「buffer-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

An n-GaAs buffer layer 2, n-A1GaAs clad layer 3, AlGaAs active layer 4, p-AlGaAs clad layer 5 and p-GaAs cap layer 6 are laminated on an n-GaAs substrate 1.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１の上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３、ＡｌＧａＡｓ活性層４、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層５、ｐ−ＧａＡｓキャップ層６が順に積層されている。 - 特許庁

A semiconductor laser diode 10 includes a substrate 1, a buffer layer 2, a first cladding layer 3, an active layer 4, a second cladding layer 5, a contact layer 6, a first electrode 7, a second electrode 8 and a resonator end surface.例文帳に追加

半導体レーザダイオード１０は、基板１と、バッファ層２と、第１のクラッド層３と、活性層４と、第２のクラッド層５と、コンタクト層６と、第１の電極７と、第２の電極８と、共振器端面とを備える。 - 特許庁

The GaN-based semiconductor element 20 is provided with a buffer layer 2 formed on a sapphire (0001) substrate 1, a channel layer 3 made of an undoped GaN layer, and an electron supplying layer 4 made of an undoped AlGaN layer.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体素子２０は、サファイア（０００１）基板１上に形成されたバッファ層２と、アンドープＧａＮ層から成るチャネル層３と、アンドープＡｌＧａＮから成る電子供給層４とを備える。 - 特許庁

An n-type substrate 1, n-type buffer layer 2, GRIN-SCH-MQW active layer 3, p-type spacer layer 4, p-type clad layer 6, p-type contact layer 7, and p-side electrode 10 are successively laminated upon an n-side electrode 11 in this order.例文帳に追加

ｎ側電極１１の上にｎ−基板１、ｎ−バッファ層２、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−スペーサ層４、ｐ−クラッド層６、ｐ−コンタクト層７、ｐ側電極１０の順に積層する。 - 特許庁

The lattice constant of the layer which contacts with the light receiving layer 11 among the layers constituting the window layer 13, is smaller than either lattice constant larger between the lattice constant of the light receiving layer 11 and the lattice constant of the buffer layer 9.例文帳に追加

窓層１３を構成する層のうち受光層１１と接触する層の格子定数は、受光層１１の格子定数およびバッファ層９の格子定数のうちのいずれか大きい格子定数より小さい。 - 特許庁

A p-InP blocking layer 8 and an n-InP blocking layer 9 are laminated adjacently to the upper region of the buffer layer 2, the active layer 3 and the spacer layer 4.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰバッファ層２の上部領域、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３およびｐ−ＩｎＰスペーサ層４に隣接してｐ−ＩｎＰブロッキング層８、ｎ−ＩｎＰブロッキング層９が積層される。 - 特許庁

To provide an organic EL(electroluminescent) display device having high injection efficiency for injecting holes into a luminescence layer from a buffer layer and efficient luminescence by efficiently increasing the boundary area between the buffer layer and the luminescence layer per unit luminescent face.例文帳に追加

単位発光面当たりのバッファ層と発光層との境界の面積を効率的に大きく取ることで、バッファ層から発光層へ注入されるホールの注入効率を高めて、効率的に発光が行われるようにした有機ＥＬ表示装置を提供する。 - 特許庁

The surfaces 32a, 34a of the half mirrors 32, 34 on the buffer layer 33 side are used as reflecting surfaces to constitute a 1st resonance layer 41, and the surfaces 34b, 36b of the half mirrors 34, 36 on the buffer layer 35 side are used as reflecting surfaces to constitute a 2nd resonance layer 42.例文帳に追加

ハーフミラー３２，３４のバッファー層３３側の面３２ａ，３４ａを反射面として第１の共振層４１が構成され、ハーフミラー３４，３６のバッファー層３５側の面３４ｂ，３６ａを反射面として第２の共振層４２が構成されている。 - 特許庁

The graphite mold also comprises a buffer layer 5 made of a fluororesin in which a buffer material formed on a surface of the layer 5 to absorb an impact is dispersed, and a surface layer 6 made of a high molecular weight fluororesin and provided at a surface side of the layer 3.例文帳に追加

