか一方が、Ａｌ合金層の単層体またはＡｌ合金層とバッファー層との多層体からなり、該有機層が燐光発光性化合物を含んでいることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

A GaN buffer layer 12, an n-type GaN contact layer 13, an n-type InGaN quantum well active layer 14, a p-type AlGaN sublimation preventing layer 15, and a p-type GaN contact layer 16 are laminated successively on a sapphire substrate 11, where the quantum well active layer 14 is equipped with a well layer sandwiched inbetween a pair of barrier layers.例文帳に追加

サファイア基板１１上に、ＧａＮバッファ層１２、ｎ型ＧａＮコンタク層１３、ｎ型ＩｎＧａＮ量子井戸活性層１４、ｐ型ＡｌＧａＮ昇華防止層１５、ｐ型ＧａＮコンタクト層１６が順次積層されており、量子井戸活性層１４は、一対の障壁層にて挟まれた井戸層を有している。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a GaN buffer layer 102, a non-doped GaN layer 103, an n-type GaN contact layer 104, an n-type AlGaN lower cladding layer 105, a multiple quantum well light emitting layer 106, a p-type AlGaN upper cladding layer 107 and a p-type GaN current diffusion layer 108 sequentially laminated on a sapphire substrate 101.例文帳に追加

サファイア基板１０１上に、ＧａＮバッファ層１０２、ノンドープＧａＮ層１０３、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０４、ｎ型ＡｌＧａＮ下クラッド層１０５、多重量子井戸発光層１０６、ｐ型ＡｌＧａＮ上クラッド層１０７およびｐ型ＧａＮ電流拡散層１０８が順次積層されている。 - 特許庁

The distributed feedback semiconductor laser device is provided with an active layer 23 to join carriers again, clad layers 24 and 26 as a p-type semiconductor layer for supplying a hole to the active layer 23, a buffer layer 22 as an n-type semiconductor layer for supplying an electron to the active layer 23, a diffraction lattice layer 25 formed in the p-type semiconductor layer, and so on.例文帳に追加

分布帰還型半導体レーザ素子は、キャリア再結合を行う活性層２３と、活性層２３へホールを供給するｐ型半導体層であるクラッド層２４，２６層と、活性層２３へ電子を供給するｎ型半導体層であるバッファ層２２と、ｐ型半導体層の中に形成された回折格子層２５などで構成される。 - 特許庁

A transfer layer composed of a release layer 22, a mask metal pattern 24, the alignment layer 26, a buffer layer 28, an electrode 30, a protective layer 32, and a color filter layer 34 is formed on a temporary substrate 20 without limiting manufacturing conditions and thereafter, the transfer layer is transferred/formed via an adhesive layer 36 on the plastic film 10.例文帳に追加

仮基板２０の上に、剥離層２２、マスク金属パターン２４、配向膜２６、バッファ層２８、電極３０、保護層３２及びカラーフィルタ層３４から構成される転写層を製造条件が制限されることなく形成した後に、プラスチックフィルム１０の上に接着層３６を介して転写層を上下反転した状態で転写・形成する。 - 特許庁

The ferroelectric capacitor Cf includes a buffer layer 64 formed on the upper part of a base, a lower electrode 66 formed on the upper part of the buffer layer 64, a ferroelectric layer 68 formed on the upper part of the lower electrode 66, and an upper electrode 70 formed on the upper part of the ferroelectric layer 68.例文帳に追加

強誘電体キャパシタＣｆは、基体の上方に形成されたバッファ層６４と、バッファ層６４の上方に形成された下部電極６６と、下部電極６６の上方に形成された強誘電体層６８と、強誘電体層６８の上方に形成された上部電極７０と、を含む。 - 特許庁

The improved ionic conductor layer 23 comprises at least two ion transport layers 31, 33 and a buffer layer 32, wherein the at least two ion transport layers 31, 33 and the buffer layer 32 alternate within the ion conductor layer 23 such that the ion transport layers 31, 33 are in communication with a first and a second electrodes.例文帳に追加

改善されたイオン伝導体層２３は少なくとも２つのイオン輸送層３１、３３及び緩衝層３２を含み、少なくとも２つのイオン輸送層３１、３３及び緩衝層３２は、イオン輸送層３１、３３が第１及び第２の電極と連絡するようにイオン伝導体層２３内で互い違いになっている。 - 特許庁

