「gate-array」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

The thin film transistor array substrate includes: a gate line and a data line to define a pixel area; a thin film transistor formed in the pixel area; a pixel electrode connected to the thin film transistor; and a common electrode positioned to oppose the pixel electrode and forming a closed aperture area for transmitting and shutting off light by a rotation of liquid crystal positioned within said aperture area.例文帳に追加

本発明に係る薄膜トランジスタアレイ基板は画素領域を定義するゲートライン及びデータラインと、前記画素領域内に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと接続された画素電極と、前記画素領域内に位置する液晶の回転により光を透過及び遮断する閉鎖型開口領域を間に置いて前記画素電極と対向する共通電極とを具備する。 - 特許庁

To provide a field programmable gate array (FPGA) capable of analyzing whether an instable state caused by a different timing in synthesis and mapping depends on a design error or mapping when evaluating an FPGA that does not comprise a spare cell for circuit correction.例文帳に追加

本発明はそれぞれ設定データにより内部機能が決まる複数のセル・ロジック・アレイ・ブロック（ＣＬＡＢ）が各ＣＬＡＢ間の信号の接続を切り替えるスイッチにより接続されたフィールド・プログラマブル・ゲート・アレイに関し，フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイについて評価を行う時に，合成及びマッピングの度にタイミングが異なることによる不安定な状態が設計ミスなのかマッピングによるものかを解析することができることを目的とする。 - 特許庁

In the interface unit body 20, a control CPU 40 that is a control means reads the ID data 15 at the time of initialization such as power input to determine the type of the module unit 10 installed, reads transmitting or receiving configuration data from a memory 30 according to the type, and downloads it, for example, to FPGA (field programmable gate array), thereby configuring the FPGA (control processing).例文帳に追加

そして、インタフェースユニット本体２０では、制御手段である制御用ＣＰＵ４０が、このＩＤデータ１５を電源投入等の初期化時に読み込んで、装着されているモジュールユニット１０の種別を判断し、この種別に応じて送信用又は受信用の前記コンフィグレーションデータをメモリ３０から読み出して、例えばＦＰＧＡにダウンロードすることによりＦＰＧＡを構成する（制御処理）。 - 特許庁

A semiconductor random access memory device with the characteristics of having the matrix of memory cells (C11) that includes the first MIS element (QW11), the drain (3) or the source (4) of the first MIS element (QW11) and the second MIS element (QR11) formed above the first MIS element (QW11), gate input capacity information storage capacitor (CS11) for the second MIS element (QW11). In the matrix of the memory array, the drain of the said first MIS element (QW11) electrically connected to the drain of the second MIS element (QW11), … connecting so that the data line (D1) orthogonally to sense (S1) and word (W1) lines of the each memory cell of the array. 例文帳に追加

第１のMIS素子（Qｗ11）と、第１のMIS素子（Qｗ11）のソース及びドレインのいずれか一方の領域をゲートとして用いて前記第１のMIS素子（Qｗ11）の上に積み重ね形成された第２のMIS素子（QR11）と、この第２のMIS素子（QR11）のゲート入力容量である情報蓄積用のキャパシタ（Cｓ11）とを有したメモリセル（C11）をマトリックス状に配列したメモリアレイにおいて前記第１のMIS素子（Qｗ11）のドレインを第２のMIS素子（QＲ11）のドレインと電気的に結合して、……、データ線（D1）をメモリアレイの各メモリセル間にセンス線（S1）及びワード線（W1）に直交するように配線することを特徴とする半導体ランダムアクセスメモリ装置。 - 特許庁

In this reset circuit of a microcomputer incorporated with a first reset circuit 81 for inputting a reset signal to a reset signal input terminal for initializing a CPU 2, the reset input terminal is provided with a switch circuit 84 configured of a field programmable gate array for selectively inputting either a reset signal from an externally installed second reset circuit or a reset signal from the first reset circuit or both of them.例文帳に追加

ＣＰＵ２を初期化するリセット信号入力端子にリセット信号を入力する第一リセット回路８１が内蔵されたマイクロコンピュータのリセット回路であって、前記リセット入力端子に、外部に設けられた第二リセット回路からのリセット信号または前記第一リセット回路からのリセット信号の何れかまたは双方を選択的に入力可能に設定するフィールドプログラマブルゲートアレイで構成されるスイッチ回路８４が設けられている。 - 特許庁

This flat display device has a plurality of electric field emission type cathodes K, a high voltage electrode which fixedly supplies an intense electric field forms a Schottky barrier which makes possible electrons being emitted from the cathodes K to the surfaces of the cathodes K, a two dimensional MOS gate array which controls electron emission from the cathodes K, and a phosphor layer which glows by impacts of electrons selectively emitted from the cathodes K.例文帳に追加

複数の電界放出型カソードＫと、その複数のカソードＫの表面に、その複数のカソードＫからの電子放射を可能にし得るショットキーバリアを形成する強電界を固定的に与える高圧電極と、複数のカソードＫに接続され、その複数のカソードＫからの電子の放射の有無を制御する２次元ＭＯＳゲートアレイと、複数のカソードＫから選択的に放出された電子の衝撃によって、光輝せしめられる蛍光体層Ｐとを有する。 - 特許庁