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first typeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7397件
The drawing electrode 105 is composed of first conductivity-type second polysilicon doped with first conductivity-type second impurities different from the first impurities.例文帳に追加
引出電極105は、第1の不純物とは異なる、第1導電型の第2の不純物がドープされた第1導電型の第2のポリシリコンからなる。 - 特許庁
The first mesa 21 includes a first conductivity type semiconductor layer 20, and has a portion where the electrode 61 of the first conductivity type semiconductor layer 20 is formed.例文帳に追加
第1メサ21は、第1導電型の半導体層20を含み、第1導電型の半導体層20の電極61が形成される部分を有する。 - 特許庁
A first P-type transistor 22 in the first circuit has a gate connected with the drain of an N-type transistor 36 in the second circuit, and a first P-type transistor 32 in the second circuit has a gate connected with the drain of an N-type transistor 26 in the first circuit.例文帳に追加
第1の回路の第1のP型トランジスタ22のゲートは第2の回路のN型トランジスタ36のドレインに接続され、第2の回路の第1のP型トランジスタ32のゲートは第1の回路のN型トランジスタ26のドレインに接続される。 - 特許庁
The respective ones of the multi-type data objects include at least one object of a first type and at least one object of a second type that is different from the first type.例文帳に追加
複数のマルチ型データオブジェクトのそれぞれのオブジェクトには、第1の型の少なくとも1つのオブジェクト、および第1の型とは異なる第2の型の少なくとも1つのオブジェクトを含む。 - 特許庁
The p-type dopant concentration N_P1 of the first p-type embedded layer 15 is lower than the p-type dopant concentration N_P2 of the second p-type embedded layer 19.例文帳に追加
第1のp型埋込層15のp型ドーパント濃度N_P1は第2のp型埋込層19のp型ドーパントの濃度N_P2より低い。 - 特許庁
Also, as to the image data whose image type has not been judged to be the first type, whether or not the type of the image is the second type is decided.例文帳に追加
また、上記第1の種類であると判定されなかった画像データについて、その画像が第2の種類であるか否かを判定する。 - 特許庁
A n-type impurity concentration of the second n-type layer 112 is higher than those of the first n-type layer 111 and the third n-type layer 113.例文帳に追加
第2n型層112のn型不純物濃度は、第1n型層111、第3n型層113のn型不純物濃度よりも高い。 - 特許庁
The semiconductor comprises triple wells consisting of a first well 35 of a first conductive type (P-type) formed at a silicon substrate 21, the second well 29 of a second conductive type (N-type) adjacent to the first well 35, and the third well 41 of the first conductive type (P-type) formed within the second well 29.例文帳に追加
半導体装置は、シリコン基板21に形成された第1導電型(P型)の第1のウェル35と、第1のウェル35と隣接する第2導電型(N型)の第2のウェル29と、第2のウェル29内に形成された第1導電型(P型)の第3のウェル41と、からなるトリプルウェルを含む。 - 特許庁
A semiconductor device in an embodiment comprises: in sequence, a first electrode 13; a first semiconductor layer 1 of a first conductivity type; a second semiconductor layer 2 of a first conductivity type; a third semiconductor layer 3 of a second conductivity type; and a fourth semiconductor layer 4 of a first conductivity type.例文帳に追加
実施形態の半導体装置は、第1の電極13、第1導電形の第1の半導体層1、第1導電形の第2の半導体層2、第2導電形の第3の半導体層3、第1導電形の第4の半導体層4を順に備える。 - 特許庁
The p-type clad region 15, the first i-type buried layer 35 and the n-type buried layer 33 form a pin structure.例文帳に追加
p型クラッド領域15、第1のi型埋め込み層35及びn型埋め込み層33がpin構造を成す。 - 特許庁
In the plurality of P-type body layers 6, an N^+-type first source layer 7 and an N^+-type second source layer 9 are alternately formed.例文帳に追加
複数のP型ボディ層6にはN+型第1ソース層7とN+型第2ソース層9を交互に形成する。 - 特許庁
At first, an N-type embedded region 5 and P-type embedded regions 6 are formed on a P-type semiconductor base board 4.例文帳に追加
まず、P型半導体基板4上にN型埋め込み領域5およびP型埋め込み領域6を形成する。 - 特許庁