By adjusting the mixed crystal ratio a of InN whose lattice constant is larger than that of GaN, the lattice constant of the buffer layer 2 is made to be nearer to the lattice constant of the semiconductor element layer 50 on the side of the boundary with the semiconductor element layer 50, as compared with a conventional buffer layer constituted of GaN, AlN, or their combination.例文帳に追加

ＩｎＮはＧａＮよりも格子定数が大であり、ＩｎＮ混晶比ａを調整することにより、ＧａＮやＡｌＮ又はそれらを組合せた従来のバッファ層と比較して、半導体素子層５０との境界側にてバッファ層２の格子定数を、半導体素子層５０の格子定数により近づけることができる。 - 特許庁

A low-temperature InN buffer layer 2 is deposited on a substrate 1 having a clean surface (0001) employing MBE, and an InN layer 3 with crystal growing axis slanted by several degrees with respect to the normal line direction of the substrate 1 is grown on the buffer layer 2 while the ion is implanted into the InN layer 3 from the normal line direction of the substrate 1.例文帳に追加

ＭＢＥを用いて清浄な（０００１）表面を持つ基板１上に低温ＩｎＮバッファ層２を堆積し、このバッファ層２の上に結晶成長軸が基板１の法線方向に対し数度だけ傾いたＩｎＮ層３を成長させ、このＩｎＮ層３に基板１の法線方向からイオン注入する。 - 特許庁

Disclosed is a semiconductor wafer 10 having at least two or more semiconductor layers formed on the semiconductor substrate 11 through epitaxial growth, the semiconductor wafer having the buffer layer 12 formed right on the semiconductor substrate 11 and a semiconductor layer having a selective etching property with respect to the buffer layer 12 and functioning as the peel layer.例文帳に追加

エピタキシャル成長によって半導体基板１１上に形成された少なくとも２層以上の半導体層を有する半導体ウェハ１０であって、前記半導体基板１１直上に形成されたバッファ層１２と、該バッファ層１２と選択的なエッチング性を備え、剥離層として機能する半導体層とを有する。 - 特許庁

The three-dimensional semiconductor capacitor comprises a lower electrode 22 formed on a lower structure 21, a buffer layer 23 formed on the surface of the lower electrode 22 and containing a group-V oxide, a dielectric layer 24 formed on the buffer layer 23, and an upper electrode 25 formed the dielectric layer 24.例文帳に追加

また、本発明の３次元半導体キャパシタは、下部構造体２１上に形成された下部電極２２と、下部電極２２の表面に形成され、かつ、Ｖ族酸化物を含むバッファ層２３と、バッファ層２３上に形成された誘電体層２４と、誘電体層２４上に形成された上部電極２５と、を備える。 - 特許庁

Among the electron-hole pairs generated by the light excitation, the electrons are extracted from a buffer layer 204, an electron running layer 203 and electron extraction layer 202 to extract electrodes 105, 106, while the holes are extracted from a diffusion buffer layer 206 to ground electrodes 103, 104 and the lives of these electrons and holes are short, independent of the recombination life.例文帳に追加

光励起で発生した電子・正孔対のうちの電子は緩衝層２０４，電子走行層２０３，電子取出層２０２から取出電極１０５，１０６に取り出され、正孔は拡散緩衝層２０６から接地電極１０３，１０４に取り出され、それら電子、正孔の寿命は再結合寿命に依存せず短い。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has the semiconductor substrate 10, a buffer layer 20 which is formed on the semiconductor substrate 10 and made of the same material as the semiconductor substrate 10, a semiconductor growth layer 30 formed on the buffer layer 20, and the quantum structure 50 formed on the semiconductor growth layer 30.例文帳に追加

半導体装置１は、半導体基板１０と、前記半導体基板１０上に形成され、前記半導体基板１０と同一材料からなるバッファ層２０と、前記バッファ層２０上に形成された半導体成長層３０と、前記半導体成長層３０上に形成された量子構造５０を有する。 - 特許庁

Here, Martens hardness of the first buffer layer itself measured under an atmosphere of 20°C and 50% relative humidity is set up to be 0.1-70 N/mm^2, and Martens hardness of the second buffer layer itself is set up to be 100-500 N/mm^2.例文帳に追加

