「first type」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The first device is an open type and uses air as working fluid.例文帳に追加

第１装置は、作動流体として空気を使用する開放型である。 - 特許庁

The first output terminal of the n-type comparator and that of the p-type comparator are respectively connected to the input terminal of a first inverter and that of a second inverter.例文帳に追加

第１インバータと第２インバータの入力端子がそれぞれＮ型コンパレータとＰ型コンパレータの第１出力端子に接続する。 - 特許庁

The metering module has the first and second cup-type joints.例文帳に追加

この計量モジュールは、第１及び第２カップ形係合部材を有する。 - 特許庁

A method of forming the sensor has a step of forming a first-type epitaxial layer 3 on a first-type semiconductor substrate 1, and a step of forming an embedded barrier layer 5 in the first-type epitaxial layer 3.例文帳に追加

このセンサを形成する方法は、第１型の半導体基板上に第１型のエピタキシャル層を形成する段階と前記第１型のエピタキシャル層内に埋没バリヤ層を形成する段階とを具備する。 - 特許庁

First type frequency domain data generated by the first type frame unit from time domain data of a signal to be measured are displayed as a spectrogram.例文帳に追加

被測定信号の時間領域データから第１種フレーム単位で生成した第１種周波数領域データをスペクトログラムとして表示する。 - 特許庁

The current diffusion layer has a first conductivity type impurity density.例文帳に追加

電流拡散層は、第１の導電形の不純物濃度を有する。 - 特許庁

A first type of ink is ejected from an ink head for the first type of ink onto the medium while moving the medium in a predetermined conveying direction.例文帳に追加

所定の搬送方向に媒体を移動させながら、第１の種類のインクヘッドから媒体上に第１の種類のインクを吐出する。 - 特許庁

In the second etching step, a first conductivity type semiconductor layer 12 can be processed in a processing condition adequate to form a first conductivity type clad layer 22.例文帳に追加

第２のエッチングでは、第１導電型クラッド層２２の形成に適切な加工条件で第１導電型半導体層１２を加工できる。 - 特許庁

First gate electrodes 15a and 16a are respectively formed on the first conductivity type region 12 and the second conductivity type region 13.例文帳に追加

第１のゲート電極１５ａ，１６ａが第１導電型領域１２及び第２導電型領域１３上にそれぞれ形成されている。 - 特許庁

FIRST AGENT COMPOSITION AND MULTIAGENT TYPE BLEACHING AGENT OR OXIDATION HAIR DYE例文帳に追加

第１剤組成物、及び多剤式の脱色剤又は酸化染毛剤 - 特許庁

Connection holes 100, 101, 102, to 10n are punched in a first substrate 1 at pitches δ_11, δ_12, to δ_1n common to a first type connector and a second type connector.例文帳に追加

第１種コネクタ、第２種コネクタに共通したピッチδ_11，δ_12，…δ_1nで第１基板１に接続穴１００，１０１，１０２，…１０ｎを穿孔する。 - 特許庁

An n-type first cladding layer 3, a first guide layer 4, a first enhancing layer 5, an active layer 6, a second enhancing layer 7, a second guide layer 8, and a p-type second cladding layer 9 are sequentially stacked on an n-type GaAs substrate 2.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ｎ型の第１クラッド層３、第１ガイド層４、第１エンハンス層５、活性層６、第２エンハンス層７、第２ガイド層８、ｐ型の第２クラッド層９が順次積層されている。 - 特許庁

On September 15, 1944, a part of the first half of the 15th group of the Ko-type of the preparatory pilot training course was enrolled. 例文帳に追加

昭和19年9月15日　甲飛第15期前期の一部入隊。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An amount of impurities of a first conductivity type in the first epitaxial layer is smaller than an amount of impurities of a second conductivity type in the second epitaxial layer.例文帳に追加

前記第１のエピタキシャル層の第１の導電型不純物は、前記第２のエピタキシャル層の第２の導電型不純物よりも少ない。 - 特許庁

An In composition ratio of the first n-side intermediate layer decreases along a first direction toward the p-type semiconductor layer from the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

第１ｎ側中間層のＩｎ組成比は、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向かう第１方向に沿って低下する。 - 特許庁

Type Hello followed by space in the first string and press Enter. 例文帳に追加

最初の文字列に Hello に続いて空白文字を入力し、Enter キーを押します。 - NetBeans

The first p-type region 31 is connected to the gate electrode 20.例文帳に追加

第１のｐ型領域３１はゲート電極２０に接続されている。 - 特許庁

Facsimile transmission of the first type of color transmission data is performed at a first timing when the first type of color transmission data is stored, and facsimile transmission of the second type of color transmission data is performed at a second timing when the reservation time has come.例文帳に追加

