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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > cubic crystalの意味・解説 > cubic crystalに関連した英語例文

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cubic crystalの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 255



例文

METHOD FOR PRODUCING CUBIC CRYSTAL SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF CUBIC SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE例文帳に追加

立方晶系単結晶炭化シリコン基板の製造方法 - 特許庁

To easily form a cubic crystal GaN film.例文帳に追加

立方晶GaN膜を容易に形成する。 - 特許庁

PRODUCTION METHOD OF CUBIC CRYSTAL SILICON CARBIDE FILM例文帳に追加

立方晶炭化珪素膜の製造方法 - 特許庁

例文

COMPOUND HAVING POLYMERIZABILITY FORMING BICONTINUOUS CUBIC LIQUID CRYSTAL STRUCTURE, AND ION CONDUCTIVE POLYMER HAVING BICONTINUOUS CUBIC LIQUID CRYSTAL STRUCTURE例文帳に追加

双連続キュービック液晶構造をとり得る重合性を有する化合物及び双連続キュービック液晶構造を有するイオン伝導性ポリマー - 特許庁


例文

CUBIC CRYSTAL-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND METHOD FOR MANUFACTURING FREE-STANDING SUBSTRATE OF CUBIC CRYSTAL-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

立方晶型窒化物半導体ウェハ及びその製造方法、並びに立方晶型窒化物半導体自立基板の製造方法 - 特許庁

SINGLE CRYSTAL CUBIC GALLIUM NITRIDE NANOTUBE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

単結晶立方晶系窒化ガリウムナノチューブとその製造方法 - 特許庁

APPROXIMATE CUBIC FUNCTION GENERATION CIRCUIT AND TEMPERATURE COMPENSATION TYPE CRYSTAL OSCILLATOR CIRCUIT例文帳に追加

近似3次関数発生回路および温度補償型水晶発振回路 - 特許庁

METHOD FOR FORMING CUBIC SILICON CARBIDE CRYSTAL FILM ON SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

ケイ素基板上に立方晶炭化ケイ素結晶膜を形成する方法 - 特許庁

例文

METHOD OF MANUFACTURING CUBIC SILICON CARBIDE SINGLE-CRYSTAL THIN FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

立方晶炭化ケイ素単結晶薄膜の製造方法及び半導体装置 - 特許庁

例文

The tantalum layer 5 has a crystal structure comprising body-centered cubic lattice phase.例文帳に追加

タンタル層5は、体心立方格子相からなる結晶構造を有する。 - 特許庁

MANUFACTURE OF P-TYPE CUBIC SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL THIN FILM例文帳に追加

p型立方晶炭化珪素単結晶薄膜の製造方法 - 特許庁

FABRICATING METHOD OF CUBIC SILICON CARBIDE CRYSTAL FILM WITH ORIENTATION (100)例文帳に追加

(100)配向した立方晶炭化珪素結晶膜の作製方法 - 特許庁

The sintered compact comprises cubic crystal boron nitride and at least any one of cubic crystal sialon and cubic crystal silicon nitride, wherein the content of the cubic crystal boron nitride is 35 to 93 vol.%.例文帳に追加

立方晶型窒化硼素と、立方晶型サイアロンおよび立方晶型窒化珪素の少なくともいずれかとを含む焼結体であって、前記立方晶型窒化硼素の含有量が35体積%以上93体積%以下である焼結体に関する。 - 特許庁

METHOD FOR REDUCING SLIP IN THIN FILM ON CUBIC SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

立方晶炭化珪素単結晶薄膜におけるスリップの低減方法 - 特許庁

The liquid crystal panel uses a transparent cubic polycrystalline substance substrate with high heat conductivity.例文帳に追加

高熱伝導性透明立方晶多結晶体基板を用いる。 - 特許庁

The optical lens is made of Y_3Al_5O_12 single crystal material having cubic crystal structure.例文帳に追加

立方晶構造のY_3Al_5O_12単結晶材料より光学レンズを構成する。 - 特許庁

An optical lens 11 is made of an optical material consisting of SiC single crystal having a cubic crystal structure.例文帳に追加

立方晶構造のSiC単結晶からなる光学材料で光学レンズ11を構成した。 - 特許庁

The soft magnetic film has a mixed crystal structure of a body-centered cubic structure phase with a face-centered cubic structure phase.例文帳に追加

また、軟磁性膜は、体心立方構造相と面心立方構造相との混晶である結晶構造を有する。 - 特許庁

Preferably, the electro-optical crystal 10 includes a cubic crystal structure, and the irradiation device irradiates the electro-optical crystal 10 with the polarized light along each of three crystal axes of the cubic crystal structure.例文帳に追加

好ましくは、電気光学結晶10は立方晶構造を有し、照射装置は立方晶構造の三つの結晶軸の各々に沿って電気光学結晶10に偏光を照射する。 - 特許庁

This cubic boron nitride abrasive grain is obtained by maintaining a mixture comprising hexagonal boron nitride and seed crystal of cubic boron nitride under a pressure and temperature condition where the cubic boron nitride is thermodynamically stable, wherein twin crystal of the cubic boron nitride is included in the seed crystal of the cubic boron nitride.例文帳に追加

