「buffer-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

As the buffer layer, a layer having a lattice constant in a specified range is required for obtaining the tetragonal MgSiO_3 crystal.例文帳に追加

バッファー層としては格子定数が特定の範囲にあるものが正方晶ＭｇＳｉＯ_３結晶をうる為に必要である。 - 特許庁

The substrate layer is formed on the buffer layer, has a dislocation density of 5×10^8 cm^-2 or less, and contains a nitride semiconductor.例文帳に追加

下地層は、バッファ層の上に形成され、転位密度が５×１０^８ｃｍ^−２以下であり、窒化物半導体を含む。 - 特許庁

The hydrophilic buffer layer 7 absorbing water in the low capillary pressure grade is formed on one side or both sides of the catalyst layer 2.例文帳に追加

さらに、触媒層２の片面、又は両面に、低毛管圧勾配で水を吸収する親水性バッファー層７を形成する。 - 特許庁

A semiconductor crystal layer 103 made of undoped GaN and having the thickness of about 2 μm is formed on a buffer layer 102.例文帳に追加

バッファ層１０２の上には厚さ約２μｍのアンドープのＧａＮから成る半導体結晶層１０３が形成されている。 - 特許庁

The AlNdN alloy serves as a buffer layer or a diffusion barrier for preventing mutual diffusion between the AlNd alloy and an amorphous silicon layer.例文帳に追加

ＡｌＮｄＮ合金はバッファ層或いはＡｌＮｄ合金とアモルファスシリコン層の相互拡散を防止する拡散バリアとされる。 - 特許庁

The organic EL device has a structure equipped with a functional layer 110 between an opposite pixel electrode 23 and a common cathode 50, and the functional layer 110 is constituted by comprising the emission layer, an anode buffer layer provided between the pixel electrode 23 and the emission layer and a cathode buffer layer provided between the common cathode 50 and the emission layer.例文帳に追加

有機ＥＬ装置は、対向する画素電極２３と共通陰極５０との間に機能層１１０を備えた構成であり、この機能層１１０は、発光層と、画素電極２３と発光層との間に設けられた陽極バッファ層と、共通陰極５０と発光層との間に設けられた陰極バッファ層とを含んで構成される。 - 特許庁

The electron source 10a is constructed of a lower electrode 12, a buffer layer made of amorphous silicon layer formed on the lower electrode 12a, a polycrystalline silicon layer 3 formed on the buffer layer, an intense-field drift layer 6 formed on the polycrystalline silicon layer 3, and a surface electrode 7 formed on the intense-field drift layer.例文帳に追加

電子源素子１０ａは、下部電極１２と、下部電極１２ａに形成されたアモルファスシリコン層からなるバッファ層１４と、バッファ層１４上に形成された多結晶シリコン層３と、多結晶シリコン層３上に形成された強電界ドリフト層６と、強電界ドリフト層６上に形成された表面電極７とで構成されている。 - 特許庁

The wavelength conversion element 1 comprises a support substrate, a ferroelectric layer 7 made of a ferroelectric material in which a wavelength conversion section is formed, a buffer layer 6 formed in the backside 7d of the ferroelectric layer 7, a spacer layer 5 layered on the buffer layer 6, and a resin adhesive layer 3 adhering the spacer layer 5 and the support substrate 2.例文帳に追加

波長変換素子１は、支持基体、強誘電性材料からなり、波長変換部が形成されている強誘電体層７、強誘電体層７の背面７ｄ側に形成されているバッファ層６、ハッファ層６と積層されているスペーサ層５、スペーサ層５と支持基体２とを接着する樹脂接着剤層３を備えている。 - 特許庁

The nitride semiconductor comprises a silicon substrate 20, a buffer layer 21 formed on the silicon substrate 20, an intermediate layer 23 containing voids 22 formed on the buffer layer 21, a planarizing layer 24 formed on the intermediate layer 23, and a nitride semiconductor layer 25 formed on the planarizing layer 24.例文帳に追加