さらに、衝撃を吸収する緩衝材が分散されたフッ素樹脂からなる緩衝層５と、前記緩衝層５の表面に形成された高分子量フッ素樹脂からなる表面層６とを前記接合層３の表面側にさらに設ける。 - 特許庁

This light-emitting device includes: a plurality of organic EL elements P1 arranged on a main substrate 10; an organic buffer layer 19 that covers the plurality of organic EL elements P1; and a first gas barrier layer 20 and a second gas barrier layer 21 that are disposed on the organic buffer layer 19.例文帳に追加

主基板１０上に配列された複数の有機ＥＬ素子Ｐ１と、複数の有機ＥＬ素子Ｐ１を覆う有機緩衝層１９と、有機緩衝層１９上に配置された第１のガスバリア層２０および第２のガスバリア層２１を備える。 - 特許庁

To make low the feedthrough dislocation density in an SiGe buffer layer and to lessen the surface roughness also of the buffer layer in a semiconductor substrate, a field-effect transistor, the forming method of an SiGe layer, the forming method of a distorted Si layer using this forming method, and the manufacturing method of the field-effect transistor.例文帳に追加

半導体基板と電界効果型トランジスタ並びにＳｉＧｅ層の形成方法及びこれを用いた歪みＳｉ層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法において、貫通転位密度を低くかつ表面ラフネスも小さくすること。 - 特許庁

Since the buffer layer 2 has such constitution, the crystallinity of the semiconductor optical absorption layer 3 formed on the buffer layer 2 is improved, the life of an electron existing in the semiconductor optical absorption layer 3 is lengthened, and quantum efficiency is enhanced.例文帳に追加

本半導体光電陰極においては、バッファ層２が上記構成を具備しているため、その上に形成される半導体光吸収層３の結晶性を改善し、この中における電子の寿命を向上させ、その量子効率を増加させることができる。 - 特許庁

Next, a GaN semiconductor substrate 10 is formed by sequentially depositing a GaN layer 16 and a AlGaN layer 20 on the buffer layer under the condition that the supporting substrate and buffer layer are kept within the growth temperature being set to 900°C or higher but to 1,100°C or lower.例文帳に追加

次に、支持基板及びバッファ層を９００℃以上１１００℃以下に設定された成長温度に保持した状態で、バッファ層上に、ＧａＮ層１６及びＡｌＧａＮ層２０を順次に積層してＧａＮ半導体基板１０を形成する。 - 特許庁

To provide an electro-optical device capable of forming a buffer layer alleviating stress concentration to a gas barrier layer through flattening of the gas barrier layer and preventing the buffer layer from leaking outside a given region, and to provide a manufacturing method of the same and electronic equipment.例文帳に追加

ガスバリア層を平坦化させて、ガスバリア層への応力集中を緩和させる緩衝層を形成するとともに、緩衝層が所定の領域外に漏出することを防止することができる電気光学装置、その製造方法、及び電子機器を提供する。 - 特許庁

The plastic case comprises a buffer part in the inner layer of the case in the plastic case having the buffer part formed into a one piece.例文帳に追加

本発明の樹脂筐体は、一体成形され緩衝部を有する樹脂筐体において、筐体の内層に前記緩衝部を有することを特徴とする。 - 特許庁

The image reversible compression unit 902 reads bitmap data of characters and graphics from the first layer buffer 509 of the buffer unit 508 and performs reversible compression.例文帳に追加

画像可逆圧縮部９０２は、バッファ部５０８の第１レイヤーバッファ５０９から文字およびグラフィックのビットマップデータを読み出し可逆圧縮を行う。 - 特許庁

The n-type nitride semiconductor laminate has a substrate, a buffer layer made of Al_aGa_1-aN(0.05≤a≤0.8), and an n-side nitride semiconductor layer formed on the buffer layer.例文帳に追加

