「buffer-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

A conductive polycrystal line silicon layer 12a as a buffer layer is formed between a projecting part 11a and a conductive layer 25 on the surface on a single crystal silicon substrate 11.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１１の表面の凸部１１ａと導電層２５との間に、緩衝層としての導電性の多結晶シリコン層１２ａが形成されている。 - 特許庁

A collision buffer layer 40 for buffering collision of the phosphor particles for structuring the phosphor layer 23 is formed between the lens 21 and phosphor layer 23.例文帳に追加

レンズ２１と蛍光体層２３との間には、蛍光体層２３を構成する蛍光体粒子の衝突を緩和するための衝突緩和層４０が形成されている。 - 特許庁

A buffer layer 2 and a seed crystal layer 3 are formed on a substrate 1 and bands of growth suppressing layer 4A and openings 4B are alternately provided at specified intervals on them.例文帳に追加

基板１の上にバッファ層２、種結晶層３が形成され、その上に帯状の成長抑止層４Ａ，開口部４Ｂが所定の間隔で交互に設けられている。 - 特許庁

In the main cell, a second base layer 7 of the second conduction type and emitter layer 8 of the first conductive type are installed, and in the dummy cell, a buffer layer 9 of the second conductive type is installed.例文帳に追加

メインセル内に第２導電型の第２ベース層７と第１導電型のエミッタ層８とが配設され、ダミーセル内に第２導電型のバッファ層９が配設される。 - 特許庁

To solve problems that the light absorption loss by a Si layer and a buffer layer generates for applying the Si layer to LED and LD; and that it is desirable to use Si as the substrate because SiC crystal and sapphire crystal are expensive in forming a compound semiconductor multilayer structure.例文帳に追加

ＳｉＣ結晶、サファイア結晶は化合物半導体多層構造を形成する上で高価であり、Ｓｉを基板として使用することが望まれる。 - 特許庁

The metal oxide layer is intentionally provided as the buffer layer between the source and drain electrode layers and the semiconductor layer, thus forming ohmic contact.例文帳に追加

ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 - 特許庁

To obtain benefits of a thin photosensitive layer while reducing the number of development/etching steps required in a general case where a photosensitive layer and a buffer/etch-stop layer are used.例文帳に追加

薄い感光性層による利点が得られると共に、一般的な感光性層とバッファ／エッチストップ層を使用した場合においても現像／エッチングに要する工程を減らす。 - 特許庁

To provide a solar cell heat dissipation package device which has a ceramic layer stably bonded to a heat dissipation unit with a buffer layer and an adhesion layer to improve heat dissipation efficiency.例文帳に追加

セラミック層がバッファ層と粘着層により、放熱ユニットに安定的に結合され放熱効率が向上される太陽電池放熱パッケージ装置を提供する。 - 特許庁

The LED comprises a substrate 10, an adhesive layer 11, a conductive layer 12, an emitting laminate structure 13, an electrode buffer layer 14, a first electrode 15, and a second electrode 16.例文帳に追加

LEDは基板１０、接着層１１、導電層１２、発光積層構造１３、電極バッファ層１４、第一の電極１５及び第二の電極１６を含む。 - 特許庁

A void 9 is formed inside the spacer layer 5 and between the buffer layer 6 and the resin adhesive layer 3, and the void 9 is provided below the wavelength conversion section 4.例文帳に追加

スペーサ層５の内側かつバッファ層６と樹脂接着剤層３との間に空隙９が形成されており、空隙９が波長変換部４下に設けられている。 - 特許庁

To crystal-grow a flat non-polarity nitride semiconductor layer having high quality without interposing a low-temperature buffer layer between a sapphire substrate and the nitride semiconductor layer.例文帳に追加

サファイア基板と窒化物半導体層との間に低温バッファ層を介在させることなく、平坦で高品質の無極性窒化物半導体層を結晶成長させる。 - 特許庁

As a result, since a glide dislocation in an oblique direction is not introduced into the distorted superlattice layer grown on the buffer layer, the crystalline property of the distorted superlattice layer is improved.例文帳に追加

この結果、バッファ層上に成長させる歪み超格子層には、斜め方向の滑り転位が伝播しないために、歪み超格子層の結晶性が改善される。 - 特許庁

The lattice constant of the buffer layer 21 is larger than that of the GaAs layer 22, and is not more than a lattice constant larger than that of the GaAs layer 22 by 30%.例文帳に追加