第一種のカラー送信データが記憶された第一のタイミングで、第一種のカラー送信データがファクシミリ送信され、予約時刻となった第二のタイミングで、第二種のカラー送信データがファクシミリ送信される。 - 特許庁

The first type is for a company to withdraw or close production bases (such as factories).例文帳に追加

第一に、生産拠点（工場など）が撤退、閉鎖した場合である。 - 経済産業省

The n-type FinFET includes a first germanium fin over a substrate; a first gate dielectric on a top surface and sidewalls of the first germanium fin; and a first gate electrode on the first gate dielectric.例文帳に追加

n型FinFETは、基板上の第一ゲルマニウムフィン、第一ゲルマニウムフィンの上面と側壁上の第一ゲート誘電体、及び、第一ゲート誘電体上の第一ゲート電極からなる。 - 特許庁

A slide type cellular phone comprises a first unit and a second unit which can be piled up to the first unit.例文帳に追加

スライド型の携帯電話機は、第１ユニットと、第１ユニットに重ねられる第２ユニットとを備える。 - 特許庁

A first storage system outputs a first type information element required to construct a remote copy environment.例文帳に追加

第一のストレージシステムが、リモートコピー環境の構築に必要な第一種の情報要素を出力する。 - 特許庁

First and second diffusion layers 54 and 52 of first conductivity-type are formed in the source region Sc.例文帳に追加

ソース領域Ｓｃに、第１導電型の第１及び第２の拡散層５４、５２とが形成される。 - 特許庁

A body region of the first conducting type is in the substrate between the first region and the second region.例文帳に追加

基板の第１領域と第２領域との間には、第１導電型の本体領域が存在する。 - 特許庁

In the integrated semiconductor optical element 11, the first clad layer 15 consists of a first conductivity type semiconductor.例文帳に追加

集積化半導体光素子１１では、第１のクラッド層１５は第１導電型半導体からなる。 - 特許庁

A first mesh type wiring 4 connected to the power source node 7 is provided to the first wiring layer 2.例文帳に追加

第１の配線層２には、電源ノード７に接続されるメッシュ状の第１の配線４を設ける。 - 特許庁

In a drum type washing machine, a first sliding member 33 is disposed between a first stopper 32a and a second stopper 32b.例文帳に追加

第１の摺動部材３３を、第１のストッパ３２ａと第２のストッパ３２ｂの間に配置する。 - 特許庁

The first conductive type clad region 13 includes at least first and second AlGaN layers 25 and 27.例文帳に追加

第１導電型クラッド領域１３は、少なくとも第１および第２のＡｌＧａＮ層２５、２７を含む。 - 特許庁

The first electrode 9a is connected electrically with the first conductivity type semiconductor layer 19a.例文帳に追加

第１の電極９ａは、第１導電型半導体層１９ａに電気的に接続されている。 - 特許庁

The first semiconductor layer is provided on the substrate layer, contains a nitride semiconductor, and has a first conductivity type.例文帳に追加

第１半導体層は、下地層の上に設けられ、窒化物半導体を含み第１導電形である。 - 特許庁

The first photo detector 20a receives the light from the first part 18x of the wedge-type etalon 18.例文帳に追加

第１の光検出器２０ａは、くさび型エタロン１８の第１の部分１８ｘからの光を受ける。 - 特許庁

A second semiconductor pattern having the first conduction type is laminated on the first semiconductor pattern.例文帳に追加

前記第１半導体パターン上に前記第１導電型を有する第２半導体パターンが積層される。 - 特許庁

The first semiconductor layer 1 is lower than the second semiconductor layer 2 in first conductivity type impurity concentration.例文帳に追加

第１半導体層１は第２半導体層２よりも第１導電型の不純物の濃度が低い。 - 特許庁

A first and a second compression type heat pump A, B and a first and a second humidifier 5a, 5b are provided.例文帳に追加

第１と第２の圧縮式のヒートポンプＡ、Ｂと、第１と第２の加湿器５ａ、５ｂと、を備える。 - 特許庁

According to one embodiment, an insulated gate type bipolar transistor of reverse conducting type comprises: a second base layer of type N; a buffer layer of type N; a first collector layer of type N; a second collector layer of type P; a third collector layer of type P; and a collector electrode.例文帳に追加

