| 意味 | 例文 (999件) |
insulating-filmの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 18792件
It is made possible to control shading quantity by the film thickness of an insulating film 5 or an insulating film 7, by transmitting non- reflecting light through the insulating film 5 or an insulating film 7 for insulating a shading layer M2 from a mirror electrode M3.例文帳に追加
反射しない光を遮光層Ｍ_2 とミラー電極Ｍ_3 とを絶縁する絶縁膜５および絶縁膜７に透過させることで、絶縁膜５または絶縁膜７の膜厚で遮光量を制御することが可能となる。 - 特許庁
Consequently, the deterioration of the lower-layer insulating film 3 can be suppressed and the insulating film constituted by stacking the upper-layer highly dielectric film 4 upon the insulating film 3 can be formed by suppressing the fall of the insulating property of the insulating film.例文帳に追加
これにより、下層絶縁膜３の劣化が抑えられ、下層絶縁膜３の上層に高誘電率膜４を積層した絶縁膜を、絶縁性の低下を抑えて形成することができる。 - 特許庁
A second insulating film 102 harder than a first insulating film 101 is formed on the first insulating film 101, and then a via hole 103 is formed in the first insulating film 101 and the second insulating film 102.例文帳に追加
第１の絶縁膜１０１の上に、第１の絶縁膜１０１よりも硬い第２の絶縁膜１０２を形成した後、第１の絶縁膜１０１及び第２の絶縁膜１０２にビアホール１０３を形成する。 - 特許庁
A second insulating film comprising a second insulating material that is different from the first insulating material is formed on the first insulating film.例文帳に追加
第１の絶縁膜の上に、第１の絶縁材料とは異なる第２の絶縁材料からなる第２の絶縁膜を形成する。 - 特許庁
The first gate insulating film 131 and the second gate insulating film 132 include a first insulating layer 151 and a second insulating layer 152.例文帳に追加
第１ゲート絶縁膜１３１及び第２ゲート絶縁膜１３２は、第１絶縁層１５１及び第２絶縁層１５２を含む。 - 特許庁
INSULATING FLANGE, INSULATING FLANGE MECHANISM AND VACUUM FILM DEPOSITION APPARATUS例文帳に追加
絶縁フランジ、絶縁フランジ機構及び真空成膜装置 - 特許庁
The insulating substrate 30 includes an insulating resin film 32 and a filler 34.例文帳に追加
絶縁基材３０は、絶縁性樹脂膜３２および充填材３４を含む。 - 特許庁
GAS BARRIER LAMINATED FILM FOR VACUUM HEAT INSULATING MATERIAL, AND VACUUM HEAT INSULATING MATERIAL例文帳に追加
真空断熱材用ガスバリア性積層フィルムおよび真空断熱材 - 特許庁
INSULATING COATING, METHOD FOR PREPARIGN THE SAME, AND INSULATING FILM OBTAINABLE FROM THE SAME例文帳に追加
絶縁塗料及びその製造方法並びにそれから得られる絶縁被膜 - 特許庁
HOLLOW PARTICLE-CONTAINING HEAT INSULATING COATING MATERIAL AND HOLLOW PARTICLE-CONTAINING HEAT INSULATING COATING FILM例文帳に追加
中空粒子含有断熱塗料及び中空粒子含有断熱塗膜 - 特許庁
GATE INSULATING MATERIAL, GATE INSULATING FILM, AND FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
ゲート絶縁材料、ゲート絶縁膜、および電界効果型トランジスタ。 - 特許庁
INSULATING COMPOSITION IN THE FORM OF COATING MATERIAL AND METHOD FOR FORMING INSULATING FILM例文帳に追加
塗料型絶縁組成物および絶縁膜の形成方法 - 特許庁
FILM FOR SOUND INSULATING AND SOUND ABSORBING MATERIAL AND SOUND INSULATING AND SOUND ABSORBING MATERIAL USING THE SAME例文帳に追加
遮音・吸音材用フィルムおよびそれを用いた遮音・吸音材 - 特許庁
DEVICE FOR EVALUATING FILM THICKNESS AND/OR FILM QUALITY OF METAL OXIDE INSULATING FILM例文帳に追加
金属酸化物絶縁膜の膜厚および／または膜質評価装置 - 特許庁
An "organic film" is such as an organic semiconductor film or an organic insulating film.例文帳に追加
「有機膜」とは、例えば有機半導体膜又は有機絶縁膜である。 - 特許庁
The gate insulating film 5 may be formed as a laminated film, in combination with a silicon nitride film.例文帳に追加
ゲート絶縁膜５は、窒化シリコン膜との積層膜であっても良い。 - 特許庁
FILM FORMATION METHOD AND FILM FORMATION DEVICE, AND METHOD FOR FORMING GATE INSULATING FILM例文帳に追加
成膜方法および成膜装置、ならびにゲート絶縁膜の形成方法 - 特許庁
A high melting point metal film 16 is formed on a gate insulating film forming film.例文帳に追加
ゲート絶縁膜形成膜上に高融点金属膜１６を形成する。 - 特許庁