そして、２０℃、５０％相対湿度の雰囲気下で測定した第１緩衝層単独のマルテンス硬度が０．１〜７０Ｎ／ｍｍ^２、第２緩衝層単独のマルテンス硬度が１００〜５００Ｎ／ｍｍ^２に設定されている。 - 特許庁

A front plate 40 for display includes a transparent substrate 20, a buffer layer 60 provided directly on the observer side or the display part side of the transparent substrate 20, and an antireflection film 30 provided on the buffer layer 60.例文帳に追加

表示用前面板４０は、透明基板２０と、透明基板２０の観察者側または表示部側に直接的に設けられた緩衝層６０と、緩衝層６０上に設けられた反射防止膜３０と、を備えている。 - 特許庁

In an oxide superconductive thin film deposited on the sapphire substrate (R-Al_2O_3) through the buffer layer, the buffer layer consists of orthorhombic LnAlO_3, and Ln is either one of an element Eu, Sm or Y.例文帳に追加

サファイア基板（Ｒ-Ａｌ_２Ｏ_３）上にバッファー層を介して堆積された酸化物超電導薄膜において、前記バッファー層は、斜方晶のＬｎＡｌＯ_３からなり、Ｌｎは元素Ｅｕ、Ｓｍ、Ｙのいずれかであることを特徴とする。 - 特許庁

In the method for manufacturing a III-V compound semiconductor whereby a dopant material, a group III material, a group V material, and dilution gas are supplied onto a heated substrate to grow the buffer layer, oxygen is doped on the buffer layer.例文帳に追加

加熱した基板上にドーパント原料とIII 族原料とＶ族原料と希釈用ガスとを供給してバッファ層を成長するIII −Ｖ族化合物半導体の製造方法において、前記バッファ層に酸素をドーピングしたこと。 - 特許庁

Furthermore, since an insulation material of the buffer layer LB has the same kind of crystalline structure as that of a piezoelectric material which forms the piezoelectric thin film LP formed on the buffer layer LB, it is possible to increase adhesion properties and also restrict reduction in piezoelectric characteristics.例文帳に追加

また、バッファ層ＬＢの絶縁材料は、バッファ層ＬＢ上に形成された圧電薄膜ＬＰを形成する圧電材料と同種の結晶構造を有することで、密着性を高めるとともに、圧電性の低下を抑制できる。 - 特許庁

It is preferable that the buffer layer 14 be 1.5 to 50 times as thick as the insulating board 12, and the insulating board 12, the buffer layer 14, and the heat sink 13 be laminated and bonded together through the intermediary of a brazing foil.例文帳に追加

また緩衝層１４の厚さは絶縁基板１２の厚さの１．５〜５０倍であることが好ましく、絶縁基板１２と緩衝層１４とヒートシンク１３とがろう付け用箔を介して積層接着されることが好ましい。 - 特許庁

In an n-type lower clad layer 4, thin buffer layers 5 of Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) are formed, and in a p-type upper clad layer 7, thin buffer layers 8 of Al_xGa_1-xN(0≤x≤1) are formed.例文帳に追加

ｎ型下部クラッド層４中に薄層のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）緩衝層５が形成され、ｐ型上部クラッド層７中に薄層のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）緩衝層８が形成されている。 - 特許庁

Prior to the epitaxial growth of an InN thin film on a GaN buffer layer, an In metal with a thickness of approximately one or two molecule layers (ML) is supplied to the GaN buffer layer surface while a plasma source of nitrogen is not supplied.例文帳に追加

ＩｎＮ薄膜をＧａＮバッファ層上にエピタキシャル成長するに先立ち、ＧａＮバッファ層表面上に窒素のプラズマソースの供給がない状態で約１分子層−２分子層（ＭＬ）の厚さのＩｎ金属を供給する。 - 特許庁

To manufacture a wafer for a group III nitride semiconductor light emitting element by forming a buffer layer composed of a BP base material tightly adhered with an Si single crystal substrate provided with a composed of a {100} plane on the substrate and forming a group III nitride semiconductor layer on the buffer layer further.例文帳に追加

｛１００｝面からなる表面を有するＳｉ単結晶基板上に、該基板との密着したＢＰ系材料からなる緩衝層を形成し、さらに該緩衝層上にＩＩＩ族窒化合物半導体層を形成してＩＩＩ族窒化物半導体発光素子用ウェハを製造する。 - 特許庁

