「buffer-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a fluid transfer hose, in which a fluid leaked to a buffer layer can be detected surely, by surely guiding the leaked fluid, up to a leakage detector from the buffer layer.例文帳に追加

緩衝層から漏洩検知装置まで確実に漏洩流体を導いて緩衝層に漏洩した流体を確実に検知することが可能な流体移送用ホ−スを提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element, in which a superlattice strain buffer layer using an AlGaN layer having a low Al content or a GaN layer is formed with good flatness and a nitride semiconductor layer having good flatness and crystallinity is formed on the superlattice strain buffer layer.例文帳に追加

Ａｌ含有率が低いＡｌＧａＮ層やＧａＮ層を用いた超格子歪緩衝層を平坦性良く形成すると共に、該超格子歪緩衝層上に平坦性および結晶性が良好な窒化物半導体層を形成した窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

A fabricating method comprises steps of (a) providing the substrate, (b) forming a tuning layer which is within a specific thickness range and tunes magnetic property of the recording medium, on the substrate, (c) forming the buffer layer on the tuning layer, and (d) forming the recording layer on the buffer layer.例文帳に追加

製法は、（ａ）基板を提供するステップと、（ｂ）基板上に特定厚さ範囲を具備して記録媒体の磁気性質を同調する同調層を形成するステップと、（ｃ）同調層上に緩衝層を形成するステップと、（ｄ）緩衝層上に記録層を形成するステップとを備えてなる。 - 特許庁

The method comprises a step of preparing a base substrate of the donor substrate; a step of forming the conversion layer on the base substrate; a step of forming the buffer layer on the conversion layer; a step of increasing roughness by processing a surface of the buffer layer; and a step of forming the transfer layer on the buffer layer of which the surface has been processed.例文帳に追加

ドナー基板のベース基板を準備する段階と、該ベース基板上に光熱変換層を形成する段階と、該光熱変換層上にバッファ層を形成する段階と、前記バッファ層の表面を処理して粗さを増加させる段階と、前記表面処理されたバッファ層上に転写層を形成する段階と、を含む有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a buffer layer for a photoelectric element such that a CdS buffer layer having excellent characteristics can be formed on a light absorption layer of a CZTS-based semiconductor, a CIGS-based semiconductor, etc., a method of manufacturing the same, and the photoelectric element having the buffer layer obtained by such a method.例文帳に追加

ＣＺＴＳ系半導体やＣＩＧＳ系半導体などの光吸収層の上に良好な特性を持つＣｄＳバッファ層を形成することが可能な光電素子用バッファ層及びその製造方法、並びに、このような方法により得られるバッファ層を備えた光電素子を提供すること。 - 特許庁

The read sensor includes first and second Co-Fe buffer layers in the lower and upper portions of a keeper layer structure respectively, third and fourth Co-Fe buffer layers in the lower and upper portions of a reference layer structure, and a fifth Co-Fe buffer layer in the lower portion of a detection layer structure respectively.例文帳に追加

この読出しセンサは、それぞれキーパ層構造の下側部分と上側部分にある第１と第２のＣｏ−Ｆｅバッファ層と、それぞれ基準層構造の下側部分と上側部分にある第３と第４のＣｏ−Ｆｅバッファ層と、検知層構造の下側部分にある第５のＣｏ−Ｆｅバッファ層を含む。 - 特許庁

The process for producing the optical energy transmission medium consists controllably in forming ≥1 layer of the buffer region layer around a coated optical fiber in such a form that a desired amount of the foam 26 is formed and held in ≥1 layer of the buffer region layer 22 and/or the boundary between the coating region 16 and the buffer region 22.例文帳に追加

光エネルギー伝送媒体の製造方法は、１層以上の緩衝領域層中及び／又は被覆領域と緩衝領域との界面に、所望量の泡が生成され、保持されるような態様で、被覆光ファイバの周囲に１層以上の緩衝領域層を制御可能に形成することからなる。 - 特許庁

This piezoelectric element 1 contains a substrate 2, a buffer layer 5 formed above the substrate 2, and a piezoelectric layer 6 having a perovskite type structure and formed above the buffer layer 5, and the buffer layer 5 comprises YBa_2Cu_3O_7-δ orientated preferentially to axis c (001), wherein δ is in the range of 0≤δ≤0.6.例文帳に追加

本発明に係る圧電素子１は，基板２と、基板２の上方に形成されたバッファ層５と、バッファ層５の上方に形成された、ペロブスカイト型構造を有する圧電体層６と、を含み、バッファ層５は、ｃ軸（００１）に優先配向しているＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−δからなり、δは，０≦δ≦０．６の範囲である。 - 特許庁