シリコン基板２０と、前記シリコン基板２０上に形成されたバッファ層２１と、前記バッファ層２１上に形成され、ボイド（ｖｏｉｄ）２２を含有した中間層２３と、前記中間層２３上に形成された平坦化層２４と、前記平坦化層２４上に形成された窒化物半導体層２５と、を含む窒化物半導体及びその製造方法である。 - 特許庁

A translucent conductive layer 3 is formed on a translucent substrate 2, a metal oxide semiconductor layer 4 is formed on the translucent conductive layer 3, and a buffer In_2S_3 layer 5 is formed on the metal oxide semiconductor layer 4; and the light absorbing CuInSe_2 layer 6 is formed on the buffer In_2S_3 layer 5, and an electrode 7 is formed on the light absorbing CuInSe_2 layer 6.例文帳に追加

透光性基板２上に透光性導電層３が形成され、透光性導電層３上に金属酸化物半導体層４が形成され、金属酸化物半導体層４上にバッファーＩｎ_2Ｓ_3層５が形成され、バッファーＩｎ_2Ｓ_3層５上に光吸収ＣｕＩｎＳｅ_2層６が形成され、光吸収ＣｕＩｎＳｅ_2層６上に電極７が形成されている。 - 特許庁

In a semiconductor element, an AlGaN buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN contact layer 4, an n-type InGaN crack preventing layer 5, an n-type AlGaN clad layer 6, an MQW active layer 7, and a p-type AlGaN clad layer 8 are successively on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１上にＡｌＧａＮバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ−ＧａＮコンタクト層４、ｎ−ＩｎＧａＮクラック防止層５、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層６、ＭＱＷ活性層７およびｐ−ＡｌＧａＮクラッド層８が順に形成されている。 - 特許庁

A p-type buffer layer 12, a p-type semiconductor layer 14, an n-type semiconductor layer 16, a p-type semiconductor layer 18, an n-type semiconductor layer 20, and an n-type semiconductor layer 30 serving as a light absorbing layer are successively laminated on a p-type substrate 10 to form a pnpn structure.例文帳に追加

ｐ形基板１０上に、ｐ形バッファ層１２，ｐ形半導体層１４，ｎ形半導体層１６，ｐ形半導体層１８，ｎ形半導体層２０、光吸収層であるｎ形半導体層を順次積層し、ｐｎｐｎ構造を作る。 - 特許庁

The resistivity of the high Al composition region 123 is the highest in the buffer layer 12.例文帳に追加

高Ａｌ組成領域１２３の抵抗率は、この緩衝層１２中で最も高くなっている。 - 特許庁

An about 20 nm-thick AlN buffer layer 12 is formed on a (0001) face 6H-SiC substrate 11 at 500°C.例文帳に追加

（０００１）面6Ｈ-SiC基板11上に温度500℃でAlNバッファ層12を２０nm程度の膜厚で形成する。 - 特許庁

Meanwhile, a semi-insulating buffer layer 120 is interposed between the thermally conductive substrate and the light emitting cells.例文帳に追加

一方、熱伝導性基板と発光セルとの間に半絶縁性バッファ層１２０が介在する。 - 特許庁

The dual-layer optical fiber buffer encasement is wrapped with a reinforcement yarn and stored in an outer protective jacket.例文帳に追加

２層光ファイババッファ容器は補強ヤーンに包まれ外側保護ジャケット内に収められている。 - 特許庁

A material of the first conductivity type buffer layer 15 is different from that of the semiconductor region 13.例文帳に追加

第１導電型バッファ層１５の材料は半導体領域１３の材料と異なる。 - 特許庁

Due to the function of the conductive polymer 104 as a buffer layer, power consumption is resultantly restrained.例文帳に追加

導電性ポリマー104のバッファ層としての機能も加わり、消費電力を抑える結果につながる。 - 特許庁

A striped insulating film 26 is formed between a principal surface of the Si substrate 10 and a buffer layer 60-1.例文帳に追加

