「facing target sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

FACING TARGET TYPE SPUTTERING APPARATUS FOR THIN FILM COMPOSITE MEMBRANE例文帳に追加

複層膜用対向ターゲット式スパッタ装置 - 特許庁

FACING TARGET SPUTTERING SYSTEM例文帳に追加

対向ターゲット式スパッタリング装置 - 特許庁

FACING TARGET TYPE SPUTTERING APPARATUS CAPABLE OF CONTROLLING COMPOSITION RATIO例文帳に追加

組成比制御が可能な対向ターゲット式スパッタ装置 - 特許庁

To provide a facing target sputtering apparatus and a facing target sputtering method in each of which a film deposition rate is improved.例文帳に追加

成膜速度を向上させた対向ターゲット式スパッタ装置及び対向ターゲット式スパッタ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a facing-target type sputtering apparatus having an improved film-forming speed, and to provide a facing-target type sputtering method.例文帳に追加

成膜速度を向上させた対向ターゲット式スパッタ装置及び対向ターゲット式スパッタ方法を提供する。 - 特許庁

FACING TARGET SPUTTERING DEVICE AND METHOD例文帳に追加

対向ターゲットスパッタ装置及び対向ターゲットスパッタ方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT EMITTING ELEMENT USING FACING TARGET TYPE SPUTTERING DEVICE例文帳に追加

対向ターゲット式のスパッタリング装置を用いた有機発光素子の製造方法 - 特許庁

BOX TYPE FACING TARGET SPUTTERING SYSTEM, AND METHOD OF PRODUCING COMPOUND THIN FILM例文帳に追加

箱型対向ターゲット式スパッタ装置及び化合物薄膜の製造方法 - 特許庁

A substrate 34 is disposed facing the front side of the target 32 in a sputtering chamber 30.例文帳に追加

スパッタリングチャンバ３０内に基板３４をターゲット３２前面に向かうように配置させる。 - 特許庁

To provide a film-forming method by sputtering, which can efficiently form the thin film with the use of a facing-target type sputtering apparatus.例文帳に追加

対向ターゲット式スパッタ装置を用いて能率良く薄膜を形成できるスパッタ成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic light emitting display and a deposition method for depositing an electrode or a passivation layer by means of a box cathode sputtering method or a facing target sputtering method by mixing Ar with an inert gas heavier than Ar.例文帳に追加

Ａｒよりさらに重い非活性ガスをＡｒと混合してボックスカソードスパッタリング(Box Cathode Sputtering)あるいは対向ターゲットスパッタリング（Facing Target Sputtering法で電極またはペッシベーション層を蒸着させた有機発光表示装置及び蒸着方法を提供する。 - 特許庁

The target base 1 has a rotating shaft and can rotate, so that the sputtering apparatus can continually perform a sputtering treatment for the substrate while switching the target facing to the substrate by rotating the target base 1.例文帳に追加

またターゲット基台１は回転軸を有し、回転可能であるので、基板に対向するターゲットを回転によって切替えて連続的にスパッタリング処理することが可能である。 - 特許庁

After pre-sputtering, a substrate is transported to a position facing to the target, and the film formation treatment on the substrate is started.例文帳に追加

そして、プレスパッタ後に、前記ターゲットに対向する位置に基板を搬送し、前記基板への成膜処理を開始する。 - 特許庁

To provide an apparatus capable of controlling the composition ratio of a thin film when forming a compound thin film by the facing target type sputtering method.例文帳に追加

対向ターゲット式スパッタ法による化合物薄膜の作成において、薄膜の組成比を制御することのできる装置を提供する。 - 特許庁

To achieve faster deposition rate of a magnetic material film as well as long-term deposition stability in a facing target type sputtering apparatus.例文帳に追加

対向ターゲット式スパッタ装置において、磁性体膜の成膜速度を高速化するとともに、長時間の成膜安定性を実現する。 - 特許庁

To provide a facing target sputtering system in which the exchanging frequency of targets can be reduced by increasing the total quantity of erosion to one target, and, also, in reactive sputtering, stable sputtering is maintained, and film deposition can smoothly be performed.例文帳に追加

一つのターゲットに対する総エロージョン量を増やすことで、該ターゲットの交換頻度を少なくすると共に、反応性スパッタにおいても、安定したスパッタを持続させて、成膜を円滑に行なうことができる対向ターゲット式スパッタ装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

The facing target sputtering method comprises the steps of: arranging a pair of facing targets 1, 2 in a vacuum vessel 6; applying a voltage between the pair of facing targets to discharge electricity; and depositing a reactive film by sputtering the target while controlling a flow rate of a reactive gas so that the quantity of the light to be emitted from the target becomes predetermined one.例文帳に追加

