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drain currentの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1215件
Drain current I4 of a transistor N2 shows a current value corresponding to the drain current I3 of the transistor N1.例文帳に追加
トランジスタN2のドレイン電流I4はトランジスタN1のドレイン電流I3に対応した電流値になる。 - 特許庁
CHANGEOVER CURRENT D/A CONVERTER CAPABLE OF MINIMIZING CURRENT DRAIN例文帳に追加
電流ドレインを最小限に抑えた切換電流D/A変換器 - 特許庁
Electric parameters such as a threshold voltage, a transformer conductance, a linear drain current, a saturation drain current are observed.例文帳に追加
スレッショルド電圧,トランスコンダクタンス,リニアドレイン電流,飽和ドレイン電流などの電気的パラメータを観測する。 - 特許庁
The respective transistors P3, N1 are connected in series and common drain current I3 flows to them and the drain current I3 shows a current value corresponding to drain current I1 of a transistor P1.例文帳に追加
各トランジスタP3,N1は直列接続されて共通のドレイン電流I3が流れ、ドレイン電流I3はトランジスタP1のドレイン電流I1に対応した電流値になる。 - 特許庁
Drain current of each transistor M3, M4 is equal to constant current I2 of a constant current source 12.例文帳に追加
各トランジスタM3,M4のドレイン電流は定電流源12の定電流I2と等しい。 - 特許庁
To reduce gate leakage current while reducing current collapse and increasing drain current.例文帳に追加
電流コラプスを低減し、ドレイン電流を増大しながら、ゲートリーク電流を減少できるようにする。 - 特許庁
An initial threshold voltage Vt, an initial linear drain current Idlin1, and an initial saturation drain current Idsat1 are measured.例文帳に追加
初期しきい値電圧Vt、初期線形ドレイン電流Idlin1及び初期飽和ドレイン電流Idsat1を測定する。 - 特許庁
This drain current flows through the transistor PM22 of the constant current circuit part 20.例文帳に追加
このドレイン電流は、定電流回路部20のトランジスタPM22にも流れる。 - 特許庁
This drain treatment method is characterized in placing a pair of electrodes in such drain and conducting current through the electrodes, to electrolyze the drain to decolorize the drain and to decompose organic matter in the drain.例文帳に追加
排水に電極を配し、該電極に通電し、電気分解を行うことにより該排水を脱色しかつ排水中の有機物を分解することを特徴とする。 - 特許庁
Consequently, the drain current ID is clamped to a clamp current ID(CL) corresponding to a reference current Ir.例文帳に追加
これにより、ドレイン電流ID が参照電流Irに相当するクランプ電流ID(CL)にクランプされる。 - 特許庁
A current flows from the drain terminal through a resistance 14.例文帳に追加
ドレイン端子から抵抗14を介して電流が流れる。 - 特許庁
The drain current of the transistor M2 is outputted from a detection terminal 13 as the current signal proportional to the drain current of the power transistor M1.例文帳に追加
そして、トランジスタM2のドレイン電流がパワートランジスタM1のドレイン電流に比例した電流信号として検出用端子13から出力される。 - 特許庁
Allow the output buffer to drain, and set the current serial port settings. 例文帳に追加
排出 (drain) を行うための出力バッファの使用を許可し、現在のシリアルポートの設定を変更する。 - JM
To improve drain current characteristics in a diamond FET.例文帳に追加
ダイヤモンドFETにおいて、ドレイン電流特性を改善すること。 - 特許庁
To prevent that the peak of a drain current becomes too small in a gas sensor.例文帳に追加
ガスセンサにおいて、ドレイン電流のピークが小さくなり過ぎる。 - 特許庁
SOURCE-DRAIN CURRENT MODELING METHOD AND DEVICE OF THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加
薄膜トランジスタのソース−ドレイン電流モデリング方法及び装置 - 特許庁
Thus, the gate induction drain leakage current can be reduced.例文帳に追加
これにより、ゲート誘導ドレーン漏れ電流を下げることができる。 - 特許庁
Resistance value of a path of drain current of each cell Q1 to Q26 is controlled such that the density of drain current of each cell to be almost the same.例文帳に追加
各セルQ1 〜Q26のドレイン電流の通路の抵抗値をコントロ−ルし、各セルのドレイン電流の密度をほぼ同一にする。 - 特許庁