Si基板10の主面とバッファ層60-1との間にストライプ状絶縁膜26が形成されている。 - 特許庁

The glass substrate is then chemically mechanically polished from above the buffer layer with the slurry produced.例文帳に追加

次に、生成したスラリーを用いて緩衝層の上からガラス基板の化学機械研磨を行う。 - 特許庁

An optical waveguide 2 and a buffer layer 3 are formed in a substrate 1 with the electro-optic effect.例文帳に追加

電気光学効果を有する基板１に光導波路２及びバッファ層３を形成する。 - 特許庁

A buffer layer having a P-type conductivity is epitaxially grown on a conductive substrate.例文帳に追加

導電性の基板の上に、Ｐ型導電性を有するバッファ層がエピタキシャル成長されている。 - 特許庁

The backside of the die is directly fixed on the substrate, and a first buffer layer is formed on the substrate.例文帳に追加

ダイの裏面は基板上に直接固着され、第１バッファー層が基板上に形成される。 - 特許庁

A large area organic electronic device having a doped conductive polymer buffer layer is disclosed.例文帳に追加

ドープ型導電性ポリマー緩衝層を有する大面積有機電子デバイスが記載されている。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SELF-ALIGNED FERROELECTRIC GATE TRANSISTOR USING BUFFER LAYER WITH LARGE ETCHING SELECTIVITY例文帳に追加

蝕刻選択比の大きいバッファ層を利用した自己整列強誘電体ゲートトランジスタの製造方法 - 特許庁

This buffer 1 for a human body has a foaming body 2, a coating layer 3 and an air enclosing valve 4.例文帳に追加

人体用緩衝体１は、発泡体２と、被覆層３と、空気封入弁４とを備える。 - 特許庁

When transmitting a packet, the user supplied buffer should contain the physical layer header. 例文帳に追加

パケットの送信時には、ユーザが指定するバッファに物理層のヘッダが含まれている必要がある。 - JM

SUBSTRATE FOR POWER MODULE WITH HEAT SINK, POWER MODULE WITH HEAT SINK AND SUBSTRATE FOR POWER MODULE WITH BUFFER LAYER例文帳に追加

ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール及び緩衝層付パワーモジュール用基板 - 特許庁

The buffer layer 3 is made of carbon fibers having a diameter of 0.5 to 1000 nm, and is impregnated with an organic liquid.例文帳に追加

該緩衝層３は直径0.5〜1000nmのカーボンファイバーからなり、有機液体が含浸されている。 - 特許庁

The buffer layer has a function of preventing a short circuit between the first and second electrodes.例文帳に追加

このバッファ層は第１の電極と第２の電極とのショートを防ぐ機能を有している。 - 特許庁

A buffer layer 3 is interposed between the outer package 4 and the coil 1, and is made of a imide silicon resin.例文帳に追加

緩衝層３は、外装体４と、巻線部１との間に介在し、イミドシリコン樹脂からなる。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a substrate 2, a buffer layer 3, and a nitride-based compound semiconductor 4.例文帳に追加

半導体装置は、基板２と、バッファ層３と、窒化物系化合物半導体４とを備える。 - 特許庁

The buffer layer is formed by the epitaxial growth at a comparatively low temperature at a slow speed.例文帳に追加

バッファー層を比較的低い温度でかつ遅い速度でエピタキシャル成長させて形成する。 - 特許庁

As a buffer layer 11, Al_xGa_1-xN_1-yP_y, Al_y, or Al_xGa_1-xN_1-yAs_y is used.例文帳に追加

バッファ層１１としてＡｌ_xＧａ_1-xＮ_1-_yＰ_yあるいはＡｌ_yあるいはＡｌ_xＧａ_1-xＮ_1-yＡｓ_yを用いる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that prevents a leak current between and among electrodes through a buffer layer.例文帳に追加

バッファ層を介した電極間のリーク電流を抑制した半導体素子を提供する。 - 特許庁

The buffer layer 12 is preferably either one of a nonwoven fabric, a foamed plastic film, a foamed plastic sheet and synthetic paper.例文帳に追加

