「first type」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The page table entries are respectively provided with a first- type memory cell and a second-type memory cell.例文帳に追加

ページテーブルエントリは各々、第１タイプのメモリセルと、第２タイプのメモリセルを有する。 - 特許庁

A side of the first P-type collector region 3b is also surrounded by the N-type region.例文帳に追加

第１のＰ型コレクタ領域３ｂの側面もＮ型領域に囲まれている。 - 特許庁

The first is on IRQ4, is using port address 0x3f8, and has a 16550A-type UART chip. 例文帳に追加

1 番目は、 irq が 4 で 0x3f8 のポートアドレスを使用しています。 そして、16550A-type UARTチップが存在します。 - FreeBSD

This heat pump type air conditioner is provided with first and second compression type heat pumps A, B and a humidifier 5.例文帳に追加

第１と第２の圧縮式のヒートポンプＡ、Ｂと、加湿器５と、を備える。 - 特許庁

The method will be passed the type object as the first parameter rather than an instance of the type.例文帳に追加

メソッドの最初の引数には、型のインスタンスではなく型オブジェクトが渡されます。 - Python

The plurality of elements are classified into elements of a first type and elements of a second type.例文帳に追加

複数の要素は、第１種の要素と、第２種の要素と、に分類されている。 - 特許庁

The tunnel junction includes a first electrically conductive type layer and a second electrically conductive type layer, both of which are thinner than a first conductive type layer and a second conductive type layer that surround the first active region.例文帳に追加

該トンネル接合は、第１の導電型の層及び第２の導電型の層を含み、両方とも第１の活性領域を取り囲む第１の導電型の層及び第２の導電型の層よりも薄い。 - 特許庁

A first N-type conductive region 2 and a second N-type conductive region 3 are formed on a P-type semiconductor substrate 1; and first P-type conductive regions 4, 5 and 6 inside the first N-type conductive region 2 and second P-type conductive regions 7, 8 and 9 inside the second N-type conductive region 3 are formed in point symmetry.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１に第１Ｎ型導電領域２、第２Ｎ型導電領域３を形成し、第１N型導電領域２内に第１Ｐ型導電領域４，５，６、前記第２Ｎ型導電領域３内に第２Ｐ型導電領域７，８，９を点対称に形成する。 - 特許庁

When a first player selects and inputs one type from a type input part 2a, the type of the first player is determined thereby.例文帳に追加

第１のプレイヤが、種別入力部２ａから１つの種別を選択して入力すると、これにより第１のプレイヤの種別が決定される。 - 特許庁

The capacitor array section 41 has first type capacitors 1C and second type capacitors 3C having a different capacity value from the first type capacitors 1C.例文帳に追加

キャパシターアレイ部４１には、第１型キャパシター１Ｃと、第１型キャパシター１Ｃとは容量値が異なる第２型キャパシター３Ｃとが設けられる。 - 特許庁

A first conductivity type first contact layer 2 is stacked on the support substrate 1.例文帳に追加

支持基板１上に第１導電型の第１コンタクト層２が積層されている。 - 特許庁

A first insulating film 19 is formed on the first n-type semiconductor film 17.例文帳に追加

第１絶縁膜１９を第１のｎ型半導体膜１７の上に成膜する。 - 特許庁

The structure (1) has a first face (2) and a first region of the first face (2) is in contact with a pad (5) composed of a semiconductor material of a second conductive type which is opposite to the first conductive type.例文帳に追加

当該構造(1)は第1面(2)を有し、該第1面(2)の第1領域は前記第1伝導型とは反対の第2伝導型の半導体材料からなるパッド(5)と接触する。 - 特許庁

A photoelectric conversion device 22 of the solar cell device 20 includes a spherical first semiconductor 24 of a first conductive type (p-type) and a second semiconductor 26 of a second conductive type (n-type) which is disposed around the first semiconductor (p-type).例文帳に追加

太陽電池装置２０の光電変換素子２２は、第１導電型（ｐ型）の球状の第１半導体２４と、第１半導体（ｐ型）の周りに設けられた第２導電型（ｎ型）の第２半導体２６とを含む。 - 特許庁

