| 意味 | 例文 |
current amplification factorの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 172件
To provide a current amplification circuit in which a current amplification factor is variable and the current amplification factor can be held in a nonvolatile manner.例文帳に追加
電流増幅率が可変であり、且つ、その電流増幅率を不揮発的に保持することができる電流増幅回路を提供すること。 - 特許庁
To enhance a current amplification factor β and the element reliability still more.例文帳に追加
電流増幅率β及び素子信頼性を一層向上する。 - 特許庁
At this time, the current amplification factor is evaluated by multiplying a function expression of the gate voltage evaluated from an actually measured value of an original current amplification factor.例文帳に追加
この際に、元の電流増幅率に実測値から求めたゲート電圧の関数式を掛けることで、電流増幅率を求める。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AMPLIFICATION FACTOR WITH LITTLE CURRENT VALUE DEPENDENCY例文帳に追加
電流値依存性の少ない増幅率を有する半導体デバイス - 特許庁
Control current i1 and i2 is extracted from the emitters of the transistors Q1 and Q2 so that control current i1=i2=0 while the dummy amplification factor is from a maximum amplification factor to 1/2 and that I3=I2/2 when the dummy amplification factor is ≤1/2 of the maximum amplification factor.例文帳に追加
見かけの増幅率が最大増幅率から1/2までの間は、制御電流i1=i2=0とし、見かけの増幅率が最大増幅率の1/2以下の時は、I3=I2/2となるように、トランジスタQ1,Q2のエミッタから制御電流i1,i2を引き出す。 - 特許庁
Furthermore, the amplification factor of the current monitor section 13 is decided based on a resistance ratio between the resistors R1 and R2, reducing the fluctuation in the amplification factor.例文帳に追加
また、電流モニタ部13の増幅率はR1とR2との抵抗比で決定されるため、増幅率のバラツキも少なくなる。 - 特許庁
To provide a semiconductor device improved in a current amplification factor.例文帳に追加
電流増幅率を向上させることができる半導体素子を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having a high current amplification factor and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
高電流増幅率の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a current mirror circuit capable of obtaining an output current with high relative accuracy with respect to a reference current even when a current amplification factor of transistors is low.例文帳に追加
トランジスタの電流増幅率が低い場合にあっても、基準電流に対して高い相対精度で出力電流を得る。 - 特許庁
To provide an amplifier circuit capable of selecting a direct current amplification factor of an amplification transistor incorporated in an integrated circuit.例文帳に追加
集積回路内に組み込まれた増幅トランジスタの直流電流増幅率の選別が可能な増幅回路を提供する。 - 特許庁
Further, since the thickness of the collector layer can be reduced, a current amplification factor can be increased.例文帳に追加
また、コレクタ層の厚さを薄くすることができるので、電流増幅率を高めることができる。 - 特許庁
To obtain a hetero-junction bipolar transistor which has high current amplification factor and is excellent in high frequency characteristics.例文帳に追加
高い電流増幅率を有し高周波特性に優れたヘテロ接合バイポーラトランジスタを得る。 - 特許庁
To provide a semiconductor device with a transistor having little variations in a current amplification factor.例文帳に追加
電流増幅率のばらつきが抑えられたトランジスタを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a high breakdown voltage silicon carbide semiconductor device exhibiting excellent current amplification factor h_FE.例文帳に追加
電流増幅率h_FEに優れた高耐圧炭化珪素半導体装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of obtaining a high current amplification factor, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
高い電流増幅率が得られる半導体装置と、その製造方法とを提供する。 - 特許庁
The reverse bias voltage and an amplification factor of the APD 24 change according to the control current.例文帳に追加
APD24の逆バイアス電圧および増倍率は、その制御電流に応じて変化する。 - 特許庁
A collector current IC2 of the TR P2 is equal to a base current of the TR Q2 and depends on a current amplification factor of the TR Q2 and a current I2 of a current source IS2.例文帳に追加
トランジスタP2のコレクタ電流I_C2はトランジスタQ2のベース電流と等しく、トランジスタQ2の電流増幅率および電流源IS2の電流I_2 で設定される。 - 特許庁
To provide a heterojunction bipolar transistor which shows high current amplification factor and current break frequency.例文帳に追加
