「first type」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The first conductivity type well 12 is connected to an approximately 15 V power supply voltage VDD via a first conductivity type diffusion layer 16.例文帳に追加

第１導電型ウェル１２は、第１導電型拡散層１６を介して１５Ｖ程度の電源電圧ＶＤＤに接続される。 - 特許庁

The first conversion section 10 comprises fast latch type comparators.例文帳に追加

第１変換部１０は、高速なラッチ型コンパレータにより構成される。 - 特許庁

For the type and the first two functions, see getcontext (2). 例文帳に追加

これらの型と、最初の 2 つの関数については、getcontext (2) を参照のこと。 - JM

PERFUME USED IN FIRST AGENT OF TWO-PACK TYPE OXIDATION HAIRDYE, AND THE FIRST AGENT OF THE TWO-PACK TYPE OXIDATION HAIRDYE CONTAINING THE PERFUME例文帳に追加

２剤型酸化染毛剤の第１剤に使用される香料、およびその香料を含有する２剤型酸化染毛剤の第１剤 - 特許庁

The second conductivity type drain region is formed at the first side part of the gate of the first conductivity type substrate.例文帳に追加

第２の１つの導電型ドレイン領域は、第１の１つの導電型基板の１つのゲートの第１の１つの側部に形成される。 - 特許庁

The stacked structure includes a first semiconductor layer of a first conductivity type, a second semiconductor layer of a second conductivity type, and a light-emitting layer.例文帳に追加

積層構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、発光層と、を含む。 - 特許庁

The light emitting device comprises a first conductivity type first semiconductor layer, an active region, and a second coductivity type second semiconductor layer.例文帳に追加

発光デバイスは、第１の導電型の第１半導体層と、活性領域と、第２の導電型の第２半導体層とを含む。 - 特許庁

The first region 13a-1 includes a ridge portion of p-type conductivity.例文帳に追加

第１領域１３ａ−１は、ｐ型導電性のリッジ部を含む。 - 特許庁

The trench 4 is formed in a first conductivity type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１にトレンチ４を形成する。 - 特許庁

Function name (NULL to return the first protocol of the type requested)例文帳に追加

関数名 (NULLの場合は、指定した型の最初のプロトコルを返します)。 - PEAR

RAPID TRANSIT RAILWAY FIRST CAR WITH GANTRY TYPE HANDLE AT LEADING ROOF例文帳に追加

先頭屋根に門型取っ手を備えた高速鉄道先頭車両 - 特許庁

When each code word belonging to the group (G11, G12) of the first type is delivered, a corresponding group establishes a coding state of a first type.例文帳に追加

第１の型の群（Ｇ11、Ｇ12）に属する各コード語の出力に関しては、対応する群は第１の型の符号化状態を生成する。 - 特許庁

The solar cell is provided which includes: a substrate; a first^++ type polycrystalline silicon layer equipped on the substrate; a first type silicon nano-wire layer including a first type silicon nano-wire grown from the first^++ type polycrystalline silicon layer; an intrinsic layer provided on the substrate having the first type silicon nano-wire layer; and a second type doping layer equipped on the intrinsic layer.例文帳に追加

基板と、前記基板上に具備された第１^＋＋型多結晶シリコン層と、前記第１^＋＋型多結晶シリコン層から成長した第１型シリコンナノワイヤを含む第１型シリコンナノワイヤ層と、前記第１型シリコンナノワイヤ層が具備された基板上に具備された真性層と、前記真性層上に具備された第２型ドーピング層と、を含む太陽電池が提供される。 - 特許庁

The diode 15 includes: a first semiconductor layer 13 of a first conductivity type; and a second semiconductor layer 14 of a second conductivity type extending inside the first semiconductor layer 13.例文帳に追加

