「insulating-film」に関連した英語例文の一覧と使い方(375ページ目) - Weblio英語例文検索

To make surely connectable a pixel electrode and a thin film transistor without requiring consideration of the insulating property with the pixel electrode even when an electrically conductive light-shielding layer is used, to surely cut light, to prevent defects in pixels or decrease in the contrast of a color display, and to improve the yield.例文帳に追加

導電性遮光層を用いても、画素電極との絶縁性を考慮する必要がなく、画素電極と薄膜トランジスタとを確実に接続することができ、しかも確実に遮光することができるので、画素の欠陥やカラー表示のコントラスト低下等を生じることがなく、歩留りが高い液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

This treatment method forms an insulating film on the surface of a substrate to be treated according to oxidizing and nitriding treatment and comprises steps of nitriding the surface of the substrate to be treated by irradiating the substrate to be treated with plasma containing nitrogen atoms, and oxidizing the nitrided surface of the substrate to be treated by irradiating the nitrided surface with plasma containing oxygen atoms.例文帳に追加

被処理基体の表面に酸窒化処理により絶縁膜を形成する処理方法であって、前記被処理基体に窒素原子を含むプラズマを照射して前記被処理基体の表面を窒化するステップと、前記窒化された前記被処理基体の前記表面に酸素原子を含むプラズマを照射して酸化するステップとを有する方法を提供する。 - 特許庁

A first layer 16 is formed by segregating specific atoms with high concentration on the junction interface of the NiGe layer 15 and the Ge substrate 2, and a second layer 17 is formed by segregating the same atoms as those of the first layer 16 with high concentration on the interface of the gate electrode 13 and a gate insulating film 12.例文帳に追加

ＮｉＧｅ層１５とＧｅ基板２との接合界面には、所定の原子が高濃度に偏析して形成されてなる第１の層１６が形成され、ゲート電極１３とゲート絶縁膜１２との界面には、第１の層１６と同じ原子が高濃度に偏析して形成されてなる第２の層１７が形成されている。 - 特許庁

The inorganic EL element comprises a substrate 1, a first electrode 2 formed on the substrate, a dielectric thick film including a first insulating layer 3 formed by depositting by spraying dielectric powder on the substrate having the first electrode layer formed thereon, a light emitting layer 4 showing electroluminescence, and a second electrode 6 formed as the upper layer of the light emitting layer.例文帳に追加

基板１と、基板上に形成されている第１の電極２と、誘電性を有する厚膜であって、第１の電極層が形成された基板に、誘電性を有する材料の粉体を噴射して堆積させることにより形成された第１の絶縁層３と、第１の絶縁層の上に、エレクトロルミネセンスを呈する発光層４と、発光層の上層に形成されている第２の電極６とを含む。 - 特許庁

This curable electromagnetic wave shielding adhesive film includes: a curable electroconductive polyurethane polyurea adhesive layer which contains a polyurethane polyurea resin, an epoxy resin of a low softening point, an epoxy resin of a high softening point, and a specific amount of a conductive filler; and a filmy curable insulating polyurethane polyurea resin composition which contains the polyurethane polyurea resin, and an epoxy resin.例文帳に追加

ポリウレタンポリウレア樹脂と低軟化点のエポキシ樹脂と高軟化点のエポキシ樹脂と特定量の導電性フィラーとを含有する硬化性導電性ポリウレタンポリウレア接着剤層と、ポリウレタンポリウレア樹脂とエポキシ樹脂とを含有するフィルム状硬化性絶縁性ポリウレタンポリウレア樹脂組成物とを有する硬化性電磁波シールド性接着性フィルム。 - 特許庁

Since the insulating film of a transistor is formed to be thin in each of a 5 V voltage-level monitoring circuit 103 for monitoring the voltage value from the voltage supply circuit 101 and a -5 V voltage-level monitoring circuit 110 for monitoring the voltage value from the voltage-polarity inversion circuit 111, the circuits can be miniaturized to shrink the circuit areas.例文帳に追加

