「buffer-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

The near-field light generating device 15 includes the waveguide 31; the buffer layer 33 disposed on the top surface 31c of the waveguide 31; the adhesion layer 38 that is formed by incompletely oxidizing a metal layer and disposed on the buffer layer 33; and the near-field light generating element 32 disposed on the adhesion layer 38.例文帳に追加

近接場光発生装置１５は、導波路３１と、導波路３１の上面３１ｃの上に配置された緩衝層３３と、金属層が不完全に酸化されて形成され、緩衝層３３の上に配置された密着層３８と、密着層３８の上に配置された近接場光発生素子３２を備えている。 - 特許庁

After forming a large number of protrusion 2 in the state of micro-tablelands on the upper surface of a single crystal semiconductor substrate 1, a buffer layer 3 is laminated on the upper surface of the single crystal semiconductor layer, and a single crystal semiconductor layer 4 of a kind different from the single crystal semiconductor layer is laminated on the buffer layer for manufacturing the semiconductor substrate.例文帳に追加

単結晶半導体基板１の上面に微細な台地状の多数の突起２を形成した後、単結晶半導体基板の上面にバッファー層３を積層し、バッファー層上に単結晶半導体基板と異なる種類の単結晶半導体層４を積層して製造した。 - 特許庁

The optical fiber cable has a core layer having a plurality of plastic optical fibers 2 and a high tensile reinforcing member 3, a buffer layer 5 formed by winding fluorocarbon resin tapes to surround the core layer, and a protective layer 6 formed around the buffer layer by melt extrusion coating of a fluorocarbon resin.例文帳に追加

複数本のプラスチック光ファイバ２および抗張力性補強部材３を有する芯層、該芯層を包囲するようにフッ素樹脂製テープを巻回してなる緩衝層５、並びに、該緩衝層の外側に設けられかつフッ素樹脂の溶融押出し被覆で形成された保護層６、を有する光ファイバケーブル。 - 特許庁

The element main body unit 60 comprises an n-type GaAs single crystal substrate 1 (shown simply as a substrate hereinafter) as a substrate for growth, an n-type GaAs buffer layer 2 formed on a first main surface, a light emitting layer unit 24 formed on the buffer layer 2, and a current diffusion layer 20 formed on the light emitting layer unit.例文帳に追加

この素子本体部６０は、成長用基板としてのｎ型ＧａＡｓ単結晶基板（以下、単に基板という）１と、その第一主表面上に形成されるｎ型ＧａＡｓバッファ層２と、このバッファ層２上に形成される発光層部２４と、この発光層部上に形成される電流拡散層２０とを含む。 - 特許庁

The compound semiconductor device having the AlInAs buffer layer as the first compound semiconductor layer on the substrate and the second compound semiconductor layer on the first compound semiconductor layer is constituted by adjusting the film thickness of the AlInAs buffer layer to ≥1 μm.例文帳に追加

基板上に、第１の化合物半導体層としてＡｌＩｎＡｓバッファ層を有し、前記第１の化合物半導体層上に第２の化合物半導体層を有する化合物半導体素子において、前記のＡｌＩｎＡｓバッファ層の膜厚を１μｍ以上として化合物半導体素子を構成する。 - 特許庁

The light-receiving element includes an InAsP graded buffer layer 20 which is located on the InP substrate 1 and contains arsenic of which the composition ratio is increased step by step in the direction of going away from the InP substrate, a GaInNAs light-receiving layer 3 located on the InAsP graded buffer layer 20, and an InAsP layer located on the GaInNAs light-receiving layer 3.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１上に位置し、該ＩｎＰ基板から遠ざかる方向に段階的に砒素の組成を増やしたＩｎＡｓＰグレーディッドバッファ層２０と、ＩｎＡｓＰグレーディッドバッファ層２０上に位置するＧａＩｎＮＡｓ受光層３と、該ＧａＩｎＮＡｓ受光層３上に位置するＩｎＡｓＰ層を備える。 - 特許庁

This TMR element includes laminate configurations consisting of at least a pin layer 2, a metallic oxide buffer layer 3, a barrier layer 4, and a free layer 5, and the metallic oxide buffer layer 3 whose film formation has been carried out in reducing atmosphere is basically configured of materials which are easy to oxidize as compared with materials constituting the pin layer 2 as base materials.例文帳に追加

少なくともピン層２／金属酸化物バッファ層３／バリア層４／フリー層５からなる積層構成を含むＴＭＲ素子であって、還元雰囲気中で成膜された前記金属酸化物バッファ層３は、ピン層２を構成する材料に比較して酸化されやすい材料を基材としたものであることが基本になっている。 - 特許庁