ダイオード１５は、第１導電型の第１半導体層１３と、第２導電型で、第１半導体層１３の内部に伸びている第２半導体層１４とを含んでいる。 - 特許庁

The optical semiconductor device has a first semiconductor region having a first conductivity type and a second semiconductor region provided on the first semiconductor region and having a second conductivity type.例文帳に追加

第１導電型を有する第１半導体領域と、第１半導体領域上に設けられ、第２導電型を有する第２半導体領域とを備える。 - 特許庁

An MOSFET type semiconductor device includes a semiconductor substrate of a first conductive type, an epitaxial layer of the first conductive type, a first semiconductor region of a second conductive type and a second semiconductor region of the first conductive type formed in the epitaxial layer, and a trench formed from a surface of the epitaxial layer through the second semiconductor region and the first semiconductor region.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ型半導体装置が、第１導電型の半導体基板、第１導電型のエピタキシャル層、エピタキシャル層に形成された第２導電型の第１半導体領域と第１導電型の第２半導体領域、エピタキシャル層の表面から第２半導体領域と第１半導体領域を貫いて形成されたトレンチとを有する。 - 特許庁

A first connector C1 (card edge type connector) comprises a first terminal 30A (connector terminal), and a first housing H1, in which the first terminal 30A is held.例文帳に追加

第１コネクタＣ１（カードエッジ型コネクタ）は、第１端子３０Ａ（コネクタ端子）と、当該第１端子３０Ａが保持される第１ハウジングＨ１とを備える。 - 特許庁

First word extraction means extracts a first word from an attribute value of a first character string type attribute composing a first data table.例文帳に追加

第１の単語抽出手段は、第１のデータテーブルを構成する第１の文字列型属性が有する属性値から第１の単語を抽出する。 - 特許庁

The first storage system inputs first setting information, which comprises the second type information element, and uses the first setting information to execute a first setting.例文帳に追加

第一のストレージシステムが、第二種の情報要素を含んだ第一設定情報を入力し、第一設定情報を用いて第一の設定を実行する。 - 特許庁

A first reflection layer, a first liquid crystal layer, the second substrate and a first polarizing plate are disposed in this order on the first surface of the first substrate and thereby the first reflection type liquid crystal display is formed.例文帳に追加

第一基板の第一面上には、第一反射層、第一液晶層、第二基板、および第一偏光板が順序どおりに配置され、それによって、第一反射型液晶ディスプレイが形成される。 - 特許庁

A halo impurity of the opposite conductivity type from a first impurity of first conductivity type is ion implanted into a silicon substrate 10, and then the first impurity of the first conductivity type is ion implanted into the substrate and flash lamp annealing is performed thereon, so that a p-type halo region 113 and an n-type extension region 111 are formed.例文帳に追加

シリコン基板１０１に、第一導電型の第一不純物と反対導電型のハロー不純物をイオン注入した後、第一導電型の第一不純物をイオン注入し、フラッシュランプアニールを行うことにより、ｐ型ハロー領域１１３およびｎ型エクステンション領域１１１を形成する。 - 特許庁

The first potential setting section 8 includes a first enhancement-type MOS transistor EP having a first conductive type, which is connected between a first reference potential node VDD and the intermediate potential node N1.例文帳に追加

第１の電位設定部８は、第１の基準電位ノードＶＤＤと中間電位ノードＮ１との間に接続された第１の導電型を有するエンハンスメント型の第１のＭＯＳトランジスタＥＰを含む。 - 特許庁

A field effect transistor includes an N^+ type SiC substrate 2 and an N^- type drain region 1 which are first conductive type semiconductor substrates, and on a first main surface side of the N^+ type SiC substrate 2, a P-type well region 3, an N^+ type source region 5, and a gate electrode 7.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、第一導電型の半導体基体であるＮ^+型ＳｉＣ基板２及びＮ^-型ドレイン領域１と、Ｎ^+型ＳｉＣ基板２の第一主面側に、Ｐ型ウエル領域３とＮ^+型ソース領域５とゲート電極７とを有する。 - 特許庁