The first semiconductor layer has the first region 2 of a first conduction type, and the second region 3 of a first conduction type formed on the first region 2 and having impurity concentration lower than that of the first region 2.例文帳に追加

第１半導体層は、第１導電型の第１領域２と、該第１領域２の上に形成され、第１領域２よりも不純物濃度が低い第１導電型の第２領域３とを有している。 - 特許庁

Each of the first description and the second description is one of a textual type, a visual type and an audio type.例文帳に追加

第１デスクリプションと第２デスクリプションのそれぞれは、テキストタイプ、ビジュアルタイプ、およびオーディオタイプのうちの一つである。 - 特許庁

However, the first conductivity is p-type or n-type and the second conductivity is the other type.例文帳に追加

ただし、ｐ型またはｎ型のいずれか一方が第１導電型で他方が第２導電型であるとする。 - 特許庁

A first n-type conductive region 2 and a second n-type conductive region 3 are formed on a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１に第１Ｎ型導電領域２、第２Ｎ型導電領域３を形成する。 - 特許庁

The plate type heat exchanger (9) includes first type indentations (2, 14) and second type indentations (3, 15), wherein the number of the first type indentations (2, 14) and that of the second type indentations (3, 15) are different from each other.例文帳に追加

プレート式熱交換器（９）は、第１の種類の圧痕（２、１４）および第２の種類の圧痕（３、１５）を備え、第１の種類の圧痕（２、１４）および第２の種類の圧痕（３、１５）の数は異なる。 - 特許庁

The structure includes a first FET having a channel of a first compound semiconductor of first atomic proportions resulting in a first band structure and a first type.例文帳に追加

構造体は、第１のバンド構造及び第１の型をもたらす第１の原子比の第１の化合物半導体のチャネルを有する第１のＦＥＴを含む。 - 特許庁

The material treating plant is formed of a first screw type machine (1) and a second screw type machine (2).例文帳に追加

材料処理プラントは、第一スクリュー型機械（１）と第二スクリュー型機械（２）とから成る。 - 特許庁

The first type of storage offers a higher performance than that of the second type of storage.例文帳に追加

第１のタイプのストレージは、第２のタイプのストレージよりも高い性能を提供する。 - 特許庁

The item group of the second type includes a specific item not included in the item group of the first type.例文帳に追加

第２種の項目群は第１種の項目群に含まれない特定項目を含む。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 7 is formed into a p-type semiconductor having a first concentration.例文帳に追加

ｐ型半導体層７は、第１の濃度を有するｐ型半導体に形成されている。 - 特許庁

The first layer includes at least any of n-type GaN and n-type AlGaN.例文帳に追加

第１層は、ｎ形ＧａＮ及びｎ形ＡｌＧａＮの少なくともいずれかを含む。 - 特許庁

The first principal surface 20a includes an n-type surface 20an and a p-type surface 20ap.例文帳に追加

第１の主面２０ａは、ｎ型表面２０ａｎ及びｐ型表面２０ａｐを含む。 - 特許庁

The first p-type region 5 is connected to the electrode 10.例文帳に追加

第１のｐ型領域５は、電極１０と接続される。 - 特許庁

Then, the first trench is filled with a p-type semiconductor 27.例文帳に追加

次いで、第１のトレンチをｐ型半導体２７で埋める。 - 特許庁

The first conductivity type semiconductor region 3 is provided on a GaAs semiconductor substrate 11 of the first conductivity type.例文帳に追加

第１導電型半導体領域３は、第１導電型のＧａＡｓ半導体基板１１上に設けられる。 - 特許庁

A semiconductor layer includes a first layer 8 of a first conductivity type, a second layer of a second conductivity type, and a third layer.例文帳に追加

半導体層は、第１導電型の第１の層８と、第２導電型の第２の層と、第３の層とを有する。 - 特許庁

The first transistor and second transistor have the same conductivity type.例文帳に追加

第１及び第２のトランジスタは同一の導電型である。 - 特許庁

Which was the first attempt at building this type of column.例文帳に追加

これはプロトタイプで このタイプのコラムの最初の試みです - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

during Japans's Edo period, a type of haiku, the first line of which is a single kanji, called 'ichijidai' 例文帳に追加

