「insulating-film」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

ELECTRICALLY INSULATING THIN FILM FORMING RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING ELECTRICALLY INSULATING THIN FILM例文帳に追加

電気絶縁性薄膜形成性樹脂組成物、および電気絶縁性薄膜の形成方法 - 特許庁

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, METHOD FOR FORMING INSULATING FILM, INSULATING FILM, ELECTRONIC DEVICE AND FLAT PANEL DISPLAY DEVICE例文帳に追加

感放射線性組成物、絶縁膜の形成方法、絶縁膜、電子デバイス及び平面表示装置 - 特許庁

On the first interlayer insulating film, a second interlayer insulating film consisting of an insulation material is formed.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜の上に、絶縁材料からなる第２の層間絶縁膜が形成されている。 - 特許庁

Withstand voltage of the gate protecting insulating film is lower than that of the gate insulating film.例文帳に追加

ここで、ゲート保護用絶縁膜の耐圧は、ゲート絶縁膜の耐圧よりも低い。 - 特許庁

A fifth interlayer insulating film 14 is formed on a fourth interlayer insulating film 13.例文帳に追加

第４の層間絶縁膜１３の上層に第５の層間絶縁膜１４を形成する。 - 特許庁

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR FORMING TRANSPARENT INSULATING PROTECTIVE FILM AND TRANSPARENT INSULATING FILM例文帳に追加

透明絶縁保護膜形成用感光性樹脂組成物および透明絶縁膜 - 特許庁

The insulating film is most suitable for the insulating film to be used for a battery pack.例文帳に追加

本発明の絶縁フィルムは、パック型電池に用いられる絶縁フィルムとして好適である。 - 特許庁

The first gate insulating film 17 is thicker than the second gate insulating film 18.例文帳に追加

第１ゲート絶縁膜１７は、第２ゲート絶縁膜１８より厚くなるように形成される。 - 特許庁

Mobility of the gate insulating film 14 can be enlarged without thinning the gate insulating film 14.例文帳に追加

ゲート絶縁膜14を薄くすることなく、ゲート絶縁膜14の移動度を大きくできる。 - 特許庁

A fourth interlayer insulating film 11 is formed on the upper surface of the third interlayer insulating film 10.例文帳に追加

第３の層間絶縁膜１０の上面に第４の層間絶縁膜１１を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING INSULATING FILM FOR EECTRONIC DEVICE, INSULATING FILM FOR ELECTRONIC DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

電子デバイス用絶縁膜の製造方法、電子デバイス用絶縁膜、及び、電子デバイス - 特許庁

POLYMER FOR INSULATING FILM, METHOD OF POLYMERIZING THE SAME, INSULATING FILM, AND ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

絶縁膜用重合体及びその重合方法、絶縁膜ならびに電子デバイス - 特許庁

Thereafter, an insulating film 15 is deposited on the insulating film 11 with the Cu wiring 14 deposited thereon.例文帳に追加

その後、Ｃｕ配線１４が形成された絶縁膜１１上に絶縁膜１５を形成する。 - 特許庁

An inter-layer insulating film 104 is formed on the element isolation insulating film 102.例文帳に追加

素子分離絶縁膜１０２上に層間絶縁膜１０４が形成されている。 - 特許庁

Charge storage particles 15 are dispersed between the tunnel insulating film 12 and the block insulating film 13.例文帳に追加

そして、トンネル絶縁膜１２とブロック絶縁膜１３との間に、電荷蓄積粒１５を分散させる。 - 特許庁

A contact hole 19 is provided through a first interlayer insulating film 17 and a gate insulating film 14.例文帳に追加

第１層間絶縁膜17とゲート絶縁膜14とを貫通してコンタクトホール19を形成する。 - 特許庁

RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR FORMING INSULATING FILM AND METHOD FOR PRODUCING INSULATING FILM例文帳に追加

絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物および絶縁膜の製造方法 - 特許庁

The method for manufacturing the board with the insulating film comprises a step of coating a polymerizable inorganic insulating material 28 on a film board 14.例文帳に追加