The light control layer 22 compensates a difference between the reflection index of an n-type clad layer consisting of the first n-type clad layer 21 and the second n-type clad layer 23 and the reflection index of a p-type clad layer consisting of a first p-type clad layer 25 and a second p-type clad layer 26.例文帳に追加

光コントロール層２２によって、第１ｎ型クラッド層２１と第２ｎ型クラッド層２３からなるｎ型クラッド層の屈折率と、第１ｐ型クラッド層２５と第２ｐ型クラッド層２６からなるｐ型クラッド層の屈折率との差が補償される。 - 特許庁

The semiconductor device 10 comprises a semiconductor substrate 21 of the first conductivity type, a first diffusion layer 22 of the first conductivity type, a second diffusion layer of the second conductivity type formed inside the first diffusion layer 22, and a third diffusion layer 27 of the first conductivity type selectively formed on the surface of the second diffusion layer 23.例文帳に追加

半導体装置１０は、第１導電型の半導体基板２１と、第１導電型の第１の拡散層２２と、第１の拡散層２２の内部に形成された第２導電型の第２の拡散層２３と、第２の拡散層２３の表面に選択的に形成され第１導電型の第３の拡散層２７とを備える。 - 特許庁

Further, the device has a transfer path for transferring a charge from the first impurity diffusion region of the first conductivity type to the second impurity of the first conductivity type and an impurity diffusion region of a second conductivity type formed on a semiconductor substrate so as to contain the first impurity diffusion region of the first conductivity type.例文帳に追加

さらに、第１の第１導電型不純物拡散領域から第２の第１導電型不純物拡散領域へ電荷を転送する転送経路と、半導体基板上に第１の第１導電型不純物拡散領域を包含するように形成された第２導電型不純物拡散領域を有する。 - 特許庁

A first resistance is provided between a first voltage and a source of a first conductivity type of an MOSFET supplied with an input voltage to its gate.例文帳に追加

入力電圧がゲートに供給された第１導電型のソースと第１電圧との間第１抵抗を設ける。 - 特許庁

In the manufacturing method of this solar battery, at first, there is provided a first semiconductor substrate doped with a first dopant-type in a low concentration.例文帳に追加

本発明の太陽電池の製造方法では、第１ドーパント型で低濃度にドープされた第１半導体基板を設ける。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a first conductivity type semiconductor substrate 7, an intrinsic semiconductor layer 8, a first semiconductor layer 9 adjusted to second conductivity type, a first impurity layer 11 formed in the first semiconductor layer with first conductivity type, bipolar transistors 3 and 4 formed in the first semiconductor layer, and MIS type transistors 5 and 6.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板７と、真性半導体層８と、第２導電型に調整された第１半導体層９と、第１半導体層内に第１導電型により形成された第１不純物層１１と、第１半導体層に形成されたバイポーラ型トランジスタ３、４、及びＭＩＳ型トランジスタ５，６とを備える。 - 特許庁

This manufacturing method forms the first negative type resist layer having structure serving as the ink flow channel wall on a substrate having an energy generation element, forms the first photodegradable positive type resist layer to cover the first negative type resist layer, and polishes it until exposing a surface of the first negative type resist layer.例文帳に追加

エネルギー発生素子を有する基板の上に、インク流路壁となる構造を有する第一のネガ型レジスト層を形成し、それを被覆するように第一の光崩壊性ポジ型レジスト層を形成した上で、第一のネガ型レジスト層の表面が露出するまで研磨する。 - 特許庁

The solar cell further includes: first p-type metal electrodes 7 located above the p-type diffusion regions 3 and formed to embed the insides of the first openings 6; and first n-type metal electrodes 8 located above the n-type diffusion regions 4 and formed to embed the insides of the first openings 6.例文帳に追加

