「buffer-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

The intermediate layer 13 is set to have an impurity concentration between those of the buffer and base layers 12 and 14 considering its thickness dimension, so that a depletion layer will not reach the buffer layer 12 at the time of turning OFF the L load switching operation.例文帳に追加

中間層１３は、バッファ層１２とベース層１４との中間的な不純物濃度に設定すると共に厚さ寸法を考慮して設定することにより、Ｌ負荷スイッチング動作のターンオフ時に空乏層がバッファ層１２まで到達しないようにすることができる。 - 特許庁

A layered structure consisting of the buffer layer 33, the adhesion layer 38 and the near-field light generating element 32 has a peel-test adhesive strength higher than that of a layered structure, consisting of the buffer layer 33 and the near-field light-generating element 32.例文帳に追加

緩衝層３３、密着層３８および近接場光発生素子３２からなる積層体におけるピール試験による付着強度は、緩衝層３３および近接場光発生素子３２からなる積層体における付着強度よりも大きい。 - 特許庁

A substrate 101 comprising silicon carbide (SiC) having a thickness of about 400 μm is overlaid with a single crystal first buffer layer 103, and an amorphous second buffer layer 105 is provided thereon, and further a basel layer 107 comprising an undoped GaN is provided thereon.例文帳に追加

厚さ約４００μｍの炭化シリコン（ＳｉＣ）からなる基板１０１の上に単結晶の第１バッファ層１０３を設け、その層の上に非晶質の第２バッファ層１０５を設け、その層の上にアンドープのＧａＮから成る基底層１０７を設けた。 - 特許庁

To reduce influence of quenching or deterioration on a light emitting layer by a positive electrode or a buffer layer to ensure stability in driving, in an organic EL device.例文帳に追加

有機ＥＬ装置において、陽極やバッファ層が発光層に及ぼす消光や劣化等の影響を低減させ、駆動における安定性を確保する。 - 特許庁

Then a buffer layer 9, comprising a high melting-point metal oriented with a plane almost equal, in plane interval, to an Al (111) plane, is deposited on the barrier metal layer 6.例文帳に追加

次にバリアメタル層６上にAl（１１１）面と面間隔がほぼ等しい面に配向する高融点金属からなるバッファー層９を堆積する。 - 特許庁

By means of providing a buffer film between the silicide layer and the insulating film, the silicide layer is not directly influenced by the stress due to the insulating film.例文帳に追加

シリサイド層と絶縁膜の間に緩衝膜を設けることによって、シリサイド層が、絶縁膜による応力の影響を直接受けないようにする。 - 特許庁

An AlN buffer layer 82 is grown for 100 nm on an SiC wafer 81, and an Si dope GaN layer 83 for ohmic electrode formation is grown.例文帳に追加

ＳｉＣ基板８１上にＡｌＮバッファー層８２を１００ｎｍ成長し、オーミック電極形成用のＳｉドープＧａＮ層８３を成長した。 - 特許庁

A heat strain buffer layer 8' having the same thermal expansion coefficient as the ground conductors 8, is provided on the opposite side of the core layer 1 to the ground conductors 8.例文帳に追加

さらに、前記コア層１に対してグランド導体８の反対側に、グランド導体８と同等の熱膨張率を有する熱歪緩衝層８’を設ける。 - 特許庁

On a crystal substrate B, a laminated structure S comprising a GaN-based crystal layer is formed across a buffer layer or directly while including a light emission part.例文帳に追加

結晶基板Ｂ上に、バッファ層を介してまたは直接的に、ＧａＮ系結晶層からなる積層構造Ｓを、発光部を含んで形成する。 - 特許庁

The surface state of the N-InP substrate 1 is restrained from being transmitted to an InGaAsP multi-quantum well layer 4 by the N-InP buffer layer 2.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰバッファ層２によって，ｎ−ＩｎＰ基板１の表面の状態は，ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸層４に伝達されることはない。 - 特許庁

The cap layer 106 roughly matches the buffer 102 in a-axis lattice constant, and is constituted of GaN wherein the AlN mixed crystal ratio is lower than in the barrier layer 105.例文帳に追加