バッファ層２１の格子定数は、ＧａＡｓ層２２の格子定数よりも大きく、ＧａＡｓ層２２の格子定数に比べて３割大きい格子定数以下である。 - 特許庁

On a second main surface, an n^+ type buffer layer 3 is diffused and formed from the surface, and a p^+ type emitter layer 4 is diffused and formed more shallowly than the layer 3.例文帳に追加

第２の主面には、表面からｎ＋型バッファ層３が拡散形成され、その後ｎ＋型バッファ層３より浅くｐ＋型エミッタ層４が拡散形成されている。 - 特許庁

The electron supply layer 104 is constituted of AlGaN, and is lower than the buffer layer 102 in a-axis lattice constant and lower than the channel layer 103 in electron affinity.例文帳に追加

電子供給層１０４は、バッファ層１０２よりもａ軸格子定数が小さく、かつ、チャネル層１０３よりも電子親和力の小さいＡｌＧａＮで構成される。 - 特許庁

The semiconductor layer 30 comprises an upper Si film 12 and an Si buffer layer 13, an SiGe film 14, and an Si cap layer 15 which are epitaxial-grown, respectively.例文帳に追加

半導体層３０は、上部Ｓｉ膜１２と、各々エピタキシャル成長されたＳｉバッファ層１３，ＳｉＧｅ膜１４，Ｓｉキャップ層１５とから構成されている。 - 特許庁

The buffer layer includes a material which is vaporized at a temperature lower than a melting point of the metal constituting the metal layer and is the same as the material of the sealing layer.例文帳に追加

前記バッファ層は、前記金属層を構成する金属の融点よりも低い温度で気化する材料であって前記封止層と同一の材料を含む。 - 特許庁

Since the electron gas is distributed in a two-dimensional region along the bonding interface between the buffer layer 13 and the electron gas layer 14, a two-dimensional electron gas layer can be formed.例文帳に追加

この電子ガスは、バッファ層１３と電子ガス層１４の接合界面に沿った２次元領域に分布するため、２次元電子ガス層を形成することができる。 - 特許庁

In this electroluminescence element, a layered structure is employed for an upper electrode 40 including a first upper conductive layer 42 formed through evaporation, a buffer layer 46, and a second upper conductive layer 44 formed through sputtering.例文帳に追加

上部電極４０を蒸着による上部第１導電層４２、バッファ層４６、スパッタリングによる上部第２導電層４４との積層構造とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor light emitting element includes a buffer layer forming step of growing the buffer layer formed of the AlGaInN-based material including In on the growth substrate made of ZnO, the growth plane including the nitrogen polar plane; and an active layer forming step of growing the active layer formed of the AlGaInN-based material including In on the buffer layer, the growth plane including the group III polar plane.例文帳に追加

また、ＺｎＯからなる成長基板上に、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面が窒素極性面を有する緩衝層を成長する緩衝層形成工程と、前記緩衝層上に、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面がＩＩＩ族極性面を有する活性層を成長する活性層形成工程と、を含む。 - 特許庁

In such a buffered substrate having the buffer layer 102, the buffer layer 102 has a melting point higher than a limit temperature of the substrate 100, and further, in crystallization of the silicon layer 104, defines nuclear density of the silicon layer for forming uniform silicon crystal particles on the buffer layer 102, and still further, functions as a basis for isotropic grain growth.例文帳に追加

バッファ層１０２を有するこのようなバッファ化基板において、該バッファ層１０２は、基板１００の限界温度よりも高い融点を有し、さらに、シリコン層１０４の結晶化に際し、バッファ層１０２上に均一なシリコン結晶粒子を形成するためシリコン層１０４の核生成密度を規定し、かつシリコン層１０４の結晶化過程における等方粒成長の基礎として機能する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a buffer layer for a CZTS-based semiconductor such that a CdS buffer layer having excellent characteristics can be formed on a light absorption layer made of the CZTS-based semiconductor, a CBD solution for the CZTS-based semiconductor used for such a method, and a photoelectric element having the buffer layer obtained by such the method.例文帳に追加