また、ｐ型拡散領域３の上方の第１開口部６の内部を埋め込むように形成された第１ｐ型金属電極７と、ｎ型拡散領域４の上方の第１開口部６の内部を埋め込むように形成された第１ｎ型金属電極８とを備えている。 - 特許庁

Thereafter, first conductivity type impurities are introduced into the second conductivity type semiconductor layer 20 located above the periphery of the second conductivity type impurity region 13, thus forming first conductivity type isolation regions 24c and 24d being connected with the first conductivity type semiconductor layer 30.例文帳に追加

その後、第２導電型不純物領域１３の周囲の上方に位置する第２導電型半導体層２０に第１導電型不純物を導入することにより、第１導電型半導体層３０に接続する第１導電型の素子分離領域２４ｃ，２４ｄを形成する。 - 特許庁

FIRST AGENT FOR FORMING TWO BATH TYPE SHAPE-MEMORY PERMANENT WAVE AND METHOD FOR FORMING TWO BATH TYPE SHAPE MEMORY PERMANENT WAVE例文帳に追加

二浴式形状記憶ウェーブ形成用１剤及び二浴式形状記憶ウェーブ形成方法 - 特許庁

A diesel engine 1 is a V-type 8-cylinder type having a first bank 2 and a second bank 3.例文帳に追加

ディーゼルエンジン１は、第１バンク２及び第２バンク３を有するＶ型８気筒ディーゼルエンジンである。 - 特許庁

The base body 2 is formed of an n-type single crystal silicon layer which is used as a first conductivity type semiconductor layer.例文帳に追加

基体２は、第１導電型半導体としてのｎ型単結晶シリコンによって形成されている。 - 特許庁

The second conductivity type diffusion layer 14b extends up to the surface portion of the first conductivity type well 5b.例文帳に追加

第２導電型拡散層１４ｂは、第１導電型ウェル５ｂの表面部にまで延伸している。 - 特許庁

A second rear projection type video device 12 is arranged on a first rear projection type video device 11.例文帳に追加

第１背面投射型映像装置１１の上に第２背面投射型映像装置１２が並べられる。 - 特許庁

The main electrodes are electrically connected to the second-conductive-type base layer and the first-conductive-type source layers.例文帳に追加

主電極は、第２導電形ベース層及び第１導電形ソース層と電気的に接続された。 - 特許庁

A first N type conductive region 2 and a second N type conductive region 3 are formed on a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００に第１Ｎ型導電領域２、第２Ｎ型導電領域３を形成する。 - 特許庁

Coils L1, L2 are wound on the first C-type core, coils L3, L4 are wound on the second C-type core.例文帳に追加

第１のＣ型コアにはコイルＬ１，Ｌ２を、第２のＣ型コアにはコイルＬ３，Ｌ４を巻装する。 - 特許庁

The second conductivity type semiconductor region 7 is provided on the first conductivity type semiconductor region 3.例文帳に追加

第２導電型半導体領域７は、第１導電型半導体領域３上に設けられる。 - 特許庁

The second N-type semiconductor layer 32 has lower impurity concentration than the first N-type semiconductor layer 30.例文帳に追加

第２の半導体層32の不純物濃度は、第１の半導体層30の不純物濃度よりも低い。 - 特許庁

A P-type well 100A is formed on a semiconductor substrate 100 as a first conductivity type region.例文帳に追加

半導体基板１００上に、第１伝導型の領域としてＰ型のウェル１００Ａを形成する。 - 特許庁

This clampping circuit 3 has a first N-type transistor N1 and a second N-type transistor N2.例文帳に追加

このクランプ回路３は、第１のＮ型トランジスタＮ１、および第２のＮ型トランジスタＮ２を有している。 - 特許庁

A solar battery 10 has a p-type first semiconductor layer and a p-type second semiconductor layer 16.例文帳に追加

太陽電池１０が、ｐ型の第１の半導体層とｐ型の第２の半導体層１６とを備える。 - 特許庁