本発明に係る対向ターゲット式スパッタ方法は、対向する一対のターゲット１，２を真空容器６内に配置し、前記一対のターゲットに電力を印加して放電させ、前記ターゲットから発生する発光が所定の発光量になるように反応性ガスの流量を制御しながらスパッタリングにより反応性膜を成膜するものである。 - 特許庁

To provide a facing target sputtering system where the damage of a substrate and a film deposited on the substrate caused by charged particles during plasma generated in sputtering can be suppressed.例文帳に追加

スパッタで生じたプラズマ中の荷電粒子による基板及び基板上に成膜された皮膜の損傷を抑制できる対向ターゲット式スパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

This method comprises arranging substrates 130 in several positions on a side of the target 121 in the facing-target type sputtering apparatus 10, and simultaneously forming the films on these substrates 130.例文帳に追加

対向ターゲット式スパッタ装置１０のターゲット１２１の側方の複数箇所に基板１３０を配置し、これらの基板１３０に対し同時に成膜する。 - 特許庁

In this sputtering method, when a film deposition on a first treatment substrate S is completed and then a next treatment substrate is conveyed to a position facing a target, the magnetic flux formed in front of the target is moved in parallel to the target and held, thereby performing the film deposition in this state.例文帳に追加

最初の処理基板Ｓへの成膜が終了し、ターゲットに対向した位置に次の処理基板を搬送する際に、ターゲットに前方に形成した磁束をターゲットに対して平行移動させて保持し、この状態で成膜する。 - 特許庁

When depositing a thin film by sputtering a target 402 on a surface of a substrate 110 arranged facing the target 402, the spacing (TS) between the surface of the target 402 and the surface of the substrate 110 is set to be ≥100 mm.例文帳に追加

ターゲット４０２に対向して配置された基板１１０の表面に、ターゲット４０２をスパッタリングすることによって薄膜を形成する際、ターゲット４０２の表面と基板１１０の表面との間隔（ＴＳ）が１００ｍｍ以上となるようにする。 - 特許庁

FILM-FORMING METHOD BY DIRECT-CURRENT REACTIVE FACING TARGET TYPE SPUTTERING, PURE YTTRIA CORROSION-RESISTANT FILM FORMED WITH THE FILM-FORMING METHOD, AND CORROSION-RESISTANT QUARTZ ASSEMBLY例文帳に追加

直流反応性対向ターゲット方式スパッタリング成膜方法、その成膜方法によって形成される純イットリア耐食膜、及び耐食性石英構成体 - 特許庁

The method also comprises employing two such facing target-type sputtering apparatuses 10a and 10b, and alternately forming the thin films on both sides of the substrates 130 from the targets 121a and 121b made of different materials.例文帳に追加

２台のこのような対向ターゲット式スパッタ装置１０ａ、１０ｂを用い、基板１３０の両面に異なる材料のターゲット１２１ａ、１２１ｂから薄膜を交互に形成する。 - 特許庁

In the vacuum film deposition apparatus which performs film deposition on the surface of a substrate held by a substrate holding unit, a facing target type sputtering device, a reaction gas introducing device and the substrate holding unit are provided in a vacuum film deposition chamber.例文帳に追加

基板保持部に保持された基板表面上に成膜をおこなう真空成膜装置において、真空成膜室内に対向ターゲット式スパッタ装置と反応性ガス導入装置と基板保持部とを備える構成とした。 - 特許庁

In the sputtering apparatus, either a side face 8a of a target 8 or a side face 6b of an upper shield 6 facing the side face 8a is formed from a blasted face subjected to blasting and a mirror face subjected to mirror treatment.例文帳に追加

スパッタリング装置において、ターゲット８の側面８ａまたは側面８ａに対向するアッパシールド６の側面６ｂのいずれか一方の面がブラスト処理したブラスト面と鏡面処理した鏡面より形成されている。 - 特許庁

The composition ratio is controlled by using compound targets of different compositions for two facing targets 5, 6 of a facing target type sputtering apparatus, and arranging a substrate holder 4 at a diversified angle to the right or to the left from the vertical direction to the parallel direction with respect to the targets.例文帳に追加

対向ターゲット式スパッタ装置の相対する２個のターゲット５，６に組成の異なる化合物ターゲット用い、かつ基板ホルダー４をターゲットに対して垂直から平行まで左または右に様々な角度をつけることによって組成比を制御する。 - 特許庁

The magnetron sputtering device comprises a cathode 4 which is located in a vacuum chamber 2 to hold a target 3, an anode 6 for holding a substrate 5 facing the target 3 side of the cathode 4, and a magnet unit 7 located below the cathode 4 for generating the magnetic field.例文帳に追加

真空チャンバ２内にあって、ターゲット３を保持するカソード４と、このカソード４の上方にあって、カソード４のターゲット３側と対向するようにした基板５を保持するアノード６と、カソード４の下方にあって磁界を発生させるための磁石ユニット７と、からなる。 - 特許庁