フィルム基板１４上に重合性無機絶縁材料２８を塗布する。 - 特許庁

After reflow process and flattening process are performed in this order, a second insulating film 6 is formed on the insulating film 5.例文帳に追加

リフロー処理後、平坦化処理後、絶縁膜５上に第２の絶縁膜６を形成する。 - 特許庁

An insulating film 16 is formed in the interlayer insulating film 14 between wiring layers 15.例文帳に追加

配線層１５間の層間絶縁膜１４内には、絶縁膜１６が形成されている。 - 特許庁

The third gate insulating film is made of a substance film that differs from that of the first and second gate insulating films.例文帳に追加

前記第３ゲート絶縁膜は前記第１及び第２ゲート絶縁膜と異なる物質膜からなる。 - 特許庁

To provide a method for producing an insulating film and a method for fabricating a semiconductor device having an insulating film.例文帳に追加

絶縁膜の製造方法および絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, INTERLAYER INSULATING FILM, FORMATION METHOD OF INTERLAYER INSULATING FILM, AND DISPLAY ELEMENT例文帳に追加

感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜、層間絶縁膜の形成方法及び表示素子 - 特許庁

COATING SOLUTION FOR INSULATING FILM FORMATION AND METHOD FOR FORMING INSULATING FILM FOR SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

絶縁膜形成用塗布液および半導体装置用絶縁膜の形成方法 - 特許庁

An organic insulating film 107 is formed so as to cover the inorganic insulating film and the inside of the via hole.例文帳に追加

無機系絶縁膜上及びビアホールの内部を覆うように有機系絶縁膜１０７を形成する。 - 特許庁

The sealing layer 16 includes a first insulating film 16a and a second insulating film 16b.例文帳に追加

封止層１６は第１絶縁膜１６ａおよび第２絶縁膜１６ｂからなる。 - 特許庁

Then an insulating film 36 and an insulating film 37 are formed which have low dielectric constant.例文帳に追加

その後、低誘電率からなる絶縁膜３６及び絶縁膜３７を成膜する。 - 特許庁

COMPOSITION FOR FORMING FILM, COMPOSITION FOR FORMING INSULATING MATERIAL, INSULATING FILM AND ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

膜形成用組成物、絶縁材料形成用組成物、絶縁膜及び電子デバイス - 特許庁

CHROMIC ACID-BASED INSULATING FILM TREATING LIQUID FOR ELECTRICAL STEEL SHEET AND ELECTRICAL STEEL SHEET WITH CHROMIC ACID-BASED INSULATING FILM TREATING LIQUID例文帳に追加

電磁鋼板用クロム酸系絶縁被膜処理液およびクロム酸系絶縁被膜付き電磁鋼板 - 特許庁

The second insulating film 21B is formed in contact on the first insulating film 21A.例文帳に追加

第２の絶縁膜２１Ｂは、第１の絶縁膜２１Ａの上に接して形成されている。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING CONDUCTOR COIL WITH INSULATING FILM, AND CONDUCTOR COIL WITH INSULATING FILM例文帳に追加

絶縁被膜付き導体コイルの製造方法及び絶縁被膜付き導体コイル - 特許庁

Further, subsequent to a second insulating film depositing step for forming an interlayer insulating film 41 composed of the silicone oxide film, a second insulating film hydrogen introducing step for introducing the hydrogen into the interlayer insulating film 41 is performed.例文帳に追加

また、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜４１を形成する第２絶縁膜成膜工程の後、層間絶縁膜４１に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程を行う。 - 特許庁

The semiconductor device comprises the substrate, a first insulating film formed on the substrate, the gate insulating film, constituted of a second insulation film formed on the first insulating film, and the gate electrode formed on the second insulating film.例文帳に追加

半導体装置において、基板と、この基板に形成された第一の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜上に形成された第二の絶縁膜からなるゲート絶縁膜と、第二の絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備える。 - 特許庁

The second insulating film is formed as a high dielectric constant insulating film with a film thickness for transmitting oxygen, whose quantity makes it possible to prevent oxidation-reduction reaction from occurring on an interface between the first insulating film and the second insulating film.例文帳に追加