高い電流増幅率及び電流遮断周波数を示すヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The evaluation of coupling efficiency of signal light to an optical amplification element and evaluation of amplification factor of an optical amplification element can be obtained merely by measuring optical current of an optical amplification element and carrying out a prescribed operation.例文帳に追加
光増幅素子の光電流を測定し、所定の演算を施すことで、信号光の光増幅素子への結合効率の評価、光増幅素子の素子単独での増幅率の評価が得られる。 - 特許庁
To provide a current sensing amplifier circuit of a semiconductor memory for improving stability and an amplification factor.例文帳に追加
安定度及び増幅度の改善のための半導体メモリ装置の電流感知増幅回路を提供する。 - 特許庁
Consequently, even if the characteristics of the APD 3 change, the current amplification factor of the APD 3 is kept constant.例文帳に追加
これにより、APD3の特性が変化しても、APD3の電流増倍率は一定値に保たれる。 - 特許庁
To provide a semiconductor device wherein a breakdown voltage is high, a current amplification factor is high and a switching speed is faster.例文帳に追加
高耐圧で電流増幅率が高く、かつスイッチング速度が速い半導体装置を提供する。 - 特許庁
To improve high frequency characteristics and to improve a current amplification factor in a hetero bipolar transistor.例文帳に追加
ヘテロバイポーラトランジスタにおける,高周波特性の向上と電流増幅率の向上とを実現する。 - 特許庁
A current amplification factor is set to 0.0416 [V/A] (2.5 V/60 A) to reduce the influence of noise on current detection.例文帳に追加
電流増幅率を0.0416[V/A](2.5V/60A)とすることにより電流検出時のノイズによる影響を小さくする。 - 特許庁
The current detection means 16 is equipped with a logarithmic amplifying circuit for enlarging an amplification factor on a periphery of the spot where the absolute value of a voltage signal is zero based on the motor current, compared with the amplification factor on other spots.例文帳に追加
電流検出手段16は、電動機電流に基づく電圧信号の絶対値がゼロ付近での増幅率を他の付近での増幅率に比べて大きくする対数増幅回路を備えている。 - 特許庁
To provide a lateral bipolar transistor in which current amplification factor can be enhanced, and to provide its fabricating process.例文帳に追加
電流増幅率を向上させることができる横型バイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To obtain a compound semiconductor device which possesses a wide depletion layer and a large current amplification factor.例文帳に追加
長い空乏層幅を有し、電流増幅率の大きい化合物半導体素子を提供することを目的とする。 - 特許庁
The serial transistor T equivalently multiplies the capacitance of the smoothing capacitor C2 by its current amplification factor β.例文帳に追加
直列トランジスタTは、その電流増幅率βとして、平滑コンデンサC2 の容量を等価的にβ倍にする。 - 特許庁
Current amplification factor can be ensured by these means and a high temperature power bipolar transistor suitable for miniaturization can be provided.例文帳に追加
これらの手段により、電流増幅率を確保でき、小型化に適した高温対応電力用バイポーラトランジスタ。 - 特許庁
The base current of the transistor Q3 has a value obtained by dividing the collector current of the transistor Q2 by the current amplification factor of the transistor Q3 and becomes almost equal to the collector current of a transistor Q4.例文帳に追加
トランジスタQ3のベース電流は、トランジスタQ2のコレクタ電流をトランジスタQ3の電流増幅率で除した値になり、トランジスタQ4のコレクタ電流とほぼ等しい。 - 特許庁
But, when the ambient temperature rises higher than the upper limit temperature, the amplification factor of an amplifying means 100 is raised by an amplification factor decision means 200 and a drive current to the element 12 is increased.例文帳に追加
ところが、周囲温度が上限温度以上となると、増幅率決定手段200によって増幅手段100の増幅率が上げられ、ペルチェ素子12への駆動電流が大きくなる。 - 特許庁
According to this structure, desired current amplification factor (hFE) for the lateral pnp transistor 1 can be realized by adjusting the value of the base current.例文帳に追加
この構造により、ベース電流値が調整され、横型PNPトランジスタ1の所望の電流増幅率(hFE)を実現することができる。 - 特許庁
To provide a heterojunction type bipolar transistor with which high- speed operation is enabled and a high current amplification factor can be stably provided.例文帳に追加
高速動作が可能で、高い電流増幅率が安定して得られるヘテロ接合型バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁
To provide an epitaxial wafer for semiconductor device whose current amplification factor β is not lowered, even if there are a substrate defects.例文帳に追加
基板に欠陥があっても電流増幅率βが低下しない半導体デバイス用エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁
The photoelectric sensor is constituted so that a light-projection current I, an amplification factor G and a light-receiving quantity threshold value TH can be changed.例文帳に追加