キャップ層１０６は、バッファ層１０２とａ軸格子定数がほぼ整合し、かつ、バリア層１０２よりもＡｌＮの混晶比が小さいＧａＮで構成される。 - 特許庁

The multiplication layer 2121 of the outer APD element 21 is constituted as an electric field buffer layer 2121 by a fine pattern containing a plurality of islands.例文帳に追加

外側のＡＰＤ素子２１の増倍層２１２１は、複数のアイランドを含む微細パターンにより電界緩和層２１２１として構成されている。 - 特許庁

Thereby, the semiconductor layer, on the buffer layer which is not in contact with the substrate, has a free standing property, allowing generation of dislocations and cracks to be avoided.例文帳に追加

これにより、基板と接触していないバッファ層上の半導体層は、フリー・スタンディング特性を有することになり、転位及びクラックの発生を防止できる。 - 特許庁

The composition modulation buffer layer 20 is formed having an inclined composition increasing in N atom content from the substrate 10 toward the first semiconductor layer 40.例文帳に追加

組成変調バッファ層２０は、基板１０から第１の半導体層４０に向かってＮ原子含有量が高くなる傾斜組成で形成されている。 - 特許庁

An n^+ buffer layer 11 with a impurity concentration higher than that of the parallel pn layers 20 is provided between an n^++ drain layer 12 and the parallel pn layers 20, 23.例文帳に追加

ｎ^＋＋ドレイン層１２と並列ｐｎ層２０、２３との間に、並列ｐｎ層２０より高不純物濃度のｎ^＋ バッファ層１１を設ける。 - 特許庁

This invention relates to a method of manufacturing an organic electroluminescent element 1 equipped with a first electrode 11, a buffer layer 30, a light emitting layer 40, and a second electrode 50.例文帳に追加

第１電極１１と、バッファ層３０と、発光層４０と、第２電極５０とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子１を製造する方法に関する。 - 特許庁

At first, a buffer layer 12 of GaN and an n-type contact layer 13 of n-type GaN are grown on a sapphire substrate 11 of (0001) face.例文帳に追加

まず、（０００１）面のサファイアからなる基板１１の上に、ＧａＮからなるバッファ層１２とｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層１３とを成長させる。 - 特許庁

A buried layer 12 composed of Si-doped GaN is formed on a c-plane sapphire substrate 10 having an uneven depth of 1 to 2 μm via a buffer layer 11.例文帳に追加

凹凸の深さが１〜２μｍのｃ面サファイア基板１０上に、バッファ層１１を介してＳｉドープのＧａＮからなる埋め込み層１２を形成する。 - 特許庁

Each dummy cell is attached with a suppression structure (9a) for reducing the amount of first conduction carriers carried from a collector layer into the buffer layer and stored therein.例文帳に追加

ダミーセルには、コレクタ層からバッファ層に流入して蓄積される第１導電型のキャリアの量を減少させる抑制構造（９ａ）が付加される。 - 特許庁

In the coated-layer shaped article coated with the coating liquid, the coating substrate has a buffer layer of a Young's modulus of 0.03-1.5 GPa on the back side.例文帳に追加

また、塗布液が塗布された塗布層形成物において、前記塗布基材はその裏面側に、ヤング率が０．０３〜１．５ＧＰａの緩衝層を有する。 - 特許庁

The single sickroom unit panel is used for the enclosure wall, the partition wall and the door comprised of a strength retaining structural layer, a buffer layer and a surface material.例文帳に追加

個室病室ユニット用のパネルは、強度保持構造層と、緩衝層と、表面材とからなる、囲い壁、仕切壁、ドアに用いられるものである。 - 特許庁

This can reduce a stress at an interface between the n-type SiC drift layer 23 and the n-type SiC buffer layer 22, so that a forward voltage can be reduced.例文帳に追加

これにより、ｎ型ＳｉＣドリフト層２３とｎ型ＳｉＣバッファ層２２との界面の応力を低減でき、順方向電圧を低減できる。 - 特許庁

An SiO_2 protective layer 20 is grown on the rear face of a GaAs substrate 10 having a (001) plane and an about 10 nm GaN buffer layer 12 is grown on the surface.例文帳に追加