ＣＺＴＳ系半導体からなる光吸収層の上に良好な特性を持つＣｄＳバッファ層を形成することが可能なＣＺＴＳ系半導体用バッファ層の製造方法、このような方法に用いられるＣＺＴＳ系半導体用ＣＢＤ溶液、及び、このような方法により得られるバッファ層を備えた光電素子を提供すること。 - 特許庁

The crystal growth method includes: a process for growing a ZnO monocrystal buffer layer on the substrate in a condition that zinc (Zn) is rich or oxygen (O) is rich; a process for carrying out the surface flattening of the ZnO monocrystal buffer layer; and a process for growing a monocrystal ZnO layer on the ZnO monocrystal buffer layer carried out with the surface flattening.例文帳に追加

基板上に、亜鉛（Ｚｎ）リッチもしくは酸素（Ｏ）リッチの条件にてＺｎＯ単結晶バッファー層を成長する工程と、前記ＺｎＯ単結晶バッファー層の表面平坦化処理を実施する工程と、前記表面平坦化処理を施したＺｎＯ単結晶バッファー層上に単結晶ＺｎＯ層を成長する工程とを含む。 - 特許庁

In this method, wiring and solder pad are formed without using solder masks, namely after a wiring pattern forming resist is formed, a buffer metal layer or wiring by electrolytic plating is formed in direct, moreover, a buffer metal layer by the electrolytic plating method, or wiring by electrolytic plating, further a buffer metal layer by the electrolytic plating and solder layer by the electrolytic plating are formed.例文帳に追加

配線、ソルダーパッドをソルダーマスクを用いないで形成する方法であって、配線パターン形成用レジストを形成した後、そのままバッファメタル層あるいは電解メッキによる配線さらに電解メッキ法によるバッファメタル層、あるいは電解メッキ法による配線、さらに電解メッキによるバッファメタル層、電解メッキ法によるソルダー層を形成する方法である。 - 特許庁

To provide a flexible substrate a manufacturing method therefor, and a thin film transistor using the same, which can prevent such phenomena that a metal substrate bends due to a buffer layer and the buffer layer peels off the metal substrate by restricting a substance of the buffer layer formed on the metal layer according to the thermal expansion coefficient of the metal substrate.例文帳に追加

金属基板の熱膨脹係数に従って前記金属基板上に形成されるバッファ層の物質を限定して、前記バッファ層により前記金属基板が曲がる現象、前記金属基板から前記バッファ層が剥離される現象を防止することができるフレキシブル基板及びその製造方法、それを用いた薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

This method comprises a step of ejecting ink containing an electroluminescent light-emitting material on the buffer layer 30 at a rate greater than the maximum volume rate that can be held on the top surface of the buffer layer 30 by a surface tension and a step of obtaining a light emitting layer 40 by drying the ink ejected onto the buffer layer 30.例文帳に追加

エレクトロルミネッセンス発光材料を含有するインクを、バッファ層３０上に、バッファ層３０の上面内に表面張力により保持できる最大体積量よりも大きい量でもって吐出する吐出工程と、バッファ層３０上に吐出されたインクを乾燥させることにより発光層４０を得る工程とを有する。 - 特許庁

At least one of the barrier layers includes a structure formed by laminating a first barrier layer 53 and a second barrier layer 52 and the first barrier layer 53 is a buffer layer for distortion of the quantum well layer 51 and the second barrier layer 52 has an energy barrier for the quantum well layer 51.例文帳に追加

前記バリア層の少なくとも一つは、第１のバリア層５３及び第２のバリア層５２を積層させた構造を含んでおり、第１のバリア層５３は量子井戸層５１の歪を緩衝する層であり、第２のバリア層５２は、量子井戸層５１に対してエネルギー障壁を有する層である。 - 特許庁

A buffer layer 2, an n-AlGaInP clad layer 3, an active layer 4, a p-AlGaInP clad layer 5, a p-GaInP step-punching generation layer 6, and a p-GaInP ordered-structure formation layer (a spontaneous superlattice layer) 7, are epitaxially grown on an n-type GaAs substrate 1, and a mesa structure is formed.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、バッファ層２、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、活性層４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５、ｐ−ＧａＩｎＰステップバンチング発生層６、ｐ−ＧａＩｎＰ秩序構造形成層（自然超格子層）７をエピタキシャル成長させ、メサ構造を形成する。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element comprises a laminated structure having a GaN crystal layer formed via a buffer layer or directly on the Si substrate and having a p-type layer, an n-type layer and a light emitting layer disposed between the p-type layer and the n-type layer so as to emit light by current injection.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に、バッファ層を介してまたは直接的に、ＧａＮ系結晶層からなる積層構造を形成し、該積層構造は、電流注入によって発光可能なように、ｐ型層と、ｎ型層と、これらの間に位置する発光層とを有する。 - 特許庁