光電センサは、投光電流I、増幅率G及び受光量閾値THを変更可能に構成されている。 - 特許庁
To suppress degradation of display quality due to variation in threshold voltage of respective pixels and variation in current amplification factor of the pixels.例文帳に追加
各画素の閾値電圧の変動及び各画素の電流増幅率のばらつきによる表示画質の低下を抑制する。 - 特許庁
Thereby an epitaxial wafer for semiconductor device whose current amplification factor β is not lowered can be realized.例文帳に追加
その結果、電流増幅率βが低下しない半導体デバイス用エピタキシャルウェハの提供を実現することができる。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of suitably achieving further improvement of a current amplification factor of a bipolar transistor and a further reduction in leak current.例文帳に追加
バイポーラトランジスタの電流増幅率の更なる向上とリーク電流の更なる低減とを好適に図ることのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a normally-off longitudinal semiconductor device having GaN system/SiC system hetero junction having high current capacity/current amplification factor, and also to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加
電流容量/電流増幅率の高いGaN系/SiC系ヘテロ接合を有するノーマリオフ縦型半導体装置および製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a high-frequency signal amplification circuit with constant current consumption irrespective of variations in the current amplification factor of a transistor caused by fluctuations in a power source voltage, changes in ambient temperature, or manufacturing variations.例文帳に追加
電源電圧の変動、また周囲温度の変化や製造バラツキによるトランジスタの電流増幅率のバラツキによらず、高周波信号増幅回路の消費電流を安定化することである。 - 特許庁
Then, the maximum value of voltage-division signals which are smaller than the current dividend amplification signal is defined as a voltage-division feedback signal, and the voltage-division feedback signal is subtracted from the current dividend amplification signal by a subtractor 22, and the subtraction result is amplified by an amplification factor "4".例文帳に追加
続いて、現在の被除数増幅信号より小さい分圧信号のうち最大値を分圧帰還信号とし、減算器22にて現在の被除数増幅信号からこの分圧帰還信号を減じ、その減算結果を増幅率「4」で増幅する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device provided with a bipolar transistor that changes a current amplification factor hFE characteristic after production.例文帳に追加
製造後に電流増幅率hFE特性を変化させることができるバイポーラトランジスタを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁
To obtain a semiconductor device which has a current amplification factor and an emitter contact resistance with little variations, and its manufacturing method.例文帳に追加
電流増幅率及びエミッタコンタクト抵抗のばらつきが小さい半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To form a transistor which has low emitter resistance and also has small variance in a current amplification factor of an adjacent transistor.例文帳に追加
エミッタ抵抗が低く、隣接したトランジスタの電流増幅率のばらつきが小さいトランジスタを形成することを目的とする。 - 特許庁
By using such a semiconductor epitaxial wafer, the heterojunction bipolar transistor having a high current amplification factor β can be obtained.例文帳に追加
このような半導体エピタキシャルウェハを用いることにより、電流増幅率βの高いヘテロ接合バイポーラトランジスタが得られる。 - 特許庁
To provide a photoelectric detector using an avalanche photo diode which operates stably in a region of a large current amplification factor.例文帳に追加
電流増幅率の高い領域で安定して作動するアバランシェフォトダイオードを使用した光電検出器を提供する。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF ADJUSTING CURRENT AMPLIFICATION FACTOR OF BIPOLAR TRANSISTOR WITH EMITTER POLYSILICON ELECTRODE STRUCTURE例文帳に追加
半導体装置の製造方法およびエミッタポリシリコン電極構造をもつバイポーラトランジスタの電流増幅率の調整方法 - 特許庁
When the current amplification factor of the transistor Q12 is β and the current drive capability of a transistors Q3 is equal to that of the transistor Q11, the current of output SO is increased to approximately βtimes larger.例文帳に追加
トランジスタQ12の電流増幅率をβとし、トランジスタQ3,Q11の電流駆動能力を等しいとすると、出力SOの電流をほぼβ倍にすることができる。 - 特許庁
To provide a spin transistor which simplifies the structure of the spin transistor and which can be utilized for an application with various requests in respect to an output current, a current change rate and a current amplification factor.例文帳に追加
スピントランジスタの構造を単純化し、且つ出力電流、電流変動率および電流増幅率に関して多様な要求のある用途に利用できるスピントランジスタを提供する。 - 特許庁
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