In the process of forming a thin film having a different lattice constant on the substrate 1, the semiconductor containing Sb is first formed and a buffer layer to vary the lattice constant is formed as an overlay, which facilitates formation of a thin film having no crystal defect using the buffer layer that is thinner than a conventional layer.例文帳に追加

基板１上に格子定数の異なる薄膜を形成する際に、まずＳｂを含む半導体を形成し、その上層に格子定数を変化させるためのバッファ層を形成することで、従来に比べ薄いバッファ層で結晶欠陥のない薄膜形成が可能となる。 - 特許庁

The semiconductor element comprises a substrate, composed of a material having a lattice constant highly compatible with that of zinc oxide, a zinc oxide buffer layer deposited on the substrate and added with annealed zinc oxide or magnesium oxide, and a zinc oxide thin film layer deposited on the buffer layer.例文帳に追加

酸化亜鉛の格子定数と整合性が高い格子定数を持つ材料から成る基板と、前記基板上に堆積され、アニールされた酸化亜鉛又は酸化マグネシウムを添加した酸化亜鉛薄膜バッファ層と、前記バッファ層上に堆積された酸化亜鉛薄膜層とを具える。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device with high reliability and high pressure resistance by forming a buffer layer with high resistance for complete suppression of off-leak current while retaining the crystal quality of a compound semiconductor of an upper layer without doping impurities with high resistance during crystal growth of the buffer layer.例文帳に追加

バッファ層の結晶成長時に高抵抗化の不純物をドーピングすることなく上層の化合物半導体の結晶品質を保持するも、バッファ層を高抵抗化してオフリーク電流を確実に抑制し、信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor epitaxial wafer that prevents a dielectric layer from being formed in a buffer layer caused by the contamination of a conductive impurity and has high characteristics in a semiconductor epitaxial wafer having the buffer layer on a substrate and a FET containing an HEMT using the same.例文帳に追加

基板の上にバッファ層を有する半導体エピタキシャルウェハにおいて、導電性不純物の混入によりバッファ層の中に導電層が形成されるのを防止し、高い特性を有する半導体エピタキシャルウェハ及びそれを用いたＨＥＭＴを含むＦＥＴを提供する。 - 特許庁

A buffer layer 102, for example, composed of nitrogen and gallium like gallium nitride (GaN), is formed on a substrate 101 made of sapphire (aluminum oxide), of which a main surface is turned into a C-face, and a superconductor layer 103 made of magnesium borate is formed on the buffer layer 102 in contact therewith.例文帳に追加

サファイア（酸化アルミニウム）からなり主表面がＣ面とされた基板１０１の上に例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）などのガリウムと窒素とから構成された緩衝層１０２が形成され、緩衝層１０２の上に接してホウ化マグネシウムからなる超伝導体層１０３が形成されている。 - 特許庁

The laminated coating film has a coating film layer 30 formed directly or indirectly on the surface of a material 10 to be coated and containing the coloring material and/or the luster material having ≥15μm maximum diameter, and a buffer coating film layer 40 formed on the surface of the coating film layer 30 and containing a granular buffer material.例文帳に追加

被塗物１０の表面に直接的または間接的に形成され、最大粒径が１５μｍ以上の着色材および／または光輝材を含有する塗膜層３０と、塗膜層３０の表面に形成され、粒状緩衝材を含有する緩衝塗膜層４０と、を有する。 - 特許庁

The semiconductor layer (buffer layer) 9 has a gate impurity region 12, which contains an added impurity of conductivity which is opposite to that of the channel in its contacting part with the gate electrode 1, and the percentage composition of the Al element of the compound constituting the buffer layer 9 is changed halfway in the thickness direction.例文帳に追加

半導体層（バッファ層９）は、ゲート電極１３に接する部分にチャネルとは逆導電型の不純物が添加されたゲート不純物領域１２を有し、当該バッファ層９を構成する化合物の特定の元素（Ａｌ）の組成比が厚さ方向の途中で変えてある。 - 特許庁

A semiconductor element is equipped with a semiconductor substrate 1, buffer layers 2, which are each formed by laminating a single crystal matching layer 21 and an insulating layer 22, dispersedly formed on the substrate 1, and a single crystal growth layer 3 formed on the buffer layers 2 and the substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１と、単結晶からなる整合層２１と絶縁層２２とを積層してなり上記基板１表面上に部分的に形成された緩衝層２と、該緩衝層２及び上記基板１表面に形成された単結晶成長層３とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor epitaxial wafer to be suitably used to manufacture a semiconductor chip comprising a plurality of field effect transistors (FET) by forming a GaN buffer layer which has high insulation and does not contain excessive impurities as a buffer layer right below a channel layer.例文帳に追加

