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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > gunn oscillatorの意味・解説 > gunn oscillatorに関連した英語例文

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gunn oscillatorの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 32



例文

GUNN OSCILLATOR例文帳に追加

ガン発振器 - 特許庁

GUNN DIODE OSCILLATOR例文帳に追加

ガンダイオード発振器 - 特許庁

GUNN DIODE AND GUNN DIODE OSCILLATOR例文帳に追加

ガンダイオード及びガンダイオード発振器 - 特許庁

GUNN DIODE VOLTAGE CONTROL OSCILLATOR例文帳に追加

ガンダイオード電圧制御発振器 - 特許庁

例文

NRD GUIDE GUNN OSCILLATOR例文帳に追加

NRDガイドガン発振器 - 特許庁


例文

GUNN DIODE OSCILLATOR AND RADIO EQUIPMENT例文帳に追加

ガンダイオード発振器および無線装置 - 特許庁

To make the oscillation output of a Gunn diode oscillator high.例文帳に追加

ガンダイオード発振器の発振出力を高くする。 - 特許庁

GUNN DIODE DEVICE, OSCILLATOR AND COMMUNICATION UNIT例文帳に追加

ガンダイオ—ド装置、発振器、通信機装置 - 特許庁

GUNN DIODE OSCILLATOR, VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR AND RADIO EQUIPMENT例文帳に追加

ガンダイオード発振器および電圧制御発振器および無線装置 - 特許庁

例文

PLANAR CIRCUIT BOARD AND GUNN DIODE OSCILLATOR USING PLANAR CIRCUIT BOARD例文帳に追加

平板回路基板およびそれを用いたガンダイオード発振器 - 特許庁

例文

To improve oscillation spectrum characteristics of a Gunn diode oscillator.例文帳に追加

ガンダイオード発振器の発振スペクトル特性を良好にする。 - 特許庁

GUNN DIODE OSCILLATOR AND METHOD FOR ADJUSTING ITS OSCILLATION FREQUENCY例文帳に追加

ガンダイオード発振器及びその発振周波数の調整方法 - 特許庁

GUNN DIODE VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR AND ITS FREQUENCY ADJUSTMENT METHOD例文帳に追加

ガンダイオード電圧制御発振器及びその周波数調整方法 - 特許庁

To provide a gunn diode oscillator enabling the constitution that a projection part is positioned below the surface of a substrate in the gunn diode oscillator composed by inserting the projection part of a gunn diode mounted on the gunn diode to the hole of a bias substrate.例文帳に追加

バイアス基板の孔に、ガンダイオードにマウントされたガンダイオードの突起部を挿入してなるガンダイオード発振器において、突起部が基板の表面よりも下に位置する構成を可能とするガンダイオード発振器を提供する。 - 特許庁

To reduce variation in oscillation frequency and maximum oscillation output of a Gunn diode oscillator.例文帳に追加

ガンダイオード発振器の発振周波数と最大発振出力のバラツキを低減させる。 - 特許庁

To provide a Gunn diode voltage control oscillator with wide modulation width whose successful linear characteristics are maintained.例文帳に追加

良好な線形特性を保った変調幅が広いガンダイオード電圧制御発振器を提供する。 - 特許庁

To provide a Gunn diode oscillator in which frequency fluctuation rate of oscillation frequency is small.例文帳に追加

発振周波数の周波数変動率の小さいガンダイオード発振器を提供する。 - 特許庁

To provide a gunn diode oscillator that reduces the effect of an external load and furthermore provides a high oscillation output.例文帳に追加

外部負荷の影響を低減し、さらに発振出力の大きいガンダイオード発振器を提供する。 - 特許庁

To provide a Gunn diode oscillator having no variation in oscillation frequencies even in a high-frequency band.例文帳に追加

高周波領域でも発振周波数のばらつきのないガンダイオード発振器を提供する。 - 特許庁

To provide a millimeter-wave oscillator which solves such a problem that, in a millimeter-wave oscillator mounted with a Gunn diode component on a millimeter-wave resonator substrate, an inferior heat dissipation of a semiconductor substrate constituent of the Gunn diode causes a temperature rise in an active layer of the Gunn diode during operation, resulting in a marked drop on a millimeter-wave output.例文帳に追加

ミリ波共振器基板上にガンダイオード素子を搭載したミリ波発振器においては、ガンダイオードを構成する半導体基板の放熱性が悪く、動作中にガンダイオード活性層の温度が上昇してしまうため、ミリ波出力が著しく低下してしまう。 - 特許庁

An antenna 1 irradiates a target with an electromagnetic wave generated by a GUNN oscillator (electromagnetic wave oscillator) 2.例文帳に追加

GUNN(ガン)発振器(電磁波発振器)2が発生した電磁波をアンテナ1でターゲットに照射する。 - 特許庁

BIPOLAR GUNN EFFECT TRIODE, AND VOLTAGE-CONTROLLED FREQUENCY VARIABLE OSCILLATOR, INJECTION SYNCHRONOUS OSCILLATOR, SELF-OSCILLATING MIXER AND RADIO RECEIVER USING THE TRIODE例文帳に追加