（００１）面を有するＧａＡｓ基板１０の裏面にＳｉＯ２保護層２０を、表面に約１０ｎｍのＧａＮバッファ層１２を成長させる。 - 特許庁

Preferably the buffer layer and the superconductor are formed by a method by which each atomic layer can be laminated under the control of an atomic ratio.例文帳に追加

好ましくは、バッファー層及び超電導体の構造を、１原子層毎に、原子比率を制御して積層できる方法を用いて作成した超電導線材。 - 特許庁

The buffer layer 13 is about 1.1 nm thick, and is composed of AlGaInP having a smaller composition of Ga than that of the AlGaInP layer 12.例文帳に追加

緩衝層１３は、厚さが約１．１ｎｍでＡｌＧａＩｎＰ層１２のＧａの組成よりも小さいＧａの組成を持つＡｌＧａＩｎＰからなる。 - 特許庁

At least one buffer layer is provided in the layer 150.例文帳に追加

Ａ： Ｅｇ_p＜Ｅｇ_iの関係にあるｐ型半導体層と真性半導体層との間に存在する、その光学ギャップ（Ｅｇ_b）がＥｇ_p＜Ｅｇ_b≦１．０５×（Ｅｇ_i）を満足する緩衝層。 - 特許庁

Through a HVPE method, a nitride layer 140 comprising GaN etc. is grown on the nitride buffer layer 130 at a low substrate temperature (700-900°C) (b).例文帳に追加

ＨＶＰＥ法により、窒化物バッファー層１３０上に、低い基板温度（７００〜９００℃）でＧａＮ等の窒化物層１４０を成長させる（ｂ）。 - 特許庁

In the In_yGa_1-yAs layer, for example, composition of the In_zGa_1-zP buffer layer is changed so that the lattice constant gradually increases from In_xGa_1-xAs.例文帳に追加

なお、Ｉｎ_yＧａ_1-yＡｓ層は、例えば、Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓから格子定数が徐々に大きくなるようにＩｎ_zＧａ_1-zＰバッファー層の組成を変化させていく。 - 特許庁

Then a GaN buffer layer (not shown in the figure) is formed on the SiC layer 1 to have a thickness of about 20 nm at a temperature of 500°C by the metal organic CVD method.例文帳に追加

次に、有機金属気相成長法により、このＳｉＣ層１上に、温度500℃でＧａＮバッファ層（図示せず）を２０ｎｍ程度の膜厚で形成する。 - 特許庁

The problem is solved by laminating a lower electrode, an organic semiconductor layer, a buffer layer, and an inorganic transparent electrode on a resin substrate in this order.例文帳に追加

樹脂基板上に下部電極、有機半導体層、バッファー層、無機透明電極をその順に積層することで、課題を解決することができる。 - 特許庁

Consequently, the contacting resistances of both the electrodes 10, 12 with the organic semiconductor layer 6 are made very low in the organic FET 1 having this buffer layer 8.例文帳に追加

よって、このバッファ層８を備える有機ＦＥＴ１は両電極１０，１２と有機半導体層６との接触抵抗は極めて低いものとなる。 - 特許庁

To provide a means for easily forming a porous buffer layer when manufacturing an epitaxial wafer, and for inexpensively forming a semiconductor crystal epitaxial layer.例文帳に追加

エピタキシャルウェーハを製造する際に、多孔質バッファ層を容易に形成し、安価に半導体結晶エピタキシャル層を形成しうる手段を提供する。 - 特許庁

A buffer layer 2 and a base GaN film 5 are formed on the substrate 1, and the mask layer 3 of a straight stripe pattern is formed on the base GaN film 5.例文帳に追加

基板１上にバッファ層２および下地ＧａＮ膜５が形成され、この下地ＧａＮ膜５上に直線ストライプパターンのマスク層３が形成される。 - 特許庁

A buffer layer 13 composed of AlxGa1-xN (0<x<1) is arranged below a GaN electron transit layer 14, and negative piezoelectric charges are accumulated in this interface.例文帳に追加