電圧供給回路１０１からの電圧値を検出する５Ｖ電圧レベル検出回路１０３と、電圧極性反転回路１０１からの電圧値を検出する−５Ｖ電圧レベル検出回路１０３とは、トランジスタの絶縁膜を薄く形成できるので、回路の微細化により回路面積が縮小できる。 - 特許庁

According to the present invention, since the radiation electrode 12 is covered with the protection insulating film 15 through which sulfur gases are not permeated substantially, even when silver (Ag) that is easily corroded by sulfur gases is used as the main component of the radiation electrode 12, the corrosion of the radiation electrode 12 can be effectively prevented.例文帳に追加

本発明によれば、実質的に硫化ガスを透過しない保護絶縁膜１５によって放射電極１２が覆われていることから、放射電極１２の主成分として硫化ガスによる腐食が生じやすい銀（Ａｇ）を用いた場合であっても、放射電極１２の腐食を効果的に防止することが可能となる。 - 特許庁

To provide a surface inspection device and its method capable of discriminating a scratch having a various shape generated on the surface from adhering foreign matter and inspecting it, when polishing or grinding such as CMP or the like is performed onto a machining object (for example, an insulating film on a semiconductor substrate) in semiconductor production or magnetic head production.例文帳に追加

半導体製造や磁気ヘッド製造において、被加工対象物（例えば、半導体基板上の絶縁膜）に対してＣＭＰなどの研磨または研削加工を施した際、その表面に生じる様々な形状を有するスクラッチと付着する異物とを弁別して検査することができるようにした表面検査装置およびその方法を提供することにある。 - 特許庁

This interlayer insulating film comprises a polymer obtained by polymerizing three-dimensionally a first monomer which has a substituted acetylenyl group and can be polymerized three-dimensionally, an adamantane derivative having a substituted acetylenyl group for example, a second monomer which has a substituted cyclopentanonyl group and can be polymerized two-dimensionally, and an aromatic derivative having a substituted cyclopentanonyl group for example.例文帳に追加

層間絶縁膜は、置換アセチレニル基を有すると共に三次元方向に重合可能な第１のモノマー、例えば置換アセチレニル基を有するアダマンタン誘導体と、置換シクロペンタノニル基を有すると共に二次元方向に重合可能な第２のモノマー、例えば置換シクロペンタノニル基を有する芳香族誘導体とが三次元的に重合した重合体よりなる。 - 特許庁

The method of forming a polycrystalline silicon film comprises steps of forming an electrically insulating thermally conductive layer on a substrate, forming an amorphous silicon layer on the thermally conductive layer, patterning the amorphous silicon layer to form an amorphous silicon island, and annealing the amorphous silicon island to crystallize amorphous silicon.例文帳に追加

基板に電気絶縁性熱伝導層を形成する工程と、熱伝導層上に非晶質シリコン層を形成する工程と、非晶質シリコン層をパターニングして非晶質シリコンアイランドを形成する工程と、アイランドをアニーリングして非晶質シリコンを結晶化する工程と、を含む多結晶シリコンフィルムの製造方法である。 - 特許庁

To remove efficiently a film, such as varied insulating layer formed on a single crystal silicon and a work-distorted layer near a single crystal silicon substrate when recycling a silicon single crystal substrate used in manufacturing a semiconductor device, for a silicon single crystal substrate for use in a solar battery and a monitor wafer.例文帳に追加

半導体素子製造用に供された使用済みシリコン単結晶基板を、太陽電池用シリコン単結晶基板やモニターウエハーに再使用するに際して、単結晶シリコン上に形成されている各種の絶縁層等の被膜及び単結晶シリコン基板表面近傍の加工歪のある層を効率よく除去する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device is provided with a process for forming a wiring trench 38 in an interlayer insulating film 34, a process for forming the wiring layer 44 whose main material is Cu in the wiring trench 38, and a process for performing nitrogen two-phase flow treatment in which nitrogen gas and hotwater are sprayed simultaneously to the surface of the wiring layer 44 embedded in the wiring trench 38.例文帳に追加