六方晶窒化ホウ素と立方晶窒化ホウ素の種結晶とを含む混合物を、立方晶窒化ホウ素の熱力学的に安定である圧力温度条件下に保持することによって立方晶窒化ホウ素砥粒を製造する際に、立方晶窒化ホウ素の種結晶に立方晶窒化ホウ素の双晶結晶を含有させる。 - 特許庁

To provide a substrate attached with a cubic silicon carbide film having the cubic silicon carbide film which is scarce in crystal defects and high quality on a silicon substrate having a lattice constant different from that of the cubic silicon carbide.例文帳に追加

立方晶炭化ケイ素と格子定数が異なるシリコン基板上に、結晶欠陥が少なくかつ高品質の立方晶炭化ケイ素膜を有する立方晶炭化ケイ素膜付き基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

CUBIC LITHIUM-IRON CHLORIDE CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND LITHIUM SECONDARY BATTERY BY USING THE SAME例文帳に追加

立方晶リチウム鉄塩化物およびその製造方法、ならびにこれを用いたリチウム二次電池 - 特許庁

ION CONDUCTOR, COMPOUND OR ITS SALT, TWIN CONTINUOUS CUBIC LIQUID CRYSTAL AND ELECTROCHEMICAL DEVICE例文帳に追加

イオン伝導体、化合物又はその塩、双連続キュービック液晶、電気化学デバイス - 特許庁

CUBIC TEMPERATURE CHARACTERISTIC COMPENSATION VOLTAGE GENERATION CIRCUIT, CRYSTAL OSCILLATOR MODULE, AND ELECTRONIC EQUIPMENT例文帳に追加

3次温度特性補償電圧発生回路、水晶発振器モジュールおよび電子機器 - 特許庁

CUTTING TIP MADE OF CUBIC CRYSTAL BORON NITRIDE GROUP ULTRAHIGH PRESSURE SINTERED MATERIAL HAVING EXCELLENT RESISTANCE TO CHIPPING例文帳に追加

耐チッピング性のすぐれた立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削チップ - 特許庁

METHOD OF TRANSFORMING CRYSTAL STRUCTURE OF GROUP 13 ELEMENT NITRIDE, GROUP 13 ELEMENT NITRIDE, AND STRUCTURE CONTAINING CUBIC NITRIDE例文帳に追加

13族窒化物の結晶構造変化方法、13族窒化物および立方晶窒化物を含む構成物 - 特許庁

In addition, the cubic hologram layer 2 and the cholesteric liquid crystal layer 4 are bonded together through an adhesive layer 5.例文帳に追加

体積型ホログラム層2とコレステリック液晶層4とを接着層5を介して貼りあわせる。 - 特許庁

HIGH HARDNESS AND HIGH DENSITY CUBIC CRYSTAL BORON NITRIDE BASED SINTERED COMPACT, AND ITS PRODUCTION METHOD例文帳に追加

高硬度高密度立方晶窒化ホウ素系焼結体およびその製造方法 - 特許庁

CONJUGATE WITH LYSOSOMAL ENZYME INCLUDED IN TYPE II CUBIC LIQUID CRYSTAL COMPOSITION例文帳に追加

II型キュービック液晶組成物にリソソーム酵素を包埋した複合体 - 特許庁

A seed layer 5a is formed of an alloy whose crystal structure is an in-plane cubic structure (fcc).例文帳に追加

シード層5aは、結晶構造が面心立方構造(fcc)の合金から構成されている。 - 特許庁

ACTIVATED OPTICAL CERAMIC HAVING CUBIC SYSTEM CRYSTAL STRUCTURE, PRODUCTION AND USE THEREOF例文帳に追加

立方晶系結晶構造を持つ活性光学セラミックス、それらの製造および使用 - 特許庁

In the hard coating, the crystal structure is composed of only cubic crystals.例文帳に追加

]で示される窒化物からなり、かつその結晶構造が立方晶のみからなる硬質皮膜とする。 - 特許庁

The second crystal control layer 5 is formed with an hcp (hexagonal close-packed) alloy or fcc (face-centered cubic) alloy.例文帳に追加

第二結晶制御層5は、hcp合金もしくはfcc合金で形成する。 - 特許庁

To measure plastic strain for a metallic material having a cubic system crystal structure.例文帳に追加

立方晶系の結晶構造を持つ金属材料に対して塑性歪を測定する。 - 特許庁

The sintered compact includes a cubic crystal-type sialon having a crystal structure of a cubic crystal and at least one kind of metal selected from iron, cobalt, nickel, a group 4 element, a group 5 element and a group 6 element.例文帳に追加

立方晶の結晶構造を有する立方晶型サイアロン、ならびに鉄、コバルト、ニッケル、第4族元素、第5族元素、および第6族元素よりなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を含む焼結体に関する。 - 特許庁