第２の絶縁膜は、高誘電率絶縁膜であるとともに、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜との界面で酸化還元反応が起こるのを抑制できる量の酸素を透過する膜厚で形成される。 - 特許庁

An insulating film (12) is formed on a board (11), a hole (121) is provided on the surface of the insulating film (12) at a prescribed position as it is extended perpendicular to the surface of the insulating film (12), and an amorphous silicon film (13) having a prescribed thickness is formed on the insulating film (12).例文帳に追加

基板（１１）上に絶縁膜（１２）を形成し、絶縁膜（１２）の面内の所定位置に、面に対して垂直に延びる孔（１２１）を形成してから、絶縁膜（１２）上に所定の厚さで非晶質珪素膜（１３）を形成する。 - 特許庁

Thereafter, recesses 104 are formed in the insulating barrier film 103 and the first interlayer insulating film 101 which are interposed between the lower-layer wirings 102, and a second interlayer insulating film 105 is so deposited on the insulating barrier film 103 as to fill the recesses 104 with the film 105.例文帳に追加

その後、下層配線間の絶縁性バリア膜１０３及び第１の層間絶縁膜１０１に溝１０８を形成し、絶縁性バリア膜１０３の上に溝１０８を埋めるように第２の層間絶縁膜１０５を堆積する。 - 特許庁

After the temperature of the substrate reaches the predetermined film deposition temperature, the gas for film deposition of the insulating film 22 is introduced into a film deposition chamber of a film deposition apparatus to form the insulating film 22 on the insulating film 21.例文帳に追加

半導体基板の温度が所定の成膜温度に達した後、絶縁膜２２の成膜用のガスを成膜装置の成膜室に導入して、絶縁膜２１上に絶縁膜２２を成膜する。 - 特許庁

A heat-insulating film is formed on an insulating surface, the heat-insulating film is covered to form a semiconductor film, a reflection film is formed partially on the semiconductor film, and a laser beam is applied to the reflection film and the semiconductor film.例文帳に追加

絶縁表面上に保温膜を形成し、前記保温膜を覆って半導体膜を形成し、前記半導体膜上に部分的に反射膜を形成し、前記反射膜および前記半導体膜にレーザビームを照射する。 - 特許庁

The tunnel insulating film 15a is a laminate film in which a plasma oxide film and a plasma nitride film are laminated.例文帳に追加

トンネル絶縁膜１５ａは、プラズマ酸化膜とプラズマ窒化膜とを積層した積層膜である。 - 特許庁

A metal film 5, a metal film 6, and a metal film 7 are formed on the insulating film 2 inclusive of the inside of the opening 3.例文帳に追加

開口部３内を含めた絶縁膜２の上に金属膜５，６，７を成膜する。 - 特許庁

This interlayer insulating film laminated structure is provided with an SiC film 4, an SiOC film 5 and an SiO_2 film 6.例文帳に追加

層間絶縁膜積層構造は、ＳｉＣ膜４、ＳｉＯＣ膜５、及びＳｉＯ_２ 膜６を有する。 - 特許庁

The porous insulating film is formed on a substrate, and the metal film or the metal compound film is formed on the insulating film.例文帳に追加

基板に、多孔質の絶縁膜を形成し、この絶縁膜に、金属膜又は金属化合物膜を形成する。 - 特許庁

A high-density insulating film 109, having larger density than the insulating film 105, is formed between the insulation film 105 and barrier film 110.例文帳に追加

絶縁膜１０５とバリア膜１１０との間には、絶縁膜１０５よりも密度が高い高密度絶縁膜１０９が形成されている。 - 特許庁

A first insulating film, a charge trapping film, and a second insulating film are formed between a semiconductor substrate and a conductive film.例文帳に追加

半導体基板と導電膜の間には、第１絶縁膜、電荷トラップ膜、第２絶縁膜が形成されている。 - 特許庁

COMPOSITION FOR FORMING FILM, INSULATING FILM OBTAINED FROM THE COMPOSITION FOR FORMING FILM AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE INSULATING FILM例文帳に追加

膜形成用組成物、膜形成用組成物から得られた絶縁膜、および絶縁膜を有する電子デバイス - 特許庁