層間絶縁膜３４に、配線溝３８を形成する工程と、配線溝３８内に、Ｃｕを主材料とする配線層４４を形成する工程と、配線溝３８内に埋め込まれた配線層４４の表面に対して、窒素ガスと水とを同時に吹き付ける窒素二流体処理を行う工程とを有する。 - 特許庁

The conductive sheet has a surface not subjected to surface roughening treatment and is characterized in that the insulating film which is reduced to 1 mass % or less in the content of a moisture-containing volatile component is used as the substrate sheet, an Si-containing layer is formed to at least one of both surfaces of the substrate sheet and the conductive layer is formed on the Si-containing layer.例文帳に追加

本発明の導電性シートは、表面粗化処理がされていない表面を有し、かつ水分を含む揮発性成分の含有率が１質量％以下である絶縁性フィルムを基体シートとし、該基体シートの表裏少なくとも一方の表面にＳｉ含有層を形成し、該Ｓｉ含有層上に導電層を形成したことを特徴としている。 - 特許庁

To provide an IPS type liquid crystal display which has two electrodes for applying a lateral electric field to a liquid crystal layer arranged a plane of an insulating film close to the liquid crystal layer and a plane distant from the liquid crystal layer respectively, wherein the power consumption can be reduced while a sufficient withstand voltage is secured between both the electrodes and a flicker and an afterimage can be suppressed, and its manufacturing method.例文帳に追加

液晶層に横電界を印加する２つの電極が、絶縁膜の液晶層に近い面及び遠い面にそれぞれ配設されたＩＰＳ方式の液晶表示装置であって、双方の電極間で充分な耐電圧性能を確保しつつ、消費電力を低減でき、且つフリッカや残像の発生を抑制可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which prevents a crystal defect pit of a semiconductor substrate in which an MIS transistor by formation of an application version insulating film is formed, prevents a malfunction of a circuit when including a low breakdown voltage MIS transistor, and can suppress a deviation of a threshold value in addition to prevent the malfunction of the circuit when including a high breakdown voltage MIS transistor.例文帳に追加

塗布型絶縁膜の形成によるＭＩＳトランジスタが形成された半導体基板の結晶欠陥ピットを防止し、低耐圧ＭＩＳトランジスタを含む場合は回路の誤動作を防止し、高耐圧ＭＩＳトランジスタを含む場合は回路の誤動作防止に加えて閾値のずれの抑制が可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an abrasive composition that can reduce the erosion, caused when a wiring concentrating area is polished excessively as compared with a non-wiring area to ≤30 nm in an area having a narrow wiring width, during the course of a CMP process performed on a semiconductor device, having a copper film, a barrier layer composed of a tantalum compound, and an SiO_2 insulating layer.例文帳に追加

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_2の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、配線幅が細い領域において、配線密集領域が無配線領域比べて過剰に研磨され起こるエロージョンを３０ｎｍ以下にすることのできる研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

In a transistor comprising a gate electrode 11, a gate insulating film 2, a source electrode 17, a drain electrode 16 and the organic semiconductor layer 3 formed on a substrate, the sealing layer 4 is included on the semiconductor layer, and a printing method is used for its formation to form a stripe shape, by which a pattern is simply formed, and high alignment accuracy is obtained together with the high yield.例文帳に追加

基板上に形成されたゲート電極１１、ゲート絶縁膜２、ソース電極１７、ドレイン電極１６および有機半導体層３を含んでなるトランジスタにおいて、半導体層上に封止層４を有し、その形成に印刷法を用い、ストライプ状にすることで、簡易にパターンを形成でき、歩留まりよく、高いアライメント精度が得られる。 - 特許庁

The data transmitter for transmitting a signal of a Gbps band between the printed circuit boards includes a pair of connectors which are provided at ends of the printed circuit boards and have an insulating film applied onto the surface, a semiconductor laser provided on one of the pair of connectors, and a photodiode which is provided on the other of the pair of connectors and receives light made incident from the semiconductor laser.例文帳に追加