Therefore, the semiconductor substrate is allowed to have a substrate 2 formed of Si 111, the buffer layer 3 formed on the substrate 2, and a semiconductor layer 4 formed on the buffer layer 3, and the buffer layer 3 is formed of ZrN, thus maintaining relatively high light extraction efficiency and obtaining the semiconductor substrate 1 having high electrical characteristics.例文帳に追加

そこで、Ｓｉ（１１１）からなる基板２と、当該基板２上に設けられたバッファ層３と、バッファ層３上に設けられた半導体層４とを具備し、このバッファ層３がＺｒＮからなることとしたので、比較的高い光の取り出し効率を維持しつつ、電気的特性の高い半導体基板１を得ることができる。 - 特許庁

The image irreversible compression unit 903 reads bitmap data of images from the second layer buffer 510 of the buffer unit 508 and performs irreversible compression.例文帳に追加

画像非可逆圧縮部９０３は、バッファ部５０８の第２レイヤーバッファ５１０からイメージのビットマップデータを読み出し非可逆圧縮を行う。 - 特許庁

In the epitaxial wafer for HBT for successively laminating and forming the buffer layer 2, the subcollector layer 3, a collector layer 4 and an emitter layer 6 on a semi-insulating substrate 1, graded layers 11 and 12 changed continuously so as to relax the lattice distortion by a composition ratio between the semi-insulating substrate 1 and the buffer layer 2, and between the subcollector layer 3 and the buffer layer 2, respectively.例文帳に追加

半絶縁性基板１上にバッファ層２、サブコレクタ層３、コレクタ層４、ベース層５及びエミッタ層６が順に積層形成されたＨＢＴ用エピタキシャルウェハにおいて、前記半絶縁性基板１及び前記バッファ層２の間と、前記サブコレクタ層３及び前記バッファ層２の間とに、それぞれ組成比が格子歪を緩和させるように連続的に変化するグレーデッド層１１、１２を形成する。 - 特許庁

A buffer layer (GaN) 12, a channel layer (GaN) 13, a carrier supply layer (n-AlGaN) 14 and a Schottky layer (AlGaN) 15 are sequentially laminated on a sapphire substrate 11, and a cap layer (GaN) 16 is laminated on the Schottky layer 15.例文帳に追加

サファイア基板１１上に、バッファ層（ＧａＮ）１２、チャネル層（ＧａＮ）１３、キャリア供給層（ｎ−ＡｌＧａＮ）１４、ショットキ層（ＡｌＧａＮ）１５を順次積層し、そのショットキ層１５の上に、キャップ層（ＧａＮ）１６を積層する。 - 特許庁

The organic EL element 100 sequentially includes a hole implantation electrode 2, a hole implantation layer 3, a hole transporting layer 4, a buffer layer BF, an orange light emitting layer 5, a blue light emitting layer 6, an electron transporting layer 7, and an electron implantation electrode 8.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１００は、ホール注入電極２、ホール注入層３、ホール輸送層４、バッファ層ＢＦ、橙色発光層５、青色発光層６、電子輸送層７および電子注入電極８を順に含む。 - 特許庁

The p-type well layer 4 and the n-type diffusion layer 20 have nonoverlapping diffusion regions and the n-type buffer layer 7 has a region touching the n-type active layer 3 directly between the p-type well layer 4 and the n-type diffusion layer 20.例文帳に追加

ｐ型ウエル層４とｎ型拡散層２０とは互いの拡散領域が重ならず、ｐ型ウエル層４とｎ型拡散層２０との間で、ｎ型バッファ層７がｎ^- 型活性層３に直接接触する領域を有する。 - 特許庁

A superlattice layer (a first region) 21 is disposed at the lowermost portion of a buffer layer 20, and a diffusion preventing lower layer 22, a diffusion preventing layer (a second region) 23, and a diffusion preventing upper layer 24 are sequentially formed on the superlattice layer 21.例文帳に追加

このバッファ層２０における最下部には超格子層（第１の領域）２１が配され、その上には拡散防止下部層２２、拡散防止層（第２の領域）２３、拡散防止上部層２４が順次形成されている。 - 特許庁

Firstly, at least a first epitaxial layer being a p^+ collector layer 1, a second epitaxial layer being a n^+ buffer layer 2, and a third epitaxial layer being an n^- drift layer 3 are laminated as a reverse-side element structure on a surface of a silicon substrate 30.例文帳に追加