本発明のｎ型窒化物半導体積層体は、基板と、前記基板の表面に形成された、Ａｌ_ａＧａ_１−ａＮ（０．０５≦ａ≦０．８）からなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成されたｎ側窒化物半導体層とを有する。 - 特許庁

At the time of forming a semiconductor layer, e.g. an InGaAs channel layer, on a GaAs substrate 1 through InAlAs buffer layers 71, 73, As on the surface of the InAlAs buffer layer 71 is substituted by another group V element.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１上にＩｎＡｌＡｓバッファ層７１，７３を介してＩｎＧａＡｓチャネル層などの半導体層を形成するに際し、そのＩｎＡｌＡｓバッファ層７１の表面のＡｓを別のＶ族元素で置換する。 - 特許庁

The buffer layer 5 has an energy band gap Eg 1 that serves as an intermediate between the energy band gap Eg2 of an n-type GaAs buffer layer 4 of the convex portion 3 and the energy band gap Eg3 of the clad layer 6.例文帳に追加

Ｎ型ＡｌＧａＡｓバッファ層５は、ストライプ状の凸部３のＮ型ＧａＡｓバッファ層４のエネルギーバンドギャップＥｇ２とＮ型ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層６のエネルギーバンドギャップＥｇ３との中間のエネルギーバンドギャップＥｇ１を有する。 - 特許庁

The dislocation density of the MQW light emitting layer 18 is reduced and absorption of light can also be suppressed by using the AINP formed under low temperature as the first buffer layer 12 and the AlNP formed under high temperature as the second buffer layer 14.例文帳に追加

第１バッファ層１２として低温形成のＡｌＮＰを用い、第２バッファ層１４として高温形成のＡｌＮＰを用いることで、ＭＱＷ発光層１８の転位密度を低減し、光の吸収を抑制する。 - 特許庁

A GaAs buffer layer is formed on a GaAs substrate, a GaSb_xAs_1-x (0<x≤1) layer is introduced onto the GaAs buffer, and InAs quantum dots are self-formed on the a GaSb_xAs_1-x (0<x≤1) layer.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上に、ＧａＡｓバッファ層を形成し、ＧａＡｓバッファ層上に、ＧａＳｂ_ｘＡｓ_１−ｘ（０＜ｘ≦１）層を導入し、ＧａＳｂ_ｘＡｓ_１−ｘ（０＜ｘ≦１）層上に、ＩｎＡｓ量子ドットを自己形成する。 - 特許庁

Further, a buffer layer 20 of AlGaN having a thickness of about 300 nm is grown on the ion implanted surface of the Si substrate 10, and a GaN layer 30 being an objective semiconductor crystal and having a thickness of about 200 μm is grown on the buffer layer 20.例文帳に追加

上記のＳｉ基板１０のイオン注入面上に、ＡｌＧａＮより成るバッファ層２０を約３００ｎｍ成長し、更にその上に、目的の半導体結晶である窒化ガリウム（ＧａＮ）層３０を約２００μｍ成長する。 - 特許庁

The method for manufacturing a thin-film transistor array substrate comprises a process of forming a buffer layer on a substrate made of a low-grade glass and a process of building thin-film transistors and picture element electrodes, which include a semiconductor layer, on the buffer layer.例文帳に追加

本発明は、低級なガラスからなる基板上にバッファ層を形成する段階と、前記バッファ層上に半導体層を含む薄膜トランジスタ及び画素電極を形成する段階とを含めてなることを特徴とする。 - 特許庁

In the lid material having a base material layer 11, an aluminum foil layer 12 and a sealant layer 14, a buffer layer 13 comprising an ethylene-methacrylic acid copolymer with Shore D hardness of 50 or more is disposed between the aluminum foil layer 12 and sealant layer 14.例文帳に追加