In a semiconductor laser element 100, a buffer layer 2, an undopped GaN layer 3, an n-type GaN first contact layer 4, an n-type AlGaN first clad layer 5, a light emitting layer 6, a p-type AlGaN second clad layer 7, and a p-type GaN second contact layer 8 are sequentially formed on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は、サファイア基板１上にバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ−ＧａＮ第１コンタクト層４、ｎ−ＡｌＧａＮ第１クラッド層５、発光層６、ｐ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層７、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト層８が順に形成されてなる。 - 特許庁

A stripe base layer arranged alternately and repeatedly with an n-type base layer 21 and a p-type base layer 22 is formed on one surface of an n-type buffer layer 1 and a p-type well layer 3, an n-type emitter layer 4, an emitter electrode 10 and an insulating gate electrode 6 are formed on the base layer.例文帳に追加

ｎ型バッファ層１の一方の表面上にｎ型ベース層２１とｐ型ベース層２２が交互に繰返し配列されたストライプ状のベース層を形成し、このベース層状にｐ型ウェル層３、ｎ型エミッタ層４、エミッタ電極１０及び絶縁ゲート電極６を形成する。 - 特許庁

On the surface of an n-GaAs substrate 2, a clad layer 3, an MQW active layer 4, a first clad layer 5, an etching stop layer 6, a block layer 7, a second clad layer 8, a buffer layer 9, and a p-electrode 11 are formed, and an n-electrode 1 is formed on the back of the n-GaAs substrate 2.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板２上に、クラッド層３、ＭＱＷ活性層４、第１クラッド層５、エッチングストップ層６、ブロック層７、第２クラッド層８、バッファ層９、ｐ電極１１が積層され、ｎ−ＧａＡｓ基板２の裏側にはｎ電極１が形成されている。 - 特許庁

A nitride semiconductor light-emitting element 11 comprises a substrate 13, a buffer layer 15, a nitride semiconductor layer 16 (clad layer) added with Si, a nitride semiconductor layer 17 (light-emitting layer) added with Eu and Mg as impurities and a nitride semiconductor layer 19 (clad layer) added with Mg.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子１１は、基板１３と、バッファ層１５と、Ｓｉが添加された窒化物半導体層１６（クラッド層）と、不純物としてＥｕ及びＭｇが添加された窒化物半導体層１７（発光層）と、Ｍｇが添加された窒化物半導体層１９（クラッド層）と、を備えている。 - 特許庁

Each cell is formed of an n-type GaN layer 21 having uneven surface of mound type inclination having an inclination angle corresponding to each band gap, an n-type InAlGaN layer 22 and a p-type InAlGaN layer 23 formed on an n-type GaN buffer layer 21.例文帳に追加

各セルは、各バンドギャップに対応する傾斜角の山型傾斜の凹凸面を有するｎ型GaN層２１、ｎ型GaNバッファ層２１上に形成されたｎ型InAlGaN層２２及びｐ型InAlGaN層２３よりなる。 - 特許庁

An N type AlGaN layer 12 is formed on a sapphire substrate 10 and an N type light emission layer 14 is formed thereupon; and a buffer layer 16 is formed thereupon and further a P type AlGaN layer is formed thereupon.例文帳に追加

サファイア基板１０上にＮ型ＡｌＧａＮ層１２を形成し、その上にＮ型発光層１４を形成し、その上にバッファ層１６を形成し、その上にＰ型ＡｌＧａＮ層を形成する。 - 特許庁

In an HCMOS, an n-type SiGe heavily-doped layer 4, an SiGe spacer layer 5, and an Si n-channel layer 6 are provided in this order on an SiGe buffer layer 3.例文帳に追加