Ｇbps帯の信号をプリント基板間で伝送させるデータ伝送装置において、前記プリント基板の端部に設けられ、表面に絶縁膜が施された一対のコネクタと、この一対のコネクタの一方に設けられた半導体レーザと、前記一対のコネクタの他方に設けられ、前記半導体レーザから入射された光を受光するフォトダイオードとを設ける。 - 特許庁

A plurality of capacitor elements each of which is constituted of oppositely arranging a pair of polarizable electrodes 11, each of which is composed of a positive pole and a negative pole, through a separator 12 are connected in series by mutually welding lead terminals 15 partially projected from laminate films 16 in the same direction, and the plurality of capacitor elements each is arranged in each cell partitioned by a thermoplastic insulating film 18.例文帳に追加

正極および負極からなる一対の分極性電極１１を、セパレータ１２を介して対向配置した複数個のキャパシタ素子を、ラミネートフィルム１６から同方向に一部突出したリード端子１５を溶接することで直列接続するとともに、前記複数個のキャパシタ素子をそれぞれ熱可塑性絶縁性フィルム１８で仕切られた各セルに配置する。 - 特許庁

In a mounting structure for connecting the bottom face of a component 2 fixedly to a circuit board 1 through solder 12, through holes 4, gaps between the trough holes 4 and a conductive pattern 8, and recesses 14 caused by the gaps between a circuit pattern 7 and the conductive pattern 8 are present on the surface of an insulating film 11 formed on the circuit board 1.例文帳に追加

部品２の底面を半田１２により回路基板１に接続固定させる実装構造において、回路基板１に積層形成されている絶縁膜１１の表面にはスルーホール４や、スルーホール４と導電パターン８間の間隙や、回路パターン７と導電パターン８間の間隙に起因して窪み１４が生じている。 - 特許庁

The capacitance medium is constituted of a conductive liquid 6 which is injected into the slit 41 blocked up by the electrode layers 2, 3 as a cavity 5 so as to occupy a part of its volume, and into which the common electrode 22 is dipped, and an insulating film 35 whose one surface is dipped in the conductive liquid 6 and the other surface is joined to the counter electrodes 32, 33.例文帳に追加

そして、下部電極層２と上部電極層３とにより閉塞されたスリット４１をキャビティ５として、そこにその容積の一部を占めるように注入されるとともに、共通電極２２が浸漬される導電性液体６と、一方の面が導電性液体６に浸漬されるとともに、他方の面が対向電極３２，３３に接合されている絶縁膜３５とにより、静電容量媒体が構成されている。 - 特許庁

The interlayer insulating film is provided with trenches 11m and 11n extending in a specified direction in parallel with the major surface while being spaced apart from each other between the memory cell and the circumferential edge 54, and a trench 11p branched from the trenches 11m and 11n to extend in a direction different from the extending direction of the trenches 11m and 11n.例文帳に追加

層間絶縁膜には、メモリセルと周縁５４との間に位置して、主表面に対して平行に延在し、かつ互いに間隔を隔てて所定の方向に延びる溝１１ｍおよび１１ｎと、溝１１ｍおよび１１ｎから枝分かれし、溝１１ｍおよび１１ｎが延びる方向とは異なる方向に延びる溝１１ｐとが形成されている。 - 特許庁

The light receiving circuit has a structure provided with a photodiode 1 which is formed on an insulating substrate and is formed of a thin film, transfer TFT 2 transferring charge induced in the photodiode in accordance with optical input, a charge storage capacitor 3 for storing transferred charge, and reading TFT 4 for transferring charge stored in the charge storage capacitor to a charge reading signal line 7.例文帳に追加

開示される受光回路は、絶縁性基板上に形成された薄膜からなるフォトダイオード１と、光入力に応じてフォトダイオードに誘起された電荷を転送する転送用ＴＦＴ２と、転送された電荷を蓄積する電荷蓄積用コンデンサ３と、電荷蓄積用コンデンサに蓄積された電荷を電荷読み出し用信号線７に転送する読み出し用ＴＦＴ４とを備えた構成を有している。 - 特許庁

