「buffer-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

BUFFER LAYER STRUCTURE BASED ON DOPED CERIA PRESENTING OPTIMUM LATTICE ALIGNMENT WITH YBCO LAYER IN CONDUCTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING THE STRUCTURE例文帳に追加

導体内でＹＢＣＯ層との最適化格子整合を提供するドープしたセリアをベースとするバッファ層構造および前記構造の製造方法 - 特許庁

To provide a method of forming a buffer film of satisfactory crystalline quality on a nitride substrate, and a semiconductor device having a buffer layer of satisfactory crystalline quality.例文帳に追加

窒化物基板上に良好な結晶品質のバッファ膜を形成する方法、および良好な結晶品質のバッファ層を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

By discretely forming the buffer bodies 12, the single a crystal which becomes a seed crystal at the time of growing the high-temperature semiconductor layer 16 is promoted by inhibiting the crystal growth of the lowtemperature buffer layer 14 which relies upon the substrate 10.例文帳に追加

ＳｉＮバッファ体１２を離散的に形成することで、低温バッファ層１４の基板に依存した結晶成長を阻害し、ＧａＮバッファ層１６成長時の種結晶となる単結晶化を促進する。 - 特許庁

To provide a material for an electroluminescent element and an electroluminescent element using the material capable of forming a buffer layer without using water as a solvent, as is different from a polymer system material used in a conventional buffer layer.例文帳に追加

従来のバッファー層に用いた高分子系材料とは異なり、水を溶媒とせずにバッファー層を形成することができる電界発光素子用材料、およびそれを用いた電界発光素子を提供する。 - 特許庁

The substrate is configured on a second buffer layer so that the second buffer layer can substantially surround the entire substrate to reduce damage of the substrate when an outside object collides against the side of the substrate.例文帳に追加

基板は、基板の側面が外部物体と衝突する際、基板に対する損傷を減少させるために第２バッファー層が実質的に全体基板を取り囲むように第２バッファー層上に構成される。 - 特許庁

To provide a method of obtaining a buffer layer of high quality which is adaptive to a large-sized substrate, reduces the consumption of a material solution, and has superior film thickness uniformity in film deposition of a buffer layer for a chalcopyrite thin film solar cell.例文帳に追加

カルコパイライト型薄膜太陽電池のバッファ層成膜において、大型基板に対応し、原料溶液使用量の低減化、膜厚均一性に優れた高品質なバッファ層を得る方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a buffer layer, by which the thickness of a fabricated buffer layer can be more precisely controlled, the defect density is reduced, and the deposition temperature can be reduced as compared with prior art.例文帳に追加

従来技術に比較して、形成されたバッファ層の厚さをより正確に制御することができ、欠陥密度を減少させ、蒸着温度を下げることができるバッファ層を形成する方法を提供する。 - 特許庁

Since the buffer layer is composed of a composite material containing an organic compound exhibiting hole-transporting property and a metal compound, voltage luminance efficiency of the light emitting element is not affected even if the buffer layer is made thick for optical design.例文帳に追加

バッファ層は正孔輸送性を示す有機化合物と金属化合物を含む複合材料でなるため、光学設計のためバッファ層を厚くしても、発光素子の電圧輝度効率に影響を与えることがない。 - 特許庁

An interval L2 between the bottom surfaces of the adjacent recesses 28 is not more than 0.7 times larger than the thickness L1 of the buffer layer 6, thus forming the buffer layer 6 successively in depth separated from the bottom surface of the recess by a fixed distance.例文帳に追加

隣接する凹部２８の底面同士の間隔Ｌ２は、バッファ層６の厚みＬ１の０．７倍以下であるため、バッファ層６は凹部底面から一定距離だけ隔てた深さに連続して形成される。 - 特許庁

The value of x represents a plurality of maximums and a plurality of minimums in the thickness direction of the buffer layer 2, and variation of the value of x is 0.5 or less in any region where the thickness in the buffer layer 2 is 1 nm.例文帳に追加

ｘの値は、バッファ層２の厚さ方向で複数の極大及び複数の極小を示し、バッファ層２中の厚さが１ｎｍの任意の領域内では、ｘの値の変化量が０．５以下となっている。 - 特許庁

Then the substrate temperature is adjusted by means of alternative molecular epitaxy to a temperature suitable for growing II-VI semiconductor and crystalline II-VI semiconductor buffer layer (16) is grown on the III-V buffer layer.例文帳に追加

基板の温度を交互分子線エピタキシーによってＩＩ−ＶＩ半導体成長に適切な温度まで調整し、結晶質ＩＩ−ＶＩ半導体バッファ層（１６）をＩＩＩ−Ｖバッファ層上に成長させる。 - 特許庁