一字題という,江戸時代の俳諧文字の種目 - EDR日英対訳辞書

The mat-type sensor 10 measures the first body motion information.例文帳に追加

マット型センサ１０は、第１体動情報を測定する。 - 特許庁

A first n-type layer, second n-type layer, third n-type layer, active layer having a multiple quantum well structure, a first p-type layer, second p-type layer, third p-type layer and p-type contact layer are laminated in the order on an n-type contact layer and this light-emitting element has a double heterostructure.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層の上に、第一のｎ型層と、第二のｎ型層と、第三のｎ型層と、多重量子井戸構造を有する活性層と、第一のｐ型層と、第二のｐ型層と、第三のｐ型層と、ｐ型コンタクト層とが順に積層され、ダブルへテロ構造を有する。 - 特許庁

On one surface of a first conductivity type first base layer having a first impurity concentration, a first conductivity type buffer layer having a second impurity concentration higher than the first impurity concentration is formed.例文帳に追加

第１の不純物濃度を有する第１導電型の第１ベース層の一方の面に、第１の不純物濃度よりも高い第２の不純物濃度を有する第１導電型のバッファ層が形成される。 - 特許庁

The n-type base region 10 is formed of the n^--type first region 10a and the n-type second region 10b whose impurity concentration is higher than the first region 10a.例文帳に追加

Ｎ型ベース領域１０はＮ^-型の第１の領域１０ａとこれよりも不純物濃度の高いＮ型の第２の領域１０ｂとから成る。 - 特許庁

The EP is provided with the escape to an on-line command mode feature of a first type and the NEP is provided with the escape of a second type different from the first type.例文帳に追加

ＥＰは、第１タイプのオンラインコマンドモード特徴へのエスケープを有し、ＮＥＰは第１タイプとは異なる第２タイプのエスケープを有するよう構成されている。 - 特許庁

The action uses the metadata in the runtime environment to cast the object of the first type to the casted object of a second type different from the first type.例文帳に追加

この動作は、ランタイム環境でメタデータを使用して第１の型のオブジェクトを第１の型とは異なる第２の型の被キャストオブジェクトにキャストする。 - 特許庁

This semiconductor laser is provided with a first conductivity type clad layer 102, an active layer 103 and a second conductivity type clad layer 106 on a first conductivity type semiconductor substrate 101.例文帳に追加

第一導電型半導体基板１０１上に、第一導電型クラッド層１０２、活性層１０３および第二導電型クラッド層１０６を有する。 - 特許庁

The first diode D1 is formed in the N-type well common to the first transistor M1.例文帳に追加

第１ダイオードＤ１は第１トランジスタＭ１と共通のＮ型ウェル内に形成される。 - 特許庁

The whole these components are surrounded by a first conductive-type guard ring connected to the second power source, and the outside surrounded by the first conductive-type guard ring is further surrounded by a second conductive-type guard ring connected to a first power source.例文帳に追加

その全体を第２の電源に接続された第１導電型ガードリングで囲い、さらにその外側を第１の電源に接続された第２導電型ガードリングで囲う。 - 特許庁

The first type of transistor is located on the first part of the substrate having an crystal orientation of the first type, and the second type of transistor is located on the second part of the substrate having an crystal orientation of the second type.例文帳に追加

第１のタイプのトランジスタは、第１のタイプの結晶方位を有する基板の第１の部分の上に位置し、第２のタイプのトランジスタは、第２のタイプの結晶方位を有する基板の第２の部分の上に位置する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device includes in a first conductivity-type semiconductor substrate 11 a first conductivity-type first well region 13, a second conductivity-type second well region 12, and a second-conductivity type third well region 15.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１１中に、第１導電型の第１のウェル領域１３、第２導電型の第２のウェル領域１２、第２導電型の第３のウェル領域１５を形成している。 - 特許庁

The first protection transistor 41 is formed in a first well 51 of a first conductivity type formed at an upper part of a second conductivity type deep well 15.例文帳に追加

第１の保護トランジスタ４１は、第２導電型の深いウェル１５の上部に形成された第１導電型の第１のウェル５１に形成されている。 - 特許庁