The conductive type of the first conductive type electrode 204 is opposite to that of the second conductive type electrode 210.例文帳に追加
第1の導電型電極204の導電型と第2の導電型電極の導電型210とは反対である。 - 特許庁
The p-type first buried layer 70a_1 is composed of InP doped with n-type impurities and p-type impurities (Zn).例文帳に追加
p型第1埋め込み層70a_1は、n型不純物及びp型不純物(Zn)がドープされたInPからなる。 - 特許庁
A first n type conductive area 2 and a second n type conductive area 3 are formed on a p type semiconductor substrate 100.例文帳に追加
P型の半導体基板100に第1N型導電領域2、第2N型導電領域3を形成する。 - 特許庁
The gate protection diode 30 includes a first p-type region 31, an n-type region 32, and a second p-type region 33.例文帳に追加
ゲート保護ダイオード30は、第1のp型領域31とn型領域32と第2のp型領域33とを含む。 - 特許庁
The first switch SW1 includes a first diffusion layer region 11 of a first conductive p-type formed on a substrate 15 of the first conductive p-type, and a first MOS transistor 10 formed on the first diffusion layer region 11.例文帳に追加
第1スイッチSW1は、第1導電型Pの基板15上に形成された第1導電型Pの第1拡散層領域11と、第1拡散層領域11上に形成された第1MOSトランジスタ10とを備える。 - 特許庁
A first n-type conductive area 2 and a second n-type conductive area 3 are formed on a p-type semiconductor substrate 1, and first p-type conductive areas 4, 5, and 6 are formed in the first conductive area 2, and second p-type conductive areas 7, 8, and 9 are formed in the second n-type conductive area 3.例文帳に追加
P型の半導体基板1に第1N型導電領域2、第2N型導電領域3を形成し、第1N型導電領域2内に第1P型導電領域4,5,6、前記第2N型導電領域3内にP型の第2P型導電領域7,8,9を形成する。 - 特許庁
A first N-type region 12b is formed in contact with the P-type region 7b of the channel region in a source region 14 which is a P-type, and a second N-type region 11a having a larger impurity density than the first N-type region 12b is formed in contact with the first N-type region 12b.例文帳に追加
P型であるソース領域14において、第1のN型領域12bをチャネル領域のP型領域7bに接して形成し、第1のN型領域12bに接してそれよりも不純物密度の大きい第2のN型領域11aを形成する。 - 特許庁
In a source region 14, which is P-type, a first N-type region 12b is formed in contact with the P-type region 7b in the channel region, and a second N-type region 11a having a larger impurity density than that of the first N-type region 12b is formed in contact with the first N-type region 12b.例文帳に追加
P型であるソース領域14において、第1のN型領域12bをチャネル領域のP型領域7bに接して形成し、第1のN型領域12bに接してそれよりも不純物密度の大きい第2のN型領域11aを形成する。 - 特許庁
A first conductivity-type first semiconductor region is provided inside a semiconductor, and a second conductivity-type second semiconductor region is provided between the first semiconductor region and the surface of the semiconductor so as to make first conductivity-type impurities contained in the semiconductor 1/4 or below as low in concentration as the first conductivity-type impurities contained in the first conductivity-type first semiconductor region.例文帳に追加
半導体内部に第1導電型の第1の半導体領域を設け、含有される第1導電型の不純物の濃度が第1の半導体領域の前記第1導電型の不純物濃度の4分の1より小さくなる様に第2導電型の第2の半導体領域を第1の半導体領域と半導体の表面との間に設ける。 - 特許庁
And also, the female-type connector 14 is equipped with a first female-type housing 45 and a second female-type housing 46, an upper end part 60 of the second female-type housing 46 is stored in a second storing room 50 of the first female-type housing 45.例文帳に追加
また、雌型コネクタ14は第1雌型ハウジング45と第2雌型ハウジング46とを備え、第2雌型ハウジング46の上端部60は第1雌型ハウジング45の第2収容室50内に収容される。 - 特許庁
The first-type semiconductor chip includes many memory cells.例文帳に追加
第1の種類の半導体チップは、複数のメモリセルを含んでいる。 - 特許庁
An insulating separation structure is arranged in the low-doping region, and the first-type doping region is arranged in the first-type well.例文帳に追加