After growing the buffer layer 13, the gallium oxide substrate 11 and the buffer layer 13 are exposed to the atmosphere of a growth furnace 10 at 1,050°C, while a gas G2 containing hydrogen and nitrogen is supplied to the growth furnace 10.例文帳に追加

バッファ層１３を成長した後に、水素及び窒素を含むガスＧ２を成長炉１０に供給しながら、摂氏１０５０度で酸化ガリウム基板１１及びバッファ層１３を成長炉１１の雰囲気にさらす。 - 特許庁

The color filter substrate is constituted by forming a color filter on an upper part of a substrate including a buffer layer by forming the buffer layer including dispersed materials at a reflection part for the purpose of reducing color difference between the reflection part and a transmission part.例文帳に追加

本発明によるカラーフィルタ基板の構成は、反射部と透過部の色差を減らすために、反射部に散乱物質を含むバッファ層を形成して、バッファ層を含む基板の上部にカラーフィルタを形成する。 - 特許庁

There are provided a method of forming a thin-film crystal, and a semiconductor element using the crystal including a high-temperature buffer layer 2 formed on a substrate 1 and a low-temperature thin film 3 which is formed on this high-temperature buffer layer 2.例文帳に追加

薄膜結晶の形成方法とそれを用いた半導体素子において、基板１上に形成される高温バッファー層２と、この高温バッファー層２上に形成される低温薄膜３とを具備する。 - 特許庁

In the release film for producing the ceramic electronic parts, a releasing layer 2 is formed on at least one surface of a substrate film 1, and a crawling buffer layer 3 is formed on the releasing layer 2.例文帳に追加

基材フィルム１の少なくとも片面に剥離層２が設けられてなり、剥離層２上に、ハジキ緩衝層３を有するセラミック電子部品製造用剥離フィルムである。 - 特許庁

An end portion of the conductive layer 45 facing the movable contact portion 34 projects more than an end face of the buffer layer 44 so that the end face of the conductive layer 45 serves as a fixed contact 46 (contact face).例文帳に追加

導電層４５の可動接点部３４と対向する端部は緩衝層４４の端面よりも突出しており、導電層４５の端面が固定接点４６（接触面）となる。 - 特許庁

An end portion of the conductive layer 55 facing the fixed contact portion 33 projects from an end face of the buffer layer 54 so that the end face of the conductive layer 55 serves as a movable contact 56 (contact face).例文帳に追加

導電層５５の固定接点部３３と対向する端部は緩衝層５４の端面よりも突出しており、導電層５５の端面が可動接点５６（接触面）となる。 - 特許庁

The buffer sheet is constituted of a cushion layer made of thick-wall sponge rubber and a mounting layer to the heating plate of a press machine made of thin-wall solid rubber integrally bonded on one face of the cushion layer.例文帳に追加

緩衝シートを、厚肉スポンジゴムからなるクッション層と、このクッション層の片面に接着一体化した薄肉ソリッドゴムからなるプレス機の熱盤への取付層とで構成する。 - 特許庁

A buffer layer 102 for raising the quality of the crystal of its upper layer and an N-type first semiconductor layer 103 with carriers flowing in its interior are formed in order on a high-resistance substrate 101.例文帳に追加

高抵抗基板１０１上に上層の結晶の品質を上げるためのバッファ層１０２と、キャリアが流れるｎ型の第１の半導体層１０３とを順次形成する。 - 特許庁

The boundary area between the buffer layer 8 and the luminescent layer 10 per unit luminescent face is efficiently increased by forming the hole injection layer 8 into a sponge shape.例文帳に追加

このように、ホール注入層８をスポンジ状とすることで、単位発光面当たりのバッファ層８と発光層１０との境界の面積を効率的に大きく形成している。 - 特許庁

A buffer layer which contains microcrystal silicon or microcrystal silicon germanium and has a specified Raman peak ratio is provided between a substrate-side impurity added layer and an i layer containing microcrystal silicon germanium.例文帳に追加

基板側不純物添加層と微結晶シリコンゲルマニウムを有するｉ層との間に、微結晶シリコン又は微結晶シリコンゲルマニウムを有し、所定のラマンピーク比を有するバッファ層を設ける。 - 特許庁

A third semiconductor layer 60 which includes an active layer made of AlGaInP or GaInP is formed on the substrate 10 so as to be arranged in parallel with the composition modulation buffer layer 20.例文帳に追加

基板１０上に組成変調バッファ層２０と並置して、ＡｌＧａＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる活性層を含む第３の半導体層６０が形成されている。 - 特許庁

A resonator structure including a buffer layer 102, a lower semiconductor DBR 103 and an active layer 105, an upper semiconductor DBR 107, and a contact layer 109 are laminated on a substrate 101.例文帳に追加

基板１０１上にバッファ層１０２、下部半導体ＤＢＲ１０３、活性層１０５を含む共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９が積層されている。 - 特許庁