The membrane gas sensor 1 is constituted so as to prevent the occurrence of the microcracks by interposing an intermediate buffer layer 16 functioning in the same way as a strain superlattice between the electric insulating layer 14 and the sensing layer 15b and absorbing the stress change of the electric insulating layer 14 and the sensing layer 15b caused by a thermal shock by the intermediate buffer layer 16.例文帳に追加

電気絶縁層１４と感知層１５ｂとの間に歪超格子と同様に機能する中間バッファ層１６を設け、この中間バッファ層１６により熱衝撃に起因する電気絶縁層１４とガス感知層１５ｂとの応力変化を吸収し、その結果マイクロクラックの発生を抑止するような薄膜ガスセンサ１とした。 - 特許庁

Second, when a rear end part 12B is formed, the part (covered part) covered by the buffer layer among the precursor main magnetic pole layers is doubly covered by a precursor nonmagnetic layer pattern (the prearrangement layer of the nonmagnetic layer 13) and the buffer layer 15, and accordingly the position of the flare point FP preliminarily fixed is prevented to deviate when the precursor main magnetic pole layer receives etching processing.例文帳に追加

第２に、後端部１２Ｂを形成する際、前駆主磁極層のうち、バッファ層により覆われている部分（被覆部）は、前駆非磁性層パターン（非磁性層１３の前準備層）およびバッファ層１５により二重に覆われているため、前駆主磁極層にエッチング処理を施した際、あらかじめ設定されたフレアポイントＦＰの位置ずれが防止される。 - 特許庁

The growth method of the nitride semiconductor layer comprises (a) a process for forming a first crystalline nitride semiconductor layer on the substrate, (b) a process for forming a nitride semiconductor buffer layer on the first crystalline nitride semiconductor layer and (c) a process for removing the obtained nitride semiconductor buffer layer and forming a second crystalline nitride semiconductor layer.例文帳に追加

（ａ）基板の上に、第１の結晶質窒化物半導体層を形成する工程と、（ｂ）該第１の結晶質窒化物半導体層上に、窒化物半導体バッファ層を形成する工程と、（ｃ）得られた窒化物半導体バッファ層を除去するとともに、第２の結晶質窒化物半導体層を形成する工程とを含む窒化物半導体層の成長方法。 - 特許庁

In the semiconductor device, an AlSb buffer layer 31 is formed on an Si substrate 30 which makes little absorption in a terahertz region and an InAs layer 32 is epitaxially grown on the buffer layer 31 as a crystalline semiconductor layer used for generating a terahertz wave L2.例文帳に追加

テラヘルツ領域でほとんど吸収がないＳｉ基板３０を用い、このＳｉ基板３０上に、ＡｌＳｂバッファ層３１を形成し、さらにバッファ層３１上に、テラヘルツ波の発生に用いられる半導体結晶層としてＩｎＡｓ層３２をエピタキシャル成長する。 - 特許庁

By the method for forming the oxide superconducting thin film on the sapphire substrate, a CeO_2 buffer layer 2 is formed on the R-surface sapphire substrate 1, an LaAlO_3 is formed as a slanting layer 3 on the CeO_2 buffer layer 2, and an EBCO thin film 4 is formed on the slanting layer 3.例文帳に追加

サファイア基板への酸化物超伝導薄膜の製造方法において、Ｒ面サファイア基板１上にＣｅＯ_2 バッファ層２を形成し、次に、このＣｅＯ_2バッファ層２上にＬａＡｌＯ_3 を傾斜層３として形成し、次に、この傾斜層３上にＥＢＣＯ薄膜４を形成する。 - 特許庁

A display element 10 of the EL display device is provided with a buffer layer 14, a luminescence layer 16, a buffer layer 18, an insulating body layer 20 and a transparent electrode 22 laminated sequentially on a base plate 12 having high dielectric property, as well as metal electrodes 24 on a back surface of the base plate 12.例文帳に追加

ＥＬ表示装置の表示素子１０は、高い誘電性を有する基板１２の上にバッファ層１４、発光層１６、バッファ層１８、絶縁体層２０および透明電極２２が順次積層して設けられるとともに、基板１２の裏面に金属電極２４が設けられる。 - 特許庁

The display device comprises a first electrode, a second electrode and a laminated body held between the first and second electrodes and containing an organic compound, the laminated body containing the organic compound is provided with a light emitting layer and a buffer layer, and the buffer layer is a mixed layer of the organic compound and an inorganic compound.例文帳に追加