まず、シリコン基板３０の表面に、裏面素子構造として、少なくともｐ^+コレクタ層１となる第１エピタキシャル層、ｎ^+バッファ層２となる第２エピタキシャル層、およびｎ^-ドリフト層３となる第３エピタキシャル層を積層する。 - 特許庁

A GaN buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN drain layer 4, and a p-type GaN channel layer 5 are laminated on a sapphire substrate 1, and an n-type GaN source layer 6 is formed on the p-type GaN channel layer 5.例文帳に追加

サファイア基板１上にＧａＮバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮドレイン層４、ｐ型ＧａＮチャネル層５が積層されており、ｐ型ＧａＮチャネル層５の上には、ｎ型ＧａＮソース層６が形成されている。 - 特許庁

This non-volatile memory device comprises a first oxide layer 22 formed on a lower electrode 20, a second oxide layer 24 having variable resistance property formed on the first oxide layer, a buffer layer 26 formed on the second oxide layer, and an upper electrode 28 formed on the buffer layer.例文帳に追加

下部電極２０と、下部電極上に形成された第１酸化層２２と、第１酸化層上に形成されて可変抵抗特性を有する第２酸化層２４と、第２酸化層上に形成されたバッファ層２６と、バッファ層上に形成された上部電極２８と、を備える可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁

An n-InP buffer layer 2, a GRIN-SCH-MQW active layer 3 and a p-InP spacer layer 4 are formed sequentially on an n-InP substrate 1 wherein the upper region of the n-InP buffer layer 2, the GRIN-SCH-MQW active layer 3 and the p-InP spacer layer 4 have a mesa stripe structure.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１上に順次ｎ−ＩｎＰバッファ層２、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−ＩｎＰスペーサ層４が積層され、ｎ−ＩｎＰバッファ層２の上部領域、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３およびｐ−ＩｎＰスペーサ層４はメサストライプ状の構造となっている。 - 特許庁

The buffer layer 3 has a refractive index which incliningly varies in the layer so that the refractive index on the transparent electrode layer 4 side may be higher and the refractive index on the light scattering portion 2 side may be smaller, and the refractive index at the interface with the transparent electrode layer 4 of the buffer layer 3 is same or smaller than that of the transparent electrode layer 4.例文帳に追加

緩和層３が、透明電極層４側の屈折率が高く、光散乱部２側の屈折率が低くなるように、層内で傾斜して変化する屈折率を有し、且つ緩和層３の透明電極層４との界面の屈折率が透明電極層４の屈折率と同じか低い。 - 特許庁

The film thickness of the n-type buffer layer 16 is obtained based on the strength of a fluorescent X-ray of S from the n-type buffer layer 16 (sulfide), which is obtained by the XRF analysis, and a previously generated analytical curve between the film thickness of the n-type buffer layer 16 and the strength of the fluorescent X-ray of S.例文帳に追加

このＸＲＦ分析で得られたｎ型バッファ層１６（硫化物）からのＳの蛍光Ｘ線の強度と、予め作成しておいたｎ型バッファ層１６の膜厚−Ｓの蛍光Ｘ線強度の検量線とに基づいて、ｎ型バッファ層１６の膜厚を求める。 - 特許庁

The solar cell includes a p-type layer 30, a buffer layer 31, an i-type layer 32 and an n-type layer 34, wherein the p-type layer 30 has a high-concentration amorphous silicon carbide layer 30a and a low-concentration amorphous silicon carbide layer 30b which has a lower dopant concentration of a p-type dopant than the high-concentration amorphous silicon carbide silicon layer 30a.例文帳に追加

ｐ型層３０と、バッファ層３１と、ｉ型層３２と、ｎ型層３４とを備え、ｐ型層３０は高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａと、高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａよりｐ型ドーパントのドーパント濃度が低い低濃度アモルファス炭化シリコン層３０ｂを設ける。 - 特許庁

This semiconductor laser element 500 is composed by successively laminating a buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-contact layer 4, an n-crack prevention layer 5, an n-clad layer 6, a light emitting layer 7, a p-clad layer 8 and a p-first contact layer 9a on a sapphire substrate 1 whose thickness t1 is 500 μm.例文帳に追加

半導体レーザ素子５００は、厚さｔ_1 が５００μｍのサファイア基板１上にバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ−コンタクト層４、ｎ−クラック防止層５、ｎ−クラッド層６、発光層７、ｐ−クラッド層８およびｐ−第１コンタクト層９ａが順に積層されてなる。 - 特許庁