絶縁分離構造を前記低ドーピング領域内に配置し、第1タイプドーピング領域を前記第1タイプウエル内に配置する。 - 特許庁
The collector region is formed in the first conductivity-type region.例文帳に追加
コレクタ領域は第1導電型領域に形成されている。 - 特許庁
The gate is formed on the first conductivity type substrate.例文帳に追加
1つのゲートは、第1の1つの導電型基板に形成される。 - 特許庁
Then, a visible region only displaying the first type area is defined.例文帳に追加
第1タイプ領域だけを表示する可視範囲が定義される。 - 特許庁
The first crystal control layer 4 is formed with an L12 type alloy.例文帳に追加
第一結晶制御層4はL12型合金で形成する。 - 特許庁
The optical amplifier includes a second conductive type first clad layer, a second active layer, and a first conductive type second clad layer.例文帳に追加
光増幅器は、第2導電型の第1のクラッド層と、第2の活性層と、第1導電型の第2のクラッド層とを含む。 - 特許庁
First, gate structures 2 and 3 are formed on a p-type substrate 1.例文帳に追加
まず、p型基板1上に、ゲート構造2,3を形成する。 - 特許庁
The first barrier blade 3 has a hook-type regulation part 3H.例文帳に追加
第1のバリア羽根3は、フック型の規制部3Hを有する。 - 特許庁
First, a signal is received to add a complex data type to a table.例文帳に追加
まず、信号を受信し、複合データ型をテーブルに追加する。 - 特許庁
The first stage heat exchanger 10 is a parallel-flow down-flow type.例文帳に追加
第1段熱交換器10はパラレルフローのダウンフロータイプである。 - 特許庁
The first semiconductor layer 51, which is provided on the impurity layer 60, has a second conductive type different from the first conductive type.例文帳に追加
第1半導体層51は、不純物層60上に設けられ、第1導電型と異なる第2導電型を有している。 - 特許庁
The first conductivity type clad layer is formed on the substrate.例文帳に追加
第1導電型のクラッド層は、基板上に形成されている。 - 特許庁
The first side has a first-type Mott channel layer 107 and the second side has a second-type Mott channel layer 106.例文帳に追加
第1のサイドは、第1のタイプのモット・チャネル層107を有し、第2のサイドは、第2のタイプのモット・チャネル層106を有する。 - 特許庁
In the Source Editor, type the following code below the first attribute: 例文帳に追加
ソースエディタで、1 つ目の属性の下に次のコードを入力します。 - NetBeans
NAPHTHOL ODOR MASKING AGENT OF FIRST AGENT OF TWO-PACK TYPE OXIDATION HAIR DYE例文帳に追加
2剤型酸化染毛剤第1剤のナフトール臭マスキング剤 - 特許庁
The first type is one which is similar to the current catalogue of books. 例文帳に追加
まず、現代の図書目録の祖にあたるものが作成された。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
A semiconductor substrate having a first conductivity type is prepared.例文帳に追加
第1の型の導電性を有する半導体基板を提供する。 - 特許庁
In the photodiode, a first-conductivity-type region and a second-conductivity-type region are joined.例文帳に追加
フォトダイオードでは、第1導電型の領域と第2導電型の領域とが接合されている。 - 特許庁
A plurality of vias are formed in the layer of second conductivity type, penetrating to the layer of first conductivity type.例文帳に追加
複数のヴィアが、第2導電型層内に第1導電型層まで下って形成される。 - 特許庁
A pad type first controller 2 and a stick type second controller 3 are installed in a notebook computer.例文帳に追加
パッドタイプの第1コントローラ2とスティックタイプの第2コントローラ3を、ノート型のコンピュータに設ける。 - 特許庁
The connector 10 is provided with a male type first connecting body 40 and a female type second connecting body 50.例文帳に追加
コネクター10は、雄型の第一連結体40と、雌型の第二連結体50とを備える。 - 特許庁
A substrate 10 is a first-conductive-type, for example, a p-type semiconductor substrate (for example, a silicon substrate).例文帳に追加
基板10は第1導電型、例えばp型の半導体基板(例えばシリコン基板)である。 - 特許庁
The first p-type body region 50a and an n-type source region 120 are connected electrically.例文帳に追加
第1のp型ボディ領域50aと、n型ソース領域120とは、電気的に接続されている。 - 特許庁
The semiconductor pattern has the first conduction type or the second conduction type.例文帳に追加
前記第1半導体パターンは、前記第1導電型または前記第2導電型を有する。 - 特許庁
An n-type InGaAs layer 34 is provided on the first surface of the n-type InP substrate 32.例文帳に追加
n型InP基板32の表面上にn型InGaAs層34が設けられている。 - 特許庁
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