第１の電極と、第２の電極と、第１の電極及び第２の電極の間に挟まれた有機化合物を含む積層体を有し、有機化合物を含む積層体には発光層とバッファ層が設けられており、前記バッファ層は有機化合物と無機化合物の混合層でなる。 - 特許庁

Therefore, the relationship of the thickness of the buffer layer 30, the position of the bottom surface 42L of the tunnel barrier layer and the position of the top surface 60U of the TaO layer 60 formed around the magnetic tunnel junction element is previously calculated, and the film formation thickness of the buffer layer 30 is determined based on the relationship.例文帳に追加

そのために、バッファ層３０の膜厚と、トンネルバリア層下面位置４２Ｌと、磁気トンネル接合素子周辺に形成されたＴａＯ層６０の上面６０Ｕと、の関係をあらかじめ求めておき、当該関係に基づき、バッファ層３０の成膜膜厚を決定する。 - 特許庁

This field-effect transistor is provided with a compound semiconductor multilayered thin film having a GaAs substrate 1 and a GaInP channel layer 3, and an AlInP buffer layer 2a or an AlGaInP buffer layer is provided between the GaAs substrate 1 and GaInP channel layer 3.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１と、ＧａＩｎＰチャンネル層３とを有する化合物半導体多層薄膜を備えた電界効果トランジスタにおいて、前記ＧａＡｓ基板１と、前記ＧａＩｎＰチャンネル層３との間に、ＡｌＩｎＰバッファー層２ａ、又はＡｌＧａＩｎＰバッファー層を設ける。 - 特許庁

The reflective photomask blank has a substrate, a multilayer reflection film formed on the substrate, a buffer layer formed on the multilayer reflection film, and an absorbent layer formed on the buffer layer, and the absorbent layer is a thin film having a compound material containing tin (Sn) and oxygen (O).例文帳に追加

基板と、基板上に形成された多層反射膜と、多層反射膜上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成された吸収体層と、を備え、吸収体層は、錫（Ｓｎ）及び酸素（Ｏ）を含む化合物材料を有する薄膜であることを特徴とする反射型フォトマスクブランク。 - 特許庁

The metal having its surface coated with the ceramic includes: a metal containing chromium; a buffer layer which is located on the top of the metal and has an intermediate coefficient of thermal expansion between those of the metal and an SiC coating layer; and the SiC coating layer located on the top of the buffer layer.例文帳に追加

本発明による表面にセラミックがコーティングされた金属は、クロムを含む金属と、前記金属の上部に位置してその金属とＳｉＣコーティング層の中間熱膨脹係数を有するバッファー層と、前記バッファー層の上部に位置するＳｉＣコーティング層と、を含む。 - 特許庁

A non-volatile memory device including a variable resistance material has a lower electrode 20, a buffer layer 22 which is formed of an oxide on the lower electrode, an oxidation layer 24 which is formed on the buffer layer and has variable resistance characteristics, and an upper electrode 26 formed on the oxidation layer.例文帳に追加

可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子において、下部電極２０と、下部電極上に酸化物で形成されたバッファ層２２と、バッファ層上に形成され、可変抵抗特性を有した酸化層２４と、酸化層上に形成された上部電極２６と、を備える。 - 特許庁

When an oxide buffer layer 18 having a high oxygen dispersion property is allowed to grow epitaxially on a silicon substrate 14 and then the layer 18 is treated at a high temperature under a high oxygen atmosphere, an SiO_2 layer 16 is formed on an interface between the silicon substrate 14 and the buffer layer 18, and the ground substrate 12 is obtained.例文帳に追加

シリコン基板１４上に、高酸素拡散性を有する酸化物緩衝層１８をエピタキシャル成長させたのち、高酸素雰囲気下で高温処理することにより、シリコン基板１４と酸化物緩衝層１８の界面にＳｉＯ_２層１６が形成され、下地基板１２が得られる。 - 特許庁

In a semiconductor device which pastes up a substrate on a metal surface by an adhesive layer 13a using a metal, a buffer layer 13b is arranged between the substrate and the metal surface so that the metal used by the buffer layer is softened, without fusing at the melting point temperature of the adhesive layer 13a.例文帳に追加

金属を用いた接着層１３ａによって、基板を金属面に接着する半導体装置において、前記接着層１３ａの融点温度では、溶融せずに軟化する金属を用いた緩衝層１３ｂを前記基板と金属面との間に配置する。 - 特許庁

A light scattering structure which scatters light is formed at least at the interface of the buffer layer 3 and the transparent electrode layer 4 or at its surroundings, and suppresses total reflection of light by scattering light at the interface of the transparent electrode layer 4 and the buffer layer 3.例文帳に追加