チャネル層直下のバッファ層において、高い絶縁性を有しかつ過剰な不純物を含有しないGaNバッファ層を形成することによって、複数の電界効果トランジスタ（FET）で構成される半導体チップの製造に際して好適に用いられる半導体エピタキシャルウエハを供給する。 - 特許庁

The compound semiconductor wafer for making the ultrahigh- speed electronic devices comprises a GaN substrate 1, a buffer layer 1c formed on the substrate, having thickness ranging from 10 nm to 1 μm and comprising InP, and an epitaxial layer 1d formed on the buffer layer and including InP.例文帳に追加

高速電子デバイス形成用化合物半導体ウエハは、ＧａＡｓ基板（１）と、この基板上に形成されていて１０ｎｍ〜1μｍの範囲内の厚さを有するＩｎＰからなるバッファ層（１ｃ）と、このバッファ層上に形成されていてＩｎＰを含むエピタキシャル層（１ｄ）とを含んでいる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an EL element, in which a problem such as swelling out or eluting out of a buffer layer is not generated even when manufacturing the EL element which has both the organic EL layer, by which patterning is carried out by the photo lithography method, and the buffer layer.例文帳に追加

本発明は、フォトリソグラフィー法によりパターニングされる有機ＥＬ層とバッファー層とを共に有するＥＬ素子を製造する場合でも、バッファー層が膨潤もしくは溶出するといった問題が生じることのないＥＬ素子の製造方法を提供することを主目的とするものである。 - 特許庁

Further, a buffer layer 21 made of AlN is formed in a region where the protective film 14 is not formed, on the surface 13 of the substrate body 11 for growing a semiconductor crystal, and a semiconductor layer 22 comprising a GaN crystal having a film thickness of 3 μm is formed on the buffer layer 21.例文帳に追加

また、半導体結晶成長用基板本体１１の表面１３の保護膜１４が形成されていない領域上にＡｌＮからなるバッファ層２１を形成し、バッファ層２１上に膜厚が３μｍのＧａＮ結晶からなる半導体層２２を形成する。 - 特許庁

An LED element 1 is manufactured by: forming a buffer layer 11 on a Ga_2O_3 substrate 10 inside an MOCVD apparatus 2; and thereafter, forming a GaN layer 12a on the buffer layer 11 at a growth temperature of 700°C to 1035°C by bringing the inside of the MOCVD apparatus 2 into nitrogen atmosphere.例文帳に追加

ＬＥＤ素子１を、ＭＯＣＶＤ装置２内でＧａ_２Ｏ_３基板１０上にバッファ層１１を形成し、その後、ＭＯＣＶＤ装置２内を窒素雰囲気とし、７００℃から１０３５℃の成長温度にてバッファ層１１上にＧａＮ層１２ａを形成して製造する。 - 特許庁

An underlying layer 3 of GaN is formed on a sapphire substrate 1 through a buffer layer 2 before growing a coating layer 5 of GaN through a mask layer 4 having an opening 4a extended in the <1-100> direction of the underlying layer 3.例文帳に追加

サファイアよりなる基板１にバッファ層２を介してＧａＮよりなる下地層３を形成したのち、下地層３の＜１−１００＞方向に延長された開口部４ａを有するマスク層４を介してＧａＮよりなる被覆成長層５を成長させる。 - 特許庁

On an n-GaAs substrate 10, an n-GaAs buffer layer 110, an n-AlGaInP clad layer 102, an undoped AlGaInP active layer 103, a p-AlGaInP clad layer 104, and a p-AlGaInP intermediate bandgap layer 107 are laminated successively by an MOCVD method.例文帳に追加

ｎ-ＧaＡs基板１０１上にＭＯＣＶＤ法により、ｎ-ＧaＡsバッファ層１１０と、ｎ-ＡlＧaＩnＰクラッド層１０２と、アンドープＡlＧaＩnＰ活性層１０３と、ｐ-ＡlＧaＩnＰクラッド層１０４と、ｐ-ＡlＧaＩnＰ中間バンドギャップ層１０７とを順に積層する。 - 特許庁