When sputtering a target 17 whose main component is composite oxide dielectrics, a substrate S is arranged with its surface facing the target 17, and an electrode face 15a of an opposing electrode 15 connected to a ground potential and located around the surface S is made to go up and down along a normal direction of the substrate S.例文帳に追加

複合酸化物誘電体を主成分とするターゲット１７をスパッタするとき、基板Ｓの表面をターゲット１７に向けて配置し、接地電位に接続されて基板Ｓの周囲に位置する対向電極１５の電極面１５ａを基板Ｓの法線方向に沿って昇降させる。 - 特許庁

In the system where the thin film is continuously deposited onto a substrate moving in the position facing a cathode arranged in a sputtering chamber by sputtering a target material located on the surface of the cathode, two magnetron magnetic circuits are arranged on the back side of the cathode of equipotential and constituted in such a way that two magnetron plasmas each having a closed loop can be generated.例文帳に追加

スパッタ室内に配置されたカソードに対向した位置を移動する基板に対し、カソード表面に設置されたターゲット材をスパッタすることにより連続的に薄膜を形成する装置において、同電位のカソード背面に２つのマグネトロン磁気回路を配置し、それぞれ閉じたループを有するマグネトロンプラズマを２つ発生させるように構成される。 - 特許庁

The facing-target type sputtering method comprises: applying an electric power to a pair of targets 1 and 2 arranged in a vacuum vessel 6, to discharge them; controlling a flow rate of a reactive gas so that the targets can emit a predetermined level of light; and forming a reactive film by sputtering the targets.例文帳に追加

本発明に係る対向ターゲット式スパッタ方法は、対向する一対のターゲット１，２を真空容器６内に配置し、前記一対のターゲットに電力を印加して放電させ、前記ターゲットから発生する発光が所定の発光量になるように反応性ガスの流量を制御しながらスパッタリングにより反応性膜を成膜するものである。 - 特許庁

In the magnetic recording medium 10, the magnetic layer 3 made of a maghemite thin film at least containing cobalt is formed on the substrate 1 made of plastic film; and the maghemite thin film containing cobalt is formed by subjecting the maghemite thin film containing cobalt formed by a facing target sputtering method to oxidation treatment.例文帳に追加

プラスチックフィルムよりなる基体１上に、少なくともコバルト含有マグヘマイト薄膜よりなる磁性層３とが形成された構成を有し、コバルト含有マグヘマイト薄膜は、対向ターゲット式スパッタ法により形成されたコバルト含有マグネタイト薄膜を酸化処理することによって形成された磁気記録媒体１０を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a photomask blank having a thin film for forming at least a pattern on a transparent substrate is characterized in that the thin film is formed by sputtering a target facing the position to which the center axis of the substrate shifts while the substrate is rotated.例文帳に追加

透明基板上に少なくともパターンを形成するための薄膜を有するフォトマスクブランクの製造方法において、前記薄膜を、前記基板を回転させながら、前記基板の中心軸からその中心軸がずれた位置に対向するターゲットをスパッタリングすることによって成膜することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。 - 特許庁

According to one embodiment, the sputtering apparatus is provided with grounding counter electrodes disposed around a substrate holding section in a vacuum chamber, and the grounding counter electrodes has, in the surfaces of the counter electrodes facing the targets, a plurality of openings which extend toward the deep parts of the counter electrodes while inclining at an angle 10 to 70° with respect to the direction perpendicular to the target surface.例文帳に追加

本発明の一実施例によれば、スパッタリング装置の真空チャンバー内に、基板保持部の周囲に設けられた接地対向電極が、対向電極のターゲットに対向する表面に、ターゲット表面に垂直な方向に対し、１０°乃至７０°の角度で傾斜して対向電極の深部に向かって延在する複数の開口部を有することを特徴とするスパッタリング装置である。 - 特許庁

This organic light emitting display includes: a substrate S; a thin film transistor 170 formed on the substrate S; a first electrode 110 formed on the thin film transistor 170; an organic layer 130 formed on the first electrode 110; and a second electrode layer 150 sputter-deposited on the organic layer 130 by mixing Ar gas with an inert gas heavier than Ar using a box cathode sputtering method or a facing target sputtering method.例文帳に追加

基板Ｓと、基板Ｓ上に形成された薄膜トランジスタ１７０と、薄膜トランジスタ１７０上に形成された第1電極１１０と、第1電極１１０上に形成された有機物層１３０と、有機物層１３０上に、ボックスカソードスパッタリング法、または対向ターゲットスパッタリング法を利用してＡｒガスにＡｒより重い非活性ガスを混合させてスパッタ蒸着される第2電極層１５０とを備えている。 - 特許庁