Oxygen partial pressure before first film formation in the fixed layer 5 and/or oxygen partial pressure before second film formation in the free layer 7 is lower than oxygen partial pressure before third film formation in the buffer layer 3.例文帳に追加

固定層５における第１成膜前酸素分圧及びフリー層７における第２成膜前酸素分圧の少なくとも一方は、バッファー層３の第３成膜前酸素分圧よりも低い。 - 特許庁

To realize a low resistance buffer layer in an electronic device (element for power electronics) for operating an SiC substrate and each nitride semiconductor layer by passing a current through the SiC substrate and the each nitride semiconductor layer.例文帳に追加

電流をＳｉＣ基板および各窒化物半導体層に通過させて動作させる電子デバイス（パワーエレクトロニクス用素子）において、低抵抗なバッファ層を実現すること。 - 特許庁

At least one layer (the one directly deposited on a substrate is preferred), of a multi-layer structure, is made of an indium-containing III-V group nitride compound, acting as a buffer layer 16.例文帳に追加

多層構造で、該層の少なくとも1つの層(好適には基板(2)上に直接堆積されたもの(18))がインジウム含有III-V族窒化化合物から作製され緩衝層として働く。 - 特許庁

A conductive buffer layer 2 is formed as a lower electrode on a conductive Si substrate 1, and a dielectric layer 3 and an upper electrode layer 4 are formed sequentially to from a capacitor.例文帳に追加

導電性Ｓｉ基板１に導電性バッファ層２を形成して４下部電極とし、誘電体層３と上部電極層４を順次成膜することによって、コンデンサを構成している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with high reliability of a solder layer which bonds a buffer plate for mitigating thermal stress and distortion between a semiconductor element and a metal electrode layer, with the metal electrode layer.例文帳に追加

半導体素子と金属電極層との間の熱応力や歪みを緩和する緩衝板を金属電極層と接合する半田層の信頼性が高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

The first electrode etched out of the metal electrode is laminated with a buffer layer, a layer containing organic compounds, and a second electrode layer on it.例文帳に追加

そして、エッチング加工された金属電極を発光素子の第１の電極とし、その上にバッファ層と、有機化合物を含む層と、第２の電極とを積層することを特徴とする。 - 特許庁

The laminating temperature of the buffer layer, the p-type group III nitride semiconductor crystal layer of cubic system and the n-type group III nitride semiconductor crystal layer of hexagonal system is optimized.例文帳に追加

上記緩衝層、立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層、六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層の積層温度を最適化する。 - 特許庁

To provide a heat dissipating configuration for solar energy battery which uses a structure of direct connection of a circuit layer to a thin film insulating layer in replacement of a conventional buffer layer and a ceramic material layer to improve heat dissipation efficiency.例文帳に追加

従来のバファ層とセラミック材料層の代わりに、回路層が直接に薄膜絶縁層に結合されるものを利用し、放熱効率が向上される太陽エネルギー電池放熱構成を提供する。 - 特許庁

A buffer layer 43, a non-doped InGaAs channel layer 44, a barrier layer 45 composed of a plurality of layers, and an n^+-type contact layer 46 of thickness 50 nm are formed on a semi-insulating GaAs substrate 42.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板４２上にバッファ層４３、ノンドープＩｎＧａＡｓのチャネル層４４、複数層からなる障壁層４５、ｎ＋型ＧａＡｓからなる膜厚５０ｎｍのコンタクト層４６が形成される。 - 特許庁

A compound semiconductor material is used as a semiconductor layer, and buffer layers containing an organic compound and an inorganic compound each having conductivity are formed between the semiconductor layer, and a source electrode layer and a drain electrode layer.例文帳に追加

半導体層として化合物半導体材料を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に、それぞれ導電性の有機化合物及び無機化合物を含むバッファ層を形成する。 - 特許庁

In this semiconductor laser device, an n-type AlGaAs buffer layer 5 as an intermediate layer is formed between a stripe-like convex portion 3 and an n-type AlGaAs lower cladding layer 6 as a first clad layer.例文帳に追加

この半導体レーザ装置では、中間層としてのＮ型ＡｌＧａＡｓバッファ層５がストライプ状の凸部３と第１クラッド層としてのＮ型ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層６との間に形成されている。 - 特許庁

Then, the textured surroundings of the intermediate layer is directly coated with the layer 6 made of the super-conductive YBCO material, or the surroundings of the upper part of the intermediate layer coated with the buffer layer in advance is coated with it.例文帳に追加

つぎに、超伝導性のＹＢＣＯ材料からなる層（６）で、配向組織化された中間層の周りを直接に、または該中間層の上を前もって緩衝層で被覆したその周りを被覆する。 - 特許庁