LAMINATED FILM, FORMING METHOD FOR LAMINATED FILM, INSULATING FILM, AND SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR例文帳に追加
積層膜、積層膜の形成方法、絶縁膜ならびに半導体用基板 - 特許庁
The gate insulating film 5 has a thin film part and a thick film part.例文帳に追加
ゲート絶縁膜５は、薄膜部及び厚膜部を有する。 - 特許庁
FILM-FORMING COMPOSITION, INSULATING FILM-FORMING MATERIAL AND SILICA BASED FILM例文帳に追加
膜形成用組成物、絶縁膜形成用材料およびシリカ系膜 - 特許庁
An insulating film is formed by coating a substrate with insulating varnish including insulating filler.例文帳に追加
絶縁性フィラーを含む絶縁性ワニスをコーティングし、絶縁性被膜を形成することにした。 - 特許庁
An insulating film 21 made of a silicon carbide film, a silicon carbonitride film, or a silicon oxycarbonitride film is formed as a barrier insulating film of wirings 20, and an insulating film 22 made of a silicon oxide film containing fluorines is formed as a low-permittivity insulating film on the insulating film 21 by high density plasma CVD.例文帳に追加
配線２０のバリア絶縁膜として炭化シリコン膜、炭窒化シリコン膜または酸炭化シリコン膜からなる絶縁膜２１を形成した後、その上に低誘電率絶縁膜としてフッ素を含む酸化シリコン膜からなる絶縁膜２２を高密度プラズマＣＶＤ法を用いて形成する。 - 特許庁
A first transistor including the lower insulating film in the first region and the intermediate insulating film as gate insulating films, and a second transistor including the lower insulating film in the second region, the intermediate insulating film, and the upper insulating film as the gate insulating films are formed.例文帳に追加
第１の領域の下部絶縁膜と中間絶縁膜とをゲート絶縁膜として含む第１のトランジスタと、第２の領域の下部絶縁膜、中間絶縁膜、及び上部絶縁膜をゲート絶縁膜として含む第２のトランジスタとを形成する。 - 特許庁
METHOD FOR FORMING ELECTRODEPOSITION INSULATING COATING FILM, MEMBER PROVIDED WITH ELECTRODEPOSITION INSULATING COATING FILM, MEMBER COATED WITH ELECTRODEPOSITION INSULATING FILM AND SUBSTRATE例文帳に追加
電着絶縁塗膜形成方法、電着絶縁塗膜を備える部材並びに電着絶縁皮膜付き部材及び基板 - 特許庁
METHOD FOR DEPOSITING MAGNESIUM OXIDE (MGO) INSULATING FILM, MAGNESIUM OXIDE INSULATING FILM, AND APPARATUS FOR DEPOSITING MAGNESIUM OXIDE INSULATING FILM例文帳に追加
酸化マグネシウム（ＭｇＯ）絶縁膜の成膜方法、酸化マグネシウム絶縁膜および酸化マグネシウム絶縁膜の成膜装置 - 特許庁
Onto a first insulating film 6a composed of a high dielectric constant insulating film, a second insulating film 7a is formed that contains nitrogen.例文帳に追加
高誘電率絶縁膜からなる第一の絶縁膜６ａの上に、窒素を含む第二の絶縁膜７ａを形成する。 - 特許庁
The gate insulating film 140 includes an oxygen-containing insulating film 101, and a high dielectric constant insulating film 102 containing a first metal.例文帳に追加
ゲート絶縁膜１４０は、酸素含有絶縁膜１０１と、第１の金属を含む高誘電率絶縁膜１０２とを有する。 - 特許庁
ORGANIC INSULATING FILM MATERIAL, ITS MANUFACTURING METHOD, FORMING METHOD OF ORGANIC INSULATING FILM AND SEMICONDUCTOR WHERE ORGANIC INSULATING FILM IS INSTALLED例文帳に追加
有機絶縁膜材料、その製造方法、有機絶縁膜の形成方法、及び、有機絶縁膜を設けた半導体装置 - 特許庁
A first insulating film INS1 and a third insulating film INS3 which is a tunnel insulating film are formed as films on the upper electrode dB by anodic oxidation.例文帳に追加
上層電極dＢには陽極酸化で第１絶縁膜ＩＮＳ１とトンネル絶縁膜である第３絶縁膜ＩＮＳ３が成膜される。 - 特許庁
The multilayer charge storing layer consists of a tunnel insulating film, a trap insulating film and a blocking insulating film which are successively laminated.例文帳に追加
多層電荷貯蔵層は順次に積層されたトンネル絶縁膜、トラップ絶縁膜およびブロッキング絶縁膜で構成される。 - 特許庁
A second insulating film having a dielectric constant lower than that of the first insulating film is formed on the first insulating film.例文帳に追加
第１の絶縁膜の上に、第１の絶縁膜の誘電率よりも低い誘電率を有する第２の絶縁膜が形成されている。 - 特許庁
To suppress the occurrence of low-k void in a low dielectric constant insulating film when using the low dielectric constant insulating film as an interlayer insulating film.例文帳に追加