A semiconductor laser device 100 is constituted by laminating a buffer layer 2, undoped GaN layer 3, n-GaN contact layer 4, n-InGaN crack preventing layer 5, n-AlGaN clad layer 6, light emitting layer 7, p-AlGaN clad layer 8, and p-GaN contact layer 9 upon another in this order.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は、バッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ−ＧａＮコンタクト層４、ｎ−ＩｎＧａＮクラック防止層５、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層６、発光層７、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層８およびｐ−ＧａＮコンタクト層９が順に積層されてなる。 - 特許庁

Subsequently, the intermediate layer is prescribedly textured by processing the support coated with the intermediate layer as the backing of a layer of a YBCO material or the buffer layer 9.例文帳に追加

それに続いて、中間層によって被覆された支持体を処理して、中間層に、ＹＢＣＯ材料からなる層または緩衝層（９）の下地として、所定の配向組織化を施す。 - 特許庁

A GaN buffer layer 11, a GaN layer 12, a quantum well layer (MQW: multiple quantum well) 14 composed of GaN and GaNP, and a GaN layer 16, are made to grow on a board 10 in increasing order.例文帳に追加

基板１０上に順次ＧａＮバッファ層１１、ＧａＮ層１２、ＧａＮとＧａＮＰとからなる量子井戸層（ＭＱＷ）層１４、ＧａＮ層１６を順次成長させる。 - 特許庁

The epitaxially grown layer 20 with an AIN buffer layer 22, a GaN channel layer 24 and an AlGaN carrier supply layer 26 laminated, is formed on a crystal growth substrate 10.例文帳に追加

先ず、結晶成長基板１０上に、ＡｌＮバッファ層２２、ＧａＮチャネル層２４及びＡｌＧａＮキャリア供給層２６が積層されたエピタキシャル成長層２０を形成する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 10 comprises a buffer layer 14, an n-type GaN layer 16, an InGaN light emitting layer 18, and a p-type GaN layer 32 formed on a sapphire substrate 12.例文帳に追加

半導体発光素子１０は、サファイア基板１２上に、バッファ層１４と、ｎ型ＧａＮ層１６と、ＩｎＧａＮ発光層１８と、ｐ型ＧａＮ層３２とが積層される。 - 特許庁

This element has a structure comprising a sapphire substrate 100 overlaid with a GaN buffer layer 101, a bonded polarity inverted layer 102, an Al_xGa_1-xN layer 103 and an n-GaN contact layer 104, as a basis.例文帳に追加

サファイア基板１００上に、ＧａＮバッファ層１０１，ボンド極性反転層１０２，Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層１０３，ｎ−ＧａＮコンタクト層１０４からなる構造を基礎としている。 - 特許庁

After forming the trench portion 111 on the substrate 110, by sequentially depositing the buffer layer 120, the n-contact layer 130, and the active layer 140 on the trench portion 111, the area of light emission of the active layer 140 is increased.例文帳に追加

基板110にトレンチ部111を形成した後、トレンチ部111にバッファ層120、ｎ−コンタクト層130、及び活性層140を順次に蒸着することによって、活性層140の発光面積が増大する。 - 特許庁

A GaN buffer layer 11, a GaN layer 12, a multiple quantum well (MQW) layer 14 consisting of GaN and GaNP, and a GaN layer 16 are sequentially grown on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０上に順次ＧａＮバッファ層１１、ＧａＮ層１２、ＧａＮとＧａＮＰとからなる量子井戸層（ＭＱＷ）層１４、ＧａＮ層１６を順次成長させる。 - 特許庁

The InAlGaN cap layer is formed of InAlGaN of a composition lattice-matching with a buffer layer, and generating secondary electrons on the interfacial surface between the barrier layer and the channel layer by spontaneous polarization.例文帳に追加

ＩｎＡｌＧａＮキャップ層は、バッファ層と格子整合し、自発分極により、障壁層とチャネル層の界面に二次元電子を発生させる組成のＩｎＡｌＧａＮで形成する。 - 特許庁

The charge trap memory device may further include a buffer layer provided between the charge trap layer and the blocking insulating layer, and a gate electrode provided on the blocking insulating layer.例文帳に追加

電荷トラップ型メモリ素子は、電荷トラップ層とブロッキング絶縁膜との間に提供されたバッファ層と、ブロッキング絶縁膜上に提供されたゲート電極とをさらに備えうる。 - 特許庁