In the structure, a contact protection layer is inserted on a p-type contact layer, and, by subjecting an insulating film to thermal processing after subjecting it to RIE, an opening for contact can be formed without inclusion of reactive ions in the p-type contact layer that causes the contact resistance to increase and without causing resistance of the p-type contact layer to increase by etching.例文帳に追加

本発明によるとp型コンタクト層上にコンタクト防護層を挿入した構造とし、絶縁膜RIE後に熱処理を行うことでコンタクト抵抗増加の影響を及ぼすp型コンタクト層への反応性イオンの侵入やp型コンタクト層のエッチングによる高抵抗化の影響を与えることなくコンタクト用開口部を形成することができる。 - 特許庁

The vacuum heat insulating material is structured so that a core material and a gas adsorbent are accommodated in a sack consisting of a gas barrier film and its inside is decompressed and sealed, wherein the core material is provided with a hole, which is filled with the gas adsorbent in the form of powder or granulated powder in the condition as it is as the gas adsorbent and is blocked with an aerating material.例文帳に追加

コア材及びガス吸着剤をガスバリアー性フィルムよりなる袋体に収納しその内部を減圧、密封した真空断熱材において、該コア材に穴を開け、該穴に該ガス吸着剤として顆粒状又は粉末状のガス吸着剤をそのまま充填し、通気性素材にて該穴を塞いだことを特徴とする真空断熱材。 - 特許庁

A gate electrode 15 of the MISFET comprises a first part extending on the surface of an element separation insulating layer 13 that has been polished to the same height as the surface of an element formation region of a silicon substrate 11, and a second part which extends from the first part and is embedded, through a gate oxide film, in a gate trench 16 formed inside an element formation region 14.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのゲート電極１５が、シリコン基板１１の素子形成領域の表面と同じ高さに研磨された素子分離絶縁層１３の表面上に延びる第１の部分と、第１の部分から延長し、素子形成領域１４の内部に形成されたゲートトレンチ１６内にゲート酸化膜を介して埋め込まれた第２の部分とを有する。 - 特許庁

In the semiconductor device, there is prepared a semiconductor substrate 1 in which a gate electrode 3a is formed on a top face of an element formation region 150 through a gate insulating film 2a, a first source-drain region 5 is formed, and an impurity region 5p is formed having the same impurity concentration as the first source-drain region 5 in a front surface of a scribing region 160.例文帳に追加

本発明に係わる半導体装置では、素子形成領域１５０の上面にゲート絶縁膜２ａを介してゲート電極３ａが形成され、また第一のソース・ドレイン領域５が形成され、またスクライブ領域１６０表面内に第一のソース・ドレイン領域５と同等の不純物濃度を有する不純物領域５ｐが形成された、半導体基板１を用意する。 - 特許庁

The lead frames on which the LED chips are mounted of a plurality of LED lamps 1 are electrically and thermally connected to a heat conductive electrode substrate 2 on which an insulating film 4 provided with a wiring pattern is stuck, and the other lead frame for the respective LED chips is connected to the wiring pattern, and a heat radiating means consisting of a Peltier element 8 is thermally coupled with the back of the substrate 2.例文帳に追加

配線パターンが設けられた絶縁フィルム４を貼設した熱伝導性電極基板２に複数のＬＥＤランプ１のＬＥＤチップをマウントしたリードフレームが電気的かつ熱的に接続され、各ＬＥＤチップの他方のリードフレームが配線パターンに接続されており、熱伝導性電極基板の背面にはペルチェ素子８から成る放熱手段が熱結合されている。 - 特許庁

The power semiconductor device comprises: a substrate; a surface electrode formed on the substrate; a plurality of guard rings formed in the substrate so as to surround the surface electrode; a plurality of conductors formed for each of the plurality of guard rings; a semi-insulating film integrally covering the plurality of conductors; and an electrical conductivity monitor formed at a more outer peripheral side than the guard rings in the substrate.例文帳に追加