The reflecting layer 4 and the space layer 5 are in a face- centered cubic structure with epitaxial growth, while the intermediate layer 6 is in a body-centered cubic structure with epitaxial growth, in which the orientation of crystal growth is <;001>; for the unit grating of a cubic crystal.例文帳に追加

そして、前記反射層4 およびスペーサ層5 が、エピタキシャル成長による面心立方構造を有し、前記中間層6 が、エピタキシャル成長による体心立方構造を有し、それらの結晶成長の方位が、立方晶の単位格子に関して<001> である。 - 特許庁

The crystal of the ferroelectric film is a pseudo cubic crystal system or a crystal system in which at least two among the pseudo cubic crystal system, a rhombohedral system or pyramidal quadratic system co-exist and the crystal face parallel to the lower electrode preferentially orients to a (110) face bearing.例文帳に追加

強誘電体膜の結晶は疑似立方晶系であるか、又は疑似立方晶系、菱面体晶系若しくは正方晶系のうち少なくとも二つが混在している結晶系であり、且つ下部電極に平行な結晶面が(110)面方位に優先配向している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a cubic silicon carbide single-crystal thin film for obtaining a low-cost cubic silicon carbide (3C-SiC) single-crystal thin film, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

低コストの立方晶炭化ケイ素(3C−SiC)単結晶薄膜を得るための立方晶炭化ケイ素単結晶薄膜の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

The fine particle of core-shell structure includes: a core particle which is formed from ruthenium and has the face-centered cubic crystal structure; and a shell layer which is formed from platinum, has the face-centered cubic crystal structure and formed on the surface of the core particle.例文帳に追加

コアシェル型微粒子は、面心立方結晶構造を有するルテニウムからなるコア粒子と、コア粒子の表面に形成され、面心立方結晶構造を有する白金からなるシェル層とを有する。 - 特許庁

Further, an adhesive layer, which is to be bonded to an adherend, is formed on the cubic hologram layer 2 side or the cholesteric liquid crystal layer 4 side, and thus the cholesteric liquid crystal medium with the cubic hologram can be obtained.例文帳に追加

更に体積型ホログラム層側若しくはコレステリック液晶層側に被着体に貼りあわせるための接着層を形成して、体積型ホログラム付きコレステリック液晶媒体を得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an yttria-stabilized zirconium oxide crystal having a cubic crystal structure with high yield by an easy method.例文帳に追加

簡便な方法により、立方晶の結晶型を有するイットリア安定化酸化ジルコニウム結晶を高率的に製造する方法を提供する。 - 特許庁

A magnesium oxide (magnesia) single crystal substrate 1 has a cubic system crystal structure and (100) face serves as a cleavage surface.例文帳に追加

酸化マグネシウム(マグネシア)単結晶基板1は、立方晶系の結晶構造を有し、(100)面をへき開面としている。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR GROWING CRYSTAL, CUBIC III NITRIDE CRYSTAL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

結晶成長方法および結晶成長装置および立方晶系III族窒化物結晶および半導体デバイス - 特許庁

To provide a method for producing a cubic crystal silicon carbide semiconductor substrate by which a high-quality 3C-SiC layer with few crystal defects is formed.例文帳に追加

結晶欠陥の少ない高品質な3C−SiC層を形成することが可能な立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The heat radiation substrate 5 is composed of a single-crystal substrate or polycrystalline substrate with high heat conductivity which is made of a crystal system of a cubic system.例文帳に追加

放熱基板5は、立方晶系の結晶系から成る熱伝導率の高い単結晶基板や多結晶基板で構成する。 - 特許庁

To provide a cubic crystal silicon carbide semiconductor substrate on which a high-quality epitaxial film with few crystal defects is formed.例文帳に追加

結晶欠陥の少ない高品質なエピタキシャル膜が形成された立方晶炭化珪素半導体基板を提供する。 - 特許庁

The projection optical system has at least two crystal transmission members formed by a crystal material belonging to a cubic system.例文帳に追加

立方晶系に属する結晶材料で形成された少なくとも2つの結晶透過部材を備えている。 - 特許庁

The invention provides a discotic liquid crystal compound exhibiting cocontinuous cubic phase as the liquid crystal phase.例文帳に追加

液晶相として共連続性のキュービック相を示すことを特徴とするディスコティック液晶性化合物。 - 特許庁

例文

To provide a production method of a cubic crystal silicon carbide film which allows isotropic growth of a cubic crystal silicon carbide by maintaining such a growth rate as the lateral growth rate in lateral crystal growth is equivalent to the longitudinal growth rate, and allows formation of a cubic crystal silicon carbide film having a wider low defect region.例文帳に追加

横方向結晶成長における横方向成長速度が縦方向成長速度と同等の成長速度を維持することにより、等方的に立方晶炭化珪素を成長させることができ、より広い低欠陥領域を有する立方晶炭化珪素膜を形成させることのできる立方晶炭化珪素膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

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