基材層１１とアルミ箔層１２とシーラント層１４とを有する蓋材において、アルミ箔層１２とシーラント層１４との間に、ショアＤ硬度が５０以上のエチレン−メタクリル酸共重合体からなる緩衝層１３を配置する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 101, semiconductor layers are laminated which include a buffer layer 102, a first lower clad layer 103, an etching start layer 104, a second lower clad layer 105, an active layer 107, and an upper clad layer 109 at least in this order.例文帳に追加

半導体基板１０１上に、バッファ層１０２と、第一下クラッド層１０３と、エッチング開始層１０４と、第二下クラッド層１０５と、活性層１０７と、上クラッド層１０９とを少なくとも順に含む半導体層を積層する。 - 特許庁

On a sapphire substrate 1, an undoped GaN buffer layer 2, n-type GaN layer 3, and p-type GaN layer 4 are formed in order, part of the region from the p-type GaN layer 4 to n-type GaN layer 3 is removed, and the n-type GaN layer 3 is exposed.例文帳に追加

サファイア基板１上にアンドープのＧａＮバッファ層２、ｎ型ＧａＮ層３およびｐ型ＧａＮ層４を順に形成し、ｐ型ＧａＮ層４からｎ型ＧａＮ層３までの一部領域を除去し、ｎ型ＧａＮ層３を露出させる。 - 特許庁

The nano-granular composite thin film includes a buffer layer made of MgO, NiO, SiO_2 or Al_2O_3, and a metal/insulator nano-granular thin film according to the invention, which is formed on the surface of the buffer layer.例文帳に追加

ＭｇＯ、ＮｉＯ、ＳｉＯ_2又はＡｌ_2Ｏ_3からなるバッファ層と、前記バッファ層の表面に形成された本発明に係る金属−絶縁体系ナノグラニュラー薄膜とを備えたナノグラニュラー複合薄膜。 - 特許庁

A buffer layer that is thicker than the mask is formed on a non-mask portion not covered by the mask on the growth substrate, and a predetermined facet is exposed on the surface of the buffer layer.例文帳に追加

次に、成長用基板上のマスクで覆われていない非マスク部において、マスクの膜厚よりも厚い緩衝層を成長させた後、緩衝層の表面に所定のファセットを表出させる。 - 特許庁

A buffer layer is formed on the surface of a first semiconductor wafer, and an ion doping device irradiates the first semiconductor wafer with an H_3^+ ion to form a damaged region at a lower portion of the buffer layer.例文帳に追加

第１の半導体ウエハの表面上にバッファ層を形成し、イオンドーピング装置によりＨ_３^＋イオンを第１の半導体ウエハに照射してバッファ層の下方に損傷領域を形成する。 - 特許庁

In the test piece for measuring LDH, the reagent layer 4 contains lithium lactate, a basic buffer, and diaphorase, whereas the reagent layer 5 contains β-NAD, tetrazolium violet, and an acid buffer.例文帳に追加

ＬＤＨ測定用試験片は、試薬層４に乳酸リチウム、塩基性緩衝剤、ジアホラーゼが配合され、試料保持層５にβ−ＮＡＤ、テトラゾリウムバイオレット、酸性緩衝剤が配合されている。 - 特許庁

The optical fiber cable 10 is composed of a coated optical fiber 11 situated in the center of the cable, a buffer layer 12 arranged in a manner surrounding the coated optical fiber, and a sheath 13 covering the buffer layer 12.例文帳に追加

光ファイバケーブル１０は、ケーブル中心に位置する光ファイバ心線１１と、該光ファイバ心線を囲むように配設される緩衝層１２と、該緩衝層１２を被覆するシース１３と、を備えている。 - 特許庁

An AlN buffer layer 12 is formed with the film thickness of about 20 nm at a temperature 500°C on an SiC substrate 11, the temperature is turned to 1050°C, and a GaN layer 13 is grown for about 3 μm.例文帳に追加

SiC基板11上に温度500℃でAlNバッファ層12を20nm程度の膜厚で形成し、温度を1050℃にしてGaN層13を3μm程度成長させる。 - 特許庁

The n buffer layer 23 can prevent vibration from being generated in current and voltage, without abruptly stopping the growth of a depletion layer in turn-off.例文帳に追加

