「depth dose」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Then, as the formation depth from the first main surface J of the ion implantation layer 4 for peeling becomes small, a dose rate in ion implantation is set small.例文帳に追加

そして、剥離用イオン注入層４の第一主表面Ｊからの形成深さが小さくなるほど、イオン注入のドーズ量を小さく設定する。 - 特許庁

To obtain a desired dose distribution in a depth direction in various conditions of irradiation with a smaller number of beam energy regulating means (RMW).例文帳に追加

より少ない数のビームエネルギー調整手段（ＲＭＷ）で、種々の照射条件において深部方向における所望の線量分布を得ることを課題とする。 - 特許庁

In the dose distribution measurement device for measuring the dose distribution to the depth direction of a particle beam 13 irradiating in a water tank 14, a plurality of sensors 1-10 are disposed around an underwater virtual cylindrical form 11 at the positions with equiangular intervals and equidistant depth, and the measurement points obtained by one measurement are set in accordance with the number of the sensors.例文帳に追加

水タンク１４内に照射される粒子線ビーム１３の深さ方向の線量分布を計測するための線量分布測定装置において、複数のセンサ１〜１０を、水中の仮想円筒形１１の周囲に等角度間隔で、等間隔の深さとなる位置に配置し、１度の計測によって得る測定点をセンサ数に応じた数とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high efficient solar battery by forming a diffusion layer featuring a shallow junction depth and a high dose and also executing a fire-through process with shallow thrust.例文帳に追加

接合深さが浅く、かつ、高ドーズの拡散層を形成するとともに、浅い食い込みでファイアスルーを行うことで、高効率の太陽電池を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

More specifically, the sum of values of the dose of radiation emitted by the specific nuclide measured in a hole with a depth of about 50 cm (about 2.5 cm in diameter) under the ground is divided by a conversion factor for data on the use of land in the area under investigation, whereby the dose of radiation in that site is determined.例文帳に追加

具体的には、地中５０ｃｍ程度の深さの穴（直径２．５ｃｍ程度）の中で測定された特定核種の放射線量の値の和を調査地域の土地利用データ（森林、耕作地、未耕地に分類）の換算係数で割ることにより、その場所の放射能量を得る。 - 特許庁

To provide an ion implanting device of latter acceleration and former acceleration methods, capable of maintaining uniformly the dose of ions implanted into a wafer in the range from the surface of the wafer to a prescribed vertical depth.例文帳に追加

ウェーハに注入されるイオンのドーズ量がウェーハの表面から垂直で一定な深さの範囲で均一に維持されるようにする後加速及び先加速方式のイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

The development rate distribution calculation step includes a step of calculating the development rate distribution based on two parameters which are the electron beam dose and the depth of dissolution of the resist by preliminary experiments.例文帳に追加

前記現像速度分布計算工程は、予めの実験による電子線の照射量（ドーズ）とレジスト溶解深度の２つのパラメータに基づいて前記現像速度分布を計算する工程を具備する。 - 特許庁

To provide a neutron shielding plate for minimizing a neutron dose given to normal tissues in neutron capture therapy method, mitigating attenuation of depth and reachability of neutrons in a body and giving a sufficient dose of neutrons to a target part positioned in the depth of irradiation object, neutron capture therapy applied to mammals other than human and neutron irradiation equipment for the therapy.例文帳に追加

中性子捕捉療法において、正常組織に与える中性子を最低限に抑えるとともに、体内への中性子の深達性および到達性の減衰を緩和して、照射対象の深部に位置する標的部位に充分な中性子を投与し得る中性子遮蔽板、およびヒト以外の哺乳動物に対して行なう中性子捕捉療法、ならびに治療用中性子照射装置を提供する。 - 特許庁

By setting the thickness of the mask layer 15 thinner than the implanted depth of the impurity, a high dose region 12 is formed in a region, not covered by the mask, of the upper part of the SiC substrate 11, while low-dose regions 13 are formed in regions, covered by the mask, of the upper part of the SiC substrate 11.例文帳に追加

マスク層１５の厚さを不純物注入深さよりも浅く設定しておくことにより、ＳｉＣ基板１１の上部のうちマスクにより覆われていない部分には多量ドーズ領域１２を形成し、ＳｉＣ基板１１の上部のうちマスクにより覆われている部分には低量ドーズ領域１３を形成する。 - 特許庁

To provide a particle beam irradiation apparatus capable of securing a prescribed flatness of the dose distribution over the whole area in the depth direction of an affected part without enlarging the scanning range or irradiation time of the particle beam.例文帳に追加

粒子線ビームの走査範囲や照射時間を拡大することなく患部の深さ方向の全域に渡って所望の線量分布平坦度を確保することができる粒子線ビーム照射装置を提供する。 - 特許庁