As a result, the bias current of the drain of the transistor Q2 is reduced and the bias current of the drain of the transistor Q2 is reduced as well.例文帳に追加
その結果、トランジスタQ2のドレインのバイアス電流は少なくなり、トランジスタQ2のドレインのバイアス電流も少なくなる。 - 特許庁
The current-limiting resistor 15 is connected to a drain of a Tr17 while the current- limiting resistor 16 is connected to a drain of a Tr18.例文帳に追加
電流制限抵抗15はTr17のドレインに、電流制限抵抗16はTr18のドレインにそれぞれ接続される。 - 特許庁
The voltage drop is measured to judge the stationary drain current of the FET amplifier 14, thereby maintaining the drain current in a desired operating point.例文帳に追加
この電圧降下を測定して、FET増幅器(14)の静止ドレイン電流を判定し、ドレイン電流を所望の動作点に維持する。 - 特許庁
To enhance calculation accuracy of the drain current of an MOS transistor.例文帳に追加
MOSトランジスタのドレイン電流の計算の精度を向上させる。 - 特許庁
The N-type drain layer 11a is turned to a current route where an on-state current of the bidirectional switch flows.例文帳に追加
該N型ドレイン層11aを双方向スイッチのオン電流の流れる電流経路とする。 - 特許庁
Furthermore, the bipolar transistor circuit (7) is turned on and collector current compensates drain current of the level shift transistor (4T).例文帳に追加
更にバイポーラトランジスタ回路(7)がオンし、コレクタ電流がレベルシフトトランジスタ(4T)のドレイン電流を補う。 - 特許庁
To suppress an increase in leakage current between a gate electrode and a drain region.例文帳に追加
ゲート電極とドレイン領域間のリーク電流の増加を抑制する。 - 特許庁
A detection circuit 40 detects a drain current of the sense transistor 6.例文帳に追加
検出回路40は、センストランジスタ6のドレイン電流を検出する。 - 特許庁
A power MOSFET for switching on and off a load current of a load connected to the drain, and a MOSFET for receiving a fed constant current at the drain as a reference for detecting the current, are wired in the source-common and drain-common connection to form a current mirror circuit.例文帳に追加
ドレインに接続された負荷の負荷電流を開閉するパワーMOSFETと、電流検出の基準となる定電流の供給をドレインに受けるMOSFETとをソース共通、ドレイン共通に接続してカレントミラー回路を構成する。 - 特許庁
The drain current of the transistor M4 is a value obtained by adding a constant current I3 of a constant current source 13 to a backward current I4 of a Zener diode ZD.例文帳に追加
トランジスタM4のドレイン電流は、定電流源13の定電流I3と、ツェナーダイオードZDの逆方向電流I4との加算値である。 - 特許庁
The sum of the drain current ID1 of the MOS transistor M1 and the output current ISQ-/2 of the current mirror circuit 2 forms a differential output current I+.例文帳に追加
MOSトランジスタM1のドレイン電流I_D1とカレントミラー回路2の出力電流I_SQ^−/2との和が、差動出力電流I^+を形成する。 - 特許庁
To suppress decrease in drain current when a high-resistance component is added to one of a source and a drain.例文帳に追加
ソース及びドレインのいずれか一方に高抵抗成分が付加されたときドレイン電流の低下を抑制する。 - 特許庁
When a drain current of a power transistor Qa of a voltage control circuit A becomes large, a drain current I2 of a mirror transistor Qb of a current limit circuit B and a current I3 flowing through a transistor Q3 of a current mirror circuit also become large.例文帳に追加
電圧制御回路AのパワートランジスタQaのドレイン電流が大きくなると、電流制限回路BのミラートランジスタQbのドレイン電流I2、カレントミラー回路のトランジスタQ3を流れる電流I3も大きくなる。 - 特許庁
To increase drain current (to enhance current drivability) of an n-type FET and a p-type FET.例文帳に追加
n型FET及びp型FETのドレイン電流の増加(電流駆動能力の向上)を図る。 - 特許庁
This current transistor Ma is controlled by a drain voltage A of the constant-current transistor M2.例文帳に追加
この補助電流トランジスタMaは、第2の定電流トランジスタM2のドレイン電圧Aによって制御される。 - 特許庁