ＧａＮ電子走行層１４の下側にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）バッファ層１３を設けこの界面に負のピエゾ電荷を蓄積する。 - 特許庁

A buffer layer 11 is formed on a substrate 10 and an a-Si:H layer is grown, then, hydrogen is removed and, thereafter, a-Si is converted into the polycrystalline silicon 12 by laser.例文帳に追加

基板１０にバッファ層１１を形成し、ａ−Ｓｉ：Ｈ層を成長させ、水素を除去後レーザによりａ−Ｓｉを多結晶シリコン１２に転換する。 - 特許庁

A buffer layer comprising a IV group element is formed on a porous Si, on which a crystal layer having a lattice constant different from that of an Si single crystal is deposited.例文帳に追加

ポーラスＳｉ上にＩＶ族元素からなるバッファ層を形成し、その上にＳｉ単結晶とは異なる格子定数を有する結晶層を堆積する。 - 特許庁

When an about 2 μm-thick GaN layer is formed on an AlN buffer layer formed by sputtering, its surface has unevenness of about 0.9 nm in average.例文帳に追加

スパッタリングによって形成したＡｌＮバッファ層の上に、ＧａＮ層を２μｍ厚程形成すると、その表面は平均約０．９ｎｍ程の凹凸が生じる。 - 特許庁

This suppresses the leakage from the device layer to an interface between the substrate 21 and the buffer layer and the storage of leaking electrons on such interface.例文帳に追加

これにより、低抵抗基板とバッファー層との間の界面へのデバイス層からのリーク、およびかかる界面におけるリークした電子の蓄積を抑制できる。 - 特許庁

This buffer layer 8 is so constituted out of a metal complex as to be able to improve the bonding quality of both the electrodes 10, 12 to the organic semiconductor layer 6.例文帳に追加

このバッファ層８は、金属錯体から構成されるものであり、両電極１０，１２と有機半導体層６の接合性を改善することができる。 - 特許庁

Then, material gas is introduced inside the growing apparatus to form a nitride aluminum layer on the silicon board as a buffer layer by a metal organic vapor phase epitaxy.例文帳に追加

次に、成長装置内に原料ガスを導入して、シリコン基板上に有機金属気相成長法によりバッファ層として窒化アルミニウム層を形成する。 - 特許庁

(c) A first conductive first group III nitride semiconductor layer 33 is formed on or above the buffer layer 32 after raising a temperature of the substrate 31 to a first temperature.例文帳に追加

（ｃ）基板３１を第１の温度にして、バッファ層３２上または上方に第１導電型の第１の３族窒化物半導体層３３を形成する。 - 特許庁

A low-temperature buffer layer 105 for inhibiting variation in layer thickness of the nitride semiconductor film 106 is provided at least at a part of the groove 103.例文帳に追加

溝１０３の少なくとも一部に、窒化物半導体膜１０６の層厚バラツキを抑制するための低温バッファ層１０５が設けられている。 - 特許庁

The compound semiconductor substrate 100 includes a first compound semiconductor layer 1 formed on an underlying substrate 110 via a buffer layer 111.例文帳に追加

化合物半導体基板１００は、下地基板１１０上にバッファ層１１１を介して形成された第１化合物半導体層１を備えている。 - 特許庁

A carbon-containing layer 3 in which silicon and carbon exist in a mixed state is formed in the silicon substrate 1 by implanting carbon ion C+ through the buffer layer 2 (S2).例文帳に追加

緩衝層２を通して炭素イオンＣ＋を注入することによりシリコン基板１内にシリコンと炭素の混在した炭素含有層３を形成する（Ｓ２）。 - 特許庁

In a region on the interface between the buffer layer 13 and the electron gas layer 14, the end of the conduction band is less than the Fermi energy, and an electron gas can be accumulated.例文帳に追加

バッファ層１３と電子ガス層１４との界面において伝導帯端がフェルミエネルギーを下回る領域には、電子ガス蓄積することができる。 - 特許庁