ｎバッファ層２３はターンオフ時に空乏層の伸びを急激に止めず、電流、電圧に振動が発生することを防止できる。 - 特許庁

The driving unit 40, formed above the buffer layer 30, is provided with a lower electrode 42, a piezoelectric body layer 44 and an upper electrode 46.例文帳に追加

バッファ層３０の上方に形成された駆動部４０は、下部電極４２と、圧電体層４４と、上部電極４６とを有する。 - 特許庁

The buffer layer 22 functions as to reduce the reflection light generated between the optical substrate 100 and the reflection reducing layer 21.例文帳に追加

緩衝層２２は、光学基板１００および反射低減層２１の間で発生する反射光を減少させるように機能する。 - 特許庁

As a result, an electron reflection factor in an interface between the free layer 14 and the buffer layer 14 can be increased, which increases a rate of change in resistance.例文帳に追加

これにより、フリー層１４とバッファ層１３との界面における電子の反射率が向上し、抵抗変化率が向上する。 - 特許庁

To provide a semiconductor structure which has a high-quality Ge epitaxial layer using a thin buffer layer, and to provide its growing method.例文帳に追加

薄いバッファ層を採用した高品質のＧｅエピタキシャル層を有する半導体構造およびその成長方法を提供する。 - 特許庁

In S303, still in the MOVPE device, a nitride semiconductor layer 204 is stacked on the AlGaN buffer layer 203.例文帳に追加

そしてＳ３０３で、継続してこのＭＯＶＰＥ装置において、ＡｌＧａＮバッファ層２０３上に窒化物半導体層２０４を積層する。 - 特許庁

A GaN layer 17 is provided between the GaN wafer 11 and In_X1Al_X2Ga_1-X1-X2N buffer layer 13.例文帳に追加

ＧａＮ層１７は、ＧａＮウエハ１１とＩｎ_Ｘ１Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ緩衝層１３との間に設けられている。 - 特許庁

In the oxide semiconductor light emitting element, an Li_1-bNa_bGaO_2 buffer layer 102 is formed between a sapphire substrate 101 and a quantum well light emitting layer 105.例文帳に追加

サファイア基板１０１と量子井戸発光層１０５との間に、Ｌｉ_１−ｂＮａ_ｂＧａＯ_２バッファ層１０２を形成している。 - 特許庁

A wiring layer 8 comprising Al film is formed continuously on the buffer layer 9 in vacuum without exposed to the atmosphere containing oxygen.例文帳に追加

さらに酸素を含む雰囲気にさらすことなく真空中連続でバッファー層９上にAl膜からなる配線層８を形成する。 - 特許庁

It is preferable that the electron density in the buffer layer 3 is 1/10 or less of the electron density in the semiconductor layer 1.例文帳に追加

緩衝層３における電子の濃度は、半導体層１における電子の濃度の１０分の１以下であることが好ましい。 - 特許庁

A buffer layer 2, a channel layer 3 and source/drain contact layers 4a, 4b are provided on a substrate 1 to constitute a MESFET.例文帳に追加

ＭＥＳＦＥＴを構成するために基板１の上にバッファ層２、チャネル層３、ソ−ス及びドレインコンタクト層４ａ、４ｂを設ける。 - 特許庁

The patterned photoresist layer is used as a mask, and the exposed field oxide mask layer and buffer oxide film are removed selectively.例文帳に追加

パターニングされたフォトレジスト層をマスクとして使用し、露出されたフィールド酸化マスク層及びバッファ酸化膜を選択的に除去する。 - 特許庁

The organic EL element is constituted by sequentially laminating a positive electrode 2, a hole-injection layer 3, a buffer layer 4, a light emitting layer 5 and a negative electrode 6, in this order, on one side face of a substrate 10.例文帳に追加

基板１０の片面に、陽極２、ホール注入層３、バッファ層４、発光層５、陰極６を順次積層して有機ＥＬ素子１を構成する。 - 特許庁