「insulating-film」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目)

COMPOSITION FOR FORMING SILICON-CONTAINING FILM, SILICON-CONTAINING INSULATING FILM, AND FORMING METHOD FOR SILICON-CONTAINING INSULATING FILM例文帳に追加

ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有絶縁膜、およびケイ素含有絶縁膜の形成方法 - 特許庁

A charge storage film 36 and a tunnel insulating film 37 are deposited on the block insulating film 35.例文帳に追加

次に、ブロック絶縁膜３５上に電荷蓄積膜３６及びトンネル絶縁膜３７を堆積させる。 - 特許庁

An interlayer insulating film 15 is formed over the entire surface on the insulating film 13 including the high-magnetic-permeability film 14.例文帳に追加

高透磁率膜１４を含む絶縁膜１３上全面に層間絶縁膜１５が形成される。 - 特許庁

INSULATING FILM MATERIAL, METHOD OF FORMING FILM USING THE SAME, AND INSULATING FILM例文帳に追加

絶縁膜材料、この絶縁膜材料を用いた成膜方法および絶縁膜 - 特許庁

To improve reliability of an insulating film for insulating a thin-film heater from a radiation prevention film.例文帳に追加

薄膜ヒータと輻射防止膜とを絶縁する絶縁膜の信頼性を向上させる。 - 特許庁

The oxide film (102b) can be used as a gate-insulating film or as a capacitance-insulating film.例文帳に追加

この酸化膜（１０２ｂ）をゲート絶縁膜や容量絶縁膜として使用することができる。 - 特許庁

The second gate insulating film is made of a substance film that differs from that of the first gate insulating film.例文帳に追加

前記第２ゲート絶縁膜は前記第１ゲート絶縁膜と異なる物質膜からなる。 - 特許庁

The insulating film 4 used as the cap film may also be used as a gate insulating film as it is.例文帳に追加

キャップ膜として用いた絶縁膜４をそのままゲート絶縁膜として用いてもよい。 - 特許庁

INSULATING FILM MATERIAL, FILM FORMING METHOD USING THE SAME, AND INSULATING FILM例文帳に追加

絶縁膜材料、この絶縁膜材料を用いた成膜方法および絶縁膜 - 特許庁

MATERIAL FOR INSULATING FILM, FILM DEPOSITION METHOD USING SAME, AND INSULATING FILM例文帳に追加

絶縁膜用材料、この絶縁膜用材料を用いた成膜方法および絶縁膜 - 特許庁

To improve an adhesion property with an insulating film in a metal film formed on the insulating film.例文帳に追加

絶縁膜上に形成された金属膜における上記絶縁膜との密着性を改善する。 - 特許庁

An interlayer insulating film is arranged on the element isolation insulating film and the silicide film.例文帳に追加

素子分離絶縁膜上とシリサイド膜上とには、層間絶縁膜が配設される。 - 特許庁

FLUORINE-CONTAINING COMPOSITION FOR COATING TYPE INSULATING FILM FORMATION, INSULATING FILM, AND THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

塗布型絶縁膜形成用含フッ素組成物、絶縁膜、及び薄膜トランジスタ - 特許庁

A first insulating film performing as a tunnel insulating film, an electric charge storage layer, and a second insulating film are formed between a semiconductor substrate and an electrical conductive film.例文帳に追加

半導体基板と導電膜の間には、トンネル絶縁膜として機能する第１絶縁膜、電荷蓄積層、第２絶縁膜が形成されている。 - 特許庁

A first n-type semiconductor film 17 is formed on the tunnel insulating film 15, the low-voltage gate insulating film 14, and the high-voltage gate insulating film 16.例文帳に追加

第１のｎ型半導体膜１７をトンネル絶縁膜１５と低電圧ゲート絶縁膜１４と高電圧ゲート絶縁膜１６の上に成膜する。 - 特許庁

The element isolation film 2 comprises a first insulating film 21 formed on the substrate, and a second insulating film 22 formed on the first insulating film 21.例文帳に追加