After forming a dummy gate resist pattern 24 on a GaAs substrate 11 for which a buffer layer 12, a channel layer 13, an electron supply layer 14, a Schottky layer 15 and a cap layer 16 are laminated, an SiO2 film 26 provided with a gate-opening part 25 is formed by vapor deposition and lift-off.例文帳に追加

バッファ層１２とチャネル層１３と電子供給層１４とショットキ層１５とキャップ層１６とを積層したＧａＡｓ基板１１上にダミーゲートレジストパターン２４を形成後、蒸着、リフトオフによりゲート開口部２５を持つＳｉＯ_2膜２６を形成する。 - 特許庁

The present invention relates to a nitride-based light emitting device having a buffer layer, an n-type nitride semiconductor layer, an active layer and a p-type nitride semiconductor layer formed on a substrate, wherein an Al_1-xSi_xN interlayer is formed inside of the n-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

基板上に、バッファ層、ｎ型窒化物半導体層、活性層、及びｐ型窒化物半導体層からなる窒化物系発光素子において、前記ｎ型窒化物半導体層内に、Ａｌ_１−ｘＳｉ_ｘＮからなる中間層を有することを特徴とする。 - 特許庁

An emission element 1 includes: a quantum cascade active layer 4 being an active layer using the intersubband transition; an n-type buffer layer 3 and an n-type guide layer 5 as first conduction-type semiconductor layers; and a photonic crystal layer 7 as a two-dimensional diffraction grating.例文帳に追加

発光素子１では、サブバンド間遷移を用いた活性層である量子カスケード活性層４と、第１導電型の半導体層としてのｎ型バッファ層３およびｎ型ガイド層５と、２次元回折格子としてのフォトニック結晶層７とを備える。 - 特許庁

When the needle of the measuring terminal contacts the silicide layer, even if the silicide layer, which acts as a pad, is damaged by the needle pressure, the diffused layer is not damaged since a second semiconductor layer, which works as a pad electrode, exists on the diffused layer and serves as a buffer member.例文帳に追加

シリサイド層上に測定端子の針を接触させても、パッドとなるシリサイド層は針圧によって破壊されても、拡散層上にパッド電極となる第２半導体層が存在し、緩衝材として働くので拡散層が破壊されることがない。 - 特許庁

In a transparent panel substrate 40 below the display part 16, a buffer layer 102, a TFT formation layer 110, a pixel electrode layer 160, an intermediate insulation layer 170 and a common electrode layer 180 having a slit 189, etc. are sequentially laminated on a lower glass substrate 100.例文帳に追加

表示部１６の下側の透明パネル基板４０は、下ガラス基板１００の上に、バッファ層１０２、ＴＦＴ形成層１１０、画素電極層１６０、中間絶縁層１７０、スリット１８９を有する共通電極層１８０等が順次積層される。 - 特許庁

A substrate 1, an electron traveling layer 3 formed on the substrate 1, an electron supply layer 4 formed above the electron traveling layer 3, and a buffer layer 2 formed between the substrate 1 and the electron traveling layer 3 and containing Al_xGa_1-xN(0≤x≤1) are provided.例文帳に追加

基板１と、基板１上方に形成された電子走行層３と、電子走行層３上方に形成された電子供給層４と、基板１と電子走行層３との間に形成され、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）を含むバッファ層２と、が設けられている。 - 特許庁

Therefore, the adhesion of a substrate and a peeling layer is enhanced by forming an insulating film (buffer film) for relieving the stress on the peeling layer between the substrate and the peeling layer before forming the peeling layer over the substrate.例文帳に追加

そこで本発明では、基板上に剥離層を形成する前に、基板と剥離層との間に、剥離層の応力を緩和するための絶縁膜（バッファ膜）を形成し、基板と剥離層の密着性を高めることを特徴とする。 - 特許庁

The non-volatile solid-state magnetic memory 10 of a field effect transistor structure is manufactured by sequentially forming a buffer layer 2, a recording layer 3 made of a carrier inductive ferromagnetic material and a metal electrode layer 5 via an insulating layer 4 on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に、バッファ層２と、キャリア誘起強磁性体からなる記録層３と、絶縁層４を介して金属電極層５を順次に形成して、電界効果型トランジスタ構造の不揮発性固体磁気メモリ１０を作製する。 - 特許庁