層間絶縁膜として、低誘電率絶縁膜を用いる場合に、低誘電率絶縁膜に、Low-kボイドが発生するのを抑える。 - 特許庁
A first insulating film 11a, a second insulating film 11b, and a third insulating film 12 whose etching rates are different are formed on the surface of a semiconductor substrate 10.例文帳に追加
半導体基体１０の表面上にエッチングレートの異なる第１、第２及び第３の絶縁膜１１ａ、１１ｂ、１２を形成する。 - 特許庁
Further, the first insulating film IL1 has less stress exerted on the silicon substrate 1 than the second insulating film IL2 and the third insulating film IL3.例文帳に追加
更に、第１絶縁膜ＩＬ１は、第２絶縁膜ＩＬ２および第３絶縁膜ＩＬ３よりも、シリコン基板１に対して及ぼす応力が小さい。 - 特許庁
INK COMPOSITION FOR FORMING INSULATING FILM, INSULATING FILM FORMED FROM THE INK COMPOSITION, ELECTRONIC ELEMENT HAVING THE INSULATING FILM例文帳に追加
絶縁膜形成用インキ組成物、該インキ組成物から形成された絶縁膜、該絶縁膜を有する電子素子 - 特許庁
A second interlayer insulating film 5 is formed on a first copper wiring 2 formed in a first interlayer insulating film 1 through a barrier insulating film 4.例文帳に追加
第１層間絶縁膜１内形成された第１銅配線２上には、バリア絶縁膜４を介して、第２層間絶縁膜５が形成される。 - 特許庁
PHOTOSENSITIVE POLYIMIDE RESIN COMPOSITION, INSULATING FILM USING THE SAME, PROCESS FOR PRODUCING INSULATING FILM, AND ELECTRONIC COMPONENT USING THE INSULATING FILM例文帳に追加
感光性ポリイミド樹脂組成物、それを用いた絶縁膜、絶縁膜の製造方法および絶縁膜を使用した電子部品 - 特許庁
To provide a method for evaluating an insulating film by which the quality of the insulating film can be evaluated properly in a semiconductor device using the insulating film.例文帳に追加
絶縁膜を用いた半導体装置にあって、その膜質の評価をより適切に行うことのできる絶縁膜の評価方法を提供する。 - 特許庁
The inter-layer insulating film 132 and capacitor insulating film 142 can be formed of a single insulating film.例文帳に追加
層間絶縁膜１３２とキャパシタ絶縁膜１４２とを単一の絶縁膜から形成することも可能である。 - 特許庁
The semiconductor device is provided with a first transistor, a first stress insulating film 20A, a first insulating film 21A and a second insulating film 21B.例文帳に追加
半導体装置は、第１のトランジスタと、第１の応力絶縁膜２０Ａと、第１の絶縁膜２１Ａと、第２の絶縁膜２１Ｂとを備えている。 - 特許庁
A first base insulating film, a second base insulating film, a semiconductor layer, and a gate insulating film are formed in this order from below over a substrate.例文帳に追加
基板上に下から第１の下地絶縁膜、第２の下地絶縁膜、半導体層及びゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁
An insulating film having a reflection prevention function on the lower layer of the photosensitive insulating film and used as an inter-layer insulating film as it stands is formed.例文帳に追加
ここで、感光性絶縁膜の下層に反射防止機能を有しそのまま層間絶縁膜として使用できる絶縁膜を形成する。 - 特許庁
On the insulating film 14, a stopper insulating film 35, having a width which is equal to or narrower than that of the insulating film 14, is arranged.例文帳に追加
素子分離絶縁膜１４上には、素子分離絶縁膜１４の幅と同じか又はそれよりも狭い幅を有するストッパ絶縁膜３５が配置される。 - 特許庁
A first interlayer insulating film is positioned on the substrate and a second interlayer insulating film is positioned on the first interlayer insulating film.例文帳に追加
基板の上に第１層間絶縁膜が位置し、第１層間絶縁膜の上に第２層間絶縁膜が位置する。 - 特許庁
HEAT INSULATING FILM SMALL IN THERMAL CONDUCTIVITY, METALLIC PARTS PROTECTED BY HEAT INSULATING FILM AND METHOD FOR DEPOSITING HEAT INSULATING FILM例文帳に追加
熱伝導率が小さい断熱被膜、断熱被膜により保護される金属部品、および断熱被膜の堆積方法 - 特許庁
The first interlayer insulating film 12 is thicker than the gate insulating film 16 and is lower in a specific dielectric constant than the gate insulating film 16.例文帳に追加
第１の層間絶縁膜１２は、ゲート絶縁膜１６よりも厚く、且つ、ゲート絶縁膜１６よりも比誘電率が低い。 - 特許庁
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