素子分離膜２は、基板上に形成された第１絶縁膜２１と、第１絶縁膜２１上に形成された第２絶縁膜２２と、を含む。 - 特許庁

To prevent deterioration of film quality of an insulating film of low dielectric constant, in formation of a buried wiring, in which an insulating film of low dielectric constant is used as an inter-layer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜に低誘電率の絶縁膜を用いた埋め込み配線の形成において、低誘電率の絶縁膜の膜質劣化を防止する。 - 特許庁

The interior of the SC 11 and a surface of the upper layer insulating film 10 are coated with an insulating film 12 of the same film quality as that of the lower layer insulating film 6 (C).例文帳に追加

下層絶縁膜６と同じ膜質の絶縁膜１２でＳＣ１１の内部および上層絶縁膜１０の表面を覆う（図３（Ｃ））。 - 特許庁

Then, a second insulating film having a film thickness different from that of the first insulating film 2 is formed on the substrate 1 on which the first insulating film 2 is etched.例文帳に追加

そして、第１の絶縁膜２がエッチングされた基板１上に、第１の絶縁膜２と異なる膜厚の第２の絶縁膜を形成する。 - 特許庁

A first insulating film 21, a second insulating film 23A, a third insulating film 23B, a fourth insulating film 24 comprising SiOC, and a fifth insulating film 25 are sequentially formed on a substrate.例文帳に追加

基板の上に第１の絶縁膜２１と、第２の絶縁膜２３Ａと、第３の絶縁膜２３Ｂと、ＳｉＯＣからなる第４の絶縁膜２４と、第５の絶縁膜２５が順次形成されている。 - 特許庁

On a semiconductor substrate, a lower insulating film, an intermediate insulating film made of a material different from the lower insulating film, and an upper insulating film made of a material different from the intermediate insulating film are formed in order.例文帳に追加

半導体基板の上に、下部絶縁膜、下部絶縁膜とは異なる材料からなる中間絶縁膜、及び中間絶縁膜とは異なる材料からなる上部絶縁膜を順番に形成する。 - 特許庁

In a specific region of an interlayer insulating film 2 formed on a silicon substrate 1, an insulating film projection part 3 or insulating film recessed part is formed, and the wiring layer 4 is arranged to cover the insulating film projection part 3 or insulating film recessed part.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成した層間絶縁膜２の所定の領域に絶縁膜凸部３あるいは絶縁膜凹部が形成され、上記絶縁膜凸部３あるいは絶縁膜凹部を被覆するようにして配線層４が配設される。 - 特許庁

Covering a metal silicide film 10, the insulating film 9, the insulating films 10, an insulating film 12, and an insulating film 13, an insulating film 14 is provided in parallel to the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

金属シリサイド膜１０、絶縁膜９、絶縁膜１０、絶縁膜１２、及び絶縁膜１３を覆うように絶縁膜１４が半導体基板１と平行に設けられる。 - 特許庁

A first insulating film 16 is deposited on the second insulating film 13 where the first wiring 15 is provided, and a second insulating film 17 lower in etching rate than the first insulating film 12 is formed on the first insulating film 16.例文帳に追加

第１の配線１５が形成された第２の絶縁膜１３上に第１の絶縁膜１６を堆積し、前記第１の絶縁膜１６上に第１の絶縁膜１２よりもエッチングレートの低い第２の絶縁膜１７を堆積する。 - 特許庁

例文

A third insulating film (4) composed of a material different from those of the first insulating film or an air gap (31) is formed between the first insulating film and the side of the groove, and reaches at least the interface between the first insulating film and the second insulating film.例文帳に追加

第１絶縁膜と異なる材料からなる第３絶縁膜（4）または空隙（31）は、第１絶縁膜と溝の側面との間に形成され、少なくとも第１絶縁膜と第２絶縁膜との界面に達する。 - 特許庁

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