ＨＣＭＯＳにおいて、ＳｉＧｅバッファ層３の上に、ＳｉＧｅからなるｎ型高濃度ドープ層４と、ＳｉＧｅからなるスペーサー層５と、Ｓｉからなるｎチャネル層６とが設けられている。 - 特許庁

A photoelectric element 10 includes a light absorption layer 16 that is a p-type semiconductor layer, a buffer layer 18, and a window layer 20, which are provided in this order.例文帳に追加

ｐ型半導体層である光吸収層１６と、バッファ層１８と、窓層２０と、を備え、光吸収層１６、バッファ層１８及び窓層２０がこの順に設けられている光電素子１０。 - 特許庁

An antireflection film 12 is an antireflection film to be applied to a plastic base material 11 includes: a multi-layer thin film comprising a low refractive index layer 14 and a high refractive index layer 15; and a buffer layer 13.例文帳に追加

反射防止膜１２は、プラスチック基材１１にコーティングされる反射防止膜であり、低屈折率層１４及び高屈折率層１５からなる多層薄膜と、緩衝層１３とからなる。 - 特許庁

A p-type well layer 4, an n-type buffer layer 7 and an n-type diffusion layer 20 are formed by impurity diffusion on the surface of the n-type active layer 3 between a source electrode 9 and a drain electrode 11.例文帳に追加

ソース電極９及びドレイン電極１１間で、ｎ^- 型活性層３の表面には、ｐ型ウエル層４、ｎ型バッファ層７、及びｎ型拡散層２０が不純物拡散により形成される。 - 特許庁

There are formed a GaN buffer layer 22, the lower AlGaN barrier layer 23, a GaN channel layer 24, the upper AlGaN 25, and a GaN cap layer 26 on a dielectric substrate 21 in order.例文帳に追加

絶縁性の基板２１上において、ＧａＮ緩衝層２２、下側ＡｌＧａＮ障壁層２３、ＧａＮチャネル層２４、上側ＡｌＧａＮ障壁層２５、及びＧａＮキャップ層２６を順次に形成する。 - 特許庁

A buffer layer 44 composed of an AlN layer 47, a first AlGaN layer 48 (the average Al composition is 50%), and a second AlGaN layer 49 (the average Al composition is 20%) is formed on a substrate 41.例文帳に追加

基板４１上に、ＡｌＮ層４７、第１ＡｌＧａＮ層４８（平均Ａｌ組成５０％）および第２ＡｌＧａＮ層４９（平均Ａｌ組成２０％）からなるバッファ層４４を形成する。 - 特許庁

To provide a solid electrolyte battery having an intermediate layer of LiNbO_3 film as a buffer layer between a solid electrolyte layer and a positive electrode layer, in which cycle lifetime is improved.例文帳に追加

固体電解質層と正極層との間に緩衝層としてＬｉＮｂＯ_３膜の中間層を備えた固体電解質電池であって、サイクル寿命を向上させた固体電解質電池を提供する。 - 特許庁

To crystal-grow a thick nitride semiconductor layer on a multilayered structure layer without causing cracks by crystaly growing the multilayered structure layer as a buffer layer on a silicon substrate with good controllability.例文帳に追加

珪素基板の上に、バッファ層として多層構造層を制御性良く結晶成長させることにより、多層構造層の上に、クラックを生じることなく、窒化物半導体層を厚く結晶成長する。 - 特許庁

A semiconductor mesa of the laminate structure 33 includes a low-temperature GaN buffer layer 35, an n-type GaN layer 37, and an active layer 39 and a p-type gallium nitride-based semiconductor layer 37 of a quantum well structure.例文帳に追加

積層構造３３の半導体メサは、低温ＧａＮバッファ層３５、ｎ型ＧａＮ層３７、量子井戸構造の活性層３９及びｐ型窒化ガリウム系半導体層３７を含む。 - 特許庁

An AlGaN/GaN-based HFET 10 has a layer structure composed of successively laminating a buffer layer 2 consisting of GaN, an electron transit layer 3 consisting of undoped GaN and an electron supply layer 4 consisting of undoped AlGaN on a substrate 1.例文帳に追加

AlGaN/GaN系HFET１０は、基板１の上に、GaNから成るバッファ層２、アンドープGaNからなる電子走行層３、およびアンドープAlGaNからなる電子供給層４を順次積層して成る層構造を有する。 - 特許庁