一つの実施形態によれば、逆通電型の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタは、Ｎ型の第二のベース層と、Ｎ型のバッファ層、Ｎ型の第一のコレクタ層、Ｐ型の第二のコレクタ層、Ｐ型の第三のコレクタ層、及びコレクタ電極が設けられる。 - 特許庁

Even concerning a car type, which is erroneously discriminated only by the first car type discrimination, the car type can be accurately discriminated by using the second car type discriminated result.例文帳に追加

第１の車種判別だけでは、誤判別していた車種であっても第２の車種判別結果を用いることでより高い精度の車種判別を行うことができる。 - 特許庁

The n-type clad layer includes a first n-type clad layer made of AlGaInP and a second n-type clad layer made of AlInP, and the film thickness of the second n-type clad layer is 40-200 nm.例文帳に追加

ｎ型クラッド層は、AlGaInPからなる第１のｎ型クラッド層とAlInPからなる第２のｎ型クラッド層とを含み、第２のｎ型クラッド層の層厚は４０〜２００ｎｍである。 - 特許庁

The first active barrier structure ABR includes an n-type area connected to a p-type impurity area PSR and a p-type area with which the n-type area is made an ohmic connection.例文帳に追加

第１のアクティブバリア構造ＡＢＲは、ｐ型不純物領域ＰＳＲに接続されたｎ型領域と、ｎ型領域とオーミック接続されたｐ型領域とを含む。 - 特許庁

In the p-type clad layer 25 or p-type buried region 13, the concentration of the p-type dopant of the second part is lower than the concentration of the p-type dopant of the first part.例文帳に追加

ｐ型クラッド層２５及びｐ型埋め込み領域１３の一方において、第２部分のｐ型ドーパントの濃度が第１部分のｐ型ドーパントの濃度より低い。 - 特許庁

A deep n+-type second drain layer 3 is formed on a region under an n+-type first drain layer 11 so that N--type drain layers 2A, 2B are not formed under the n+-type first drain layer 11.例文帳に追加

Ｎ＋型の第１ドレイン層１１の下にはＮ−型ドレイン層２Ａ，２Ｂが形成されないようにし、かつＮ＋型の第１ドレイン層１１の下の領域に深いＮ＋型の第２ドレイン層３を形成した。 - 特許庁

An n-type channel cut layer 5 is formed at the vicinity of bottom surface of the first element separation 21 in the n-type well 3 and a p-type channel cut layer 6 is formed at the vicinity of bottom surface of the first element separation 21 of the p-type well 4.例文帳に追加

ｎ型ウェル３内の第１の素子分離２１の底面近傍にｎ型チャネルカット層５が形成され、ｐ型ウェル４の第１の素子分離２１の底面近傍にｐ型チャネルカット層６が形成されている。 - 特許庁

The device manufacturing method includes generating a first type radiation using a second-type radiation beam, monitoring the quality of the second-type radiation and projecting the radiation beam with a first-type pattern onto a substrate.例文帳に追加

デバイス製造方法は、第１タイプの放射を第２タイプの放射ビームを用いて発生することと、第２タイプの放射の品質をモニタすることと、第１タイプのパターン付き放射ビームを基板上に投影することを含む。 - 特許庁

The composition comprises a hyperbranched polymer having a first-type functional group and a polymer having a second-type functional group, the second-type functional group being reactive with the first-type functional group under at least some conditions.例文帳に追加

第１のタイプの官能基を有するハイパーブランチポリマーおよび第２のタイプの官能基を有するポリマーを含み、第２のタイプの官能基は、少なくともある条件下で第１のタイプの官能基と反応性である。 - 特許庁

The male-type opening part 20 is provided with a first male-type key part 21 and a second male-type key part 22, respectively corresponding to the first female-type key part 11 and the second female- type key part 12, on two adjacent corner parts of the square cylinder.例文帳に追加

オス型口部２０には、四角筒状の隣り合う二つのコーナー部分に、第１メス型キー部分１１及び第２メス型キー部分１２にそれぞれ対応する第１オス型キー部分２１及び第２オス型キー部分２２が設けられている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a first p-type guide layer 7 that is formed on a substrate 1 and contains a p-type impurity (Mg); and an n-type current confinement layer 8 that is formed on the first p-type guide layer 7 to contact thereto and contains an n-type impurity (Si) and the p-type impurity (Mg).例文帳に追加

半導体装置は、基板１の上に形成されたｐ型不純物（Ｍｇ）を含む第１のｐ型ガイド層７と、該第１のｐ型ガイド層７の上にそれと接するように形成され、ｎ型不純物（Ｓｉ）及びｐ型不純物（Ｍｇ）を含むｎ型電流狭窄層８とを有している。 - 特許庁