An N+-distortion relaxation buffer layer 2, an N--InGaAs light absorbing layer 3, an N-InAsP window layer 4, and an N--InAsP window layer 5 are successively formed on an InP substrate 1 in this sequence for the formation of a photodiode.例文帳に追加

フォトダイオードは、ＩnＰ基板１上に、ｎ^+−歪緩和バッファ層２、ｎ^-−ＩnＧaＡs光吸収層３、ｎ−ＩnＡsＰ窓層４、及び、ｎ^-−ＩnＡsＰ窓層５がこの順に形成される。 - 特許庁

The AlGaInP layer 12 is grown on a substrate 11 of GaAs, and the AlGaAs layer 14 is grown on the AlGaInP layer via a buffer layer 13.例文帳に追加

ＧａＡｓからなる基板１１の上にはＡｌＧａＩｎＰ層１２が形成されており、該ＡｌＧａＩｎＰ層の上には緩衝層１３を介してＡｌＧａＡｓ層１４が形成されている。 - 特許庁

Then an n-type gallium nitride semiconductor layer 13, a gallium - indium nitride active layer 14, and a p-type gallium nitride semiconductor layer 15 are successively formed on the buffer layer 12.例文帳に追加

バッファ層１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体層１３、窒化ガリウムインジウムからなる活性層１４、窒化ガリウムから成るｐ形半導体層１５を順次に形成する。 - 特許庁

Then an n-type gallium nitride semiconductor layer 12, a gallium - indium nitride active layer 14, and a p-type gallium nitride semiconductor layer 15 are successively formed on the buffer layer 12.例文帳に追加

バッファ層１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体層１３、窒化ガリウム インジウムからなる活性層１４、窒化ガリウムから成るｐ形半導体層１５を順次に形成する。 - 特許庁

A first composition modulation buffer layer 20 and a second composition modulation buffer layer 30 made of GaAsN-mixed crystal are formed on a substrate 10 made of GaAsN-mixed crystal, a violet LD part 40 is formed on the first composition modulation buffer layer 20, and an infrared LD part 50 and a red LD part 60 are formed on the second composition modulation buffer layer 30.例文帳に追加

ＧａＡｓＮ混晶からなる基板１０上にＧａＡｓＮ混晶からなる第１の組成変調バッファ層２０および第２の組成変調バッファ層３０を形成し、第１の組成変調バッファ層２０上に青紫色ＬＤ部４０を、第２の組成変調バッファ層３０上に赤外ＬＤ部５０および赤色ＬＤ部６０をそれぞれ形成する。 - 特許庁

A buffer layer 50 having a firing shrinkage rate different from that of the ceramic substrate 10 is buried in the protective layer 40.例文帳に追加

緩衝層５０は、セラミック基体１０の焼成縮率とは異なる焼成縮率を有し、保護層４０に埋設されている。 - 特許庁

On the reverse side of the semiconductor substrate 11, an (n) type buffer layer 19, a (p) type anode layer 20, and an anode electrode 21 are provided.例文帳に追加

半導体基板１１の裏面側にｎ型バッファ層１９、ｐ型アノード層２０およびアノード電極２１を設ける。 - 特許庁

Then, a window electrode layer having an uneven upper surface conforming with the many protrusions of the buffer layer is formed.例文帳に追加

以後、バッファー層の多数の突起に沿ってデコボコするように屈曲される上部表面を有するウィンドウ電極層を形成する。 - 特許庁

The first buffer layer is adjacent to a pinning layer and has a specific composition to improve bidirectional anisotropic pinning properties.例文帳に追加

第１のバッファ層は、ピン止め層に隣接して、双方向異方性ピン止め特性を改善するための特定の組成を有する。 - 特許庁

In S302, still in the MOVPE device, an AlGaN buffer layer 203 is formed on the silicon carbide layer 202.例文帳に追加

Ｓ３０２で、継続してこのＭＯＶＰＥ装置において、炭化珪素層２０２上にＡｌＧａＮバッファ層２０３を形成する。 - 特許庁

The epitaxial growth of the main body layer is effected on the buffer layer at a temperature of 1000-1300°C at a speed of 1-15μm/h.例文帳に追加

バッファー層の上に本体層を１０００〜１３００℃の温度でかつ１〜１５μｍ／ｈの速度でエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The pad electrode 53 is electrically connected, and a wiring layer 63 extended on the buffer layer 60 from the via hole VH is formed.例文帳に追加

パッド電極５３と電気的に接続され、かつビアホールＶＨから緩衝層６０上に延びる配線層６３を形成する。 - 特許庁