本発明に係るパワー半導体素子は、基板と、該基板に形成された表面電極と、該基板内に該表面電極を囲むように形成された複数のガードリングと、該複数のガードリングに個別に形成された複数の導体と、該複数の導体を一体的に覆う半絶縁膜と、該基板の該ガードリングよりも外周側に形成された導電率モニターと、を有する。 - 特許庁

The anisotropic conductive adhesive layer 3 is turned toward the surface of the insulating layer 8 to bond the material 1 for forming the circuit composed of a reinforcing film 4, the metal layer 2 and the anisotropic conductive adhesive layer 3 under heating and pressure and a part of the anisotropic conductive adhesive layer 3 is penetrated in the hole 8a to electrically connect the metal layer 2 and the wiring pattern layer 7.例文帳に追加

なお、異方導電性接着剤層３側を絶縁層８表面に向けて、補強フィルム４、金属層２及び異方導電性接着剤層３からなる回路形成用材料１を加熱圧着し、異方導電性接着剤層３の一部を孔８ａに入り込ませ、金属層２と配線パターン層７とを電気的に接続させている。 - 特許庁

The liquid crystal display device 1 includes a photodetector 30 that receives ambient external light, wherein a through hole 51 accommodating the photodetector 30 is formed in a gate insulating film 33 and a first interlayer dielectric 34 formed on an element substrate 11, and at least the inner wall of the through hole 51 has light-shielding property.例文帳に追加

周囲の外光を受光する受光素子３０を備えてなる液晶表示装置１であって、素子基板１１上に設けられるゲート絶縁膜３３及び第１層間絶縁膜３４に受光素子３０を収容する貫通孔５１が設けられ、貫通孔５１の少なくとも内側壁が遮光性を有している。 - 特許庁

The support of the electrode pad by the structure can prevent addition of large stress to components under the electrode pad during bonding, thereby preventing destruction of a transistor such as deformation of fine wiring pattern and breaking even if an interlayer insulating film having a relatively low mechanical strength is used in a portion of the multilayer wiring structure.例文帳に追加

この構造物により電極パッドが支持されているため、ボンディングを行った際に電極パッドの下方に存在する構成要素に大きなストレスが加わるのを防止することができ、多層配線構造の一部に、機械的強度が比較的弱い層間絶縁膜を用いた場合であっても、微細な配線パターンの変形や断線等、トランジスタの破壊等を防止することができる。 - 特許庁

In this surface discharge type plasma display panel having a discharge electrode, the dielectric layer to cover the discharge electrode, and the protective layer to coat the dielectric layer, the protective layer is composed of a plasma resistant polymer film and an insulating particle layer formed on it to emit electrons by applying an electric field.例文帳に追加

放電電極と、この放電電極を被覆する誘電体層と、この誘電体層を被覆する保護層とを有する面放電型プラズマディスプレイパネルにおいて、前記保護層が、耐プラズマ性高分子膜と、その上に形成した電界印加により電子を放出する絶縁性粒子層とから構成される。 - 特許庁

The composition for forming the insulating film contains a compound obtained by mixing (A) a polyorganosiloxane compound having an MFI structure of a zeolite in which a nitrogen-containing compound exists in a hole formed of 10 member rings of a siloxane for constituting the MFI and (B) a polycarbosilane compound in the presence of an organic solvent and heating it.例文帳に追加

本発明にかかる絶縁膜形成用組成物は、（Ａ）ゼオライトのMFI構造を有し、前記MFI構造を構成するシロキサンの１０員環によって形成される孔内に含窒素化合物が存在する、ポリオルガノシロキサン化合物と、（Ｂ）ポリカルボシラン化合物とを、有機溶媒の存在下で混合し、加熱することにより得られる化合物を含有する。 - 特許庁

Of the bipolar battery 1 having a structure of laminating electrode lamination bodies formed by laminating a positive electrode layer 5 on one face of a sheet of polymer electrolyte film 3 and a negative electrode layer 7 on the other face through an electron conductive layer, the electron conductive layer 11 contains mainly an insulating polymer and an electron conductive filler.例文帳に追加