そして、少なくとも緩和層３と透明電極層４との界面又はその付近に光を散乱させる光散乱構造が形成してあり、透明電極層４と緩和層３との界面で光を散乱させて全反射することを抑制するようにしてある。 - 特許庁

A second buffer layer 15 made of a metallic material, of which the mutual diffusion with respect to the material of the piezoelectric precursor layer hardly occurs rather than the metallic material forming the actuator plate 22, is formed on the first buffer layer 14 to form a surface layer 13 on the top face of the actuator plate 22.例文帳に追加

第１緩衝層１４上に、圧電シートとなる圧電前駆体層の材料との相互拡散がアクチュエータプレート２２を構成する金属材料よりも生じにくい金属材料からなる第２緩衝層１５を形成し、アクチュエータプレート２２の上面に表層１３を形成する。 - 特許庁

A hard control processing section 4 generates interruption at a designated command output interval and includes: an isochronism buffer 41; an urgent buffer 42; and an ordinary buffer 43; a buffer control 44 for controlling the buffers above; a coding layer 45; and an output control 46.例文帳に追加

ハード制御処理部４は、指定されたコマンド出力間隔で割込を発生し、等時性バッファ４１と、緊急バッファ４２と、通常バッファ４３と、これらバッファを制御するバッファ制御４４と、符号化層４５と、出力制御４６とを有している。 - 特許庁

Embodiments include an apparatus including a buffer layer 16, a group III-V layer 18 over the buffer layer 16, a source contact 20 and a drain contact 22 on the group III-V layer 18, a regrown Schottky layer 10 over the group III-V layer and between the source contact 20 and the drain contact 22, and a gate contact 24 on the regrown Schottky layer 10.例文帳に追加

バッファ層１６と、バッファ層１６上のＩＩＩ−Ｖ族層１８と、ＩＩＩ−Ｖ族層１８上のソース接点２０およびドレイン接点２２と、ＩＩＩ−Ｖ族層１８上で、ソース接点２０およびドレイン接点２２間の再成長ショットキー層１０と、成長ショットキー層１０上のゲート接点２４、を備える装置、および装置を用いたシステムを含む。 - 特許庁

Masks 11 for selective growth and an AlN buffer layer 2 are formed on a substrate 1 for growth, and further a non-doped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an MQW active layer 5, and a p-type GaN layer 6 are laminated in order.例文帳に追加

成長用基板１上に選択成長用マスク１１及びＡｌＮバッファ層２が形成され、さらにノンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層されている。 - 特許庁

A low temperature growth buffer layer 104 and a first n-type GaN layer 105 are then sequentially grown epitaxially on the AIN layer 103, and a mask layer 106 having an opening is formed on the first n-type GaN layer 105.例文帳に追加

次に、ＡｌＮ層１０３上に低温成長バッファ層１０４および第一のｎ型ＧａＮ層１０５を順次エピタキシャル成長させた後、第一のｎ型ＧａＮ層１０５上に開口部を有するマスク層１０６を形成する。 - 特許庁

That means, the photosensitive resin layer 8 can be utilized not only as a mask layer for providing the source electrode 3 and the drain electrode 4, but also as a buffer layer for providing the organic semiconductor layer 9 above the surface of a resin layer 7.例文帳に追加

つまり、感光性樹脂層８をソース電極３及びドレイン電極４を設けるためのマスク層として利用するだけでなく、有機半導体層９を樹脂層７の表面上に設けるための緩衝層として利用できる。 - 特許庁

Disclosed is the semiconductor element which has a group III nitride-based compound semiconductor layer formed on a substrate layer made of a metal nitride layer without interposing a low-temperature grown buffer layer, and the metal nitride layer is made of rufous titanium nitride.例文帳に追加

金属窒化層からなる下地層の上に低温成長バッファ層を介在させることなくIII族窒化物系化合物半導体層が形成されている半導体素子であって、前記金属窒化物層が赤茶色の窒化チタンからなる。 - 特許庁

The semiconductor laser element 100 is constituted by successively laminating an n-buffer layer 2, n-clad layer 3, active layer 4, p-clad layer 5, and p-contact layer 6 on one surface of an n-GaN substrate 1 having a thickness of 120-200 μm.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は、厚さ１２０〜２００μｍのｎ−ＧａＮ基板１の一方の面上に、ｎ−バッファ層２、ｎ−クラッド層３、活性層４、ｐ−クラッド層５およびｐ−コンタクト層６が順に積層されてなる。 - 特許庁

A compound semiconductor device 100 is equipped with an N+-GaAs drain layer 12, an N+-GaAs buffer layer 14, an N-GaAs channel layer 16, a P+-InGaP gate layer 28, an N+-InGaP source layer 30, a drain electrode 22, a gate electrode 24, and a source electrode 26.例文帳に追加

