「flash pulse」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

1. Electron accelerators or flash X-ray generators with a beam pulse duration of 1 microsecond or less, and with a value of 0.25 or more when 1,700 is multiplied by the result of multiplying the peak value of electron kinetic energy expressed in megaelectron volts raised to the 2.65 power by the total charge quantity of accelerated electrons, expressed in coulombs 例文帳に追加

（一）　ビームのパルスの持続時間が一マイクロ秒以下であって、一、七〇〇にメガ電子ボルトで表した電子の運動エネルギーのせん頭値の二・六五乗を乗じたものに、クーロンで表した加速された電子の全電荷量を乗じた値が〇・二五以上のもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

To provide a lighting method of a flash discharge lamp in which pulse light is seen as a regular light to human eyes and, by changing the optical volume of continuous lighting, is felt as a soft regular light same as when an incandescent lamp is lighted, and power consumption can be reduced.例文帳に追加

人間の目にはパルス光が定常光として感じられ、連続点灯の光量を徐々に変化させることにより、白熱電球が点灯した時と同様にソフトな定常光として感じられ、消費電力を少なくできる閃光放電灯の点灯方法を提供する。 - 特許庁

The temperature of a semiconductor integrated circuit 10 is detected with a temperature detecting means 15 in a write tool 13 (or in the semiconductor integrated circuit 10), the discrimination level of write/erase having high stability is obtained by correcting the pulse width or the level of the voltage of a write/erase pulse for rewriting operation of a flash ROM 11, and the write/erase operation is performed stably.例文帳に追加

書込ツール１３内（または半導体集積回路１０内）の温度検知手段１５によって半導体集積回路１０の温度を検知し、検知温度に基づいて、フラッシュＲＯＭ１１の書き換え動作のための書込／消去パルスのパルス幅または電圧のレベルを補正することにより、安定性の高い書込／消去の判定レベルを得て、書込／消去の動作を安定的に遂行する。 - 特許庁

2. Electron accelerators or flash X-ray generators with a beam pulse duration exceeding 1 microsecond, and having a value of 0.25 or more when 1,700 is multiplied by the result of multiplying the peak value of electron kinetic energy expressed in megaelectron volts raised to the 2.65 power is multiplied by the maximum charge quantity of electrons accelerated for 1 microsecond, expressed in coulombs 例文帳に追加

（二）　ビームのパルスの持続時間が一マイクロ秒を超えるものであって、一、七〇〇にメガ電子ボルトで表した電子の運動エネルギーのせん頭値の二・六五乗を乗じたものに、クーロンで表した一マイクロ秒の間に加速することができる電荷量の最大値を乗じた値が〇・二五以上のもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

In a flash memory having, for example, a single gate type memory cell consisting of a gate electrode provided through a thin electric charge trap layer on a semiconductor substrate, the device is characterized in that after data is written in the memory cell, a short pulse is applied to the memory cell so that one part of electrons is eliminated from the electric charge trap layer.例文帳に追加

半導体基板上の薄い電荷トラップ層を介して設けられたゲート電極からなる例えば単ゲート型メモリセルを有するフラッシュメモリにおいて、前記メモリセルに対してデータ書込み後、前記電荷トラップ層から電子を一部排除するよう前記メモリセルに対して短パルスを加えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。 - 特許庁

Preferably, the UV pulse flash has an integrated radiation amount per unit area that is achieved at a distance of 8 cm from a light source having an integrated output of, for example, 90, 180-7100 or 14200 J, i.e., an integrated radiation amount per unit area of 6, 12-480 or 960 J/cm^2 in terms of an energy originated from the wavelength of UVC.例文帳に追加

上記ＵＶパルスフラッシュは、たとえば積算出力９０または１８０〜７１００または１４２００Ｊの光源から８ｃｍの距離における積算単位面積照射量を有するもの、換言すれば、ＵＶＣの波長に由来するエネルギーとして、６または１２〜４８０または９６０Ｊ／ｃｍ^2の積算単位面積照射量を有するものが好ましい。 - 特許庁

In an 8-valued NAND type multivalued flash memory designed to execute the multivalued parallel write with the bit line voltage set according to write data, a pulse-like word line voltage is applied to a word line to write while the pulsewidth of an effective word line voltage corresponding to the time taken for substantially writing data in memory cells to be written is controlled according to the write data.例文帳に追加

書き込みデータに応じてビット線電圧を設定し、多値並列書き込みを行うようにした８値のＮＡＮＤ型多値フラッシュメモリにおいて、ワード線にパルス状のワード線電圧を印加して書き込みを行い、この際、書き込み対象のメモリセルに実質的にデータの書き込みがなされる時間に対応する実効的なワード線電圧のパルス幅を書き込みデータに応じて制御する。 - 特許庁