一枚の高分子電解質膜の片方の面上に正極層を有し、他方の面上に負極層を有する電極積層体を、電子伝導性の層を介して積層した構造をもつバイポーラ電池において、電子伝導性層が、絶縁性高分子と電子伝導性フィラーを主に含むことを特徴とするバイポーラ電池。 - 特許庁

To provide a cover-lay film with a white resin insulating film which obtains at least one or more effects including no process contamination, no occurrence of sticking during hot pressing, rich flexibility, high whiteness and reflectance, excellent solder heat resistance, organic solvent resistance, and flame retardancy, reduced warpage of a substrate after being cured, and reduced reflectance-hue change after high temperature heat history or irradiation and a printed wiring board.例文帳に追加

本発明の課題は、工程汚染がない、熱プレス時に貼りつきが発生しない、柔軟性に富む、白色度および反射率が高い、ハンダ耐熱性、耐有機溶剤性、難燃性に優れる、硬化後の基板の反りが小さい、高温熱履歴又は光照射後の反射率・色相変化が少ないなどの少なくとも１以上の効果を奏する白色樹脂絶縁膜付きカバーレイフィルム及びプリント配線板を提供することにある。 - 特許庁

Cut grooves 18, arriving at a substrate from a surface oxide film 14, are formed to separate chips 10 of semiconductor circuits on a substrate wafer 11A having a semiconductor layer 13, including many same semiconductor circuits collectively formed on the wafer 11A via an insulating layer 12, the film 14 covering the layer 13 and electrode pads 16 formed at the respective circuits thereon for the substrate.例文帳に追加

基板ウエハ１１Ａ上に絶縁層１２を介して、多数の同一の半導体回路が集合的に形成された半導体層１３と、これを覆う表面酸化膜１４と、その上に前記各半導体回路ごとに形成された前記基板のための電極パッド１６とを備えるウエハ１１Ａを前記各半導体回路毎のチップ１０に分離すべく表面酸化膜１４から前記基板に達する切り溝１８をウエハ１１Ａに形成する。 - 特許庁

At least one layer of conductive film is formed on an insulating surface, a resist pattern is formed thereon, and then the conductive film having the resist pattern is etched to form a metallized wiring having a tapering angle αcontrolled depending on the bias power density, ICP power density, temperature of a lower electrode, pressure, total flow rate of etching gas, and the ratio of oxygen or chlorine in the etching gas.例文帳に追加

本発明は、絶縁表面上に少なくとも一層の導電膜を形成し、前記導電膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを有する導電膜にエッチングを行い、バイアス電力密度、ＩＣＰ電力密度、下部電極の温度、圧力、エッチングガスの総流量、エッチングガスにおける酸素または塩素の割合に応じてテーパー角αが制御された金属配線を形成することを特徴としている。 - 特許庁

A plasma processing device for subjecting the electrostatic chucking device with a photoconductive film having photoconductivity formed on the surface of its insulating material to a plasma processing has the steps of introducing a processing gas for a plasma processing chamber, generating plasma in the plasma processing chamber, and the light of the plasma to be irradiated on the photoconductive film.例文帳に追加

静電吸着装置の絶縁性材料の表面に、光導電性を有する光導電膜を設けた静電吸着保持装置に対してプラズマ処理をするプラズマ処理装置において、プラズマ処理室内に処理用ガスを導入する工程と、該プラズマ処理室内のガス圧力を1Torr以上にする工程と、該プラズマ処理室内にプラズマを発生する工程と、該プラズマの発光を該光導電膜に照射する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a polyarylene and/or a polyarylene ether which is useful as an interlayer insulating film in a semiconductor element, etc., has a low metal impurity content, excellent dielectric constant characteristics and low leakage current characteristics and has high industrial stability and to obtain a compound for film formation using the same.例文帳に追加