Carrying electric current Is to be measured between the drain-sources of FET Q1, and by amplifying the voltage Vds between the drain-sources with an operational amplifier, U1, the output voltage, Vo, is acquired proportional to the current, Is.例文帳に追加
FET Q1のドレイン・ソース間に被測定電流Isを流し、ドレイン・ソース間電圧VdsをオペアンプU1で増幅して電流Isに比例した出力電圧Voを得る。 - 特許庁
A fixed drain current flows to the light shielding phototransistor T0 by the constant current source 2, and the drain voltage of the light shielding phototransistor T0 is floated.例文帳に追加
定電流源2によって一定のドレイン電流が遮光フォトトランジスタT0に流れ、遮光フォトトランジスタT0のドレイン電圧が浮動状態になる。 - 特許庁
A transient current between the source and the drain is described as the total of a steady-state current and a displacement current regarding as a time variation proportion of a quasi-static carrier density between the source and the drain.例文帳に追加
ソース・ドレイン間の定常電流と準静的なキャリアの密度の時間変化の割合としての変位電流との和として、ソース・ドレイン間の過渡電流を記述する。 - 特許庁
A drain current reduction rate calculation unit 13 calculates a drain current reduction rate of each transistor based on the deterioration index, and a propagation delay increase rate calculation unit 14 calculates a propagation delay increase rate based on the drain current reduction rate.例文帳に追加
ドレイン電流減少率算出部13は、劣化指標に基づき、トランジスタのドレイン電流減少率を算出し、伝播遅延増加率算出部14は、ドレイン電流減少率に基づき、伝播遅延増加率を算出する。 - 特許庁
Since the drain current of the MOS TR T3 is determined by a current flowing from the constant current source 9, the gate voltage of the MOS TR T1 is reset so as to be a value corresponding to the drain current.例文帳に追加
このとき、MOSトランジスタT3のドレイン電流が定電流源9から流れる電流によって決まるため、MOSトランジスタT1のゲート電圧がこのドレイン電流に応じた値となるようにリセットされる。 - 特許庁
A current adjustment circuit 60 makes the drain current Id1 that flows to a transistor QN1 and the drain current Id2 that flows to a transistor QN2 in the multistage amplifier circuit 50 current values different from each other.例文帳に追加
多段増幅回路50内のトランジスタQN1に流れるドレイン電流Id1とトランジスタQN2に流れるドレイン電流Id2とは、電流調整回路60によりそれぞれ異なった電流値とすることができる。 - 特許庁
Current equivalent to control current I1 of the oscillator OSC1 is caused to flow as drain current I3 of an n type MOS transistor Q2.例文帳に追加
この発振器OSC1の制御電流I1と等しい電流がn型MOSトランジスタQ2のドレイン電流I3として流れる。 - 特許庁
To provide a semiconductor device equipped with a MOS transistor capable of adjusting a drain voltage-drain current temperature characteristic.例文帳に追加
ドレイン電圧−ドレイン電流温度特性を調整できるMOSトランジスタを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁
Current sources 14 and 15 are connected to the drain terminals of the transistors 11 and 12 respectively.例文帳に追加
トランジスタ11,12のドレイン端子に各々電流源14,15を接続する。 - 特許庁
To suppress a leakage current between: a PN junction of source/drain regions; and a contact.例文帳に追加
ソース/ドレイン領域のPN接合部とコンタクト間のリーク電流を抑制する。 - 特許庁
The one of the direct current low pressure power supply type is used as the drain pump.例文帳に追加
前記ドレンポンプとしては直流低圧電源型のものが使用されている。 - 特許庁
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| この対訳コーパスは独立行政法人情報通信研究機構の研究成果であり、Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0 Unportedでライセンスされています。 |
| Copyright (c) 2001 Robert Kiesling. Copyright (c) 2002, 2003 David Merrill. The contents of this document are licensed under the GNU Free Documentation License. Copyright (C) 1999 JM Project All rights reserved. |
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