To provide an exposure method having sufficient process latitude (that is, a combination of usable depth of focus and allowable variance of exposure dose for a given tolerance in the minimum dimension) for imaging of small contact holes.例文帳に追加

小さなコンタクトホールを結像する場合に、十分なプロセス寛容度（すなわち、最小寸法における所与の公差に対する、使用可能焦点深度および許容露光ドーズの変化の組合せ）を備えた露光方法を提供すること。 - 特許庁

A second ion implanting process (c1) implants the additional function layer 4 with ions at its surface as much as the total dose in the first and second planting processes exceeding the critical dose at the same deposition depth position as that in the first ion implanting process, thus making the peel-expected ion implanted layer 3 into a peeling ion implanted layer 3'.例文帳に追加

第２のイオン注入工程（ｃ１）で、付加機能層４の表面側から第１のイオン注入工程でイオン注入されたのと同じ深さ位置となるように、第１のイオン注入工程でイオン注入されたドーズ量と合わせて臨界ドーズ量以上となるドーズ量のイオンを打ち込むことにより剥離予定イオン注入層３を剥離用イオン注入層３’とする。 - 特許庁

To provide an electron beam lithographic method, a blank with a pattern drawn thereon by the method and an electron beam lithography device which prevents the beam diameter from slightly varying to eliminate the need for minute change about the dose conditions, etc., within the depth of focus.例文帳に追加

本発明は、ビーム径の僅かな違いが生じることを防止して、焦点深度内におけるドーズ条件等の細かい変更を要しない電子ビーム描画方法及びその方法にて描画された基材並びに電子ビーム描画装置を提供する。 - 特許庁

The detector 30 has a structure installed with a shielding body 33 for continuously or gradually changing the range of the beam, and a plurality of ionization chambers 37 on the subsequent stage thereof, and constitutes the depth-directional dose distribution measuring device 39 along with a signal processor 31.例文帳に追加

検出器３０は、ビームの飛程を連続的又は段階的に変更する遮蔽体３３とその後段に電離箱３７を複数設置した構造を有し、信号処理装置３１と共に深さ方向線量分布測定装置３９を構成する。 - 特許庁

When calibrating the sensors, a first dose measurement is performed under a predetermined condition after the sensor group 20 is moved to the same depth, and then a second measurement is performed at the sensor configuration by turning around by 1 interval in the round direction centered around the Z axis 12, and the sensor is calibrated by comparing the two measurement results.例文帳に追加

センサ校正時は、センサ群２０を同一深さに移動後、所定条件下での一度目の線量計測を行い、次に、Ｚ軸１２を中心として周方向に１間隔分回転させたセンサ配置で二度目の線量計測を行い、二度の測定結果を比較することでセンサ校正を行う。 - 特許庁

The method capable of irradiating semiconductor wafers with ten times of electron beams in conventional irradiation time by irradiating two or more laminated semiconductor wafers with electron beams from the surface side of the uppermost semiconductor wafer or the rear face of the lowermost semiconductor wafer, and improving a dose distribution characteristic in the depth direction of a sample to be irradiated, is obtained.例文帳に追加

二枚以上の半導体ウェハを重ねて最上段の表側または最下段の裏面から，或る強度以上のエネルギーで電子線照射を行うことによって，照射される試料の深さ方向の線量分布特性を改良し従来の時間で１０倍の照射が可能な工法を創案した。 - 特許庁

A plurality of plate boluses 44A to 44J are inserted into a radiation irradiation opening 15, respectively in accordance with arrival doses in the necessary depth direction of passed radiation with plate bolus slide mechanisms 46A to 46J, and radiation to unnecessary irradiation areas is shielded with a collimator 50 in accordance with a necessary plane dose distribution.例文帳に追加

複数のプレートボーラス４４Ａ〜４４Ｊを、通過した放射線の必要な深さ方向到達線量に応じて、それぞれプレートボーラススライド機構４６Ａ〜４６Ｊにより放射線照射開口１５に挿入すると共に、必要な平面的線量分布に応じて、コリメータ５０により不要な照射領域に対する放射線を遮蔽する。 - 特許庁

A process where a C60 fullerene thin film having film thickness of penetration depth of low-energy nitrogen ions is fist vapor-deposited by the flash method and simultaneously low-energy nitrogen ions are implanted by the desired total dose is repeated until the desired thin film thickness is obtained by controlling film deposition rate in the flash method, by which the nitrogen-implanted C60 fullerene thin film can be manufactured.例文帳に追加

本発明は、フラッシュ法による成膜速度調節により、先ずフラッシュ法により低エネルギー窒素イオンの侵入深さ膜厚のC60フラーレン膜を蒸着し、同時に低エネルギーの窒素イオンを所望のドーズ量注入する工程を所望の薄膜厚になるまで繰り返すことにより窒素注入C60フラーレン薄膜を作製する。 - 特許庁