This head is provided with a free layer 7 constituted of first and second ferromagnetic layer, and a buffer layer 4 having crystallographic compliance with the free layer 7 and made of a material for completely reflecting transmitted electrons.例文帳に追加

第１および第２の強磁性層からなるフリー層７と、このフリー層７との間で結晶学的整合性を有し、伝導電子を完全反射させる材料からなる緩衝層４とを備えるようにした。 - 特許庁

This battery 1 is equipped, between the positive electrode layer 13 and the SE layer 15, with a buffer layer 16 for buffering deviation of lithium ions in the vicinity of the interface of these both layers, and the density of the positive electrode layer 13 is 70 to 90% of the theoretical density.例文帳に追加

この電池1は、正極層13とSE層15との間に、これら両層の界面近傍におけるリチウムイオンの偏りを緩衝する緩衝層16を備え、正極層13の密度が、理論密度の70〜90％である。 - 特許庁

A metal oxide layer having a higher carrier concentration than the semiconductor layer is provided as the buffer layer intentionally between the source and drain electrode layers and the semiconductor layer, thereby an ohmic contact is formed.例文帳に追加

ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高い金属酸化物層をバッファ層として意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 - 特許庁

An AlN buffer layer 2, an undoped GaN base layer 3, a first n-AlGaN semiconductor layer 4, and a second n+-GaN semiconductor layer 5 are successively formed on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１上に、ＡｌＮからなる緩衝層２、アンドープＧａＮからなる下地層３、ｎ−ＡｌＧａＮからなる第１の半導体層４、及びｎ^＋−ＧａＮからなる第２の半導体層５を順次に形成する。 - 特許庁

A light-transmitting transparent electrode layer 160 is stacked onto the n-type semiconductor layer 150, and is provided from one side of the optical absorption layer 130, the buffer layer 140, and the n-type semiconductor layer 150 to one of the back electrode layers 120.例文帳に追加

ｎ型半導体層１５０に積層するとともに光吸収層１３０、バッファ層１４０およびｎ型半導体層１５０の一側から裏面電極層１２０の一方に亘って透光性の透明電極層１６０を設ける。 - 特許庁

A manufacturing method of the diode begins by depositing an Al_xGa_1-xN nucleation layer on a SiC substrate, then an n+GaN buffer layer, an n-GaN layer, an Al_xGa_1-xN barrier layer, and an SiO_2 dielectric layer are deposited.例文帳に追加

ダイオードを製造する方法は、ＳｉＣ基板上にＡｌ_xＧａ_1-xＮ核生成層を付着させることによって開始され、次いでｎ＋ＧａＮ緩衝層、ｎ−ＧａＮ層、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ障壁層およびＳｉＯ_2誘電体層を付着させる。 - 特許庁

An n-type AlGaAs clad layer of a first semiconductor laser 39 to be formed previously on an n-type GaAs buffer layer 22 is formed in the double-layer structure of the secondn-type Al_xGa_1-xAs (x = 0.500) clad layer 23 and the first n-type Al_xGa_1-xAs (x = 0.425) clad layer 24.例文帳に追加

ｎ型ＧaＡsバッファ層２２上に先に形成する第１半導体レーザ３９のｎ型ＡlＧaＡsクラッド層を、第２ｎ型Ａl_xＧa_1-xＡs(ｘ＝０.５００)クラッド層２３と第１ｎ型Ａl_xＧa_1-xＡs(ｘ＝０.４２５)クラッド層２４との２層構造に成す。 - 特許庁

The donor film 80 comprises a base material film 50, a light-heat conversion layer 55 formed on the base material film 50, a transfer layer 75 formed on the light-heat conversion layer 55, a buffer film 65 interposed between the light-heat conversion layer 55 and the transfer layer 75.例文帳に追加

ドナーフィルム８０は基材フィルム５０、基材フィルム５０上に位置した光−熱変換層５５、光−熱変換層５５上に位置した転写層７５、及び光−熱変換層５５と転写層７５間に介在した緩衝膜６５を備える。 - 特許庁

A semiconductor layer uses an oxide semiconductor film containing In, Ga, and Zn, and comprises an inverted stagger type (bottom gate structure) thin-film transistor, in which a buffer layer is formed among the semiconductor layer, a source electrode layer, and a drain electrode layer.例文帳に追加

半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。 - 特許庁

According to one embodiment, an insulated gate type bipolar transistor of reverse conducting type comprises: a second base layer of type N; a buffer layer of type N; a first collector layer of type N; a second collector layer of type P; a third collector layer of type P; and a collector electrode.例文帳に追加

一つの実施形態によれば、逆通電型の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタは、Ｎ型の第二のベース層と、Ｎ型のバッファ層、Ｎ型の第一のコレクタ層、Ｐ型の第二のコレクタ層、Ｐ型の第三のコレクタ層、及びコレクタ電極が設けられる。 - 特許庁