本発明において、化合物半導体素子１００が、ｎ^+GaAsドレイン層１２、ｎ^+GaAsバッファ層１４、ｎ^-GaAsチャネル層１６、ｐ^+InGaPゲート層２８、ｎ^+InGaPソース層３０、ドレイン電極２２、ゲート電極２４およびソース電極２６を備える。 - 特許庁

Switching by the unit of the slice layer is performed, for example, based on a stored data quantity in an input buffer.例文帳に追加

また、スライス層単位での切り換えは、例えば、入力バッファの蓄積データ量に基づいて行われる。 - 特許庁

The thickness of the buffer layer 3 is set to about 2 to 5μm, and the elastic modulus is set to 1000MPa or less.例文帳に追加

緩衝層３の厚みは２〜５μｍ程度とし、弾性率を１０００ＭＰａ以下としている。 - 特許庁

The conductive polymer 104 also serves as a buffer layer, allowing reduction in power consumption.例文帳に追加

導電性ポリマー１０４のバッファ層としての機能も加わり、消費電力を抑える結果につながる。 - 特許庁

Moreover, since selection of GaAs is possible, the etching automatically stops at the n-type GaAs buffer layer 22.例文帳に追加

また、ＧaＡsに対して選択性があるため、ｎ型ＧaＡsバッファ層２２でエッチングが自動的に停止する。 - 特許庁

To make a device capable of withstanding high voltage by making a buffer layer high resistance without increasing threshold voltage.例文帳に追加

しきい値電圧を増大させることなくバッファ層を高抵抗化して素子を高耐圧化できること。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING LOW-TEMPERATURE GROWING BUFFER LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT-EMITTING ELEMENT, THE LIGHT-EMITTING ELEMENT AND LIGHT-EMITTING DEVICE例文帳に追加

低温成長バッファ層の形成方法、発光素子の製造方法、発光素子、および発光装置 - 特許庁

A tatami facing 7 is laminated on the tatami base via the buffer layer to form the floor heating tatami 1.例文帳に追加

畳床にその緩衝層を介して畳表７を積層して床暖房用畳１を構成する。 - 特許庁

An element having a larger atomic radius than phosphorus has is used as the impurity added to the low-temperature buffer layer 102.例文帳に追加

低温緩衝層１０２に添加する不純物をリンより原子半径を大とする元素とする。 - 特許庁

The problem is solved by forming the buffer layer with a compound including at least In and S.例文帳に追加

バッファ層を、少なくともＩｎとＳとを含む化合物で形成することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

The film thickness of a ZnO buffer layer 3 formed on an Si substrate 2 is 3500 Å or more.例文帳に追加

Ｓｉ基板２の上に形成するＺｎＯバッファ層３の膜厚を３５００Å以上とする。 - 特許庁

The device is provided with the substrate, a first buffer layer formed on the substrate, having a plurality of grooves on its surface and composed of GaN, and a second buffer layer formed on the first buffer layer, having a flat surface by burying the plurality of grooves and composed of GaN obtained by doping Mg.例文帳に追加

基板と、前記基板上に形成され、表面に複数の溝を有し、ＧａＮからなる第１のバッファー層と、前記第１のバッファー層上に形成され、前記複数の溝を埋め込んで平坦な表面を有し、ＭｇがドープされたＧａＮからなる第２のバッファー層と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

Thus, the n type buffer layer 3 is spatially separated from an SJ structure 4, and the concentration of the n type impurity at a connection part 14 between the n type buffer layer 3 and the n type pillar region 5 is made lower than the concentration of the n type impurity in the n type buffer layer 3 and the n type pillar region 5.例文帳に追加

これにより、ｎ型バッファー層３とＳＪ構造４とが空間的に分離され、ｎ型バッファー層３とｎ型ピラー領域５との間の接続部１４におけるｎ型不純物の濃度が、ｎ型バッファー層３及びｎ型ピラー領域５におけるｎ型不純物の濃度よりも低くなる。 - 特許庁

To provide a solar energy cell where a Ge_xSi_1-x buffer layer is formed on a silicon wafer.例文帳に追加

ＧｅｘＳｉ１−ｘ緩衝層をシリコンウェハ上に形成した太陽エネルギ電池を提供する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SILICON NITRIDE SUBSTRATE HAVING Si3N4 HETEROEPITAXIAL BUFFER LAYER ON SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン基板上にＳｉ３Ｎ４へテロエピタキシャルバッファ層を有する窒化シリコン基板の作製方法および装置 - 特許庁