本発明は、上記要求を満たすためのポリアリーレン及び／またはポリアリーレンエーテルの製造方法およびそれを用いた膜形成用組成物に関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶縁膜として、金属不純物の含有量が少なく、比誘電率特性、低リーク電流特性に優れた膜形成用組成物、および工業的に安定性の高い製造方法および該組成物から得られる有機膜を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a semiconductor device, a memory transistor is constituted by laminating a floating gate upon a control gate through a first insulating film, and at least the gate electrode of a select transistor is constituted into a single layer which contains impurities at increased concentrations by implanting ions into a polysilicon film, forming in the same layer as the floating gate electrode of the memory transistor in a source-drain area forming process.例文帳に追加

メモリトランジスタは第１絶縁膜を介してフローティングゲートとコントロールゲートが積層された構造であり、少なくともセレクトトランジスタのゲート電極が、メモリトランジスタのフローティングゲート電極と同層で形成されたポリシリコン膜にトランジスタのソースドレイン領域形成工程におけるイオン注入により不純物濃度が高められた単層構成であることを特徴とする。 - 特許庁

This manufacturing method for the organic electroluminescent element comprises a step preparing a substrate provided with a first electrode, an organic film containing at least luminous layer and a second electrode and a step forming the insulating film formed by a reaction of a first radical generated by first gas passing a plasma generation area and a heating body and a second radical generated by second gas passing the heating body on the second electrode.例文帳に追加

第１電極、少なくとも発光層を含む有機膜、および第２電極が形成された基板を準備する段階と、第１ガスがプラズマ発生領域および加熱体を通過することによって形成された第１ラジカルと、第２ガスが加熱体を通過することによって形成された第２ラジカルとが反応して生成した絶縁膜が、前記第２電極上に形成される段階と、を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法である。 - 特許庁

The circuit board is obtained by forming a plurality of one electrode films 16 on an insulating layer 18 of the uppermost layer, forming a ferroelectric layer 11 having larger dielectric constant than that of the layer corresponding to the each one film 16, forming the other electrode film 22 on the layer 11, and forming a plurality of bypass capacitors 25 connected to the power terminal of a mounting semiconductor chip 27.例文帳に追加

最表層の絶縁層１８に複数の一方の電極膜１６が形成され、該各一方の電極膜１６と対応して前記絶縁層１８よりも誘電率の大きな強誘電体層１１が形成されていると共に、該各強誘電体層１１上に他方の電極膜２２が形成されて、搭載される半導体チップ２７の電源用端子と接続される複数のバイパスコンデンサ２５が形成されていることを特徴とする回路基板。 - 特許庁

In a nonvolatile memory such as an EEPROM for writing/erasing data electrically, each memory cell constituting the memory has source-drain regions 23a, 24a, 23b and 24b formed on a semiconductor substrate, a gate electrode 27 formed on the channel region of the semiconductor substrate, and a gate insulating film 26 of three layers including a silicon nitride film formed between the semiconductor substrate and the gate electrode 27.例文帳に追加

データを電気的に書き込み・消去可能なＥＥＰＲＯＭ等の不揮発性メモリにおいて、前記メモリを構成する各メモリセルが、半導体基板に形成されたソース／ドレイン領域２３a、２４a、２３b、２４ｂと、前記半導体基板のチャネル領域上に形成されるゲート電極２７と、前記半導体基板と前記ゲート電極２７との間に形成されるシリコン窒化膜を含む３層のゲート絶縁膜２６とを備えている。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory includes: a semiconductor substrate 1; a first gate electrode WG formed on the semiconductor substrate 1 through a gate insulating film 10; second gate electrodes CG1, CG2 formed in a side direction of the first gate electrode WG and electrically insulated from the first gate electrode WG; and an electric charge trapping film 30 formed at least between the semiconductor substrate 1 and the second gate electrodes CG1, CG2.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリは、半導体基板１と、半導体基板１上にゲート絶縁膜１０を介して形成された第１ゲート電極ＷＧと、第１ゲート電極ＷＧの側方に形成され第１ゲート電極ＷＧから電気的に絶縁された第２ゲート電極ＣＧ１、ＣＧ２と、半導体基板１と第２ゲート電極ＣＧ１、ＣＧ２との間に少なくとも形成された電荷トラップ膜３０と、を備える。 - 特許庁