バイポーラ型ガン効果トリオード、それを用いた電圧制御周波数可変発振器、注入同期発振器、自己発振ミキサおよび無線受信装置 - 特許庁

To solve the problem that, in a millimeter wave oscillator in which a Gunn diode element is mounted on a millimeter wave resonator substrate, a semiconductor substrate which constitutes the Gunn diode has a bad heat dissipation property, increases the temperature of a Gunn diode active layer during operation and thereby remarkably reduces the millimeter wave output.例文帳に追加

ミリ波共振器基板上にガンダイオード素子を搭載したミリ波発振器においては、ガンダイオードを構成する半導体基板の放熱性が悪く、動作中にガンダイオード活性層の温度が上昇してしまうため、ミリ波出力が著しく低下してしまう。 - 特許庁

To provide a millimeter wave oscillator, which stably operates a Gunn diode without requiring the application of any physical load which induces the occurrence of defect in the semiconductor crystal of the Gunn diode.例文帳に追加

ガンダイオードにその半導体結晶中に欠陥の発生を誘発するような物理的な荷重をかけたりする必要がなく、ガンダイオードを安定に動作させることができるミリ波発振器を得る。 - 特許庁

To provide a highly reliable gunn diode oscillator by preventing water vapor from permeating by making a gunn diode and a microstrip line into a closed structure.例文帳に追加

ガンダイオードやストリップ線路を密閉構造にすることにより、水蒸気などの浸入を防止し、信頼性の高いガンダイオード発振器を提供する。 - 特許庁

To provide a voltage-controlled gunn diode oscillator capable of suppressing the change of an oscillation frequency even when the ambient temperature of the gunn diode is changed, and allowing the modulated oscillation frequency to be the desired frequency.例文帳に追加

ガンダイオードの周囲温度が変化した場合であっても、発振周波数の変化を抑制し、さらに変調した発振周波数が所望の周波数となる電圧制御型のガンダイオード発振器を提供する。 - 特許庁

An oscillation circuit is constituted by providing a line 7 and a Gunn diode on a dielectric substrate 3, and the oscillation signal of an oscillator 41, which is a basic wave frequency signal, is injected through a DC bias line to the Gunn diode 6.例文帳に追加

誘電体基板3の上に線路7とガンダイオード6を設けて発振回路を構成し、基本波周波数信号であるオシレータ41の発振信号を、DCバイアス線路を介してガンダイオード6に注入する。 - 特許庁

The gunn diode oscillator, which is obtained by mounting the gunn diode and a varactor diode on a conductor circuit arranged on a dielectric substrate, includes a bias circuit for outputting a bias voltage, set in response to the change of an operation current in the gunn diode with respect to the change of the ambient temperature, as the bias voltage of the varactor diode when the ambient temperature of the gunn diode is changed.例文帳に追加

ガンダイオードとバラクタダイオードとを誘電体基板に設けた導体回路上に搭載したガンダイオード発振器において、ガンダイオードの周囲温度が変化した場合に、周囲温度の変化に対するガンダイオードの動作電流の変化に応じて設定したバイアス電圧をバラクタダイオードのバイアス電圧として出力するバイアス回路を備えている。 - 特許庁

The Gunn diode voltage controlled oscillator is provided with a transmission line connected to a signal electrode to be connected to a Gunn diode, the end of the transmission line is used for a connection electrode for one electrode of a varactor diode, and one open stub or more is provided to the end of the transmission line or to the midway of the transmission line.例文帳に追加

ガンダイオードを接続する信号電極に接続した伝送線路を設け、該伝送線路の端部をバラクタダイオードの一方の電極の接続用電極とするとともに、前記伝送線路の端部又は途中の部分に一個又は複数個のオープンスタブを設けた。 - 特許庁

The Gunn diode voltage control oscillator is constituted by: branching an open stub line into two or more; and providing each of one open stub line and the other open stub line branched from a branching part with a varactor diode modulation circuit.例文帳に追加

オープンスタブ線路を2つ以上に分岐させ、その分岐部から分岐した一方のオープンスタブ線路と他方のオープンスタブ線路それぞれに、バラクタダイオード変調回路を備える構成とする。 - 特許庁

An oscillator circuit is constituted by providing a line 7, a Gunn diode 6, and a dielectric oscillator 16 on a dielectric substrate 3, and a dielectric strip 5 is arranged between upper and lower conductive boards 1 and 2 so that an NRD guide as a transmission line for an output can be constituted, and the line 7 is connected with the NRD guide.例文帳に追加

誘電体基板3の上に線路7、ガンダイオード6および誘電体共振器16を設けて発振回路を構成し、上下の導体板1,2の間に誘電体ストリップ5を配置して出力用伝送線路としてのNRDガイドを構成し、線路7とNRDガイドとを結合させる。 - 特許庁

例文

The millimeter-wave oscillator has a thin film Gunn diode component 1 formed of a first n+ layer, an n layer, and a second n+ layer of thin film semiconductor successively stacked, mounted on the resonator substrate on which a resonator made up of metal layers (a signal electrode 3 and a ground electrode 4) is formed on an upper face of a dielectric substrate 2.例文帳に追加

誘電体基板2の上面に金属層から成る共振器(信号電極3および接地電極4)が形成された共振器基板上に、薄膜半導体の第1のn+型層,n型層および第2のn+型層を順次積層して成る薄膜ガンダイオード素子1を搭載して成るミリ波発振器である。 - 特許庁

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