緩衝層（１２）は不織布、発泡プラスチックフィルム、発泡プラスチックシート、合成紙のいずれかが良い。 - 特許庁

The buffer layer 8 is composed mainly of a compound having a permanent dipole moment.例文帳に追加

バッファ層８は、永久双極子モーメントを有する化合物から主として構成されるものである。 - 特許庁

The semiconductor device 1 is provided with the semiconductor element 2, the metal electrode layer 3 and the buffer plate 4.例文帳に追加

半導体装置１は、半導体素子２、金属電極層３および緩衝板４を備える。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING GexSi1-x BUFFER LAYER OF SOLAR ENERGY CELL ON SILICON WAFER例文帳に追加

太陽エネルギ電池のＧｅｘＳｉ１−ｘ緩衝層をシリコンウェハ上に形成する方法。 - 特許庁

A CaF_2 buffer layer 3 is formed on a CaF_2(111) substrate 2 with an MBE method.例文帳に追加

ＣａＦ_２（１１１）基板２上に、ＭＢＥ法によってＣａＦ_２ｂｕｆｆｅｒ層３を形成する。 - 特許庁

CERIA FAMILY BUFFER LAYER FOR AIR ELECTRODE OF SOLID OXIDE FUEL CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

固体酸化物形燃料電池の空気極用セリア系バッファー層及びその製造方法 - 特許庁

This compound semiconductor epitaxial wafer comprises a buffer of a multilayer structure obtained, by laminating a buffer layer 10 of a multilayer structure obtained through lamination of AlGaAs and GaAs in a plurality of periods, the buffer layer of a multilayer structure obtained by laminating AlXGa1-XAs and AlYGa1-YAs in a plurality of periods or a buffer layer of a multilayer structure obtained by laminating InGaAs and GaAs in a plurality of periods.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１とサブコレクタ層２との間に、ＡｌＧａＡｓとＧａＡｓを複数周期積層した多層構造のバッファ層１０、もしくはＡｌ_x Ｇａ_1-x ＡｓとＡｌ_y Ｇａ_1-y Ａｓを複数周期積層した多層構造のバッファ層２０、もしくはＩｎＧａＡｓとＧａＡｓを複数周期積層した多層構造のバッファ層３０を設ける。 - 特許庁

An N-type GaAs buffer layer, an N-type InGaP clad layer, an InGaAsP barrier layer, an InGaAs active layer, an InGaAsP barrier layer, a P-type InGaP clad layer, a P-type InGaAsP etching stop layer, a P-type InGaP clad layer, and a P-type GaAs contact layer are successively laminated on an N-type GaAs substrate.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板11上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層12、ｎ型ＩｎＧａＰクラッド層13、ＩｎＧａＡｓＰバリア層14、ＩｎＧａＡｓ活性層15、ＩｎＧａＡｓＰバリア層16、ｐ型ＩｎＧａＰクラッド層17、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰエッチングストップ層18、ｐ型ＩｎＧａＰクラッド層19、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層20を順次積層する。 - 特許庁

An n-type GaAs buffer layers 44 and an n-type InGaAlP buffer layer 34 are formed through an epitaxial growth method on an n-type GaAs substrate 10, and an n-type GaP substrate 30 is bonded on the n-type InGaAlP buffer layer 34.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１０上に、エピタキシャル成長によりｎ型ＧａＡｓバッファー層４４とｎ型ＩｎＧａＡｌＰバッファー層３４とを形成し、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰバッファー層３４にｎ型ＧａＰ基板３０を接着する。 - 特許庁

The optical energy transmission medium 10, such as an optical fiber, contains the plural particles formed in ≥1 layer of coating layer enclosing a clad region and/or ≥1 layer of buffer region layer 16 enclosing the coating layer.例文帳に追加

光ファイバのような光エネルギー伝送媒体は、クラッド領域を包囲する１層以上の被覆層及び／又は被覆層を包囲する１層以上の緩衝領域層中に形成された複数の粒子を含有する。 - 特許庁